一种双色LED的制作方法

一种双色led
技术领域
1.本技术涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种双色led。


背景技术：

2.led(light emitting diode，发光二极管)芯片为半导体晶片，是led的核心组件，其主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，其中空穴占主导地位，另一部分是n型半导体，其中电子占主导地位。当两种半导体连接起来形成一个p-n结，电流通过导线作用于这个晶片，电子就会被推向p区，电子跟空穴在p区里实现复合，以光子的形式发出能量，这就是led发光的原理。其中光的波长也就是光的颜色，是由形成p-n结的材料决定的。
3.现有技术的单片led结构只能发单色光，要实现全彩显示，需分别制备rgb三颗独立芯片或辅以量子点材料进行色转换，但各自存在问题。当使用多颗led芯片时，增大了后续驱动设计及引线等工艺的难度，提高了生产成本；当使用量子点材料进行色转换，则使得能量交换过程中存在损失。


技术实现要素：

4.本发明提供一种共用p极或共用n极的双色led，可实现两种效果，第一实现两种颜色混合发光，第二实现两种颜色独立驱动发光，主要用于半导体显示。
5.本技术提供一种双色led，以实现由单片双色led产生多种不同波长的光，简化整体结构并降低生产成本，该双色led包括层叠设置第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层以及第三半导体层，其中第一半导体层和第三半导体层用于分别向第一有源层和第二有源层提供第一导电类型的载流子，第二半导体层用于同时向第一有源层和第二有源层提供第二导电类型的载流子，第一导电类型的载流子和第二导电类型的载流子在第一有源层复合，并产生第一颜色的光线，第一导电类型的载流子和第二导电类型的载流子在第二有源层复合，并产生第二颜色的光线，其中第一颜色的光线和第二颜色的光线的波长不同。
6.可选地，第一颜色的光线的波长大于第二颜色的光线的波长，双色led进一步包括反射层，反射层设置于第一有源层背离第二有源层的一侧。
7.可选地，第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层以及第三半导体层顺序层叠生长于衬底的同一侧主表面上，反射层设置于衬底背离第一半导体层的另一侧主表面上。
8.可选地，第三半导体层、第二有源层、第二半导体层、第一有源层以及第一半导体层顺序层叠生长于衬底上，反射层设置于第一半导体层背离第一有源层的一侧上。
9.可选地，第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层以及第三半导体层顺序或倒序层叠生长于衬底上，反射层设置于移除衬底后的第一半导体层背离第一有源层的一侧上。
10.可选地，双色led进一步包括键合衬底，反射层进一步夹设于键合衬底与第一半导体层之间。
11.可选地，第一半导体层和第三半导体层为p型半导体层，第二半导体层为n型半导体层，双色led进一步包括ito电流扩展层和生长准备层，第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层以及第三半导体层顺序生长于生长准备层上，ito电流扩展层设置于第三半导体层背离第二有源层的一侧上，第一半导体层与生长准备层形成隧穿结。
12.可选地，第一半导体层和第三半导体层为p型半导体层，第二半导体层为n型半导体层，双色led进一步包括第一ito电流扩展层与第二ito电流扩展层，第一ito电流扩展层设置于第三半导体层背离第二有源层的一侧上，第二ito电流扩展层设置于第一半导体层背离第一有源层的一侧上。
13.可选地，第一半导体层和第三半导体层为n型半导体层，第二半导体层为p型半导体层，第二半导体层包括第一子半导体层与第二子半导体层，双色led进一步包括第四半导体层，第四半导体层夹设于第一子半导体层与第二子半导体层之间，第四半导体层、第一子半导体层以及第二子半导体层共同形成隧穿结。
14.可选地，第一半导体层、第一有源层、第二子半导体层、第四半导体层、第一子半导体层、第二有源层以及第三半导体层顺序层叠生长于衬底的同一侧主表面上；
