通信装置的制作方法

1.本揭露涉及一种通信装置。


背景技术：

2.目前应用于通信装置的驱动电路皆以驱动器芯片的方式设置，因此，开发一种直接在通信装置的基板上设置驱动电路的技术为当前欲发展的目标之一。


技术实现要素：

3.本揭露提供一种通信装置，其在基板上设置驱动电路。
4.根据本揭露的实施例，通信装置包括基板、栅极驱动电路以及第一射频单元。栅极驱动电路设置于基板上。栅极驱动电路包括第一薄膜晶体管且用以输出栅极驱动信号。第一射频单元设置于基板上且电连接栅极驱动电路。第一射频单元包括第一驱动电路以及第一射频元件。第一驱动电路包括第一端以及第二端，其中第一驱动电路的第一端用以接收栅极驱动信号。第一射频元件电连接第一驱动电路的第二端。
5.根据本揭露的实施例，通信装置包括第一基板、第二基板、栅极驱动电路以及第一射频单元。第一基板包括操作区以及周边区。第二基板设置于操作区上。栅极驱动电路设置于第二基板上。第一射频单元设置于第一基板上且电连接栅极驱动电路。第一射频单元包括第一驱动电路以及第一射频元件，其中第一射频元件电连接第一驱动电路。
6.根据本揭露的实施例，通信装置包括第一基板、第二基板、栅极驱动电路以及第一射频单元。第二基板设置于第一基板上。栅极驱动电路设置于第一基板或第二基板上。栅极驱动电路包括第一薄膜晶体管且用以输出栅极驱动信号。第一射频单元设置于第二基板上且电连接栅极驱动电路。第一射频单元包括第一驱动电路以及第一射频元件。第一驱动电路包括第一端以及第二端，其中第一驱动电路的第一端用以接收栅极驱动信号。第一射频元件电连接第一驱动电路的第二端。
7.为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
8.包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。
9.图1为本揭露第一实施例的通信装置的俯视示意图。
10.图2a为本揭露一实施例的u型薄膜晶体管的局部俯视示意图。
11.图2b为本揭露一实施例的i型薄膜晶体管的局部俯视示意图。
12.图3为本揭露第二实施例的通信装置的俯视示意图。
13.图4为本揭露第三实施例的通信装置的俯视示意图。
14.图5为本揭露第四实施例的通信装置的俯视示意图。
15.图6为本揭露第五实施例的通信装置的俯视示意图。
16.图7为本揭露第六实施例的通信装置的俯视示意图。
17.图8为本揭露第七实施例的通信装置的俯视示意图。
18.图9为本揭露第八实施例的通信装置的俯视示意图。
19.图10为本揭露第九实施例的通信装置的俯视示意图。
20.图11为本揭露第十实施例的通信装置的俯视示意图。
21.图12a为依据图11的剖线a-a’剖出的一实施例的剖面示意图。
22.图12b为依据图11的剖线a-a’剖出的另一实施例的剖面示意图。
23.图13为本揭露第十一实施例的通信装置的俯视示意图。
具体实施方式
24.通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
25.本揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
26.本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
27.当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
28.术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
29.说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
30.须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
31.本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此。
32.在本揭露中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
33.本揭露的电子装置可包括显示、通信、发光、感测、触控、拼接、其他适合的功能、或上述功能的组合，但不以此为限。电子装置可例如通过天线(例如液晶天线)、无线路由器(wifi router),可重构智能表面装置(reconfigurable intelligent surface device)，或上述适合的组合方式达成通信功能，但不以此为限。电子装置包括可卷曲或可挠式电子装置，但不以此为限。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode，led)、量子点(quantum dot，qd)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述的组合。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、微型发光二极管(micro-led、mini-led)或量子点发光二极管(qled、qdled)，但不以此为限。下文将以通信装置作为电子装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
