一种放大反馈激光器及其制备方法

1.本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种放大反馈激光器及其制备方法。


背景技术：

2.随着物联网、自动驾驶、雷达等技术的蓬勃发展，低频端电磁波资源日益短缺，研究人员开始向更短波长、更高频率的电磁波段开拓，以获得更大带宽。其中，光生微波是重要手段之一。光生微波的一种重要技术手段包括通过双模激光器拍频产生微波信号。激光器谐振腔内两个模式同腔振荡，相位相关性较好，可直接拍频产生稳定的微波信号，应用较为广泛。
3.双模激光器主要分为双波长光纤激光器和单片集成的双波长半导体激光器；前者系统体积庞大，不利于小型化发展；后者采用光子集成技术进行单片集成，能够实现小型化和集成化，应用前景更加广泛。放大反馈激光器(amplified feedback laser，afl)是一种典型的双波长半导体激光器。
4.传统放大反馈激光器包括分布反馈激光器(distributed feedback laser，dfb)区、相位控制区和放大反馈区三部分，相位控制区和放大反馈区共同构成分布反馈激光器区的外反馈腔。为实现良好的光生微波信号输出，通常需要放大反馈激光器能够在无反馈条件下进行单模工作。这样，当放大反馈腔工作时，可以在单模的基础上出现另外的光模式，从而实现双模输出。但是研究人员发现：在无反馈条件下分布反馈激光器区会工作在简并双波长状态；那么当存在反馈时，放大反馈激光器会出现以简并双波长为基础的两组双模(即简并双模)，从而大幅降低输出光生微波的纯净度。


技术实现要素：

5.本发明提供一种放大反馈激光器及其制备方法，避免了现有技术中放大反馈激光器因简并双模影响光生微波的纯净度的问题，从而大幅提升器件性能。
6.本发明提供一种放大反馈激光器，包括：激光器区、相位控制区和放大反馈区；所述相位控制区设置在所述激光器区和所述放大反馈区之间、且分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连；
7.其中，所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构；所述多层生长结构包括光栅层，所述激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区，所述光栅区包括光栅；所述相位控制区的光栅层和所述放大反馈区的光栅层均包括覆盖所属区域的光栅材料。
8.根据本发明提供的一种放大反馈激光器，所述放大反馈激光器还包括衬底，所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区集成在所述衬底的同一侧；
9.所述多层生长结构还包括有源层，所述有源层设置在所述衬底和所述光栅层之间；设置在不同区域、且属于同层的生长结构采用同一材料。
10.根据本发明提供的一种放大反馈激光器，所述相位控制区的光致发光光谱的中心
波长与所述激光器区的激射波长的差值大于预设值。
11.根据本发明提供的一种放大反馈激光器，所述多层生长结构还包括依次叠层设置在所述衬底上的缓冲层、第一限制层、量子阱层、第二限制层、刻蚀停止层、光栅层、波导层和电极层；其中，所述光栅层设置在所述刻蚀停止层和所述波导层之间。根据本发明提供的一种放大反馈激光器，所述多层生长结构中除所述光栅层、所述波导层和所述电极层之外，设置在不同区域、且属于同层的生长结构一体相连。
12.根据本发明提供的一种放大反馈激光器，所述多层生长结构中，所述波导层包括沿预设方向平行间隔设置的三个波导部，所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区的排列方向与所述预设方向垂直；相邻所述波导部之间设置凹槽，以露出所述光栅层；所述激光器区中，所述光栅与位于中间位置的所述波导部沿垂直于所述衬底的方向至少部分交叠。
13.根据本发明提供的一种放大反馈激光器，所述波导部包括上盖部和接触部，所述接触部设置在所述上盖部远离所述衬底的一侧；
14.其中，相邻设置在不同区域的所述上盖部一体相连；相邻设置在不同区域的所述接触部相互独立。
