基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法与流程

基于sic衬底的algainp发光二极管及制备方法
技术领域
1.本发明涉及半导体光电子技术领域，更具体地说，涉及一种基于sic衬底的algainp发光二极管及制备方法。


背景技术：

2.随着科学技术的不断发展，led(light emitting diode，发光二极管)作为新型的发光器件，与传统的发光器件相比，led具有节能、环保、显色性与响应速度好等优点被广泛应用于人们的生活和工作中，为人们的日常生活带来了极大的便利。
3.其中，与砷化镓晶格匹配的algainp材料可覆盖560nm至650nm范围的可见光，是制备绿色和红色发光二极管的理想材料，在rgb三色显示、交通信号灯和汽车车灯等领域有着广泛的应用前景。
4.在现有技术中algainp发光二极管都是在gaas衬底上外延制备的，但是由于gaas衬底是吸光的，并且热导率较小(低至44w/m.k)使algainp发光二极管产生的热不能及时传导出去，导致结温升高影响内量子效率，使得该结构只能在小功率范围下应用。
5.为了提高algainp发光二极管的高温工作特性和输出功率，行业内一般采用衬底转移技术，将外延片的p面绑定到高导热系数的si衬底上，然后采用湿法刻蚀将gaas衬底去除，该技术虽然可以大幅度提高algainp发光二极管的发光亮度，可以制备出大功率器件，但是该技术的工艺复杂，产品一致性差，且在gaas衬底去除的过程中会产生大量含as的化学废液，会污染环境。