15.衬底相对于第一半导体层沿垂直于层叠生长方向的第一方向延伸，以形成第一台阶结构，第二子半导体层和第四半导体层相对于第一子半导体层沿第二方向延伸，以形成第二台阶结构，第二方向平行于第一方向，且与第一方向相反；
16.双色led进一步包括p型电极和n型电极，n型电极分别设置于第三半导体层上，以及设置于第一台阶结构上，用于电连接第一半导体层和第三半导体层；p型电极设置于第二台阶结构上，用于电连接第四半导体层、第一子半导体层以及第二子半导体层。
17.可选地，双色led进一步包括第一电极、第二电极和第三电极，第一电极电连接第一半导体层，第二电极连接第二半导体层；第三电极连接第三半导体层，双色led设置有通孔结构或台阶结构，第一电极、第二电极和第三电极中的至少部分电极设置于通孔结构内或者设置于台阶结构上。
18.区别于现有技术，本技术通过在单片双色led中层叠设置半导体层与有源层，以使第一有源层和第二有源层共用第二半导体层，使得第一有源层和第二有源层均能够接收第二半导体层输出的第二导电类型的载流子，无需额外设置另一用于输出第二导电类型的载流子的第二半导体层，简化了双色led的整体结构；同时，第一有源层与第二有源层能够分别产生波长不同的颜色光，以使单片双色led实现双色发光的效果，无需设置多个单色发光的led芯片，有效降低生产成本。
19.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本技术。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图。
21.图1是本技术双色led第一实施例的结构示意图；
22.图2是本技术双色led第二实施例的结构示意图；
23.图3是本技术双色led第三实施例的结构示意图；
24.图4是本技术双色led第四实施例的结构示意图；
25.图5是本技术双色led第五实施例的结构示意图；
26.图6是本技术双色led第六实施例的结构示意图；
27.图7是本技术双色led第七实施例的结构示意图；
28.图8是本技术双色led第八实施例的结构示意图；
29.图9是本技术双色led第九实施例的结构示意图。
具体实施方式
30.为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术所提供的双色led做进一步详细描述。可以理解的是，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
31.本技术中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
32.本技术提供一种双色led，以实现由单片双色led产生多种不同波长的光，简化双色led的整体结构并降低生产成本。
33.请参阅图1，图1是本技术双色led第一实施例的结构示意图。如图1所示，本实施例双色led10包括层叠设置第一半导体层101、第一有源层102、第二半导体层103、第二有源层104以及第三半导体层105。
34.具体地，第一半导体层101和第三半导体层105用于分别向第一有源层102和第二有源层104提供第一导电类型的载流子，第二半导体层103用于同时向第一有源层102和第二有源层104提供第二导电类型的载流子，第一导电类型的载流子和第二导电类型的载流子在第一有源层102复合，并产生第一颜色的光线，第一导电类型的载流子和第二导电类型的载流子在第二有源层104复合，并产生第二颜色的光线，其中第一颜色的光线和第二颜色的光线的波长不同。进一步地，本实施例第一有源层102与第二有源层104所产生的第一颜色的光线和第二颜色的光线可以由双色led10的两侧输出。
35.本实施例通过在单片双色led10中依次层叠设置半导体层与有源层，以使第一有源层102和第二有源层104共用第二半导体层103，进而使得第一有源层102和第二有源层104均能够接收第二半导体层103输出的第二导电类型的载流子，同时结合第一半导体层101和第三半导体层105分别向第一有源层102和第二有源层104提供第一导电类型的载流子，使得第一有源层102与第二有源层104能够分别产生波长不同的颜色光，实现单片双色led10双色发光的效果，无需设置多个单色发光的led芯片，有效降低生产成本；并且，由于