15.根据本发明提供的一种放大反馈激光器，所述多层生长结构中，所述电极层包括电连接的第一电极和第二电极；
16.所述第一电极覆盖位于中间位置的所述接触部，所述第二电极覆盖位于两侧位置的任一所述接触部的部分区域。
17.本发明还提供了上述任意一种放大反馈激光器的制备方法，包括：
18.形成激光器区、相位控制区和放大反馈区；
19.形成所述激光器区包括：
20.采用全息曝光和干法刻蚀工艺形成光栅层。
21.根据本发明提供的一种放大反馈激光器的制备方法，所述放大反馈激光器还包括衬底，所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区集成在所述衬底的同一侧；所述多层生长结构还包括有源层，所述有源层设置在所述衬底和所述光栅层之间；设置在不同区域、且属于同层的生长结构采用同一材料；
22.所述形成激光器区、相位控制区和放大反馈区包括：
23.采用相同工艺在所述衬底上形成所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区。
24.本发明提供了一种放大反馈激光器及其制备方法，该放大反馈激光器包括：激光器区、相位控制区和放大反馈区；相位控制区设置在激光器区和放大反馈区之间、且分别与激光器区和放大反馈区相连；其中，激光器区、相位控制区和放大反馈区均分别包括多层生长结构，；多层生长结构包括光栅层，激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区，光栅区包括光栅；相位控制区的光栅层和放大反馈区的光栅层均包括覆盖所属区域的光栅材料。该放大反馈激光器采用部分光栅的激光器区，而部分光栅的激光器区的阈值谱中的两个阈值差较大，在无反馈条件下容易实现单模输出，从而避免出现简并双模问题，进而避免因简并双模影响光生微波的纯净度的问题，提升了单模成品率，进而大幅提升器件性能。
附图说明
25.为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1是本发明提供的放大反馈激光器的结构示意图；
27.图2是图1中光栅层的俯视图；
28.图3是图1中波导层的俯视图；
29.图4是沿图1中bb1方向的截面示意图。
具体实施方式
30.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
31.在本发明的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本发明实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
32.在本发明的实施例中，“多层”的含义是两层或两层以上，“至少一层”的含义是一层或一层以上，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
33.在本发明的实施例中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
34.本发明的实施例提供了一种放大反馈激光器，参考图1所示，该放大反馈激光器包括：激光器区a1、相位控制区a2和放大反馈区a3；相位控制区a2设置在激光器区a1和放大反馈区a3之间、且分别与激光器区a1和放大反馈区a3相连。
35.其中，结合图1和图2所示，激光器区a1、相位控制区a2和放大反馈区a3均分别包括多层生长结构1；多层生长结构包括光栅层；激光器区a1的光栅层2包括光栅区g2和非光栅区g1，光栅区包括光栅。相位控制区a2的光栅层2a和放大反馈区a3的光栅层2b均包括覆盖所属区域的光栅材料。
36.上述激光器区(简称pc-ld区)、相位控制区(简称p区)和放大反馈区(简称a区)共同构成放大反馈激光器的谐振腔。激光器区在驱动电流的作用下，处于激射状态，从而发射单模光。相位控制区和放大反馈区共同构成激光器区的短外反馈腔，提供相位和强度合适的反馈光，其中，相位控制区用于控制反馈光信号的相位，放大反馈区用于控制反馈光信号的强度。激光器产生的双模间距由谐振腔长决定。通过控制相位控制区和放大反馈区的注入电流，可以分别控制反馈光信号的相位和强度，从而调节双模光信号的模式间距。激光器区、相位控制区和放大反馈区三者相互配合，使得放大反馈器工作在双模状态或者混沌态，从而实现模间距可调谐的双模光信号或者宽谱混沌光信号输出。上述激光器区中，光栅区是指设置有光栅的区域，非光栅区是指不设置光栅的区域。光栅的具体类型和结构均不做
