光罩、光罩组、及图形化方法与流程

1.本公开实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光罩、光罩组、及图形化方法。


背景技术：

2.随着半导体领域的不断发展，对动态存储器的高速度、高集成密度、低功耗有着更高的要求。通过光刻和蚀刻形成的接触孔阵列的制备是非常重要的技术。
3.随着接触孔大小的缩小和阵列密度的增加，通过应用光刻-蚀刻-光刻-蚀刻方式在晶圆上产生接触孔图案，对于位线接触孔而言，采用这种图形化工艺受限于动态存储器中的有源区结构的大小，无法得到在横向与纵向的刻蚀上具有理想长度比例的图形。


技术实现要素：

4.本技术所要解决的技术问题是提供一种光罩、光罩组、及图形化方法，以得到在横向与纵向的刻蚀上具有理想长度比例的图形。
5.为了解决上述问题，本公开实施例提供了一种光罩，包括：多个沿第一方向延伸排布的第一条状图形和多个沿所述第一方向间隔排布的第一辅助图形；所述第一条状图形与所述第一辅助图形沿所述第一方向交叠排布，所述第一辅助图形与所述第一条状图形具有重叠区域，在所述重叠区域的边缘，所述第一辅助图形具有未被所述第一条状图形覆盖的突出部。
6.在一些实施例中，所述光罩，包括：所述突出部包括至少两个排布在所述重叠区域不同侧的突出子部。
7.在一些实施例中，所述突出子部分布在所述重叠区域的相对侧。
8.在一些实施例中，所述突出部为多边形。
9.在一些实施例中，所述突出子部的最短的边的长度范围为5～10nm，所述突出子部的最长与所述重叠区域边缘的角度范围为10～20
°
。
10.在一些实施例中，所述突出部为多边形。
11.本公开实施例还提供了一种光罩组，包括：第一光罩，所述第一光罩具有多个沿第一方向延伸排布的第一条状图形和多个沿所述第一方向间隔排布的第一辅助图形；其中，所述第一条状图形与所述第一辅助图形沿所述第一方向交叠排布，所述第一辅助图形与所述第一条状图形具有第一重叠区域，在所述第一重叠区域的边缘，所述第一辅助图形具有未被所述第一条状图形覆盖的第一突出部；第二光罩，所述第二光罩具有多个沿第二方向延伸排布的第二条状图形和多个沿所述第二方向间隔排布的第二辅助图形；其中，所述第二条状图形与所述第二辅助图形沿所述第二方向交叠排布，所述第二辅助图形与所述第二条状图形具有第二重叠区域，在所述第二重叠区域的边缘，所述第二辅助图形具有未被所述第二条状图形覆盖的第二突出部；曝光时，所述第一光罩与所述第二光罩分别沿所述第一方向和所述第二方向放置，所述第一重叠区域和所述第二重叠区域叠置形成目标重叠区域，所述第一突出部、所述第二突出部、所述第一重叠区域和所述第二重叠区域叠置形成目
标图案。
12.在一些实施例中，所述目标图案包括x方向上的关键尺寸和y方向上的关键尺寸，x方向和y方向垂直，所述x方向上的关键尺寸和y方向上的关键尺寸的长度由所述第一突出部、第二突出部、第一重叠区域、及第二重叠区域的形状及大小确定，所述x方向上的关键尺寸的长度与y方向上的关键尺寸的长度的比值大于1.05。
13.在一些实施例中，所述第一突出部和所述第二突出部沿所述目标重叠区域呈中心对称分布。
14.在一些实施例中，所述第一突出部和第二突出部为多边形。
15.在一些实施例中，所述第一突出部和所述第二突出部的最短边的长度范围为5～10nm，所述突出部的最长边与所述目标重叠区域的边缘的角度范围为10～20
°
。
