一种顶针结构、半导体处理设备及其使用方法与流程

1.本技术涉及但不限于半导体处理技术领域，尤其涉及一种顶针结构、半导体处理设备及其使用方法。


背景技术：

2.在半导体制造工艺中，晶圆的制造对工艺要求非常高，整个工艺过程可分为许多个制程，每个制程都会涉及到晶圆升降及转移，通常是通过顶针结构来满足要求。半导体设备在对半导体(或晶圆)进行处理时，由顶针结构支撑晶圆，顶针结构的端部会和晶圆背面接触，例如美国应用材料(applied materials,inc.，amat)的半导体设备gt3/gt/se中的顶针结构在支撑晶圆时，顶针结构的端部会和晶圆背面接触。当前，顶针结构与晶圆接触面积较大，同时顶针结构在机台长久进行清洁工序时会被腐蚀，会产生较多的微粒，从而影响后续的制程，进而影响晶圆的良率。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种顶针结构、半导体处理设备与半导体处理设备的使用方法。
4.第一方面，本技术实施例提供一种顶针结构，所述顶针结构至少包括端部和顶杆，其中：所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构用于支撑待处理物；所述凸起结构在水平面的投影面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积。
5.第二方面，本技术实施例提供一种半导体处理设备，包括：腔体；位于所述腔体内的上述顶针结构，用于支撑半导体；升降组件，用于带动所述顶针结构上下运动。
6.第三方面，本技术实施例提供一种半导体处理设备的使用方法，所述设备包括：腔体和升降组件；所述腔体内包括顶针结构和加热组件；所述顶针结构，用于支撑半导体；所述顶针结构包括可拆卸连接的顶杆和端部，所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构在水平面的投影面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积；所述加热组件，位于所述腔体内，用于对所述半导体进行加热，和/或，用于承载所述半导体；所述加热组件上开设多个用于每一所述顶针结构穿越的通道；所述升降组件，用于带动所述顶针结构上下运动；所述方法包括：打开所述腔体；更换所述端部；关闭所述腔体。
7.本技术实施例中，顶针结构的端部设置凸起结构和位于凸起结构下方的类倒梯形结构，凸起结构用于支撑待处理物；凸起结构在水平面的投影面积小于类倒梯形结构在水平面的投影面积。这样，减小了晶圆背面与顶针结构端部的接触面积，从而减小微粒的产生，改善腔体的环境；同时方便顶杆和端部的连接，使端部落入加热组件的通道位置更加合适。
附图说明
8.在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。
9.图1a和图1b分别为一种顶针结构组成结构示意图和顶针结构与加热组件位置关系示意图；
10.图1c至1d为一种顶针结构与晶圆背面接触时产生微粒的示意图；
11.图2a至图2b为本技术实施例提供的一种顶针结构组成结构示意图；
12.图3a至图3d为本技术实施例提供的一种半导体处理设备组成结构示意图；
13.图4和图5为本技术实施例提供的一种半导体处理设备的使用方法的实现流程示意图。
具体实施方式
14.下面将参照附图更详细地描述本技术公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本技术的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本技术，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本技术，并且能够将本技术公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
15.在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
16.在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
17.应当明白，当元件或层被称为“在
……
上”、“与
……
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
……
上”、“与
……
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本技术必然存在第一元件、部件、区、层或部分。
