线圈部件及其制造方法与流程

1.本公开涉及一种线圈部件及其制造方法，特别地，涉及一种具有将螺旋状的线圈图案层叠的结构的线圈部件及其制造方法。


背景技术：

2.作为具有将螺旋状的线圈图案层叠的结构的线圈部件，已知有专利文献1所记载的线圈部件。专利文献1所记载的线圈部件具备：线圈部，包括多个线圈图案；以及磁性元件主体，将线圈部埋入。这样，如果是将线圈部埋入到磁性元件主体的结构，则可以得到高的电感值。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：特开2019-140202号公报


技术实现要素：

6.发明所要解决的问题
7.然而，在将线圈部埋入到磁性元件主体的工序中，由于较强的压力施加于位于轴向上的端部的线圈图案，因此根据该情况，位于轴向上的端部的线圈图案有可能变形。
8.然而，本发明的目的在于，在具有将螺旋状的线圈图案层叠的结构的线圈部件及其制造方法中，可以防止线圈图案的变形。
9.用于解决问题的技术方案
10.本发明的线圈部件，其特征在于，具备：线圈部，具有多个层间绝缘膜和螺旋状地卷绕的多个线圈图案沿轴向交替层叠的结构；以及磁性元件主体，将线圈部埋入。多个线圈图案至少包括：第1线圈图案，位于轴向上的一端；以及第2线圈图案，与第1线圈图案不同。多个层间绝缘膜包括：第1层间绝缘膜，至少从径向覆盖第1线圈图案；以及第2层间绝缘膜，至少从径向覆盖第2线圈图案。磁性元件主体具有位于线圈部的内径区域的第1部分，位于磁性元件主体的第1部分和第1线圈图案的最内周匝之间的第1层间绝缘膜的径向上的宽度比位于磁性元件主体的第1部分和第2线圈图案的最内周匝之间的第2层间绝缘膜的径向上的宽度更宽。
11.根据本发明，由于第1层间绝缘膜的宽度在最内周侧被扩大，因此在将磁性元件主体埋入到线圈部的内径区域时，可以缓和施加于第1线圈图案的最内周匝的压力。由此，可以防止第1线圈图案的变形。
12.在本发明中，第1层间绝缘膜可以从轴向上的一端侧进一步覆盖第1线圈图案。由此，即使在第1线圈图案的基底的平坦性低的情况下，也可以正确地形成第1线圈图案。
13.在本发明中，第2线圈图案可以与第1线圈图案沿轴向邻接，并且可以位于轴向上的另一端。无论在哪种情况下，都可以充分地确保第2线圈图案的图案宽度。
14.在本发明中，磁性元件主体可以进一步具有位于线圈部的径向上的外侧区域的第
2部分，位于磁性元件主体的第2部分和第1线圈图案的最外周匝之间的第1层间绝缘膜的径向上的宽度可以比位于磁性元件主体的第2部分和第2线圈图案的最外周匝之间的第2层间绝缘膜的径向上的宽度更宽。由此，在将磁性元件主体埋入到线圈部的外侧区域时，可以缓和施加于第1线圈图案的最外周匝的压力。
15.在本发明中，位于构成第1线圈图案的多个匝中的在径向上邻接的2匝之间的第1层间绝缘膜的径向上的宽度，可以与位于构成第2线圈图案的多个匝中的在径向上邻接的2匝之间的第2层间绝缘膜的径向上的宽度相同。由此，可以充分地确保第1和第2线圈图案的图案宽度。
16.本发明的线圈部件的制造方法，其特征在于，具备：第1工序，通过多个层间绝缘膜和螺旋状地卷绕的多个线圈图案沿轴向交替层叠，形成线圈部；以及第2工序，通过磁性元件主体将线圈部埋入。多个线圈图案至少包括：最后形成的第1线圈图案；以及与第1线圈图案不同的第2线圈图案。多个层间绝缘膜包括：第1层间绝缘膜，至少从径向覆盖第1线圈图案；以及第2层间绝缘膜，至少从径向覆盖第2线圈图案。磁性元件主体具有位于线圈部的内径区域的第1部分。位于磁性元件主体的第1部分和第1线圈图案的最内周匝之间的第1层间绝缘膜的径向上的宽度比位于磁性元件主体的第1部分和第2线圈图案的最内周匝之间的第2层间绝缘膜的径向上的宽度更宽。
17.根据本发明，即使在第1线圈图案的基底的平坦性低的情况下，也能够正确地形成第1线圈图案，并且在将磁性元件主体埋入线圈部的内径区域的工序中，可以防止第1线圈图案的变形。
18.发明的效果
19.这样，根据本发明，在具有将螺旋状的线圈图案层叠的结构的线圈部件及其制造方法中，可以防止线圈图案的变形。
附图说明
20.图1是用于说明根据本发明的一个实施方式的线圈部件1的结构的大致截面图。
21.图2是导体层10的大致俯视图。
22.图3是导体层20的大致俯视图。
23.图4是导体层30的大致俯视图。
24.图5是导体层40的大致俯视图。
25.图6是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
26.图7是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
27.图8是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
28.图9是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
29.图10是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
30.图11是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
31.图12是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