16.本公开实施例还提供了一种图形化方法，包括：提供光罩组，所述光罩组包括：第一光罩，所述第一光罩具有多个沿第一方向延伸排布的第一条状图形和多个沿所述第一方向间隔排布的第一辅助图形；其中，所述第一条状图形与所述第一辅助图形沿所述第一方向交叠排布，所述第一辅助图形与所述第一条状图形具有第一重叠区域，在所述第一重叠区域的边缘，所述第一辅助图形具有未被所述第一条状图形覆盖的第一突出部；第二光罩，所述第二光罩具有多个沿第二方向延伸排布的第二条状图形和多个沿所述第二方向间隔排布的第二辅助图形；其中，所述第二条状图形与所述第二辅助图形沿所述第二方向交叠排布，所述第二辅助图形与所述第二条状图形具有第二重叠区域，在所述第二重叠区域的边缘，所述第二辅助图形具有未被所述第二条状图形覆盖的第二突出部；曝光时，所述第一光罩与所述第二光罩分别沿所述第一方向和所述第二方向放置，所述第一重叠区域和所述第二重叠区域叠置形成目标重叠区域，所述第一突出部、所述第二突出部、所述第一重叠区域和所述第二重叠区域叠置形成目标图案；提供衬底，在所述衬底上形成掩膜层；以所述光罩组曝光所述掩膜层，在所述掩膜层上形成所述目标图案。
17.在一些实施例中，所述掩膜层包括第一子掩膜层和第二子掩膜层，以所述光罩组曝光所述掩膜层，在所述掩膜层上形成所述目标图案的步骤包括：在所述衬底上形成第一子掩膜层，以所述第一光罩曝光所述第一子掩膜层，在所述第一子掩膜层中形成第一目标图案；在所述第一子掩膜层上形成第二子掩膜层，以所述第二光罩曝光所述第二子掩膜层，在所述第二子掩膜层中形成第二目标图案；将所述第二目标图案转移至所述第一子掩膜层中，在所述第一子掩膜层中形成所述目标图案。
18.在一些实施例中，所述目标图案包括x方向上的关键尺寸和y方向上的关键尺寸，x方向和y方向垂直，通过调整所述第一突出部、第二突出部、第一重叠区域、及第二重叠区域的形状及大小以改变所述目标图形的大小及形状，所述x方向上的关键尺寸的长度与y方向上的关键尺寸的长度的比值大于1.05。
19.在一些实施例中，所述第一突出部和所述第二突出部沿所述目标重叠区域呈中心对称分布。
20.在一些实施例中，所述第一突出部和所述第二突出部为多边形。
21.在一些实施例中，所述第一突出部和所述第二突出最短边的长度范围为5～10nm，所述第一突出部和所述第二突出部最长边与所述目标重叠区域的边缘的角度范围为10～20
°
。
22.上述技术方案，通过设置第一辅助图形，在第一条状图形的边缘形成第一突出部。通过改变第一突出部的大小及形状，从而改变所述光罩的形状，得到得到在横向与纵向上具有理想长度比例的光罩。
23.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
附图说明
24.图1是本公开一实施例中的光罩的示意图。
25.图2是本公开另一实施例中的光罩的示意图。
26.图3是本公开一实施例中的光罩组的示意图。
27.图4是本公开一实施例中的第一光罩a的示意图。
28.图5是本公开一实施例中的第二光罩b的示意图。
29.图6本公开一实施例中的目标图案的示意图。
30.图7本公开一实施例中的图形化方法的示意图。
31.图8是本公开一实施例中的图形化方法的示意图。
32.图9是本公开一实施例中的图形化方法的示意图。
33.图10是本公开另一实施例中的图形化方法的示意图。
34.图11是本公开另一实施例中的图形化方法的示意图。
35.图12是本公开另一实施例中的图形化方法的示意图。
36.图13是本公开另一实施例中的图形化方法的示意图。
具体实施方式
37.下面结合附图对本公开实施例提供的光罩、光罩组、及图形化方法的具体实施方式做详细说明。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。也就是说，本领域的技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实时的示例性方式，而不是穷尽的方式。此外，除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置不限制本公开的范围。