限定，示例的，参考图2所示，光栅可以包括多条平行的不透光部3，相邻不透光部3之间设置有狭缝4，这里对于不透光部的长度和宽度均不作限定，具体可以根据设计要求选择。
37.上述光栅层的制备方法不做限定，示例的，可以采用全息曝光和干法刻蚀的工艺制备。
38.上述相位控制区的光栅层和放大反馈区的光栅层均包括覆盖所属区域的光栅材料，即参考图2所示，相位控制区的光栅层2a和放大反馈区的光栅层2b不设置光栅，仅在激光器区中的光栅区g2设置光栅。为了便于区分，图2中，激光器区a1的光栅层、相位控制区a2的光栅层和放大反馈区a3的光栅层分别标记为2、2a和2b；图1以激光器区a1包括的多层生长结构1为例对各生长结构进行标记。
39.本发明实施例提供的放大反馈激光器的工作波段可以是1.3μm或者1.5μm，当然，通过调节半导体增益材料还可以工作在其他通讯波段，这里不做限定。
40.本发明的实施例提供了一种放大反馈激光器，该放大反馈激光器采用部分光栅的激光器区，而部分光栅的激光器区的阈值谱中的两个阈值差较大，在无反馈条件下容易实现单模输出，从而避免出现简并双模问题，进而避免因简并双模影响光生微波的纯净度的问题，最终提升了单模成品率，进而大幅提升器件性能。
41.现有技术中，相位控制区多采用无源结构制成，激光器区和相位控制区采用有源结构制成。实现无源结构和有源结构的单片集成常采用对接生长技术(butt-joint regrowth，bjr)和量子阱混杂技术(quantum well intermixing，qwi)。对接生长技术可以对不同生长区域的材料分别进行优化，具有较高的灵活度，但是有源和无源对接界面处材料的生长质量难以得到保障，并且在腔内容易引入额外的镜面反馈，影响激光器的工作状态。此外，对接生长技术需要三次外延生长接触层材料，工艺复杂。量子阱混杂技术通过掺杂或离子注入等诱导手段在材料表面引入缺陷或杂质，高温退火下大量的晶格缺陷向量子阱区域扩散，诱导量子阱的垒材料和阱材料之间的原子相互扩散混杂，从而导致量子阱的能带形状发生变化，由阶梯型变为抛物线形。但是采用量子阱混杂技术时，需要控制注入浓度、退火的温度和时间，制备过程中工艺重复性难以得到保证，并且在引入缺陷时容易产生不可避免的材料损伤问题。
42.为了解决上述问题，可选的，参考图1所示，放大反馈激光器还包括衬底5，激光器区a1、相位控制区a2和放大反馈区a3集成在衬底5的同一侧；多层生长结构还包括有源层，有源层设置在衬底和光栅层之间；设置在不同区域、且属于同层的生长结构采用同一材料。
43.上述有源层可以包括至少一层如图1所示的量子阱层8，量子阱层的层数和材料不做限定。
44.本发明实施例提供的放大反馈激光器属于全有源部分光栅放大反馈激光器，其中，相位控制区、激光器区和放大反馈区三者采用同样的材料体系，即属于同层的生长结构采用同一材料；且三者均包括有源层，这样无需额外采用对接生长工艺或量子阱混杂工艺，避免了在谐振腔内引入额外的镜面反馈，进一步简化了制备工艺。
45.可选的，相位控制区的光致发光光谱的中心波长与激光器区的激射波长的差值大于预设值。
46.经过大量研究，上述预设值可以是20nm-30nm，示例的，该预设值可以是20nm、24nm、26nm、28nm或者30nm。
47.在相位控制区的光致发光光谱的中心波长与激光器区的激射波长的差值大于预设值的情况下，对相位控制区施加透明电流以下的小电流注入或者无注入时，可以有效降低相位控制区对于光信号的吸收，从而减小腔内的光损耗。
48.为了进一步简化结构，便于制作，可选的，参考图1所示，多层生长结构1还包括依次叠层设置在衬底5上的缓冲层6、第一限制层7、量子阱层8、第二限制层9、刻蚀停止层10、波导层11和电极层12；其中，光栅层2设置在刻蚀停止层10和波导层11之间。图1以激光器区a1包括的多层生长结构1为例对各生长结构进行标记。