技术实现要素：

6.有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种基于sic衬底的algainp发光二极管及制备方法，技术方案如下：
7.一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：
8.提供一sic衬底；
9.在第一生长温度下在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层，在第二生长温度下继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度；
10.在所述目标低温缓冲层背离所述sic衬底的一侧生长高温缓冲层；
11.在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧依次叠层生长n型限制层、有源层和p型限制层。
12.优选的，在上述基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法中，在生长所述目标低温缓冲层之前，所述制备方法还包括：
13.对所述sic衬底进行热处理。
14.优选的，在上述基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法中，所述在第一生长温度下在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层，在第二生长温度下继续生长其余部
分低温缓冲层形成目标低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度，包括：
15.在500
±
40℃的第一生长温度下，在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层；
16.升高温度在550
±
20℃的第二生长温度下，继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层。
17.优选的，在上述基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法中，所述目标低温缓冲层的厚度为15nm-25nm。
18.优选的，在上述基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法中，所述目标低温缓冲层为gaas目标低温缓冲层；
19.掺杂元素为si元素，掺杂浓度为5e16cm-3-2e19cm-3
。
20.优选的，在上述基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法中，所述高温缓冲层的厚度为0.3μm-2μm。
21.优选的，在上述基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法中，所述高温缓冲层为gaas高温缓冲层；
22.掺杂元素为si元素，掺杂浓度为5e16cm-3-2e19cm-3
。
23.优选的，在上述基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法中，在生长所述n型限制层之前，所述制备方法还包括：
24.在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧依次叠层生长欧姆接触层和dbr反射镜层。
25.优选的，在上述基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法中，在生长完所述p型限制层之后，所述制备方法还包括：
26.在所述p型限制层背离所述sic衬底的一侧生长p型窗口层；
27.在所述p型窗口层背离所述sic衬底的一侧形成p电极，以及在所述sic衬底背离所述目标低温缓冲层的一侧形成n电极。
28.本技术还提供了一种基于sic衬底的algainp发光二极管，所述algainp发光二极管包括：
29.sic衬底；
30.位于所述sic衬底一侧的目标低温缓冲层，所述目标低温缓冲层包括在第一生长温度下在所述sic衬底一侧生长的部分低温缓冲层，以及在第二生长温度下继续生长的其余部分低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度；
31.位于所述目标低温缓冲层背离所述sic衬底一侧的高温缓冲层；
32.位于所述高温缓冲层一侧，且依次叠层设置的n型限制层、有源层和p型限制层。
33.相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：
34.本发明提供的一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法包括：提供一sic衬底；在第一生长温度下在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层，在第二生长温度下继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度；在所述目标低温缓冲层背离所述sic衬底的一侧生长高温缓冲层；在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧依次叠层生长n型限制层、有源层和p型限制层。该制备方法在具有极佳导热系数的sic衬底上生长algainp外延层，因此无需向现有技术中一样通过衬底转移技术将algainp外延片转移至其它高导热系数的衬底上，工艺相对简单，考虑到sic与
algainp晶格不匹配的问题，通过在sic衬底上生长目标低温缓冲层和高温缓冲层为后面外延生长algainp提供更好的平台，并且目标低温缓冲层采用温度不同的两步生长法，同时可大幅度降低位错密度。
附图说明
35.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
36.图1为本发明实施例提供的一种基于sic衬底的algainp发光二极管的结构示意图；
37.图2为本发明实施例提供的一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图；
38.图3为本发明实施例提供的另一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图；
39.图4为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图；
40.图5为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图；
41.图6为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图；
42.图7为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图；
43.图8为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图；
44.图9为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
45.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
46.基于背景技术记载的内容而言，在本发明的发明创造过程中提出了一种基于sic衬底的algainp发光二极管及制备方法，其中sic材料的热导率是si材料的4倍，是gaas材料的8倍，从而可进一步提高器件的大电流工作能力。
47.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
48.参考图1，图1为本发明实施例提供的一种基于sic衬底的algainp发光二极管的结
构示意图，参考图2，图2为本发明实施例提供的一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图，该基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法包括：
49.s101：提供一sic衬底。
50.具体的，在该步骤中sic衬底的热导率是si衬底的4倍，是gaas衬底的8倍。