18.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
19.为了更好地理解本技术实施例提供的顶针结构，下面先对顶针结构存在的问题进
行说明。
20.在机台对半导体进行处理的时候，例如，通过化学气相沉积方法在晶圆上沉积氮化硅薄膜，在顶针结构支撑晶圆时，顶针结构会和晶圆背面接触。其中，顶针结构如图1a所示，顶针结构10具有半球形的端部101和顶杆，且顶针结构的顶部101和顶杆一体连接。
21.如图1b所示，加热组件11中具有使顶针结构10穿过的通道，升降组件可以带动顶针结构10上下运动，由于顶针结构中的端部和顶杆是一体的，更换顶针结构时需要拆卸加热组件，因此更换时间较长。
22.在沉积氮化硅薄膜过程中，机台需要进行清洁工序，例如，采用清洁气体或者等离子体对晶圆表面进行清洁，或者对腔体内部进行清洁，除去杂质。因此，会造成顶针结构在机台长久进行清洁工序时会被腐蚀的问题，从而使晶圆背面与顶针结构的端部接触位置存在微粒并附着部分在晶圆背面，如图1c和图1d所示，端部101上会因为腐蚀产生微粒102，进而微粒102会附着到晶圆13的背面。这部分的微粒会跟随晶圆传送到共同路径传送区域/环境转换缓冲区域里，长期累积使共同路径环境变差，从而使后续晶圆上存在微粒；其次晶圆背面带着微粒进入到光刻腔体，长期累积在承载晶圆的基座表面，可能会导致晶圆在基座上不平整造成进程异常，直接影响晶圆的良率，所以需要一种顶针结构以减少晶圆背面的微粒。
23.本技术实施例提供一种顶针结构，至少包括端部和顶杆，其中：所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构用于支撑待处理物；所述凸起结构在水平面的投影面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积。
24.这里，顶杆可以为圆柱形，也可以为棱柱形状。顶杆可以为不锈钢材质、金属材质，也可以为陶瓷材质。顶杆与端部可以是一体的，方便制造；也可以是分开的，例如采用可拆卸的方式连接。待处理物可以是晶圆、衬底或者其他对象。
25.图2a为本技术实施例提供的一种顶针结构组成结构示意图；下面结合图2a对本技术实施例提供的顶针结构进行详细解释。如图2a所示，顶针结构20包括顶杆201和端部202，其中：端部202包括凸起结构202a和位于凸起结构202a下方的类倒梯形结构202b。从图2a中可以看出，凸起结构202a在水平面的投影面积小于类倒梯形结构202b在水平面的投影面积。采用凸起结构可以减小晶圆背面与顶针结构端部的接触面积，从而减小微粒的产生，改善腔体的环境；同时类倒梯形结构可以方便顶杆和端部的连接，使端部落入加热组件的通道位置更加合适。
26.在一些实施例中，所述端部与顶杆之间可拆卸连接。例如，端部与顶杆可以采用卡勾连接、键连接、卡接或销连接，也可以采用螺纹连接，本领域技术人员可以根据需要选择，这里并不限定。
27.以螺纹连接为例对端部与顶杆之间可拆卸连接进行说明。如图2b所示，类倒梯形结构202b具有开口朝下的螺纹孔203，顶杆201具有外螺纹204，螺纹孔203内具有与外螺纹204相匹配的内螺纹203a，从而使得类倒梯形结构经由内螺纹203a及外螺纹204旋于顶杆201上。如此，在端部发生磨损时，可以仅拆卸端部，不用将位于端部下方的加热组件取下，减少了加热组件拆卸损耗，延长了加热组件的使用寿命，缩短了顶针结构的更换时间和回线时间。同时，类倒梯形结构表面具有棱角，在拆卸和装配时拆卸工具更容易卡住端部，并且不容易打滑，方便拆卸与装配。
28.以卡接为例对端部与顶杆之间可拆卸连接进行说明。类倒梯形结构具有开口向下的卡接槽，顶杆具有径向向外的卡接凸起；可以理解的是，端部具有凹部，顶杆具有凸起，凸起可以稳定卡接在凹部内，不发生相对移动。在实施时，凹部可以为“t型”，凸起可以为“t型”。装配时，将端部放在顶杆上，旋转端部使卡接凸起位于卡接槽内。
29.在一些实施例中，所述顶针结构的材质为陶瓷。在实施时，可以采用氧化铝陶瓷或者氮化硅陶瓷等具有耐高温、耐腐蚀等性能优异的陶瓷，可以减少微粒的产生。
30.在一些实施例中，所述类倒梯形结构在水平面的投影面积大于所述顶杆在水平面的投影面积。这里，顶杆结构需要穿越加热组件，在带动待处理物向下运动将其放置在加热组件上后，待处理物的背面与加热组件的上表面相接触，此时，顶杆结构的端部放置与加热组件的通道中，可以起到定位的作用。因此，需要类倒梯形结构在水平面的投影面积大于顶杆在水平面的投影面积。