49.上述各层结构的材料不做限定，示例的，以inp材料体系为例进行说明，衬底的材料可以包括n型inp，缓冲层的材料可以包括n型inp，第一限制层的材料可以包括algainas，量子阱层的材料可以包括algainas，第二限制层的材料可以包括algainas，刻蚀停止层的材料可以包括ingaasp，光栅层的材料可以包括ingaasp，上盖层的材料可以包括inp，接触层的材料可以包括ingaas。当然，各膜层还可以采用其他材料制作，这里不做限定。
50.需要说明的是，量子阱层属于前述有源层，可以采用半导体有源材料制作。量子阱层的具体结构不做限定，示例的，量子阱层可以包括一对量子阱，具体的，一对量子阱可以包括叠层设置的第一势垒层、中间层和第二势垒层；或者，量子阱层可以包括两对量子阱，具体的，两对量子阱可以包括叠层设置的第一势垒层、第一中间层、第二势垒层、第二中间层和第三势垒层；当然，还可以包括三对或者三对以上量子阱，这里不做限定。
51.为了进一步降低制作难度，可选的，多层生长结构中除光栅层、波导层和电极层之外，设置在不同区域、且属于同层的生长结构一体相连。以第一限制层为例进行说明，参考图1所示，设置在激光器区的第一限制层7、设置在相位控制区的第一限制层7a和设置在放大反馈区的第一限制层7b一体相连，这样可以通过一次制备工艺形成，从而进一步简化了制作工艺。
52.为了便于形成激光横向光场以利于定向输出激光，可选的，结合图1和图3所示，多层生长结构中，波导层11包括沿预设方向(图1所示的oo3方向)平行间隔设置的三个波导部110，激光器区a1、相位控制区a2和放大反馈区a3的排列方向(图1所示的oo1方向)与预设方向(图1所示的oo3方向)垂直；相邻波导部之间设置凹槽，以露出光栅层；激光器区中，光栅与位于中间位置的波导部沿垂直于衬底的方向至少部分交叠。图1和图3所示的波导层采用的是双沟脊波导结构，当然，根据设计要求，还可以采用其他波导结构。
53.上述三个波导部，参考图3所示，位于中间位置的波导部沿预设方向(图3所示的oo3方向)的宽度w分别小于位于两侧位置的波导部沿预设方向(图3所示的oo3方向)的宽度w1和w2，从而更有利于防止高阶横模出现，使激光器工作在基横模状态。位于两侧位置的波导部沿预设方向的宽度可以相同或者不同，这里不做限定。图3以位于两侧位置的波导部沿预设方向的宽度相同为例进行绘示。
54.上述激光器区中，光栅与位于中间位置的波导部沿垂直于衬底的方向至少部分交叠是指：光栅与位于中间位置的波导部沿垂直于衬底的方向交叠，此时，位于中间位置的波导部在衬底上的正投影覆盖光栅在衬底上的正投影；或者，光栅与位于中间位置的波导部沿垂直于衬底的方向部分交叠，此时，光栅在衬底上的正投影与位于中间位置的波导部在衬底上的正投影部分交叠。
55.激光器区、相位控制区和放大反馈区的工作电流不同，为了便于单独向不同区域
供电，可选的，结合图1、图3和图4所示，波导部110包括上盖部111和接触部112，接触部112设置在上盖部111远离衬底5的一侧111；其中，相邻设置在不同区域的上盖部111一体相连；相邻设置在不同区域的接触部112相互独立。
56.上盖部的材料可以包括p型inp，接触部的材料可以包括p型ingaas，当然上盖部和接触部也可以采用其他材料，只要与其他膜层相匹配即可，这里不做限定。示例的，在上盖部的材料包括p型inp，接触部的材料包括p型ingaas的情况下，衬底的材料可以包括n型inp，缓冲层的材料可以包括n型inp。
57.为了更好地向位于中间位置的接触部供电，尤其在位于中间位置的接触部沿预设方向的宽度较小的情况下，可选的，参考图1所示，多层生长结构中，电极层12包括电连接的第一电极121和第二电极122；第一电极121覆盖位于中间位置的接触部112，第二电极122覆盖位于两侧位置的任一接触部112的部分区域。
58.上述第一电极和第二电极可以采用相同材料通过选择性湿法腐蚀的工艺制作，示例的，可以采用钛金(tiau)合金制作。各区域包括的第二电极的图案可以相同或者不同，为了便于区分，可以采用不同的图案。
