一种量子点封装材料、量子点膜及其制备方法与流程

1.本技术属于材料技术领域，尤其涉及一种量子点封装材料、量子点膜及其制备方法。


背景技术：

2.随着技术的不断发展，量子点应用于显示领域已经被行业熟知。量子点的应用形式有三种，第一种以量子点封装于led上，该技术虽可减少量子点的使用量，但高温影响了量子点的寿命；第二种是量子点管，置于导光板侧边，缺点是需要专门的治具夹持，且运送和使用需要及其小心，防止破损。第三种是以薄膜形式，置于导光板或扩散板之上，与普通光学膜相同，由于设计相对简单，使用方便，是目前唯一大量使用的形式。
3.现有的量子点膜是以在固化树脂中混合量子点之后形成涂膜的方式制备。量子点材料由于其自身性质的受限，在有水和氧气的情况下，会发生猝灭，所以整个制备过程中，需严格控制水氧。且量子点薄膜不得不采用高阻隔薄膜进行结构性封装，在涂布时不仅要考虑涂层厚度的控制，还要考虑复合成三明治结构以后的总厚度，目前量子点薄膜涂层厚度一般在50-100μm左右。国内在量子点膜用高阻隔膜产品方面主要依赖进口，价格昂贵，且阻隔水氧效果仍有待提高。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种量子点封装材料的制备方法，旨在解决现有量子点膜用高阻隔膜产品存在价格昂贵且阻隔水氧效果有待提高的问题。
5.本技术实施例是这样实现的，一种量子点封装材料的制备方法，包括：
6.将15-25份烷醇酰胺、3-10份端羟基改性剂、30-50份溶剂以及0.05-0.2份稀硫酸进行升温回流反应，经减压蒸发得多元醇低聚物；
7.将8-10份所述多元醇低聚物、1-1.5份超支化聚多元醇，8-10份溶剂升温至110-130℃进行减压脱水处理；
8.降温至20-80℃滴入异氰酸酯进行保温反应后，加入0.02-0.1份催化剂，并将温度升至60-100℃进行保温反应至nco含量稳定2％-10％，即得量子点封装材料。
9.本技术实施例还提供一种量子点封装材料，所述量子点封装材料是由上述的量子点封装材料的制备方法制备得到。
10.本技术实施例还提供一种量子点膜，包括以下重量份的原料：
11.上述量子点封装材料70-100份、量子点0.1-0.3份以及助剂0.1-1份。
12.本技术实施例还提供一种量子点膜的制备方法，包括：
13.将上述量子点封装材料70-100份、量子点0.1-0.3份以及助剂0.1-1份进行均匀混合后，经涂布、固化处理，得到量子点膜；
14.对所述量子点膜进行真空镀膜处理以使有机层表面形成致密的无机镀层，即得。
15.本技术实施例通过利用多元醇低聚物与超支化聚多元醇于特定工艺条件下制备
得到的量子点封装材料，可与量子点混合制备成薄膜，该薄膜的分子结构中的酰胺键之间可形成氢键，增加了内聚力，且酯酰胺的存在和脂肪族化合物具有更多交联点，提高了涂层交联密度，脂肪族化合物的长链增加了疏水性，有利于保护量子点材料；同时，薄膜的分子结构中醚键结合酯酰胺多元醇，提高了耐水解和耐化学性，醚键以及脂肪族化合物的协同作用赋予薄膜出色的柔韧性；另外，引入的超支化聚多元醇具有高度支化结构，能够对分子链中的酯基形成包埋，有效的阻止酯基与空气中的水分直接接触，且超支化羟基聚合物的羟基官能团得到了极大的保留，这有利于提高涂层交联密度，增加薄膜的阻隔性。
具体实施方式
16.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
17.目前，国内在量子点膜用高阻隔膜产品方面主要依赖进口，价格昂贵，若使用的量子点封装材料能有较好的阻隔水氧特性，则可以一定程度上保护量子点材料，延长使用寿命，从而可以替代昂贵的进口阻隔膜。因此本技术实施例重在开发一种与量子点兼容且有较好阻隔性的封装材料，混合制成薄膜，再通过真空镀膜工艺在薄膜上形成致密的氧化物阻隔层，形成有机/无机复合薄膜，能够有效保护量子点，然后再与阻隔膜、导光板或扩散板贴合，达到理想混光效果，并通过远离封装的形式制备量子点led。
18.本技术提供的一种量子点封装材料的制备方法，包括：
19.将15-25份烷醇酰胺、3-10份端羟基改性剂、30-50份溶剂以及0.05-0.2份稀硫酸进行升温回流反应，经减压蒸发得多元醇低聚物；