34.以下举例本揭露的示范性实施例，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
35.图1为本揭露第一实施例的通信装置的俯视示意图，图2a为本揭露一实施例的u型薄膜晶体管的局部俯视示意图，图2b为本揭露一实施例的i型薄膜晶体管的局部俯视示意图。
36.请参照图1，本实施例的通信装置10a包括基板sb1、栅极驱动电路gd以及第一射频单元100。
37.基板sb1的材料可例如是玻璃、塑料或其组合。举例而言，基板sb1的材料可包括石英、蓝宝石(sapphire)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，pmma)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、聚酰亚胺(polyimide,pi)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)polyimide,abf,pcb或其他适合的材料或上述材料的组合，但本揭露不以此为限。在本实施例中，基板sb1包括有操作区oa以及周边区pa，且周边区pa位于操作区oa的一侧。详细地说，本实施例的基板sb1的周边区pa在第一方向d1上与操作区oa相邻，但本揭露不以此为限。在其他的实施例中，周边区pa可位于操作区oa的至少一侧。举例而言，周边区pa可设置在操作区oa的四侧，以环绕操作区oa。在一些实施例中，基板sb1可例如只有操作区oa，但本揭露不以此为限。
38.栅极驱动电路gd例如设置于基板sb1上。在本实施例中，栅极驱动电路gd设置于基板sb1的周边区pa中，因此，栅极驱动电路gd是以在基板上设置驱动电路的方式(gate driver on panel,gop)设置于基板sb1上。在一些实施例中，栅极驱动电路gd设置有多个，且多个栅极驱动电路gd沿着第二方向d2排列，其中第二方向d2与第一方向d1正交，但本揭露不以此为限。栅极驱动电路gd例如用以输出栅极驱动信号。举例而言，栅极驱动电路gd可包括多个移位缓存单元(未示出)以及多条频率信号线(未示出)。每一移位缓存单元中例如包括彼此串接的多个移位寄存器(未示出)，且每一移位寄存器与相应的频率信号线电性连接。因此，每一移位寄存器可各自至相应的频率信号线接收频率信号，并通过此频率信号输出相应的栅极驱动信号。在一些实施例中，移位寄存器可包括有上拉电路(未示出)以及下拉电路(未示出)，但本揭露不以此为限。
39.请同时参照图1、图2a以及图2b，在一些实施例中，栅极驱动电路gd包括薄膜晶体管tft1。栅极驱动电路gd包括的薄膜晶体管tft1可例如为u型薄膜晶体管或者为i型薄膜晶体管，其中u型薄膜晶体管在基板的法线方向n(俯视方向)上具有u型通道u_ch，且i型薄膜晶体管在基板的法线方向n上具有i型通道i_ch，其中基板的法线方向n与第一方向d1以及第二方向d2正交。薄膜晶体管例如具有栅极、源极、漏极以及半导体层。此处以u型薄膜晶体管为例，u型薄膜晶体管可包括有栅极g、源极s、漏极d以及半导体层se。栅极g例如与半导体层se对应地设置，即，栅极g在基板sb1的法线方向n上例如至少部分地与半导体层se重叠。源极s与漏极d例如彼此分离，并覆盖至少部分的半导体层se并与半导体层se电性连接，且定义出u型通道u_ch。在一些实施例中，半导体层se的材料可包括低温多晶硅(low temperature polysilicon，ltps)、金属氧化物(metal oxide)、或非晶硅(amorphous silicon，a-si)，或上述几项的组合，但本揭露不以此为限。举例而言，半导体层se的材料可包含但不限于非晶硅、多晶硅、锗、化合物半导体(例如氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(例如sige合金、gaasp合金、alinas合金、algaas合金、gainas合金、gainp合金、gainasp合金)，或前述的组合。半导体层se的材料亦可包含但不限于金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(igzo)、铟锌氧化物(izo)、铟镓锌氧化物(igzto)、或包含多环芳香族化合物的有机半导体，或前述的组合。u型薄膜晶体管可例如为所属领域中具有通常知识者所周知的任一种底部闸极型薄膜晶体管。然而，本实施例虽然是以底部闸极型薄膜晶体管为例，但本揭露不以此为限。值得说明的是，i型薄膜晶体管具有的构件及其材料可与u型薄膜晶体管具有的构件及其材料相同或相似，于此不再赘述。另外，在一些实施例中，栅极驱动电路gd可包括多个薄膜晶体管tft1，其中每一薄膜晶体管tft1的半导体层可包括相同材料或不同材料。举例而言，栅极驱动电路gd可包括两个薄膜晶体管tft1，其各自的半导体层包括金属氧化物或低温多晶硅，但本揭露不以此为限。