59.上述放大反馈激光器在工作状态时，可以向激光器区、相位控制区和放大反馈区中的第二电极分别施加电流；在上盖部的材料包括p型inp，接触部的材料包括p型ingaas，衬底的材料包括n型inp，缓冲层的材料包括n型inp的情况下，施加的电流是正向电流。需要说明的是，本发明实施例提供的放大反馈激光器还可以包括设置在衬底远离缓冲层一侧的负电极层。负电极层可以整面设置在衬底远离缓冲层的一侧；该负电极层的材料可以包括金锗镍augeni合金，当然也可以包括其他材料，这里不做限定。
60.本发明实施例提供的放大反馈激光器中，位于中间位置的接触部可以通过第一电极和第二电极接入电流，从而进一步保证位于中间位置的接触部的电流输入，大幅提升了电流输入的质量和效率。
61.为了确保第一电极和第二电极的电连接关系，可选的，参考图3所示，多层生长结构中，波导层11还可以包括波导连接部113，波导连接部113分别与相邻的波导部110相连；波导连接部还可以包括上盖连接部和接触连接部，接触连接部覆盖上盖连接部；参考图1所示，电极层12还可以包括连接电极123，连接电极覆盖接触连接部、且分别与第一电极121和第二电极122相连。
62.上盖连接部与上盖部可以一体成型，接触连接部与接触部可以一体成型，连接电极、第一电极和第二电极三者可以一体成型。
63.本发明的实施例还提供了一种放大反馈激光器的制备方法，包括：
64.s01、形成激光器区、相位控制区和放大反馈区。
65.需要说明的是，激光器区、相位控制区和放大反馈区的相关说明可以参考前述实施例，这里不再赘述。
66.步骤s01中，形成激光器区包括：
67.s011、采用全息曝光和干法刻蚀工艺形成光栅层。
68.现有技术中，放大反馈激光器采用四分之一波长相移光栅或增益耦合光栅制备分布式反馈激光器。基于四分之一波长相移光栅的分布式激光器，在无反馈下其单模特性不易受端面反射的影响，当放大反馈激光器工作在无反馈状态下时可以工作在单模状态；基
于增益耦合光栅的分布式激光器，其阈值最低的本征模式是唯一的，工作时单波长激射，基于该光栅结构的激光器单模工作状态稳定，不易受端面反射率影响。但是，制备四分之一波长相移光栅需要采用电子束曝光(electron beam lithography，ebl)工艺刻蚀光栅，成本较高且制作速度较慢；而增益耦合光栅在制备时需要刻蚀至量子阱区，极易引入材料损伤，影响激光器的发光效率。
69.基于上述，本发明实施例提供的制备方法，采用全息曝光和干法刻蚀工艺形成光栅层，相比电子束曝光工艺刻蚀形成光栅，制作速度更快且成本更低，有利于产品批量化生产；同时，避免在制备光栅时对量子阱区的影响，有利于产品性能的提升。
70.在一个或者多个实施例中，可选的，放大反馈激光器还包括衬底，激光器区、相位控制区和放大反馈区集成在衬底的同一侧；多层生长结构还包括有源层，有源层设置在衬底和光栅层之间；设置在不同区域、且属于同层的生长结构采用同一材料。
71.s01、形成激光器区、相位控制区和放大反馈区包括：
72.s10、采用相同工艺在衬底上形成激光器区、相位控制区和放大反馈区。
73.步骤s10是指：激光器区、相位控制区和放大反馈区分别包括的多层生长结构中，属于同层的生长结构采用相同工艺制备。示例的，采用相同工艺在衬底上形成激光器区的量子阱层、相位控制区的量子阱层和放大反馈区的量子阱层。
74.通过执行步骤s10，可以避免采用对接生长工艺或量子阱混杂工艺制备相位控制区，从而大幅降低了因采用对接生长工艺在腔内引入镜面反射的可能性，进一步提升器件的成品率，同时进一步简化了制备工艺。
75.本文中所称的“一个实施例”、“实施例”或者“一个或者多个实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本发明的至少一个实施例中。此外，请注意，这里“在一个实施例中”的词语例子不一定全指同一个实施例。
76.在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
77.最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

技术特征：