38.图1是本公开一实施例中的光罩的示意图。下面请参阅图1，所述光罩，包括：多个沿第一方向m延伸排布的第一条状图形11和多个沿第一方向m间隔排布的第一辅助图形21；第一条状图形11与第一辅助图形21沿第一方向m交叠排布，第一辅助图形21与所述第一条状图形11具有重叠区域3，在重叠区域3的边缘，第一辅助图形21具有未被第一条状图形11覆盖的突出部4。通过改变第一辅助图形21的大小及形状以改变突出部4及重叠区域3的大小及形状，从而改变光罩图形。
39.在本实施例中，第一辅助图形21为四边形。第一辅助图形21与第一条状图形11重叠后，在重叠区域3的边缘形成未被第一条状图形11覆盖的多个突出部4，所述突出部4包括至少两个排布在所述重叠区域3不同侧的突出子部411，所述突出子部411分布在所述重叠区域3的相对侧，且突出子部411为三角形。
40.在一些实施例中，突出子部最短边的长度范围为5～10nm，突出子部最长边与所述
重叠区域边缘的角度α的范围为10～20
°
。
41.在另一些实施例中，突出部为多边形。图2是本公开另一实施例中的光罩的示意图。下面请参阅图2，沿第一方向m的交叠排布的第一辅助图形21与第一条状图形11具有重叠区域3，在所述重叠区域3的边缘，第一辅助图形21具有未被所述第一条状图形11覆盖的突出部4，所述突出部4包括至少两个排布在所述重叠区域3不同侧的突出子部411，所述突出子部411分布在所述重叠区域3的相对侧，所述突出子部411为梯形。
42.上述技术方案，通过设置第一辅助图形21，在第一条状图形11的边缘形成突出部4。通过改变突出部4的大小及形状，从而改变所述光罩的形状，得到在x方向与y方向的上具有理想长度比例的光罩。
43.图3是本公开一实施例中的光罩组的示意图。下面请参阅图3，光罩组包括：第一光罩a及第二光罩b，第一光罩a与第二光罩b分别沿所述第一方向m和第二方向n放置。图4是本公开一实施例中的第一光罩a的示意图。下面请参阅图4，第一光罩a具有多个沿第一方向m延伸排布的第一条状图形11和多个沿第一方向m间隔排布的第一辅助图形21；其中，第一条状图形11与第一辅助图形21沿所述第一方向m交叠排布，第一辅助图形21与第一条状图形11具有第一重叠区域31，在第一重叠区域31的边缘，第一辅助图形21具有未被第一条状图形11覆盖的第一突出部41。第一光罩a包括两个以上以第一重叠区域31为中心的呈中心对称分布的第一突出部41。图5是本公开一实施例中的第二光罩b的示意图。第二光罩b具有多个沿第二方向n延伸排布的第二条状图形12和多个沿第二方向n间隔排布的第二辅助图形22；其中，第二条状图形12与第二辅助图形22沿第二方向n交叠排布，第二辅助图形22与第二条状图形12具有第二重叠区域32，在第二重叠区域32的边缘，第二辅助图形22具有未被第二条状图形12覆盖的第二突出部42。第二光罩b包括两个以上以第二重叠区域32为中心的呈中心对称分布的第二突出部42。
44.在本实施例中，第一辅助图形21和第二辅助图形22为四边形。第一辅助图形21与第一条状图形11重叠后，在第一重叠区域31的边缘形成未被第一条状图形11覆盖的多个第一突出部41，第一突出部41以第一重叠区域31为中心呈中心对称分布，且第一突出部41为三角形。第二辅助图形22与第二条状图形12重叠后，在第二重叠区域32的边缘形成未被第二条状图形12覆盖的多个第二突出部42，第二突出部42以第二重叠区域32为中心呈中心对称分布，且第二突出部42为三角形。第一突出部41和/或第二突出部42的最短边的长度范围为5～10nm，第一突出部41和/或第二突出部42的最长边与目标重叠区域的边缘的角度范围为10～20
°
的角度α的范围为10～20
°