40.在一些实施例中，u型薄膜晶体管的u型通道u_ch具有通道长度u_l以及通道宽度u_w。u型通道u_ch具有的通道长度u_l的定义可例如是源极s至漏极d的距离，且u型通道u_ch具有的通道宽度u_w的定义可例如是u型通道u_ch在基板的法线方向n上的面积除以通道长度u_l；或者例如是沿着源极s与漏极d之间的所有中间点连成的u型线的路程。另外，在一些实施例中，i型薄膜晶体管的i型通道i_ch具有通道长度i_l以及通道宽度i_w。i型通道i_ch具有的通道长度i_l的定义亦可例如是源极s至漏极d的距离，且i型通道i_ch具有的通道宽度i_w的定义亦可例如是i型通道i_ch在基板的法线方向n上的面积除以通道长度i_l；或
者例如是沿着源极s与漏极d之间的所有中间点连成的直线的路程。
41.第一射频单元100例如设置于基板sb1上，且设置于基板sb1的操作区oa中。另外，第一射频单元100例如电连接栅极驱动电路gd。详细地说，在本实施例中，第一射频单元100通过信号线cl(例如栅极线)与栅极驱动电路gd电性连接，但本揭露不以此为限。在本实施例中，每一行(row)的第一射频单元100与一个栅极驱动电路gd对应，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，第一射频单元100包括第一驱动电路110以及第一射频元件120。第一驱动电路110例如包括第一端110t1以及及第二端110t2，其中第一驱动电路110的第一端110t1用以接收所述栅极驱动信号，且第一驱动电路110的第二端110t2电连接第一射频元件120。详细地说，第一驱动电路110的第一端110t1例如与栅极驱动电路gd耦接以接收来自栅极驱动电路gd的栅极驱动信号，且第一驱动电路110的第二端110t2例如与第一射频元件120耦接，以将来自栅极驱动电路gd的栅极驱动信号提供给第一射频元件120。
42.请参照图1，在一些实施例中，第一驱动电路110还包括有薄膜晶体管tft2。第一驱动电路110包括的薄膜晶体管tft2可例如为前述实施例的u型薄膜晶体管或者i型薄膜晶体管，其中薄膜晶体管tft2具有的通道长度以及通道宽度的测量方式或定义可参照前述实施例，于此不再赘述。在本实施例中，当薄膜晶体管tft2与薄膜晶体管tft1皆为u型薄膜晶体管时，薄膜晶体管tft2与薄膜晶体管tft1具有的通道长度以及通道宽度符合以下关系式：u_w2/u_l2《u_w1/u_l1，其中u_l2为薄膜晶体管tft2的通道长度，u_w2为薄膜晶体管tft2的通道宽度，u_l1为薄膜晶体管tft1的通道长度，且u_w1为薄膜晶体管tft1的通道宽度。另外，在本实施例中，当薄膜晶体管tft2与薄膜晶体管tft1皆为i型薄膜晶体管时，薄膜晶体管tft2与薄膜晶体管tft1具有的通道长度以及通道宽度符合以下关系式：i_w2/i_l2《i_w1/i_l1，其中i_l2为薄膜晶体管tft2的通道长度，i_w2为薄膜晶体管tft2的通道宽度，i_l1为薄膜晶体管tft1的通道长度，且i_w1为薄膜晶体管tft1的通道宽度。详细地说，第一驱动电路110包括的薄膜晶体管tft2的通道宽度与通道长度的比值小于栅极驱动电路gd包括的薄膜晶体管tft1的通道宽度与通道长度的比值。即，第一驱动电路110包括的薄膜晶体管tft2具有的等效电阻小于栅极驱动电路gd包括的薄膜晶体管tft1具有的等效电阻。值得说明的是，薄膜晶体管tft1与薄膜晶体管tft2可为不同的薄膜晶体管，其可视欲设计的薄膜晶体管的等效电阻为例。在薄膜晶体管tft1与薄膜晶体管tft2为不同的薄膜晶体管时，其亦符合前述的通道宽度与通道长度之间的比值关系。另外，第一驱动电路110还可包括被动元件或其他合适的电子元件，本揭露不以此为限。
43.在一些实施例中，第一驱动电路110中的薄膜晶体管tft2可与栅极驱动电路gd中的薄膜晶体管tft1具有不同材料或不同晶格结构。举例而言，第一驱动电路110中的薄膜晶体管tft2的半导体层包括的材料可例如是非晶硅，且栅极驱动电路gd中的薄膜晶体管tft1的半导体层包括的材料可例如是低温多晶硅，但本揭露不以此为限。另外，在一些实施例中，第一驱动电路110可包括多个薄膜晶体管tft2，其中每一薄膜晶体管tft2的半导体层可包括相同材料或不同材料。举例而言，第一驱动电路110可包括两个薄膜晶体管tft2，其各自的半导体层包括非晶硅或低温多晶硅，但本揭露不以此为限。