31.在一些实施例中，所述顶杆的横截面尺寸为2至5mm毫米(mm)，所述端部与所述顶杆连接部分的高度为0.5至3mm，所述凸起结构的高度为0.5至1.5mm，所述类倒梯形结构的高度为1至5mm；所述待处理物与每一所述顶针结构的所述端部接触面的长度为0.3至1mm。
32.如图2b所示，顶杆201的横截面积d1为3mm，螺纹孔203(内螺纹203a)的高度d2为1mm，外螺纹204的高度d3也为1mm。凸起结构的高度d4为1mm，螺纹孔203顶部至类倒梯形结构202b的顶部的距离d5为1mm，类倒梯形的结构的高度等于d2与d5之和，即为2mm。如此，顶针结构与待处理物背面的接触长度为0.5mm，而上述顶针结构与待处理物背面的接触长度为2mm。可见，本技术实施例提供的顶针结构减小了顶针结构与待处理物背面的接触长度或接触面积，从而减少微粒的产生，改善了腔体内的环境。
33.在一些实施例中，所述凸起结构位于所述顶杆的竖向中心线位置，且所述凸起结构为半径为0.5至1.5mm的半球形。在实施时，凸起结构的半径可以为1mm。
34.这里，凸起结构为半球形可以减小清洁气体或等离子体与凸起结构的接触面积，可以进一步减小对凸起结构的腐蚀，从而进一步减少微粒的产生。同时半球形结构表面光滑，可以减小对待处理物的划伤。
35.在一些实施例中，所述端部的横截面的长度3至10mm。在实施时，端部的横截面的长度可以是6mm。
36.本技术实施例提供一种半导体处理设备，包括：腔体；位于所述腔体内如上述实施例提供的顶针结构，用于支撑半导体；升降组件，用于带动所述顶针结构上下运动。
37.本技术实施例提供的半导体处理设备可以用于等离子体增强化学气相沉积技术形成薄膜的过程中。利用低温等离子体作为能量源，将半导体置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使半导体升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在半导体表面形成固态薄膜。在成膜过程中，半导体在升降组件带动顶针结构的升降过程中完成在加热组件上顺利升降，进而实现半导体的传送。
38.本技术实施例中，采用的顶针结构至少包括端部和顶杆，其中：所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构用于支撑待处理物；所述凸起结构在水平面的投影面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积。因此可以减小半导体背面与顶针结构端部的接触面积，进而减小微粒的产生，改善腔体内的环境；同时类倒梯形结构可以方便顶杆和端部的连接，使端部落入加热组件的通道位置更加合适。
39.下面结合图3a对本技术实施例提供的半导体处理设备进行详细解释。如图3a所示，半导体处理设备包括：腔体301；位于腔体301内的顶针结构302；位于顶针结构302上的半导体303以及用于带动顶针结构302上下运动的升降组件304。
40.在实施时，升降组件可以是升降杆，也可以是升降平台，本领域技术人员可以根据需要选择，这里并不限定。
41.在一些实施例中，如图3b所示，所述半导体处理设备还包括：位于腔体301内的加热组件305，用于对半导体303进行加热，和/或，用于承载半导体303；加热组件305上开设多个用于每一顶针结构302穿越的通道a。
42.这里，加热组件可以为加热板或者加热盘，加热板或者加热盘可以是陶瓷材质。加热组件可以对半导体进行加热；也可以将半导体平整放于加热组件上，用加热组件承载半导体；也可以既对半导体进行加热又承载半导体。
43.在一些实施例中，如图3c所示，加热组件305上还设置有多个由每一通道a的顶端的内壁径向向外突出形成的让位空间b；顶针结构302的端部302a能容纳于让位空间b。这样，顶针结构的端部在进入让位空间b内时不必刻意与让位空间b对准、对齐，顶针结构的端部与让位空间b的配合更加简单。进一步地，类倒梯形结构的外径从顶端到底端渐缩，让位空间b的内径从顶端到底端渐缩。这样，在类倒梯形结构未进入到让位空间b内时，类倒梯形结构外径较小的一端朝向让位空间b，让位空间b内径较大的一端朝向类倒梯形结构，这样，类倒梯形结构更容易进入到让位空间b内。
44.在一些实施例中，类倒梯形结构的外周面为外锥面，让位空间b的内周壁为内锥面。这种形状的类倒梯形结构和让位空间b更加容易加工出来。
45.在一些实施例中，所述升降组件包括升降平台、连杆和外部驱动部件，且所述升降平台经所述连杆与连接外部驱动部件连接。这里，顶针结构的顶杆底部与升降平台接触，升降平台用于支撑顶针结构。外部驱动部件可以是驱动电机，也可以是电动缸、气缸或油缸，例如压环升降气缸，本领域技术人员可以根据需要选择，这里并不限定。