。在另一些实施例中，第一辅助图形可以是任意一种多边形，第二辅助图形可以与第一辅助图形的形状或大小相同，也可以与第一辅助图形的形状或大小不同。第一辅助图形与第一条状图形重叠后形成的第一突出部可以为梯形等多边形，第二辅助图形与第二条状图形重叠后形成的第二突出部可以与第一突出部的形状或大小相同，也可以为任意一种多边形。在一些实施例中，光罩组的第一突出部和所述第二突出部沿所述目标重叠区域呈中心对称分布。
45.下面请继续参阅图3，曝光时，第一光罩a与第二光罩b分别沿第一方向m和第二方向n放置，第一重叠区域(未示出)和第二重叠区域(未示出)叠置形成目标重叠区域33，第一突出部41、第二突出部42、第一重叠区域(未示出)和第二重叠区域(未示出)叠置形成目标图案5。
46.图6本公开一实施例中的目标图案的示意图。下面请参阅图6，目标图案包括x方向上的关键尺寸x1和y方向上的关键尺寸y1，x方向和y方向垂直，通过调整第一突出部41、第二突出部42、第一重叠区域(未示出)、及第二重叠区域(未示出)的形状及大小以改变目标图形的大小及形状，所述x方向上的关键尺寸的长度与y方向上的关键尺寸的长度的比值大于1.05。举例如下：当需要增大x方向上的关键尺寸x1时，可以增大第一辅助图形(未示出)及第二辅助图形(未示出)在x方向上的长度，以增大第一突出部41及第二突出部42在x方向上的长度，使目标图形在x方向上的关键尺寸x1相应增大。当目标图形为非对称的图形时，也可以只调整第一辅助图形或第二辅助图形的在x方向上的长度以改变目标图形在对应区域的形状。当需要增大目标图形在x方向上的关键尺寸x1与在y方向上的关键尺寸y1的比值时，可以通过减小第一辅助图形与第一条状图形之间以及第二辅助图形与第二条状图形之间的角度，以减小目标图形在y方向上的关键尺寸y1的长度，从而增大目标图形在x方向上的关键尺寸x1与在y方向上的关键尺寸y1的比值。
47.上述技术方案，通过设置第一辅助图形21和第二辅助图形22，在第一条状图形11和第二条状图形12的边缘形成第一突出部41和第二突出部42。通过改变第一突出部41和第二突出部42的大小及形状，从而改变光罩组的形状，得到在x方向与y方向的上具有理想长度比例的光罩组。
48.图7是本公开一实施例中的图形化方法的示意图。下面请参阅图7，图形化方法包括：步骤s101，提供光罩组；步骤s102，提供衬底，在衬底上形成掩膜层；步骤s103，以光罩组曝光掩膜层，在掩膜层上形成目标图案。
49.步骤s101，提供光罩组。图3是本公开一实施例中的光罩组的示意图。下面请参阅图3，光罩组包括：第一光罩a及第二光罩b，第一光罩a与第二光罩b分别沿所述第一方向m和第二方向n放置。图4是本公开一实施例中的第一光罩a的示意图。下面请参阅图4，第一光罩a具有多个沿第一方向m延伸排布的第一条状图形11和多个沿第一方向m间隔排布的第一辅助图形21；其中，第一条状图形11与第一辅助图形21沿所述第一方向m交叠排布，第一辅助图形21与第一条状图形11具有第一重叠区域31，在第一重叠区域31的边缘，第一辅助图形21具有未被第一条状图形11覆盖的第一突出部41。第一光罩a包括两个以上以第一重叠区域31为中心的呈中心对称分布的第一突出部41。图5是本公开一实施例中的第二光罩b的示意图。第二光罩b具有多个沿第二方向n延伸排布的第二条状图形12和多个沿第二方向n间隔排布的第二辅助图形22；其中，第二条状图形12与第二辅助图形22沿第二方向n交叠排布，第二辅助图形22与第二条状图形12具有第二重叠区域32，在第二重叠区域32的边缘，第二辅助图形22具有未被第二条状图形12覆盖的第二突出部42。第二光罩b包括两个以上以第二重叠区域32为中心的呈中心对称分布的第二突出部42。