20.将8-10份所述多元醇低聚物、1-1.5份超支化聚多元醇，8-10份溶剂升温至110-130℃进行减压脱水处理；
21.降温至20-80℃滴入异氰酸酯进行保温反应后，加入0.02-0.1份催化剂，并将温度升至60-100℃进行保温反应至nco含量稳定2％-10％，即得量子点封装材料。
22.在本技术实施例中，将15-25份的烷醇酰胺和3-10份端羟基改性剂，30-50份溶剂加入反应釜，通氮气保护，加入0.05-0.2份稀硫酸，使温度升至175℃-180℃回流，到不再收集到水，即反应完成，然后进行减压蒸发得到多元醇低聚物。
23.其中，所述多元醇低聚物的分子量为1000-2500。
24.其中，所述烷醇酰胺侧链含有12-18个碳原子的饱和或不饱和碳氢链，
25.其中，所述端羟基改性剂为含2-9个碳原子烷基链的二元醇化合物的单独或组合使用。
26.其中，所述溶剂为：甲苯、二甲苯、乙酸丁酯、醋酸异丁酯、醋酸仲丁酯、醋酸戊酯等，这类有机溶剂可以单独或组合使用。
27.在本技术实施例中，将8-10份多元醇低聚物、1-1.5份超支化聚多元醇，8-10份溶剂加入聚合釜，通入氮气保护，搅拌混合均匀，然后升温110-130℃减压脱水，使之含水率≤0.05％。在氮气保护下，降温至20-80℃将2-2.5份的异氰酸酯缓慢滴入聚合体系，保温1-4h，加入0.02-0.1份的催化剂；将温度升至60-100℃，保温反应；1-8h后取样测nco含量，当nco含量稳定2％-10％，降温、过滤、密封保存。
28.其中，超支化聚多元醇为末端羟基平均官能度为4-32，分子量为1000-13500的超支化聚多元醇。
29.其中，所述溶剂包括：二甲苯、甲苯、醋酸正丁酯、醋酸异丁酯、醋酸仲丁酯、醋酸戊酯、丙酮、丁酮、甲基异丁酮等，这类有机溶剂可以单独或组合使用。
30.其中，所述异氰酸酯包括：四亚甲基二异氰酸酯、1，6-二异氰酸酯基己烷、异佛尔酮二异氰酸酯、1，4-二异氰酸酯基环己烷、4,4-二环己基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯中的一种或几种。
31.其中，所述催化剂包括：二月桂酸二丁锡、辛酸亚锡、氯化亚锡中的一种或几种。
32.本技术实施例提供的一种量子点膜，包括以下重量份的原料：
33.上述量子点封装材料70-100份、量子点0.1-0.3份以及助剂0.1-1份。
34.其中，量子点为核壳结构的量子点，包括znse/zns量子点、cds/zns量子点、cdse/zns量子点、cdte/cds量子点、zncds/zns量子点、cdsete/zns量子点、cuins/zns量子点、cdse/cds/zns量子点中的任意一种。
35.其中，助剂由流平剂、润湿剂、防沉剂、消泡剂组成。
36.本技术实施例提供的一种量子点膜的制备方法，包括：
37.将上述量子点封装材料70-100份、量子点0.1-0.3份以及助剂0.1-1份进行均匀混合后，经涂布、固化处理，得到量子点膜；
38.对所述量子点膜进行真空镀膜处理以使有机层表面形成致密的无机镀层，即得。
39.在本技术实施例中，将70-100份的上述量子点封装材料、0.1-0.3份的量子点，0.1-1份的助剂进行混合，然后涂布在离型pet上，厚度约30-50μm，60℃度烘烤4h-8h，固化得到量子点薄膜。
40.在本技术实施例中，对量子点薄膜进行真空蒸镀处理，具体可以为：
41.镀前对量子点薄膜进行离子轰击清洗，然后置于真空箱抽真空，真空箱体先粗抽至5-7pa，打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵，待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6
×
10-3
pa半底真空度，加热清洗过的量子点薄膜到60-180℃；调整电流使靶材预熔，除气1min-3min，蒸发沉积无机层，机械手控制旋转360度工作的离子枪，利用离子枪将气态的先驱反应物电解，并通入适当反应气氛，通过蒸镀材料及气体原子、分子间的化学反应，使得气态前驱体中的成分分解、反应，而在基片上形成薄膜。