1.一种放大反馈激光器，其特征在于，包括：激光器区、相位控制区和放大反馈区；所述相位控制区设置在所述激光器区和所述放大反馈区之间、且分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连；其中，所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构；所述多层生长结构包括光栅层，所述激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区，所述光栅区包括光栅；所述相位控制区的光栅层和所述放大反馈区的光栅层均包括覆盖所属区域的光栅材料。2.根据权利要求1所述的放大反馈激光器，其特征在于，所述放大反馈激光器还包括衬底，所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区集成在所述衬底的同一侧；所述多层生长结构还包括有源层，所述有源层设置在所述衬底和所述光栅层之间；设置在不同区域、且属于同层的生长结构采用同一材料。3.根据权利要求2所述的放大反馈激光器，其特征在于，所述相位控制区的光致发光光谱的中心波长与所述激光器区的激射波长的差值大于预设值。4.根据权利要求2所述的放大反馈激光器，其特征在于，所述多层生长结构还包括依次叠层设置在所述衬底上的缓冲层、第一限制层、量子阱层、第二限制层、刻蚀停止层、波导层和电极层；其中，所述光栅层设置在所述刻蚀停止层和所述波导层之间。5.根据权利要求4所述的放大反馈激光器，其特征在于，所述多层生长结构中除所述光栅层、所述波导层和所述电极层之外，设置在不同区域、且属于同层的生长结构一体相连。6.根据权利要求4所述的放大反馈激光器，其特征在于，所述多层生长结构中，所述波导层包括沿预设方向平行间隔设置的三个波导部，所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区的排列方向与所述预设方向垂直；相邻所述波导部之间设置凹槽，以露出所述光栅层；所述激光器区中，所述光栅与位于中间位置的所述波导部沿垂直于所述衬底的方向至少部分交叠。7.根据权利要求6所述的放大反馈激光器，其特征在于，所述波导部包括上盖部和接触部，所述接触部设置在所述上盖部远离所述衬底的一侧；其中，相邻设置在不同区域的所述上盖部一体相连；相邻设置在不同区域的所述接触部相互独立。8.根据权利要求7所述的放大反馈激光器，其特征在于，所述多层生长结构中，所述电极层包括电连接的第一电极和第二电极；所述第一电极覆盖位于中间位置的所述接触部，所述第二电极覆盖位于两侧位置的任一所述接触部的部分区域。9.一种如权利要求1-8任一项所述的放大反馈激光器的制备方法，其特征在于，包括：形成激光器区、相位控制区和放大反馈区；形成所述激光器区包括：采用全息曝光和干法刻蚀工艺形成光栅层。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述放大反馈激光器还包括衬底，所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区集成在所述衬底的同一侧；所述多层生长结构还包括有源层，所述有源层设置在所述衬底和所述光栅层之间；设置在不同区域、且属于同层的生长结构采用同一材料；
所述形成激光器区、相位控制区和放大反馈区包括：采用相同工艺在所述衬底上形成所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区。

技术总结
本发明提供了一种放大反馈激光器及其制备方法，涉及光电子技术领域，避免了现有技术中放大反馈激光器因简并双模影响光生微波的纯净度的问题，从而大幅提升器件性能。该放大反馈激光器包括：激光器区、相位控制区和放大反馈区；所述相位控制区设置在所述激光器区和所述相位控制区之间、且分别与所述激光器区和所述放大反馈区相连；所述激光器区、所述相位控制区和所述放大反馈区均分别包括多层生长结构；所述多层生长结构包括光栅层，所述激光器区的光栅层包括光栅区和非光栅区，所述光栅区包括光栅。区包括光栅。区包括光栅。


技术研发人员：张智豪 陆丹 张瑞康 赵玲娟
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2023.03.16
技术公布日：2023/7/25