46.在一些实施例中，所述设备包括三个所述顶针结构，且成正三角形分布。这样，在三个顶针结构同时顶起半导体时，半导体受力更加均匀，半导体被支撑得更加稳定，可以提高半导体在上下运动过程中的平稳性。
47.在另一些实施例中，也可以包括多个顶针结构，每相邻的两个顶针结构的顶点相连成正多边形，例如可以是正方形或正五边形。正多边形的中心在升降平台的平台上平面上的正投影与升降平台的中心重合，如此，可以进一步提高半导体在运动过程中的稳定性。
48.在一些实施例中，如图3b所示，所述设备还包括：位于加热组件30下部中心处的向下延伸的支撑组件306。这里，支撑组件用于支撑加热组件。
49.本技术实施例提供一种半导体处理设备，同时参考图3a和图3d，所述设备包括：腔体301；位于腔体301内如上述实施例中任一项所述的顶针结构302，用于支撑半导体303；升降组件304，用于带动顶针结构302上下运动；传送区域307，位于腔体301外，用于传送完成上一处理过程的半导体303；环境转换缓冲区域308，与传送区域307相邻，用存放待完成下一处理过程的半导体303。图3d中箭头所示的方向为半导体传送路线，在实施时，在半导体303在腔室301中完成处理时，顶针结构将半导体303顶起，机械手臂将半导体303从腔室301中取出，传送至传送区域307，之后机械手臂将半导体303传送至环境转换缓冲区域308，在
这一区域，可以对半导体303进行抽真空处理，作为半导体从非真空状态传送到另一高真空状态前的过渡腔体，从而达到一定程度的真空度，可以节省很多从大气到高真空的抽真空时间。之后，机械手臂会将半导体传送至进行下一个处理工序的腔体，例如用于进行光刻处理的腔室。
50.光刻处理是通过一系列生产步骤，用于在不同的器件和电路表面上建立图形的工艺过程。半导体器件最终的图形是通过多个掩膜版按特定顺序在半导体表面层层叠加建立起来的。光刻工艺通过包括涂胶、曝光和显影等主要工序。曝光是通过曝光灯或者其它辐射源作为曝光光源照射光刻胶层，从而将图形转移到光刻胶涂层上。显影是对曝光后未聚合的光刻胶进行化学分解，从而将图形转移到光刻胶。在曝光过程中，如果半导体背面有突起或凹陷异常，会影响到正面图像的形成。
51.从上面可以看出，在腔体中处理完成的半导体都会通过机械手臂传送至传送区域和环境转换缓冲区域，通过采用本技术实施例提供的顶针结构，减小了微粒的产生，改善了腔体内的环境，同时也改善了传送区域和环境转换缓冲区域的环境。如此，在半导体进入下一处理工序的腔体内，半导体背面上的微粒就可以减少，甚至不会存在微粒。进而不会产生由于半导体背面存在微粒影响半导体在基座上的水平度的问题，这样就会减少对光刻工艺的影响，提高半导体生产良率。
52.在一些实施例中，还可以在环境转换缓冲区域中设置传感器，对半导体的缺损情况进行检测，有利于进行半导体批量生产。
53.本技术实施例提供一种半导体处理设备的使用方法，应用于上述的半导体处理设备，该设备包括：腔体和升降组件；所述腔体内包括顶针结构和加热组件；所述顶针结构，用于支撑半导体；所述顶针结构包括可拆卸连接的顶杆和端部，所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构在水平面的投影面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积；所述加热组件，位于所述腔体内，用于对所述半导体进行加热，和/或，用于承载所述半导体；所述加热组件上开设多个用于每一所述顶针结构穿越的通道；所述升降组件，用于带动所述顶针结构上下运动；
54.如图4所示，所述方法包括以下步骤：
55.步骤s401，打开腔体；
56.步骤s402，更换端部；
57.步骤s403，关闭所述腔体。
58.可以理解的是，此实施例中的设备可以参考图3a去理解。这里，相关技术中，如果顶针结构的端部发生磨损，需要更换顶针结构时，需要先打开腔体，拆卸加热组件，更换顶针结构，之后再安装加热组件，关闭腔室。如此更换机台中每一腔体内的顶针结构，预计花费10小时。本技术实施例中，半导体处理设备包括腔体和升降组件，腔体内包括顶针结构和加热组件，由于顶针结构的顶杆和端部是可拆卸连接的，更换时可以不用取下加热组件，只更换端部，从而缩短更换时间，预计花费7小时，如此可以提高半导体处理效率，不影响正常跑货生产，提高产能。
59.在一些实施例中，步骤s402之后还包括：校正所述顶针结构至预设高度。如此，可以使更换顶针结构前后的托举高度保持一致，后续传送半导体时不再需要多次调节机械手臂的传送高度。在实施时，可以采用顶针高度制具来手动调节顶针高度；也可以采用自动调