44.第一射频元件120可例如是适用于通信领域、雷达/光达领域、可重构智能表面(reconfigurable intelligent surface；ris)技术或其余合适的领域/技术，本揭露不以此为限。在一些实施例中，第一射频元件120可包括可变电容、可变电阻、变容二极管、相移
器、放大器、天线、生物辨识传感器、石墨烯传感器、其余合适的射频元件或其组合。另外，第一射频元件120可在约为3mhz至300thz之间的范围被调整频率，但本揭露不以此为限。
45.在一些实施例中，通信装置10a还包括有第二射频单元200。第二射频单元200亦例如设置于基板sb1上，且设置于基板sb1的操作区oa中，其中第一射频单元100相较于第二射频单元200更邻近于栅极驱动电路gd。第二射频单元200可例如与第一射频单元100一起以数组排列、交错排列(例如pentile方式)或其他方式设置于基板sb1上，本揭露不以此为限。在本实施例中，第二射频单元200与第一射频单元100一起以数组排列的方式设置于基板sb1上。第二射频单元200例如在第一方向d1上与第一射频单元100耦接，使得第二射频单元200可通过第一射频单元100与栅极驱动电路gd电连接，但本揭露不以此为限。第二射频单元200例如包括有第二驱动电路210以及第二射频元件220。本实施例的第二驱动电路210以及第二射频元件220可各自与前述的第一驱动电路110以及第一射频元件120相同或相似，于此不再赘述。值得说明的是，在其他的实施例中，第二驱动电路210可与第一驱动电路110不同，其将于以下的实施例中所陈述。
46.图3为本揭露第二实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图3的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
47.请参照图3，本实施例的通信装置10b与图1所示出的通信装置10a的主要差异在于：通信装置10b的第一射频单元100与第二射频单元200未一起以数组排列的方式设置于基板100上。详细地说，每一行(row)的射频单元(第一射频单元100与第二射频单元200)或者与每条信号线cl连接的射频单元(第一射频单元100与第二射频单元200)的数量可不同或相同。值得说明的是，此处所定义的一行(row)射频单元并非限制射频单元须延着同一方向延伸，在其他的实施例中，一行(row)射频单元可延着弯曲、圆弧或者其余非直线的轨迹延伸,亦或是不同行的射频单元可以共享同一条信号线cl。进一步地说，每一行的射频单元的数量彼此之间的关系可符合以下关系式：|(na–na+1
)/(na)|《10％，其中na为第a行的射频单元的数量，n
a+1
为第a+1行的射频单元的数量，且a为自然数。
48.图4为本揭露第三实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图4的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
49.请参照图4，本实施例的通信装置10c与图1所示出的通信装置10a的主要差异在于：通信装置10c的一个栅极驱动电路gd与多行(row)的第一射频单元100对应。详细地说，通信装置10c的栅极驱动电路gd可包括多个信号输出端，且每一信号输出端与相应行的第一射频单元100中的第一驱动电路110的第一端110t1耦接。值得说明的是，图4虽示出通信装置10c仅包括一个栅极驱动电路gd，但本领域技术人员可知通信装置10c包括有多个栅极驱动电路gd。
50.图5为本揭露第四实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图5的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
51.请参照图5，本实施例的通信装置10d与图1所示出的通信装置10a的主要差异在于：通信装置10d的栅极驱动电路gd设置于基板100的操作区oa中。详细地说，栅极驱动电路
gd可与第一射频单元100一起在操作区oa中以数组排列的方式设置于基板sb1上。基于此，本实施例的通信装置10d的周边区pa的面积可经缩减。
52.图6为本揭露第五实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图6的实施例可沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