42.其中，加热采用烘烤的方式；离子轰击，真空度在10pa～10-1
pa，离子轰击电压300v～1kv负高压，离击时间为5min～10min。
43.其中，蒸镀材料为：铝、硅、钛、铬、镍、锌、钇、锆、铌、钼、铟、锡、锑、铈、铪、钽、钨、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化铬、氧化镍、氧化锌、氧化钇、氧化锆、氧化铌、氧化钼、氧化铟、氧化锡、氧化锑、氧化铈、氧化铪、氧化钽、氧化钨、氟化镁、氧化铝锌、氧化铟锡。
44.其中，反应气氛为：氢气、氮气、氧气、氩气、六氟化硫、或氢气、氮气、氧气、氩气、六氟化硫的混合气体。
45.其中，沉积的温度60℃-180℃，时间为5min-30min；无机层可以是alnxoy,sinxoy，tinxoy,crnxoy,ninxoy,znnxoy,ynxoy,zrnxoy,nbnxoy,monxoy,innxoy,snnxoy,sbnxoy,cenxoy,hfnxoy,tanxoy,wnxoy,mgfx,(al,zn)nxoy,(in,sn)nxoy，镀层膜厚50nm-250nm。
46.本技术为增强量子点薄膜对水氧阻隔性，对量子点薄膜进行真空镀膜处理，有机
层表面形成致密的镀层，得到有机/无机复合量子点膜。利用无机层优良的阻隔特性，增加复合薄膜的阻隔性能，另一方面可以延长水分扩散路径，保护量子点免受水氧的侵蚀，提高量子点膜的使用寿命。制成的有机/无机复合量子点薄膜可以很方便使用，与阻隔膜、增亮膜、导光板或扩散板贴合，配合蓝或紫光led光源，应用于显示器的背光模组中。
47.以下给出本技术某些实施方式的实施例，其目的不在于对本技术的范围进行限定。
48.实施例1
49.将74g烷醇酰胺和20g1,9-壬二醇，80g二甲苯加入反应釜，通氮气保护，加入0.2g稀硫酸，使温度升至175℃-180℃回流，到不再收集到水，反应完成；然后进行减压蒸发得到多元醇低聚物。
50.将100g多元醇低聚物、12g超支化聚多元醇(末端羟基平均官能度为4)，100g的二甲苯溶剂加入聚合釜，通入氮气保护，搅拌混合均匀，然后升温120℃减压脱水2h，使之含水率≤0.05％。在氮气保护下，降温至60℃将24g 1,6-二异氰酸酯基己烷滴入聚合体系，约0.5h滴完，保温1h，加入0.68g二月桂酸二丁锡催化剂；将温度升至80℃，保温反应；2h后取样测nco含量，当nco含量稳定，降温、过滤、密封保存，得量子点封装材料。
51.将50g的量子点封装材料、0.1g的cdse/zns量子点、助剂进行混合，然后涂布在离型pet上，厚度35μm，60℃度烘烤4h，固化得到量子点薄膜。
52.对量子点薄膜进行离子轰击清洗5min，然后置于真空箱抽真空，真空箱体先粗抽至5-7pa，打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵，待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6
×
10-3
pa半底真空度，加热清洗过的量子点薄膜到60-80℃；调整电流使铝靶材预熔，除气3min，蒸发沉积无机层，机械手控制旋转360度工作的离子枪，利用离子枪将气态的先驱反应物电解，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基片上形成alnxoy薄膜，镀膜厚度约100nm。
53.实施例2
54.将74g烷醇酰胺和12g二乙二醇，100g二甲苯加入反应釜，通氮气保护，加入0.2g稀硫酸，使温度升至175℃-180℃回流，到不再收集到水，反应完成；然后进行减压蒸发得到多元醇低聚物。
55.将100g多元醇低聚物、9g超支化聚多元醇(末端羟基平均官能度为12)，100g的二甲苯溶剂加入聚合釜，通入氮气保护，搅拌混合均匀，然后升温120℃减压脱水2h，使之含水率≤0.05％。在氮气保护下，降温至60℃将31g异佛尔酮二异氰酸酯滴入聚合体系，约0.5h滴完，保温1h，加入0.8g辛酸亚锡催化剂；将温度升至80℃，保温反应；2h后取样测nco含量，当nco含量稳定，降温、过滤、密封保存，得量子点封装材料。