51.s102：在第一生长温度下在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层，在第二生长温度下继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度。
52.s103：在所述目标低温缓冲层背离所述sic衬底的一侧生长高温缓冲层。
53.s104：在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧依次叠层生长n型限制层、有源层和p型限制层。
54.具体的，在本发明实施例中该制备方法在具有极佳导热系数的sic衬底上生长algainp外延层，因此无需向现有技术中一样通过衬底转移技术将algainp外延片转移至其它高导热系数的衬底上，工艺相对简单，考虑到sic与algainp晶格不匹配的问题，通过在sic衬底上生长目标低温缓冲层和高温缓冲层为后面外延生长algainp提供更好的平台，并且目标低温缓冲层采用温度不同的两步生长法，同时可大幅度降低位错密度。
55.可选的，在本发明另一实施例中，参考图3，图3为本发明实施例提供的另一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图，在生长所述目标低温缓冲层之前，所述制备方法还包括：
56.s105：对所述sic衬底进行热处理。
57.具体的，在该步骤中将sic衬底放入movcd设备的生长室内，在h2气氛下升温至700
±
50℃进行热处理，热处理时间为5分钟-20分钟。
58.可选的，在本发明另一实施例中，参考图4，图4为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图。
59.步骤s102中“在第一生长温度下在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层，在第二生长温度下继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度”的一种可实现方式为：
60.s1021：在500
±
40℃的第一生长温度下，在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层。
61.s1022：升高温度在550
±
20℃的第二生长温度下，继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层。
62.具体的，在该实施例中所述目标低温缓冲层的厚度为15nm-25nm，例如所述目标低温缓冲层的厚度为15nm或17nm或19.5nm或25nm等，所述目标低温缓冲层为gaas目标低温缓冲层；所述目标低温缓冲层的掺杂元素为si元素进行n型掺杂，掺杂浓度为5e16cm-3-2e19cm-3
。
63.在对sic衬底热处理完成后，将温度调整至500
±
40℃的第一生长温度下，通入tmga和ash3在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层，之后再将温度调整至550
±
20℃的第二生长温度下，通入tmga和ash3继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层。
64.需要说明的是，在本发明的发明创造过程中基于蓝宝石衬底上外延生长gan的两步生长法技术，但与gan有所不同，因为gaas材料特性与gan不同，gaas与sic衬底浸润性要
好的多，这就意味着在低温500
±
40℃生长时很容易就二维生长。为了克服这一问题，在本技术实施例中在低温生长低温缓冲层的过程中引入了次低温生长法，也就是说在低温500
±
40℃的第一生长温度下先生长部分低温缓冲层，然后升温到次低温生长其余部分低温缓冲层，该次低温的温度区间可以在550
±
20℃，因为通过引入次低温可以打破低温情况下gaas与sic衬底的直接二维生长，在温度略高于低温gaas时，ga原子可以获得更大的动能，容易形成三维岛状生长，然后在后续高温生长gaas时二维生长合并，形成平整表面和大幅度降低缺陷密度。
65.其中，在目标低温缓冲层生长完成后，将温度调整至720
±
40℃，然后通入tmga和ash3在所述目标低温缓冲层背离所述sic衬底的一侧生长高温缓冲层。
66.所述高温缓冲层的厚度为0.3μm-2μm，例如所述高温缓冲层的厚度为0.3μm或1μm或1.5μm或2μm等，所述高温缓冲层的掺杂元素为si元素进行n型掺杂，掺杂浓度为5e16cm-3-2e19cm-3
。
67.可选的，在本发明另一实施例中，参考图5，图5为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图，在生长所述n型限制层之前，所述制备方法还包括：
68.s106：在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧依次叠层生长欧姆接触层和dbr反射镜层。
69.具体的，在该实施例中该欧姆接触层为n型砷化镓欧姆接触层，在反应室温度为720
±
40℃的环境下通入tmga和ash3在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧生长欧姆接触层，所述欧姆接触层的厚度为0.2μm-0.6μm，例如所述欧姆接触层的厚度为0.2μm或0.4μm或0.5μm或0.6μm等，所述欧姆接触层的掺杂元素为si元素进行n型掺杂，掺杂浓度为1e18cm-3-4e18cm-3
。
70.在所述欧姆接触层生长完成后，在反应室温度为720
±
40℃的环境下在所述欧姆接触层背离所述sic衬底的一侧生长dbr反射镜层，其中dbr反射镜层是利用tmga、tmal、si2h6和ash3作为反应物生长al
x
ga
1-x
as/alyga
1-y
as的dbr反射镜层，或是利用tmga、tmal、tmin、si2h6和ph3作为反应物生长(al
x
ga
1-x
)
0.5
in
0.5
p/(alyga
1-y
)
0.5
in
0.5
p的dbr反射镜层，其中x≠y。
71.可选的，在本发明另一实施例中，参考图6，图6为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图。
72.步骤s104中“在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧依次叠层生长n型限制层、有源层和p型限制层”的一种可实现方式为：
73.s1041：在所述dbr反射镜层背离所述sic衬底的一侧生长n型限制层。
74.具体的，在该步骤中在反应室温度为720
±
40℃的环境下通入tmga、tmal、tmin和ph3在所述dbr反射镜层背离所述sic衬底的一侧生长(al
x
ga
1-x
)
0.5
in
0.5
p的n型限制层，其中0.6＜x＜1，所述n型限制层的厚度为0.3μm-1μm，例如所述n型限制层的厚度为0.3μm或0.5μm或0.8μm或1μm等，所述n型限制层的掺杂元素为si元素进行n型掺杂，掺杂浓度为0.7e18cm-3-4e18cm-3
。
75.s1042：在所述n型限制层背离所述sic衬底的一侧生长有源层。
76.具体的，在该步骤中在反应室温度为720
±
40℃的环境下通入tmga、tmal、tmin和
ph3生长阱、垒分别为(al
x
ga
1-x
)
0.5
in
0.5
p(0≤x≤0.3)、(al
x
ga
1-x
)
0.5
in
0.5
p(0.4≤x≤0.6)的有源层，其中阱、垒单层厚度为5nm-20nm，例如厚度可以为5nm或8.5nm或12nm或20nm等，周期数为15对-40对，非故意掺杂。
77.s1043：在所述有源层背离所述sic衬底的一侧生长p型限制层。
78.具体的，在该步骤中在反应室温度为720
±
40℃的环境下通入tmga、tmal、tmin和ph3在所述有源层背离所述sic衬底的一侧生长(al
x
ga
1-x
)
0.5
in
0.5
p的p型限制层，其中0.6≤x≤1，所述p型限制层的厚度为0.3μm-1μm，例如所述p型限制层的厚度为0.3μm或0.5μm或0.8μm或1μm等，所述p型限制层的掺杂元素为mg元素进行p型掺杂，掺杂浓度为0.5e18cm-3-2e18cm-3
。