50.在本实施例中，第一辅助图形21和第二辅助图形22为四边形。第一辅助图形21与第一条状图形11重叠后，在第一重叠区域31的边缘形成未被第一条状图形11覆盖的多个第一突出部41，第一突出部41以第一重叠区域31为中心呈中心对称分布，且第一突出部41为三角形。第二辅助图形22与第二条状图形12重叠后，在第二重叠区域32的边缘形成未被第二条状图形12覆盖的多个第二突出部42，第二突出部42第二重叠区域32为中心呈中心对称分布，且第二突出部42为三角形。第一突出部41和/或第二突出部42的最短边的长度范围为5～10nm，第一突出部41和/或第二突出部42最长边与所述目标重叠区域的边缘的角度α的
范围为10～20
°
。在另一些实施例中，第一辅助图形可以是任意一种多边形，第二辅助图形可以与第一辅助图形的形状或大小相同，也可以与第一辅助图形的形状或大小不同。第一辅助图形与第一条状图形重叠后形成的第一突出部可以为梯形等多边形，第二辅助图形与第二条状图形重叠后形成的第二突出部可以与第一突出部的形状或大小相同，也可以为任意一种多边形。光罩组包括两个以上以第一重叠区域为中心的呈中心对称分布的第一突出部和/或两个以上以第二重叠区域为中心的呈中心对称分布的第二突出部。在一些实施例中，光罩组的第一突出部和所述第二突出部沿所述目标重叠区域呈中心对称分布。
51.步骤s102，提供衬底，在衬底上形成掩膜层。在本实施例中，掩膜层包括第一子掩膜层和第二子掩膜层。
52.步骤s103，以光罩组曝光掩膜层，在掩膜层上形成目标图案。图8是本公开一实施例中的图形化方法的示意图。下面请参阅图8，以光罩组曝光掩膜层，在掩膜层上形成目标图案的步骤包括：步骤s201，在衬底上形成第一子掩膜层，以第一光罩曝光第一子掩膜层，在第一子掩膜层中形成第一目标图案；步骤s202，在第一子掩膜层上形成第二子掩膜层，以第二光罩曝光第二子掩膜层，在第二子掩膜层中形成第二目标图案；步骤s203，将第二目标图案转移至第一子掩膜层中，在第一子掩膜层中形成目标图案。
53.在另一些实施例中，以光罩组曝光掩膜层，在掩膜层上形成目标图案的步骤包括：以第一光罩曝光掩膜层，在掩膜层中形成第一目标图案；以第二光罩曝光掩膜层，在掩膜层中形成目标图案。
54.图9是本公开一实施例中的图形化方法的示意图。下面请参阅图9，提供衬底6，所述衬底6为硅衬底，在衬底上形成第一子掩膜层(未示出)。以第一光罩曝光第一子掩膜层，在第一子掩膜层中形成第一目标图案81。在第一目标图案81上覆盖第一掩膜层71，在第一掩膜层71上形成第二子掩膜层(未示出)，以第二光罩曝光第二子掩膜层，在第二子掩膜层中形成第二目标图案82。在第二目标图案82上覆盖第二掩膜层72。图10是本公开另一实施例中的图形化方法的示意图。下面请参阅图10，在第二目标图案82上覆盖第二掩膜层72之前，还包括在第二目标图案82的表面沉积氧化层9，在本实施例中，所述氧化层9为二氧化硅层。图11是本公开另一实施例中的图形化方法的示意图。下面请参阅图11，沿着第二目标图案82的侧壁向下刻蚀部分氧化层9、第一掩膜层71及第一目标图案81，将所述第二目标图案82转移至所述第一掩膜层71中，在第一掩膜层71中形成目标图案101。在一些实施例中，在所述目标图案101上形成第三掩膜层73，重复上述步骤，以形成其他目标图案。图12是本公开另一实施例中的图形化方法的示意图。下面请参与图12，图形化方法还包括在形成第一子掩膜层之前，在衬底6上形成有源区111，通过上述方式形成目标图案101。图13是本公开另一实施例中的图形化方法的示意图。下面请参阅图13，将目标图案101转移到有源区111，并填充多晶硅层121。
55.在一些实施例中，在对掩膜层进行曝光时，将第一光罩与第二光罩交叉放置。下面请继续参阅图3，第一光罩a与第二光罩b分别沿第一方向m和第二方向n放置，第一重叠区域(未示出)和第二重叠区域(未示出)叠置形成目标重叠区域33，第一突出部41、第二突出部42、第一重叠区域(未示出)和第二重叠区域(未示出)叠置形成目标图案5。