53.请参照图6，本实施例的通信装置10e与图5所示出的通信装置10d的主要差异在于：栅极驱动电路gd未与第一射频单元100一起在操作区oa中以数组排列的方式设置于基板sb1上，其使得邻近于栅极驱动电路gd的相邻射频单元之间可具有不同的距离。详细地说，在本实施例中，通信装置10e还包括第三射频单元300，其中第二射频单元200位于第一射频单元100与第三射频单元300之间。在一些实施例中，第三射频单元300电连接栅极驱动电路gd。详细地说，第三射频单元300与第二射频单元200耦接，使得第三射频单元300亦可通过第一射频单元100与栅极驱动电路gd电连接。第三射频单元300例如包括有第三驱动电路310以及第三射频元件320。第三驱动电路310以及第三射频元件320可各自与前述实施例的第二驱动电路210以及第二射频元件220相同或相似，于此不再赘述，但本揭露不以此为限。在本实施例中，第二射频元件220与第三射频元件320之间的距离d1小于第一射频元件120与第二射频元件220之间的距离d2。从另一个角度来看，与前述的实施例相比，第一射频元件120更靠近栅极驱动电路gd。举例而言，第一射频元件120可排列成环形且围绕栅极驱动电路gd，但本揭露不以此为限。通过前述的设计，可弥补因设置在操作区中的栅极驱动电路gd所产生的缺陷，由此提升通信装置10e的良率。
54.图7为本揭露第六实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图7的实施例可沿用图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
55.请参照图7，本实施例的通信装置10f与图6所示出的通信装置10e的主要差异在于：通信装置10f包括有第一射频单元100’，且与第一射频单元100(第一驱动电路110)的薄膜晶体管tft2相比，第一射频单元100’(第一驱动电路110’)中的薄膜晶体管tft2’具有不同的尺寸或者具有不同材料或不同晶格结构。详细地说，第一驱动电路110’中的薄膜晶体管tft2’的通道宽度与通道长度的比值可不同于第一驱动电路110中的薄膜晶体管tft2的通道宽度与通道长度的比值。在本实施例中，第一驱动电路110’中的薄膜晶体管tft2’的通道宽度与通道长度的比值大于第一驱动电路110中的薄膜晶体管tft2的通道宽度与通道长度的比值。举例而言，第一驱动电路110’中的薄膜晶体管tft2’具有的通道尺寸可与栅极驱动电路gd中的薄膜晶体管tft1具有的通道尺寸相似，但本揭露不以此为限。或者，第一驱动电路110’中的薄膜晶体管tft2’包括的材料可例如是金属氧化物，且第一驱动电路110中的薄膜晶体管tft2包括的材料可例如是低温多晶硅。在本实施例中，第一射频单元100’设置于靠近栅极驱动电路gd的四个角落，通过前述的设计，第一驱动电路110’中的薄膜晶体管tft2’具有的功率相对较强且具有的漏电表现相对较好，可弥补因设置在操作区中的栅极驱动电路gd所产生的缺陷，由此提升通信装置10f的良率。
56.另外，在本实施例中，第二射频元件220与第三射频元件320之间的距离d3可实质等于第一射频元件120’与第二射频元件220之间的距离d4(或者第一射频元件120与第二射频元件220之间的距离d4’)，本揭露不以此为限。
57.值得说明的是，第二射频元件220可例如因第二驱动电路210的薄膜晶体管tft2与第一驱动电路110’中的薄膜晶体管tft2’具有前述的不同处，而接收来自第二驱动电路210输出的不同频率的信号。举例而言，第一射频元件120’可自第一驱动电路110’的第二端110’t2接收第一信号(来自与第一驱动电路110’的第一端耦接的栅极驱动电路gd)，且第二射频元件220可自第二驱动电路210接收第二信号(来自与第二驱动电路210耦接的栅极驱动电路gd)，且第一信号的频率不同于第二信号的频率。在一些实施例中，第二射频元件220可与第一射频元件120接收或发送相同频段的信号。举例而言，第二射频元件220亦可在约为3mhz至300thz之间的范围被调整频率，但本揭露不以此为限。另外，在一些实施例中，第二射频元件220可与第一射频元件120组合而形成一个共同接收信号或共同发送信号的射频单元，但本揭露不以此为限。
58.图8为本揭露第七实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图8的实施例可沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