56.将50g的量子点封装材料、0.1g的cdse/zns量子点、助剂进行混合，然后涂布在离型pet上，厚度30μm，60℃度烘烤4h，固化得到量子点薄膜。
57.对量子点薄膜进行离子轰击清洗5min，然后置于真空箱抽真空，真空箱体先粗抽至5-7pa，打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵，待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6
×
10-3
pa半底真空度，加热清洗过的量子点薄膜到60-80℃；调整电流使钛靶材预熔，除气3min，蒸发沉积无机层，机械手控制旋转360度工作的离子枪，利用离子枪将气态的先驱反应物电解，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基片
上形成tinxoy薄膜，镀膜厚度约100nm。
58.实施例3
59.将74g烷醇酰胺和10g1,4-丁二醇，100g二甲苯加入反应釜，通氮气保护，加入0.2g稀硫酸，使温度升至175℃-180℃回流，到不再收集到水，反应完成；然后进行减压蒸发得到多元醇低聚物。
60.将115g多元醇低聚物、12g超支化聚多元醇(末端羟基平均官能度为8)，100g的二甲苯溶剂加入聚合釜，通入氮气保护，搅拌混合均匀，然后升温120℃减压脱水2h，使之含水率≤0.05％。在氮气保护下，降温至60℃将24g1,6-二异氰酸酯基己烷滴入聚合体系，约0.5h滴完，保温1h，加入0.68g二月桂酸二丁锡催化剂；将温度升至80℃，保温反应；2h后取样测nco含量，当nco含量稳定，降温、过滤、密封保存，得量子点封装材料。
61.将50g的量子点封装材料、0.1g的cdse/zns量子点、助剂进行混合，然后涂布在离型pet上，厚度35μm，60℃度烘烤4h，固化得到量子点薄膜。
62.对量子点薄膜进行离子轰击清洗10min，然后置于真空箱抽真空，真空箱体先粗抽至5-7pa，打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵，待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6
×
10-3
pa半底真空度，加热清洗过的量子点薄膜到60-80℃；调整电流使硅靶材预熔，除气3min，蒸发沉积无机层，机械手控制旋转360度工作的离子枪，利用离子枪将气态的先驱反应物电解，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基片上形成sinxoy薄膜，镀膜厚度约200nm。
63.实施例4
64.将74g烷醇酰胺和10g1,4-丁二醇，100g二甲苯加入反应釜，通氮气保护，加入0.2g稀硫酸，使温度升至175℃-180℃回流，到不再收集到水，反应完成；然后进行减压蒸发得到多元醇低聚物。
65.将115g多元醇低聚物、12g超支化聚多元醇(末端羟基平均官能度为8)，100g的二甲苯溶剂加入聚合釜，通入氮气保护，搅拌混合均匀，然后升温120℃减压脱水2h，使之含水率≤0.05％。在氮气保护下，降温至60℃将31g异佛尔酮二异氰酸酯滴入聚合体系，约0.5h滴完，保温1h，加入0.8g辛酸亚锡催化剂；将温度升至80℃，保温反应；2h后取样测nco含量，当nco含量稳定，降温、过滤、密封保存，得量子点封装材料。
66.将50g的量子点封装材料、0.1g的cdse/zns量子点、助剂进行混合，然后涂布在离型pet上，厚度40μm，60℃度烘烤4h，固化得到量子点薄膜。
67.对量子点薄膜进行离子轰击清洗10min，然后置于真空箱抽真空，真空箱体先粗抽至5-7pa，打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵，待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6
×
10-3