第一有源层102和第二有源层104共用第二半导体层103，无需额外设置另一用于输出第二导电类型的载流子的第二半导体层103，简化了双色led10的整体结构，降低生产成本。
36.其中，本实施例双色led10具体可为正装结构、倒装结构、垂直结构以及薄膜结构。
37.结合图1，进一步参阅图2，图2是本技术双色led第二实施例的结构示意图。如图2所示，区别于第一实施例，本实施例双色led10进一步包括衬底106以及反射层110。其中，本实施例双色led10为正装结构。
38.具体地，在本实施例中，第一颜色的光线的波长大于第二颜色的光线的波长，且反射层110设置于第一有源层102背离第二有源层104的一侧，用于反射第一有源层102产生的第一颜色的光线，使其沿第一有源层102朝向第二有源层104的方向输出。
39.其中，第一半导体层101、第一有源层102、第二半导体层103、第二有源层104以及第三半导体层105顺序层叠生长于衬底106的同一侧主表面上，反射层110设置于衬底106背离第一半导体层101的另一侧主表面上。
40.由于第一颜色的光线的波长大于第二颜色的光线的波长，则第二颜色的光线传输至第一有源层102时会被其吸收，本实施例通过将反射层110设置于第一有源层102背离第二有源层104的一侧，使得未被第一有源层102吸收的第二颜色的光线、第一有源层102朝第二有源层104传输的部分第一颜色的光线，以及经过反射层110反射的部分第一颜色的光线均沿第一有源层102朝向第二有源层104的方向传输，并通过第三半导体层105输出。
41.可选地，第一颜色的光线与第二颜色的光线可为红光与蓝光，或者为绿光与蓝光，或者为绿光与红光，或者为其他波长光的组合。
42.结合图1-2，进一步参阅图3，图3是本技术双色led第三实施例的结构示意图。如图3所示，区别于第二实施例，本实施例双色led10为倒装结构。
43.具体地，在本实施例中，第三半导体层105、第二有源层104、第二半导体层103、第一有源层102以及第一半导体层101顺序层叠生长于衬底106上，反射层110设置于第一半导体层101背离第一有源层102的一侧上。
44.其中，未被第一有源层102吸收的第二颜色的光线、第一有源层102朝第二有源层104传输的部分第一颜色的光线，以及经过反射层110反射的部分第一颜色的光线均沿第一有源层102朝向第二有源层104的方向输出，并通过衬底106输出，其中衬底106为透明衬底。
45.结合图1-3，进一步参阅图4，图4是本技术双色led第四实施例的结构示意图。如图4所示，区别于第二实施例和第三实施例，本实施例双色led10为薄膜结构。
46.具体地，在本实施例中，第一半导体层101、第一有源层102、第二半导体层103、第二有源层104以及第三半导体层105顺序或倒序层叠生长于衬底106上，反射层110设置于移除衬底106后的第一半导体层101背离第一有源层102的一侧上。
47.可选地，当第一半导体层101、第一有源层102、第二半导体层103、第二有源层104以及第三半导体层105顺序层叠生长于衬底106上时，本实施例双色led10即为第二实施例所示的正装结构去除衬底106之后的结构；当第一半导体层101、第一有源层102、第二半导体层103、第二有源层104以及第三半导体层105倒序层叠生长于衬底106上时，本实施例双色led10即为第三实施例所示的倒装结构去除衬底106之后的结构。
48.结合图1-4，进一步参阅图5，图5是本技术双色led第五实施例的结构示意图。如图5所示，区别于第四实施例，本实施例双色led10为垂直结构，双色led10进一步包括键合衬
底111，反射层110进一步夹设于键合衬底111与第一半导体层101之间。
49.具体地，在本实施例中，在去除衬底106之后，将键合衬底111与第一半导体层101进行键合操作，其中键合衬底111具体为金属衬底。
50.结合图1，进一步参阅图6，图6是本技术双色led第六实施例的结构示意图。如图6所示，区别于第一实施例，本实施例双色led10进一步包括衬底106、ito(氧化铟锡)电流扩展层122和生长准备层121。
51.具体地，在本实施例中，第一半导体层101和第三半导体层105为p型半导体层，第二半导体层103为n型半导体层。其中，第一半导体层101、第一有源层102、第二半导体层103、第二有源层104以及第三半导体层105顺序生长于生长准备层121上，生长准备层121进一步生长于衬底106上，ito电流扩展层122设置于第三半导体层105背离第二有源层104的一侧上，第一半导体层101与生长准备层121形成隧穿结。