59.请参照图8，本实施例的通信装置10g与图5所示出的通信装置10d的主要差异在于：通信装置10g中的栅极驱动电路gd’包括的各栅极驱动元件分布在操作区oa中未设置有射频单元的位置。详细地说，通信装置10g还包括有第一射频单元100”。第一射频单元100”于第二方向d2上相邻于第一射频单元100且包括第一驱动电路110”以及第一射频元件120”，栅极驱动电路gd’例如包括有栅极驱动元件dc1、dc2、dc3、dc4，且栅极驱动电路gd’包括的各栅极驱动元件dc1、dc2、dc3、dc4可分布在操作区oa中未设置有第一射频单元100、第一射频单元100”以及第二射频单元200的位置。栅极驱动元件dc1、dc2、dc3、dc4可例如各自为电阻、电容、电感、晶体管、二极管、导线或其组合，本揭露不以此为限。在一些实施例中，相邻的栅极驱动元件(例如栅极驱动元件dc1与栅极驱动元件dc2)于第二方向d2上具有距离d5，且第一射频元件120与第一射频元件120”之间于第二方向d2上具有距离d6，且距离d5大于距离d6。值得说明的是，本实施例并未限制栅极驱动电路gd’包括有四个栅极驱动元件dc1、dc2、dc3、dc4。
60.图9为本揭露第八实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图9的实施例可沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
61.请参照图9，本实施例的通信装置10h与图5所示出的通信装置10d的主要差异在于：通信装置10h包括有基板sb2，且基板sb2设置于基板sb1上。通信装置10h包括的栅极驱动电路gd”例如设置于基板sb2上，其中，栅极驱动电路gd”包含薄膜晶体管tft1。在一些实施例中，栅极驱动电路gd”可例如是以芯片设置在基板上的方式设置于基板sb1上。详细地说，基板sb2可为可挠性基板、玻璃基板或其他适合的基板，栅极驱动电路gd”可例如是以芯片设置在基板上(chip on panel，cop)的方式设置于基板sb1上。栅极驱动电路gd”中的薄膜晶体管tft1可例如通过信号线cl电连接设置于基板sb1上的各第一射频单元100。
62.图10为本揭露第九实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图10的实施例可沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
63.请参照图10，本实施例的通信装置10i与图5所示出的通信装置10d的主要差异在
于：通信装置10i还包括多路复用器mux和/或静电保护电路esd。多路复用器mux例如设置在操作区oa中，且电连接第一驱动电路110以及栅极驱动电路gd。多路复用器mux可通过控制发出信号时序的差异，使得此信号能在不同时间点输入至第一射频单元100的第一驱动电路110，由此可用以减少栅极驱动电路gd的数量，以增加操作区oa的使用空间。静电防护电路esd例如设置在操作区oa中，且电连接第一驱动电路110或栅极驱动电路gd。在一些实施例中，静电防护电路esd例如设置在周边区中，但不以此为限。静电保护电路esd可例如是由二极管、电容或其组合所构成的静电保护元件。举例而言，静电保护电路esd可包括由多个二极管接成的晶体管，但本揭露并不以此为限。静电保护电路esd可提供阻抗相对低的信号传输路径，以起到静电保护的作用。另外，在本实施例中，静电保护电路esd可电连接接地电极ground，以增加静电保护的效果，但本揭露并不以此为限。值得说明的是，本实施例示出的多路复用器mux的数量、多路复用器mux与其余构件之间的连接关系、静电保护电路esd的数量以及静电保护电路esd与其余构件之间的连接关系仅为示例，本揭露并不以此为限。再者，本实施例虽示出通信装置10i同时包括有多路复用器mux以及静电保护电路esd，但本揭露并不以此为限，即，通信装置10i可只包括多路复用器mux以及静电保护电路esd中的一者。
64.图11为本揭露第十实施例的通信装置的俯视示意图，且图12a为依据图11的剖线a-a’剖出的一实施例的剖面示意图。须说明的是，图11的实施例可沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
65.请参照图11，本实施例的通信装置10j与图1所示出的通信装置10a的主要差异在于：通信装置10j还包括有基板sb2以及汇流线bus。通信装置10j包括的第一射频单元100例如设置于基板sb2上。在一些实施例中，基板sb2可例如包括绝缘导热材料。举例而言，基板sb2可例如是覆铜陶瓷基板，但本揭露不以此为限。通信装置10j包括的栅极驱动电路gd例如设置于基板sb1上，但本揭露不以此为限。在其他的实施例中，通信装置10j包括的栅极驱动电路gd亦可设置于基板sb1上。另外，汇流线bus设置于基板sb1上，其中相邻的基板sb2可通过汇流线bus彼此电性连接，使得由栅极驱动电路gd发出的信号可在相邻的基板sb2之间传输。