pa半底真空度，加热清洗过的量子点薄膜到60-80℃；调整电流使铝靶材预熔，除气3min，蒸发沉积无机层，机械手控制旋转360度工作的离子枪，利用离子枪将气态的先驱反应物电解，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的成分分解，而在基片上形成alnxoy薄膜。镀膜厚度约200nm。
68.对比例1
69.将50g甲基丙烯酸甲酯，60g的二甲苯溶剂，0.1g的cdse/zns量子点进行混合，再加入0.2g过氧化二苯甲酰，80℃保温反应2h,然后涂布在离型pet上，厚度35μm，60℃度烘烤4h，固化得到量子点薄膜。
70.对比例2
71.将50g甲基苯基聚硅氧烷树脂，60g的二甲苯溶剂，0.1g的cdse/zns量子点进行混合，然后涂布在离型pet上，厚度35μm，60℃度烘烤4h，固化得到量子点薄膜。
72.对比例3
73.将100g聚丙二醇，6g二羟甲基丙酸，60g的二甲苯溶剂加入聚合釜，通入氮气保护，搅拌混合均匀，将30g异佛尔酮二异氰酸酯滴入聚合体系，约0.5h滴完，保温1h，加入0.6g二月桂酸二丁锡催化剂；将温度升至80℃，保温反应；2h后取样测nco含量，当nco含量稳定，降温、过滤、密封保存。
74.将50g的树脂、0.1g的cdse/zns量子点、助剂进行混合，然后涂布在离型pet上，厚度35μm，60℃度烘烤4h，固化得到量子点薄膜。
75.将上述实施例以及对比例所制备得到的薄膜进行测试分析，对比不同封装材料制成薄膜(未进行真空镀膜)的水汽透过率得到下表1结果。
76.表1
[0077][0078]
从表1所示的实施例及对比例的测试结果可以得出，本技术通过合成多元醇低聚物，再与超支化聚多元醇合成改性超支化聚氨酯，得到的量子点封装材料的水汽阻隔能力比一般封装材料更佳。
[0079]
进一步，本技术对比实施列经过真空镀膜处理后在60℃，90％rh条件下的失效边及发光效率保有率得到下表2结果。
[0080]
表2
[0081][0082]
从表2可知，本技术提供的量子点封装材料具有较好的水氧阻隔性能，在60℃，90％rh条件下的失效边很小，且发光效率保有率仍然非常高，这说明本技术实施例提供的封装方案能够有效的解决量子点容易受水氧侵蚀而导致失效的难题，有利于延长量子点膜的使用寿命。
[0083]
进一步，本技术在实施例1的基础上，通过调整多元醇低聚物含量进行测试分析，测试结果如下表3所示。
[0084]
表3
[0085]
多元醇低聚物(w％)3040455060拉伸强度(mpa)8.27.47.16.94.2断裂伸长率(％)423548593527412
[0086]
从表3可知，多元醇低聚物含量影响封装材料性能，为满足量子点膜性能及工艺要求，多元醇低聚物质量份数40％-50％最佳。
[0087]
进一步，本技术在实施例1的基础上，通过调整超支化聚酯含量进行测试分析，测试结果如下表4所示。
[0088]
表4
[0089]
超支化聚酯(w％)0246810外观透明透明透明透明半透明半透明粘度(mpa
·
s)19234552129＞200耐水性(25℃，200h)泛白泛白无影响无影响无影响无影响
[0090]
从表4可知，为满足量子点膜性能及工艺要求，超支化聚酯质量份数4％-6％最佳。
[0091]
进一步，本技术在实施例1的基础上，通过调整封装材料的涂布厚度进行测试分析，测试结果如下表5所示。
[0092]
表5
[0093]
封装材料厚度μm2530354050100水汽透过率g/(m2·
day)6.53.22.42.21.71.6
[0094]
从表5可知，封装材料膜层厚度在30μm-50μm之间即可得到阻隔能力很好的薄膜。
[0095]
进一步，本技术在实施例1的基础上，制备35μm封装材料薄膜，通过调整真空镀膜的厚度进行测试分析，测试结果如下表6所示。
[0096]
表6
[0097][0098]
由表6可知，无机层能够有效提高阻隔能力，膜层厚度200nm之后继续增加镀膜没有明显提升阻隔能力，因此无机层厚度在50nm-250nm之间即可得到阻隔能力很好的镀层。
[0099]