32.图13是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
33.图14是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
34.图15是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
35.图16是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
36.图17是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
37.图18是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
38.图19是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
39.图20是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
40.图21是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
41.图22是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
42.图23是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
43.图24是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
44.图25是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
45.图26是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
46.图27是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
47.图28是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
48.图29是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
49.图30是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
50.图31是用于说明线圈部件1的制造方法的工序图。
具体实施方式
51.在下文中，参照附图详细说明本发明的优选的实施方式。
52.图1是用于说明根据本发明的一个实施方式的线圈部件1的结构的大致截面图。
53.根据本发明的一个实施方式的线圈部件1是适合用作电源电路用的电感器的表面安装型的芯片部件，如图1所示，具备磁性元件主体m1～m4(磁性素体m2出现在图2～图5中)和埋入到磁性元件主体m1～m4的线圈部c。线圈部c的结构将会后述，在本实施方式中，具有螺旋状的线圈图案的导体层经由层间绝缘膜层叠4层，由此形成1个线圈导体。
54.磁性元件主体m1～m4是包括由铁(fe)或坡莫合金系材料等构成的金属磁性填充物(filler)和树脂粘合剂(binder)的复合构件，构成通过使电流流到线圈部c而产生的磁通的磁路。作为树脂粘合剂，优选使用液体状态或粉体的环氧树脂。构成磁性元件主体m1～m4的材料可以彼此相同，也可以彼此不同。在此，磁性元件主体m1是埋入到线圈部c的内径区域的部分，磁性元件主体m2是位于沿线圈部c的径向的外侧区域的部分，磁性元件主体m3是从轴向上的一侧(图1所示的下侧)覆盖线圈部c的部分，磁性元件主体m4是从轴向上的另一侧(图1所示的上侧)覆盖线圈部c的部分。
55.如图1所示，线圈部c具有层间绝缘膜51～55和导体层10、20、30、40交替层叠的结构。导体层10、20、30、40的平面形状分别在图2～图5示出。导体层10、20、30、40分别具有螺旋状的线圈图案cp1～cp4，线圈图案cp1～cp4的上表面或下表面被层间绝缘膜51～55覆盖。线圈图案cp1～cp4的侧面分别被层间绝缘膜52～55的一部分覆盖。在此，线圈图案cp1～cp4上表面和下表面是指相对于线圈轴大致垂直的面，线圈图案cp1～cp4的侧面是指相对于径向大致垂直的面。
56.线圈图案cp1～cp4经由形成于层间绝缘膜52～54的通孔彼此连接，由此构成一个线圈导体。作为导体层10、20、30、40的材料，优选使用铜(cu)。层间绝缘膜51～55都由树脂
材料构成。层间绝缘膜51～55中，至少层间绝缘膜52～54使用非磁性材料。对于位于最下层的层间绝缘膜51或位于最上层的层间绝缘膜55，也可以具有磁性。
57.导体层10是经由层间绝缘膜51形成于磁性元件主体m2的上表面的第1层导体层，包括作为基底的种子层s1。如图2所示，在导体层10上设置螺旋状地卷绕约3匝的线圈图案cp1和2个电极图案11、12。线圈图案cp1的下表面被层间绝缘膜51覆盖，线圈图案cp1的侧面和上表面被层间绝缘膜52覆盖。线圈图案cp1和电极图案11连接，相对于此，电极图案12独立于线圈图案cp1而设置。电极图案11、12从磁性元件主体m1～m4露出。