66.图12a为依据图11的剖线a-a’剖出的一实施例的剖面示意图，且图12b为依据图11的剖线a-a’剖出的另一实施例的剖面示意图。须说明的是，图12b的实施例可沿用图12a的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
67.请参照图12b，在一些实施例中，通信装置10j还可包括有绝缘层il、膜封层mold、封装层pl以及接触垫pad，且栅极驱动电路200设置于基板sb2上。详细地说，栅极驱动电路gd以及绝缘层il例如设置于基板sb2上，其中绝缘层il例如覆盖栅极驱动电路gd。第一射频单元100的第一驱动电路110以及膜封层mold例如设置于绝缘层il上，其中膜封层mold例如覆盖第一驱动电路110。封装层pl例如设置于基板sb2上且覆盖膜封层mold。接触垫pad例如设置于封装层pl上，且第一射频单元100的第一射频元件120可通过接触垫pad电连接第一驱动电路110。绝缘层il、膜封层mold、封装层pl可例如包括绝缘导热材料，本揭露不以此为限。
68.图13为本揭露第十一实施例的通信装置的俯视示意图。须说明的是，图13的实施例可沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略相同技术内容的说明。
69.请参照图13，本实施例的通信装置10k与图5所示出的通信装置10d的主要差异在于：通信装置10k为拼接通信装置。详细地说，可例如将图5所示出的两个通信装置10d拼接以形成通信装置10k，但本揭露不以此为限，即，前述实施例提到的通信装置皆可用于拼接以形成新的通信装置。在本实施例中，通信装置10d1与通信装置10d2拼接以形成通信装置10k。在通信装置10d1或通信装置10d2中的相邻的第一射频元件120在第一方向d1上之间的距离d7例如小于在通信装置10d1中的第一射频元件120与在通信装置10d2中的第一射频元件120在第一方向d1上之间的距离d8。进一步地，前述的距离d7以及距离d8满足以下关系式：d7《d8《10*d7。在一些实施例中，通信装置10k还可包括控制单元(未示出)以及多条信号传输线(未示出)。信号传输线可例如用于使控制单元与通信装置10d1及通信装置10d2电性连接，但本揭露不以此为限。
70.根据上述，本揭露实施例提供一种新颖的通信装置，其将栅极驱动电路直接设置于通信装置的基板上，可减少栅极驱动电路的使用数量，并达到窄边框的设计。
71.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。各实施例间的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

技术特征：
1.一种通信装置，其特征在于，包括：基板；栅极驱动电路，设置于所述基板上，所述栅极驱动电路包括第一薄膜晶体管，且所述栅极驱动电路用以输出栅极驱动信号；以及第一射频单元，设置于所述基板上且电连接所述栅极驱动电路，包括：第一驱动电路，包括第一端以及第二端，所述第一端用以接收所述栅极驱动信号；以及第一射频元件，电连接所述第二端。2.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，所述第一驱动电路还包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的通道包括第一宽度以及第一长度，所述第二薄膜晶体管的通道包括第二宽度以及第二长度，所述第二宽度与所述第二长度的比值小于所述第一宽度与所述第一长度的比值。3.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，所述基板包括操作区以及周边区，所述第一射频单元设置于所述操作区中，且所述栅极驱动电路设置于所述周边区中。4.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，所述基板包括操作区以及周边区，所述第一射频单元与所述栅极驱动电路设置于所述操作区中。5.根据权利要求4所述的通信装置，其特征在于，还包括第二射频单元以及第三射频单元，所述第二射频单元以及所述第三射频单元电连接所述栅极驱动电路，所述第二射频单元位于所述第一射频单元与所述第三射频单元之间，且所述第一射频单元相较于所述第二射频单元更邻近于所述栅极驱动电路，所述第二射频单元包括第二射频元件，所述第三射频单元包括第三射频元件，其中，所述第二射频元件与所述第三射频元件之间的距离小于所述第一射频元件与所述第二射频元件之间的距离。6.根据权利要求4所述的通信装置，其特征在于，还包括第二射频单元，且所述第一驱动电路还包括第二薄膜晶体管，所述第一射频单元相较于所述第二射频单元更邻近所述栅极驱动电路，且所述第一射频单元以及所述第二射频单元电连接所述栅极驱动电路，所述第二射频单元包括第二驱动电路，所述第二驱动电路包括第三薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管的通道包括第二宽度以及第二长度，所述第三薄膜晶体管的通道包括第三宽度以及第三长度，所述第二宽度与所述第二长度的比值不同于所述第三宽度与所述第三长度的比值。