综上，本技术通过利用多元醇低聚物与超支化聚多元醇于特定工艺条件下制备得到量子点封装材料，该材料对比一般封装材料有很好的阻隔性，能够保护量子点不受水氧侵蚀；另外，通过对所得到的量子点薄膜进行真空镀膜处理，得到水汽透过率很低的有机/无机复合量子点薄膜，50μm的薄膜可以很方便使用，与阻隔膜、增亮膜、导光板或扩散板贴合，配合蓝或紫光led光源，应用于显示器的背光模组中。
[0100]
以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种量子点封装材料的制备方法，其特征在于，包括：将15-25份烷醇酰胺、3-10份端羟基改性剂、30-50份溶剂以及0.05-0.2份稀硫酸进行升温回流反应，经减压蒸发得多元醇低聚物；将8-10份所述多元醇低聚物、1-1.5份超支化聚多元醇，8-10份溶剂升温至110-130℃进行减压脱水处理；降温至20-80℃滴入异氰酸酯进行保温反应后，加入0.02-0.1份催化剂，并将温度升至60-100℃进行保温反应至nco含量稳定2％-10％，即得量子点封装材料。2.如权利要求1所述的量子点封装材料的制备方法，其特征在于，所述烷醇酰胺的侧链含有12-18个碳原子的饱和或不饱和碳氢链；所述端羟基改性剂为含2-9个碳原子烷基链的二元醇化合物的单独或组合使用。3.如权利要求1所述的量子点封装材料的制备方法，其特征在于，所述溶剂为二甲苯、甲苯、醋酸正丁酯、醋酸异丁酯、醋酸仲丁酯、醋酸戊酯、丙酮、丁酮、甲基异丁酮中的一种或几种。4.如权利要求1所述的量子点封装材料的制备方法，其特征在于，所述多元醇低聚物的分子量为1000-2500；所述超支化聚多元醇的末端羟基平均官能度为4-32，分子量为1000-13500。5.如权利要求1所述的量子点封装材料的制备方法，其特征在于，所述异氰酸酯为四亚甲基二异氰酸酯、1，6-二异氰酸酯基己烷、异佛尔酮二异氰酸酯、1，4-二异氰酸酯基环己烷、4,4-二环己基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯中的一种或几种。6.如权利要求1所述的量子点封装材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂为二月桂酸二丁锡、辛酸亚锡、氯化亚锡中的一种或几种。7.一种量子点封装材料，其特征在于，所述量子点封装材料是由权利要求1-6任一所述的量子点封装材料的制备方法制备得到。8.一种量子点膜，其特征在于，包括以下重量份的原料：权利要求7所述量子点封装材料70-100份、量子点0.1-0.3份以及助剂0.1-1份。9.如权利要求8所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点为znse/zns量子点、cds/zns量子点、cdse/zns量子点、cdte/cds量子点、zncds/zns量子点、cdsete/zns量子点、cuins/zns量子点、cdse/cds/zns量子点中的任意一种。10.一种量子点膜的制备方法，其特征在于，包括：将权利要求7所述量子点封装材料70-100份、量子点0.1-0.3份以及助剂0.1-1份进行均匀混合后，经涂布、固化处理，得到量子点膜；对所述量子点膜进行真空镀膜处理以使有机层表面形成致密的无机镀层，即得。

技术总结
本申请适用材料技术领域，提供量子点封装材料、量子点膜及制备方法；本申请通过多元醇低聚物与超支化聚多元醇于特定工艺条件下制备的量子点封装材料，可与量子点混合制备成薄膜，该薄膜的分子结构中的酰胺键之间可形成氢键，增加了内聚力，且酯酰胺的存在和脂肪族化合物具有更多交联点，提高了涂层交联密度，脂肪族化合物的长链增加了疏水性，有利于保护量子点材料；薄膜的分子结构中醚键结合酯酰胺多元醇，提高了耐水解和耐化学性，醚键以及脂肪族化合物的协同作用赋予薄膜出色的柔韧性；引入的超支化聚多元醇能够对分子链中的酯基形成包埋，阻止酯基与空气中的水分直接接触，且羟基官能团得到保留，有利提高涂层交联密度，增加薄膜的阻隔性。增加薄膜的阻隔性。


技术研发人员：刘振波 陈宪纬 江玉卿 李滔
受保护的技术使用者：深圳海容高新材料科技有限公司
技术研发日：2023.02.07
技术公布日：2023/7/22