52.其中，本实施例生长准备层121具体为n-gan层，即掺杂有si，生长准备层121及第一半导体层101为重掺杂结构，使得能带间隙变小，即形成隧穿结，隧穿结具有良好的载流子输运效率及电导调制效应，能够缓和电流拥挤效应，提高外量子效率。同时，ito电流扩展层122具有电流扩展效应，使得电流在整个双色led10分布均匀，大大提高双色led10的光提取效率。
53.并且，本实施例通过设置ito电流扩展层122及隧穿结，解决现有技术难以在衬底106上生长p-gan层的问题，形成不同于传统结构的反结构led。
54.结合图1和图6，进一步参阅图7，图7是本技术双色led10第七实施例的结构示意图。如图7所示，区别于第一实施例，本实施例双色led10进一步包括第一ito电流扩展层124与第二ito电流扩展层123。
55.具体地，在本实施例中，第一半导体层101和第三半导体层105为p型半导体层，第二半导体层103为n型半导体层。其中，第一ito电流扩展层124设置于第三半导体层105背离第二有源层104的一侧上，第二ito电流扩展层123设置于第一半导体层101背离第一有源层102的一侧上。
56.本实施例双色led10具体可为薄膜结构，即本实施例双色led10未设置有衬底，在需要较高透光的情况下，可使用如本实施例所述的双色led10，同时第一ito电流扩展层124与第二ito电流扩展层123能够进一步提高双色led10的光提取效率及发光效率。
57.结合图1，进一步参阅图8，图8是本技术双色led第八实施例的结构示意图。如图8所示，区别于第一实施例，本实施例双色led10进一步包括第四半导体层125。
58.具体地，在本实施例中，第一半导体层101和第三半导体层105为n型半导体层，第二半导体层103为p型半导体层，第二半导体层103包括第一子半导体层1031与第二子半导体层1032，第四半导体层125夹设于第一子半导体层1031与第二子半导体层1032之间，其中第四半导体层125同时为n型半导体层，则第四半导体层125、第一子半导体层1031以及第二子半导体层1032共同形成隧穿结。
59.本实施例双色led10通过设置隧穿结，有效提高载流子输运效率，提高电子和空穴的扩散效率，使得第一有源层102以及第二有源层104中的电子和空穴的结合效率提升，进而提高双色led10的发光效率。
60.具体地，在本实施例中，第一半导体层101、第一有源层102、第二子半导体层1032、
第四半导体层125、第一子半导体层1031、第二有源层104以及第三半导体层105顺序层叠生长于衬底的同一侧主表面上。
61.衬底相对于第一半导体层101沿垂直于层叠生长方向的第一方向延伸，以形成第一台阶结构，即衬底在第一方向上的宽度大于第一半导体层101的宽度。
62.双色led10可进一步包括n型电极，n型电极设置于第三半导体层105上，具体可设置于第三半导体层105背离第二有源层104的一侧上；以及，n型电极设置于第一台阶结构上，具体可设置于衬底的延伸区域上。n型电极用于电连接第一半导体层101和第三半导体层105。
63.第二子半导体层1032和第四半导体层125相对于第一子半导体层1031沿第二方向延伸，以形成第二台阶结构，第二方向平行于第一方向，且与第一方向相反；即第二子半导体层1032和第四半导体层125在第二方向上的宽度大于第一子半导体层1031的宽度，且第二子半导体层1032和第四半导体层125在第二方向上的宽度相等。
64.双色led10可进一步包括p型电极，p型电极设置于第二台阶结构上，用于电连接第四半导体层125、第一子半导体层1031以及第二子半导体层1032。具体地，p型电极设置于第四半导体层125相对于第一子半导体层1031的延伸区域上。
65.结合图1-8，进一步参阅图9，图9是本技术双色led第九实施例的结构示意图。如图9所示，区别于上述实施例，本实施例双色led10进一步包括第一电极131、第二电极132和第三电极133。