7.根据权利要求6所述的通信装置，其特征在于，所述第二宽度与所述第二长度的比值大于所述第三宽度与所述第三长度的比值。8.根据权利要求4所述的通信装置，其特征在于，还包括第二射频单元，且所述第一驱动电路还包括第二薄膜晶体管，所述第一射频单元相较于所述第二射频单元更邻近于所述栅极驱动电路，且所述第一射频单元以及所述第二射频单元电连接所述栅极驱动电路，所述第二射频单元包括第二驱动电路，所述第二驱动电路包括第三薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管的半导体层与所述第三薄膜晶体管的半导体层具有不同材料或不同晶格结构。9.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，还包括第二射频单元，所述第二射频单元包括第二驱动电路以及第二射频元件，所述第一射频元件用以从所述第一驱动电路接收第一信号，所述第二射频元件用以从所述第二驱动电路接收第二信号，其中，所述第一信
号的频率不同于所述第二信号的频率。10.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，还包括第二射频单元，所述第二射频单元于第一方向相邻于所述第一射频单元，且包括第二射频元件，所述栅极驱动电路包括多个栅极驱动元件，相邻的栅极驱动元件于所述第一方向上具有第三距离，所述第一射频元件与所述第二射频元件之间于所述第一方向上具有第四距离，所述第三距离大于所述第四距离。11.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，所述第一驱动电路还包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的半导体层与所述第二薄膜晶体管的半导体层具有不同材料或不同晶格结构。12.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，所述第一驱动电路还包括第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的半导体层与所述第三薄膜晶体管的半导体层具有不同材料。13.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，所述栅极驱动电路还包括第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的半导体层与所述第三薄膜晶体管的半导体层具有不同材料。14.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，还包括多路复用器，所述多路复用器设置于所述基板上，且电连接所述第一驱动电路与所述栅极驱动电路。15.根据权利要求1所述的通信装置，其特征在于，还包括静电保护电路，所述静电保护电路设置于所述基板上，且电连接所述第一驱动电路或所述栅极驱动电路。16.一种通信装置，其特征在于，包括：第一基板；第二基板，设置于所述第一基板上；栅极驱动电路，设置于所述第二基板上，所述栅极驱动电路包括第一薄膜晶体管；以及第一射频单元，设置于所述第一基板上且电连接所述栅极驱动电路，包括：第一驱动电路；以及第一射频元件，电连接所述第一驱动电路。17.一种通信装置，其特征在于，包括：第一基板；第二基板，设置于所述第一基板上；栅极驱动电路，设置于所述第一基板或所述第二基板上，所述栅极驱动电路包括第一薄膜晶体管，且所述栅极驱动电路用以输出栅极驱动信号；以及第一射频单元，设置于所述第二基板上且电连接所述栅极驱动电路，包括：第一驱动电路，包括第一端以及第二端，所述第一端用以接收所述栅极驱动信号；以及第一射频元件，电连接所述第二端。

技术总结
本揭露提供一种通信装置(communication device)，包括基板、栅极驱动电路以及第一射频单元。栅极驱动电路设置于基板上。栅极驱动电路包括第一薄膜晶体管且用以输出栅极驱动信号。第一射频单元设置于基板上且电连接栅极驱动电路。第一射频单元包括第一驱动电路以及第一射频元件。第一驱动电路包括第一端以及第二端，其中第一驱动电路的第一端用以接收栅极驱动信号。第一射频元件电连接第一驱动电路的第二端。二端。二端。


技术研发人员：蔡宗翰 黄昱嘉 陈英仁 纪仁海
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：2022.09.20
技术公布日：2023/7/22