节高度程序来调节，从而实现精准装配与快速装配。
60.本技术实施例提供一种半导体处理设备的使用方法，应用于上述的半导体处理设备，该设备包括：腔体和升降组件；所述腔体内包括顶针结构和加热组件；所述顶针结构，用于支撑半导体；所述顶针结构包括可拆卸连接的顶杆和端部，所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构在水平面的投影面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积；所述加热组件，位于所述腔体内，用于对所述半导体进行加热，和/或，用于承载所述半导体；所述加热组件上开设多个用于每一所述顶针结构穿越的通道；所述升降组件，用于带动所述顶针结构上下运动。
61.可以理解的是，此实施例中的设备可以参考图3a去理解。如图5所示，所述方法包括以下步骤：
62.步骤s501，打开腔体；
63.步骤s502，更换端部；
64.步骤s503，将半导体放置在所述顶针结构的所述端部以使得所述顶针结构支撑起所述半导体；
65.这里，通过机械手臂将半导体放置在顶针结构上，使半导体的背面与顶针结构接触，以使顶针结构支撑起半导体。
66.步骤s504，利用升降组件下降带动所述顶针结构下降预设高度至初始位置；
67.步骤s505，关闭所述腔体。
68.可以理解的是，这里不仅包括了更换顶针结构的过程，还包括了将半导体放置在腔体内，以进行对半导体处理的过程。例如，对半导体进行沉积薄膜。这里，步骤s503和步骤s504为将半导体放置到腔体的步骤，在这个过程中，升降组件带动顶针结构向上运动，使半导体的高度大于加热组件的高度，机手机臂能托着半导体往顶针结构上放置半导体，顶针结构顶端与加热组件之间的空间用于为机械手臂让位。待机械手臂缩回后，升降组件下降带动顶针结构下降预设高度至初始位置，在这个过程中半导体被放置在加热组件上，加热组件可以承载半导体。加热组件对半导体进行加热时，顶针结构封堵通道并起到导热的作用，这能使得半导体受热更加均匀。
69.在一些实施例中，所述方法还包括：
70.步骤s506，利用所述升降组件上升带动所述顶针结构从初始位置上升至预设高度；
71.步骤s507，将所述半导体从所述顶针结构的所述端部取下。
72.可以理解的是，步骤s506和步骤s507为将半导体从腔体内取出的过程。升降组件上升带动顶针结构从初始位置上升至预设高度，此时加热组件不再承载半导体，顶针结构托举半导体，机械手臂可以将半导体从顶针结构上取下，进而传送出腔体。
73.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过非目标的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合。
74.上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显
示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
75.本技术所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。
76.以上所述，仅为本技术实施例的一些实施方式，但本技术实施例的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术实施例揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术实施例的保护范围之内。因此，本技术实施例的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

技术特征：
1.一种顶针结构，其特征在于，至少包括端部和顶杆，其中：所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构用于支撑待处理物；所述凸起结构在水平面的投影面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述端部与顶杆之间可拆卸连接。3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述顶针结构的材质为陶瓷。4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述类倒梯形结构在水平面的投影面积大于所述顶杆在水平面的投影面积。