56.图6本公开一实施例中的目标图案的示意图。下面请参阅图6，目标图案包括x方向上的关键尺寸x1和y方向上的关键尺寸y1，x方向和y方向垂直，通过调整第一突出部41、第
二突出部42、第一重叠区域(未示出)、及第二重叠区域(未示出)的形状及大小以改变目标图形的大小及形状，所述x方向上的关键尺寸的长度与y方向上的关键尺寸的长度的比值大于1.05。举例如下：当需要增大x方向上的关键尺寸x1时，可以增大第一辅助图形(未示出)及第二辅助图形(未示出)在x方向上的长度，以增大第一突出部41及第二突出部42在x方向上的长度，使目标图形在x方向上的关键尺寸x1相应增大。当目标图形为非对称的图形时，也可以只调整第一辅助图形或第二辅助图形的在x方向上的长度以改变目标图形在对应区域的形状。当需要增大目标图形在x方向上的关键尺寸x1与在y方向上的关键尺寸y1的比值时，可以通过减小第一辅助图形与第一条状图形之间以及第二辅助图形与第二条状图形之间的角度，以减小目标图形在y方向上的关键尺寸y1的长度，从而增大目标图形在x方向上的关键尺寸x1与在y方向上的关键尺寸y1的比值。
57.上述技术方案，通过设置第一辅助图形21和第二辅助图形22，在第一条状图形11和第二条状图形12的边缘形成第一突出部41和第二突出部42。通过改变第一突出部41和第二突出部42的大小及形状，从而改变目标图形的形状，得到在x方向与y方向的刻蚀上具有理想长度比例的图形。
58.以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种光罩，其特征在于，包括：多个沿第一方向延伸排布的第一条状图形和多个沿所述第一方向间隔排布的第一辅助图形；所述第一条状图形与所述第一辅助图形沿所述第一方向交叠排布，所述第一辅助图形与所述第一条状图形具有重叠区域，在所述重叠区域的边缘，所述第一辅助图形具有未被所述第一条状图形覆盖的突出部。2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述突出部包括至少两个排布在所述重叠区域不同侧的突出子部。3.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述突出子部分布在所述重叠区域的相对侧。4.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述突出部为多边形。5.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述突出子部最短边的长度范围为5～10nm，所述突出子部最长边与所述重叠区域边缘的角度范围为10～20
°
。6.一种光罩组，其特征在于，包括：第一光罩，所述第一光罩具有多个沿第一方向延伸排布的第一条状图形和多个沿所述第一方向间隔排布的第一辅助图形；其中，所述第一条状图形与所述第一辅助图形沿所述第一方向交叠排布，所述第一辅助图形与所述第一条状图形具有第一重叠区域，在所述第一重叠区域的边缘，所述第一辅助图形具有未被所述第一条状图形覆盖的第一突出部；第二光罩，所述第二光罩具有多个沿第二方向延伸排布的第二条状图形和多个沿所述第二方向间隔排布的第二辅助图形；其中，所述第二条状图形与所述第二辅助图形沿所述第二方向交叠排布，所述第二辅助图形与所述第二条状图形具有第二重叠区域，在所述第二重叠区域的边缘，所述第二辅助图形具有未被所述第二条状图形覆盖的第二突出部；曝光时，所述第一光罩与所述第二光罩分别沿所述第一方向和所述第二方向放置，所述第一重叠区域和所述第二重叠区域叠置形成目标重叠区域，所述第一突出部、所述第二突出部、所述第一重叠区域和所述第二重叠区域叠置形成目标图案。