66.具体地，在本实施例中，第一电极131电连接第一半导体层101，第二电极132连接第二半导体层103；第三电极133连接第三半导体层105。即，当第一半导体层101和第三半导体层105为p型半导体层，且第二半导体层103为n型半导体层时，第一电极131和第三电极133为p型电极，第二电极132为n型电极；当第一半导体层101和第三半导体层105为n型半导体层，且第二半导体层103为p型半导体层时，第一电极131和第三电极133为n型电极，第二电极132为p型电极。
67.其中，双色led10设置有通孔结构或台阶结构，第一电极131、第二电极132和第三电极133中的至少部分电极设置于通孔结构内或者设置于台阶结构上。
68.本实施例通过设置与第一半导体层101、第二半导体层103以及第三半导体层105分别连接的第一电极131、第二电极132和第三电极133，能够通过对第一电极131和/或第三电极133施加控制电压，即可控制双色led10输出单色光或双色光；或者，控制施加于第一电极131和第三电极133的控制电压大小，即可调节第一颜色的光线以及第二颜色的光线的相对亮度比例。
69.可选地，在其他实施例中，第一电极131和第三电极133中的至少一者设置成同时电连接第一半导体层101和第三半导体层105，在不需要调整第一颜色的光线以及第二颜色的光线的相对亮度比例时，使用同一第一电极131或第三电极133即可实现控制双色led10输出双色光，简化了双色led10的结构以及制备流程，降低生产成本。
70.具体地，在本实施例中，第一电极131、第二电极132和第三电极133的引线端位于双色led10的同一侧，或者第一电极131、第二电极132和第三电极133中的一部分电极的引线端位于双色led10的一侧，另一部分电极的引线端位于双色led10的另一侧。
71.即，可包括第一电极131的引线端位于双色led10的一侧，第二电极132和第三电极
133的引线端位位于双色led10的另一侧；或者，第二电极132的引线端位于双色led10的一侧，第一电极131和第三电极133的引线端位位于双色led10的另一侧；或者，第三电极133的引线端位于双色led10的一侧，第一电极131和第二电极132的引线端位位于双色led10的另一侧；或者，第一电极131、第二电极132和第三电极133的引线端位于双色led10的同一侧。
72.其中，本实施例第一电极131、第二电极132和第三电极133可应用于上述第二实施例至第八实施例。在正装结构中，第一电极131、第二电极132和第三电极133设置于第三半导体层105背离第二有源层104的一侧上；在倒装结构中，第一电极131、第二电极132和第三电极133设置于ito电流扩展层122背离反射层110的一侧上；在垂直结构中，第一电极131、第二电极132和第三电极133设置于键合衬底111背离反射层110的一侧上。
73.以上仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种双色led，其特征在于，所述双色led包括层叠设置第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层以及第三半导体层，其中所述第一半导体层和所述第三半导体层用于分别向所述第一有源层和所述第二有源层提供第一导电类型的载流子，所述第二半导体层用于同时向所述第一有源层和所述第二有源层提供第二导电类型的载流子，所述第一导电类型的载流子和所述第二导电类型的载流子在所述第一有源层复合，并产生第一颜色的光线，所述第一导电类型的载流子和所述第二导电类型的载流子在所述第二有源层复合，并产生第二颜色的光线，其中所述第一颜色的光线和所述第二颜色的光线的波长不同。2.根据权利要求1所述的双色led，其特征在于，所述第一颜色的光线的波长大于所述第二颜色的光线的波长，所述双色led进一步包括反射层，所述反射层设置于所述第一有源层背离所述第二有源层的一侧。3.根据权利要求2所述的双色led，其特征在于，所述第一半导体层、所述第一有源层、所述第二半导体层、所述第二有源层以及所述第三半导体层顺序层叠生长于衬底的同一侧主表面上，所述反射层设置于所述衬底背离所述第一半导体层的另一侧主表面上。4.根据权利要求2所述的双色led，其特征在于，所述第三半导体层、所述第二有源层、所述第二半导体层、所述第一有源层以及所述第一半导体层顺序层叠生长于衬底上，所述反射层设置于所述第一半导体层背离所述第一有源层的一侧上。