79.可选的，在本发明另一实施例中，参考图7，图7为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图，在生长完所述n型限制层之后，在生长所述有源层之前，所述制备方法还包括：
80.s107：在所述n型限制层背离所述sic衬底的一侧生长n型空间层。
81.具体的，在该步骤中在反应室温度为720
±
40℃的环境下通入tmga、tmal、tmin和ph3在所述n型限制层背离所述sic衬底的一侧生长(al
x
ga
1-x
)
0.5
in
0.5
p的n型空间层，其中0.6＜x＜1，所述n型空间层的厚度为0.2μm-0.5μm，例如所述n型空间层的厚度为0.2μm或0.3μm或0.4μm或0.5μm等，非故意掺杂。
82.可选的，在本发明另一实施例中，参考图8，图8为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图，在生长完所述有源层之后，在生长所述p型限制层之前，所述制备方法还包括：
83.s108：在所述有源层背离所述sic衬底的一侧生长p型空间层。
84.具体的，在该步骤中在反应室温度为720
±
40℃的环境下通入tmga、tmal、tmin和ph3在所述有源层背离所述sic衬底的一侧生长(al
x
ga
1-x
)
0.5
in
0.5
p的n型空间层，其中0.6≤x≤1，所述p型空间层的厚度为0.2μm-0.5μm，例如所述p型空间层的厚度为0.2μm或0.3μm或0.4μm或0.5μm等，非故意掺杂。
85.可选的，在本发明另一实施例中，参考图9，图9为本发明实施例提供的又一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法的流程示意图，在生长完所述p型限制层之后，所述制备方法还包括：
86.s109：在所述p型限制层背离所述sic衬底的一侧生长p型窗口层。
87.s110：在所述p型窗口层背离所述sic衬底的一侧形成p电极，以及在所述sic衬底背离所述目标低温缓冲层的一侧形成n电极。
88.具体的，在本发明实施例中在反应室温度为760
±
50℃的环境下通入tmga和ph3在所述p型限制层背离所述sic衬底的一侧生长gap的p型窗口层，作为p型电流扩展层，所述p型窗口层的厚度为0.5μm-5μm，例如所述p型窗口层的厚度为0.5μm或1μm或3.5μm或5μm等，所述p型窗口层的掺杂元素为mg元素进行p型掺杂，掺杂浓度大于1e18cm-3
。
89.之后在相对应位置处生长p电极和n电极。
90.可选的，基于本发明上述实施例，在本发明另一实施例中还提供了一种基于sic衬底的algainp发光二极管，如图1所示，该基于sic衬底的algainp发光二极管包括：
91.sic衬底；位于所述sic衬底一侧的目标低温缓冲层，所述目标低温缓冲层包括在
第一生长温度下在所述sic衬底一侧生长的部分低温缓冲层，以及在第二生长温度下继续生长的其余部分低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度。
92.位于所述目标低温缓冲层背离所述sic衬底一侧的高温缓冲层。
93.位于所述高温缓冲层一侧，且依次叠层设置的n型限制层、有源层和p型限制层。
94.如图1所示，该基于sic衬底的algainp发光二极管还包括：欧姆接触层、dbr反射镜层、p型窗口层、p电极和n电极。可选的该基于sic衬底的algainp发光二极管还可以包括：n型空间层和p型空间层。
95.以上对本发明所提供的一种基于sic衬底的algainp发光二极管及制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
96.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
97.还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
98.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种基于sic衬底的algainp发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一sic衬底；在第一生长温度下在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层，在第二生长温度下继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度；在所述目标低温缓冲层背离所述sic衬底的一侧生长高温缓冲层；在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧依次叠层生长n型限制层、有源层和p型限制层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在生长所述目标低温缓冲层之前，所述制备方法还包括：对所述sic衬底进行热处理。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一生长温度下在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层，在第二生长温度下继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度，包括：在500
±
40℃的第一生长温度下，在所述sic衬底的一侧生长部分低温缓冲层；升高温度在550
±
20℃的第二生长温度下，继续生长其余部分低温缓冲层形成目标低温缓冲层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述目标低温缓冲层的厚度为15nm-25nm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述目标低温缓冲层为gaas目标低温缓冲层；掺杂元素为si元素，掺杂浓度为5e16cm-3-2e19cm-3
。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温缓冲层的厚度为0.3μm-2μm。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温缓冲层为gaas高温缓冲层；掺杂元素为si元素，掺杂浓度为5e16cm-3-2e19cm-3
。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在生长所述n型限制层之前，所述制备方法还包括：在所述高温缓冲层背离所述sic衬底的一侧依次叠层生长欧姆接触层和dbr反射镜层。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在生长完所述p型限制层之后，所述制备方法还包括：在所述p型限制层背离所述sic衬底的一侧生长p型窗口层；在所述p型窗口层背离所述sic衬底的一侧形成p电极，以及在所述sic衬底背离所述目标低温缓冲层的一侧形成n电极。10.一种基于sic衬底的algainp发光二极管，其特征在于，所述algainp发光二极管包括：sic衬底；位于所述sic衬底一侧的目标低温缓冲层，所述目标低温缓冲层包括在第一生长温度下在所述sic衬底一侧生长的部分低温缓冲层，以及在第二生长温度下继续生长的其余部
分低温缓冲层，所述第一生长温度小于所述第二生长温度；位于所述目标低温缓冲层背离所述sic衬底一侧的高温缓冲层；位于所述高温缓冲层一侧，且依次叠层设置的n型限制层、有源层和p型限制层。

技术总结
本发明提供了一种基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法，该制备方法在具有极佳导热系数的SiC衬底上生长AlGaInP外延层，因此无需向现有技术中一样通过衬底转移技术将AlGaInP外延片转移至其它高导热系数的衬底上，工艺相对简单，考虑到SiC与AlGaInP晶格不匹配的问题，通过在SiC衬底上生长目标低温缓冲层和高温缓冲层为后面外延生长AlGaInP提供更好的平台，并且目标低温缓冲层采用温度不同的两步生长法，同时可大幅度降低位错密度。同时可大幅度降低位错密度。同时可大幅度降低位错密度。


技术研发人员：梅松 林继宏 崔晓慧 霍丽艳 刘兆
受保护的技术使用者：江西乾照光电有限公司
技术研发日：2023.04.23
技术公布日：2023/7/25