7.根据权利要求6所述的光罩组，其特征在于，所述目标图案包括x方向上的关键尺寸和y方向上的关键尺寸，x方向和y方向垂直，所述x方向上的关键尺寸和y方向上的关键尺寸的长度由所述第一突出部、第二突出部、第一重叠区域、及第二重叠区域的形状及大小确定，所述x方向上的关键尺寸的长度与y方向上的关键尺寸的长度的比值大于1.05。8.根据权利要求6所述的光罩组，其特征在于，所述第一突出部和所述第二突出部沿所述目标重叠区域呈中心对称分布。9.根据权利要求6所述的光罩组，其特征在于，所述第一突出部和所述第二突出部为多边形。10.根据权利要求6所述的光罩组，其特征在于，所述第一突出部和所述第二突出部最短边的长度范围为5～10nm，所述第一突出部和所述第二突出部最长边与所述目标重叠区域的边缘的角度范围为10～20
°
。11.一种图形化方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求6所述的光罩组；提供衬底，在所述衬底上形成掩膜层；以所述光罩组曝光所述掩膜层，在所述掩膜层上形成所述目标图案。12.根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述掩膜层包括第一子掩膜层和第二子掩膜层，以所述光罩组曝光所述掩膜层，在所述掩膜层上形成所述目标图案的步骤包括：在所述衬底上形成第一子掩膜层，以所述第一光罩曝光所述第一子掩膜层，在所述第一子掩膜层中形成第一目标图案；在所述第一子掩膜层上形成第二子掩膜层，以所述第二光罩曝光所述第二子掩膜层，在所述第二子掩膜层中形成第二目标图案；将所述第二目标图案转移至所述第一子掩膜层中，在所述第一子掩膜层中形成所述目标图案。13.根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述目标图案包括x方向上的关键尺寸和y方向上的关键尺寸，x方向和y方向垂直，通过调整所述第一突出部、第二突出部、第一重叠区域、及第二重叠区域的形状及大小以改变所述目标图形的大小及形状，所述x方向上的关键尺寸的长度与y方向上的关键尺寸的长度的比值大于1.05。14.根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述第一突出部和所述第二突出部沿所述目标重叠区域呈中心对称分布。15.根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述第一突出部和所述第二突出部为多边形。16.根据权利要求11所述的图形化方法，其特征在于，所述第一突出部和所述第二突出最短边的长度范围为5～10nm，所述第一突出部和所述第二突出部最长边与所述目标重叠区域的边缘的角度范围为10～20
°
。

技术总结
本公开提供了一种光罩、光罩组、及图形化方法。所述光罩，包括：多个沿第一方向延伸排布的第一条状图形和多个沿所述第一方向间隔排布的第一辅助图形；所述第一条状图形与所述第一辅助图形沿所述第一方向交叠排布，所述第一辅助图形与所述第一条状图形具有重叠区域，在所述重叠区域的边缘，所述第一辅助图形具有未被所述第一条状图形覆盖的突出部。上述技术方案，通过设置第一辅助图形，在第一条状图形的边缘形成第一突出部。通过改变第一突出部的大小及形状，从而改变所述光罩的形状，得到在横向与纵向上具有理想长度比例的光罩。向与纵向上具有理想长度比例的光罩。向与纵向上具有理想长度比例的光罩。


技术研发人员：于业笑 刘忠明
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.01.07
技术公布日：2023/7/21