5.根据权利要求2所述的双色led，其特征在于，所述第一半导体层、所述第一有源层、所述第二半导体层、所述第二有源层以及所述第三半导体层顺序或倒序层叠生长于衬底上，所述反射层设置于移除所述衬底后的所述第一半导体层背离所述第一有源层的一侧上。6.根据权利要求5所述的双色led，其特征在于，所述双色led进一步包括键合衬底，所述反射层进一步夹设于所述键合衬底与所述第一半导体层之间。7.根据权利要求1所述的双色led，其特征在于，所述第一半导体层和所述第三半导体层为p型半导体层，所述第二半导体层为n型半导体层，所述双色led进一步包括ito电流扩展层和生长准备层，所述第一半导体层、所述第一有源层、所述第二半导体层、所述第二有源层以及所述第三半导体层顺序生长于所述生长准备层上，所述ito电流扩展层设置于所述第三半导体层背离所述第二有源层的一侧上，所述第一半导体层与所述生长准备层形成隧穿结。8.根据权利要求1所述的双色led，其特征在于，所述第一半导体层和所述第三半导体层为p型半导体层，所述第二半导体层为n型半导体层，所述双色led进一步包括第一ito电流扩展层与第二ito电流扩展层，所述第一ito电流扩展层设置于所述第三半导体层背离所述第二有源层的一侧上，所述第二ito电流扩展层设置于所述第一半导体层背离所述第一有源层的一侧上。9.根据权利要求1所述的双色led，其特征在于，所述第一半导体层和所述第三半导体层为为n型半导体层，所述第二半导体层为p型半导体层，所述第二半导体层包括第一子半导体层与第二子半导体层，所述双色led进一步包括第四半导体层，所述第四半导体层夹设于所述第一子半导体层与所述第二子半导体层之间，所述第四半导体层、所述第一子半导体层以及所述第二子半导体层共同形成隧穿结。10.根据权利要求9所述的双色led，其特征在于，所述第一半导体层、所述第一有源层、
所述第二子半导体层、所述第四半导体层、所述第一子半导体层、所述第二有源层以及所述第三半导体层顺序层叠生长于衬底的同一侧主表面上；所述衬底相对于第一半导体层沿垂直于层叠生长方向的第一方向延伸，以形成第一台阶结构，所述第二子半导体层和所述第四半导体层相对于所述第一子半导体层沿第二方向延伸，以形成第二台阶结构，所述第二方向平行于所述第一方向，且与所述第一方向相反；所述双色led进一步包括p型电极和n型电极，所述n型电极分别设置于所述第三半导体层上，以及设置于所述第一台阶结构上，用于电连接所述第一半导体层和所述第三半导体层；所述p型电极设置于所述第二台阶结构上，用于电连接所述第四半导体层、所述第一子半导体层以及所述第二子半导体层。11.根据权利要求2所述的双色led，其特征在于，所述双色led进一步包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极电连接所述第一半导体层，所述第二电极连接所述第二半导体层；所述第三电极连接所述第三半导体层，所述双色led设置有通孔结构或台阶结构，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极中的至少部分电极设置于所述通孔结构内或者设置于所述台阶结构上。

技术总结
本申请公开了一种双色LED，该双色LED包括层叠设置第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层以及第三半导体层，其中第一半导体层和第三半导体层用于分别向第一有源层和第二有源层提供第一导电类型的载流子，第二半导体层用于同时向第一有源层和第二有源层提供第二导电类型的载流子，第一导电类型的载流子和第二导电类型的载流子在第一有源层复合，并产生第一颜色的光线，第一导电类型的载流子和第二导电类型的载流子在第二有源层复合，并产生第二颜色的光线，其中第一颜色的光线和第二颜色的光线的波长不同。本申请在单片双色LED中层叠设置半导体层与有源层，以使第一有源层和第二有源层共用第二半导体层，并分别产生波长不同的颜色光。分别产生波长不同的颜色光。分别产生波长不同的颜色光。


技术研发人员：闫春辉 何婧婷 杜彦浩 杨安丽 钟增梁 孙伟
受保护的技术使用者：纳微朗科技（深圳）有限公司
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/7/25