5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述顶杆的横截面尺寸为2至5mm，所述端部与所述顶杆连接部分的高度为0.5至3mm，所述凸起结构的高度为0.5至1.5mm，所述类倒梯形结构的高度为1至5mm；所述待处理物与每一所述顶针结构的所述端部接触面的长度为0.3至1mm。6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述凸起结构位于所述顶杆的竖向中心线位置，且所述凸起结构为半径为0.5至1.5mm的半球形。7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述端部的横截面的长度3至10mm。8.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：腔体；位于所述腔体内如权利要求1至7中任一项所述的顶针结构，用于支撑半导体；升降组件，用于带动所述顶针结构上下运动。9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，还包括：位于所述腔体内的加热组件，用于对所述半导体进行加热，和/或，用于承载所述半导体；所述加热组件上开设多个用于每一所述顶针结构穿越的通道。10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述加热组件上还设置有多个由每一所述通道的顶端的内壁径向向外突出形成的让位空间；所述顶针结构的所述端部能容纳于所述让位空间。11.根据权利要求8至10任一项所述的设备，其特征在于，所述升降组件包括升降平台、连杆和外部驱动部件，且所述升降平台经所述连杆与连接外部驱动部件连接。12.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述设备包括三个所述顶针结构，且成正三角形分布。13.根据权利要求9至10任一项所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：位于所述加热组件下部中心处的向下延伸的支撑组件。14.根据权利要求8至10任一项所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：传送区域，位于所述腔体外，用于传送完成上一处理过程的半导体；环境转换缓冲区域，与所述传送区域相邻，用于用存放待完成下一处理过程的半导体。15.一种半导体处理设备的使用方法，其特征在于，所述设备包括：腔体和升降组件；所述腔体内包括顶针结构和加热组件；所述顶针结构，用于支撑半导体；所述顶针结构包括可拆卸连接的顶杆和端部，所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构在水平面的投影
面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积；所述加热组件，位于所述腔体内，用于对所述半导体进行加热，和/或，用于承载所述半导体；所述加热组件上开设多个用于每一所述顶针结构穿越的通道；所述升降组件，用于带动所述顶针结构上下运动；所述方法包括：打开所述腔体；更换所述端部；关闭所述腔体。16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述更换所述端部之后还包括：校正所述顶针结构至预设高度。17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述半导体放置在所述顶针结构的所述端部以使得所述顶针结构支撑起所述半导体；利用所述升降组件下降带动所述顶针结构下降预设高度至初始位置。18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：利用所述升降组件上升带动所述顶针结构从初始位置上升至预设高度；将所述半导体从所述顶针结构的所述端部取下。

技术总结
本申请实施例提供一种顶针结构、半导体处理设备与半导体处理设备的使用方法。其中，所述顶针结构至少包括端部和顶杆，其中：所述端部包括凸起结构和位于所述凸起结构下方的类倒梯形结构；所述凸起结构用于支撑待处理物；所述凸起结构在水平面的投影面积小于所述类倒梯形结构在水平面的投影面积。倒梯形结构在水平面的投影面积。倒梯形结构在水平面的投影面积。


技术研发人员：汝强
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.01.07
技术公布日：2023/7/21