58.导体层20是经由层间绝缘膜52形成于导体层10的上表面的第2层导体层，包括作为基底的种子层s2。如图3所示，在导体层20上设置螺旋状地卷绕约3匝的线圈图案cp2和2个电极图案21、22。线圈图案cp2的下表面被层间绝缘膜52覆盖，线圈图案cp2的侧面和上表面被层间绝缘膜53覆盖。电极图案21、22均独立于线圈图案cp2而设置。电极图案21、22从磁性元件主体m1～m4露出。
59.导体层30是经由层间绝缘膜53形成于导体层20的上表面的第3层导体层，包括作为基底的种子层s3。如图4所示，在导体层30上设置螺旋状地卷绕约3匝的线圈图案cp3和2个电极图案31、32。线圈图案cp3的下表面被层间绝缘膜53覆盖，线圈图案cp3的侧面和上表面被层间绝缘膜54覆盖。电极图案31、32均独立于线圈图案cp3而设置。电极图案31、32从磁性元件主体m1～m4露出。
60.导体层40是经由层间绝缘膜54形成于导体层30的上表面的第4层导体层，包括作为基底的种子层s4。如图5所示，在导体层40上设置螺旋状地卷绕约2.5匝的线圈图案cp4和2个电极图案41、42。线圈图案cp4的下表面被层间绝缘膜54覆盖，线圈图案cp4的侧面和上表面被层间绝缘膜55覆盖。线圈图案cp4和电极图案42连接，相对于此，电极图案41独立于线圈图案cp4而设置。电极图案41、42从磁性元件主体m1～m4露出。
61.而且，线圈图案cp1的内周端和线圈图案cp2的内周端经由作为导体层20的一部分并且贯通层间绝缘膜52而设置的通孔导体连接。此外，线圈图案cp2的外周端和线圈图案cp3的外周端经由作为导体层30的一部分并且贯通层间绝缘膜53而设置的通孔导体连接。进而，线圈图案cp3的内周端和线圈图案cp4的内周端经由作为导体层40的一部分并且贯通层间绝缘膜54而设置的通孔导体连接。由此，线圈图案cp1～cp4串联连接，形成由多个匝构成的线圈导体。此外，电极图案11、21、31、41被用作一个外部端子，电极图案12、22、32、42被用作另一个外部端子。
62.如图1所示，线圈图案cp1的最内周匝的径向上的宽度为w11，线圈图案cp1的最外周匝的径向上的宽度为w12，位于线圈图案cp1的最内周匝和最外周匝之间的匝的径向上的宽度为w13。线圈图案cp2的最内周匝的径向上的宽度为w21，线圈图案cp2的最外周匝的径向上的宽度为w22，位于线圈图案cp2的最内周匝和最外周匝之间的匝的径向上的宽度为w23。线圈图案cp3的最内周匝的径向上的宽度为w31，线圈图案cp3的最外周匝的径向上的宽度为w32，位于线圈图案cp3的最内周匝和最外周匝之间的匝的径向上的宽度为w33。线圈图案cp4最内周匝的径向上的宽度为w41，线圈图案cp4的最外周匝的径向上的宽度为w42，位于线圈图案cp4的最内周匝和最外周匝间的匝的径向上的宽度为w43。
63.进而，位于线圈图案cp1的最内周匝和磁性元件主体m1之间的层间绝缘膜52的径向上的宽度为l11，位于线圈图案cp1的最外周匝和磁性元件主体m2之间的层间绝缘膜52径
向上的宽度为l12，位于线圈图案cp1的在径向上邻接的2匝间的层间绝缘膜52的径向上的宽度为l13。位于线圈图案cp2的最内周匝和磁性元件主体m1之间的层间绝缘膜53径向上的宽度为l21，位于线圈图案cp2的最外周匝和磁性元件主体m2之间的层间绝缘膜53径向上的宽度为l22，位于线圈图案cp2的在径向上邻接的2匝间的层间绝缘膜53的径向上的宽度为l23。位于线圈图案cp3的最内周匝和磁性元件主体m1之间的层间绝缘膜54径向上的宽度为l31，位于线圈图案cp3的最外周匝和磁性元件主体m2之间的层间绝缘膜54径向上的宽度为l32。位于线圈图案cp3的在径向上邻接的2匝间的层间绝缘膜54的径向上的宽度为l33。位于线圈图案cp4的最内周匝和磁性元件主体m1之间的层间绝缘膜55径向上的宽度为l41，位于线圈图案cp4的最外周匝和磁性元件主体m2之间的层间绝缘膜55径向上的宽度为l42，位于线圈图案cp4的在径向上邻接的2匝间的层间绝缘膜55的径向上的宽度为l43。
64.而且，在本实施方式中，满足：
65.l11，l21，l31＜l41
66.l12，l22，l32＜l42
67.同时，满足：
68.w11，w21，w31＞w41
69.w12，w22，w32＞w42
70.即，使线圈图案cp4的最内周匝和最外周匝的宽度w41、w42变细，相应地，扩大位于线圈图案cp4的最内周匝和最外周匝与磁性元件主体m1、m2之间的层间绝缘膜55的宽度l41、l42。这是为了在后述的制造工序中防止线圈图案cp4的变形。宽度w41和宽度w42也可以相同。
71.但是，不需要使宽度w41、w42在整周上变细，也可以部分地存在与宽度w11、w21、w31、w12、w22、w32相同或略粗的部位。相同地，不需要使宽度l41、l42在整周上变粗，也可以部分地存在与宽度l11、l21、l31、l12、l22、l32相同或细的部位。
72.此外，关于线圈图案cp4的宽度w43，也可以与其他的线圈图案cp1～cp3的宽度w13、w23、w33相同。这些宽度w13、w23、w33、w43也可以与线圈图案cp1～cp3的最内周匝和最外周匝的宽度w11、w21、w31、w12、w22、w32相同。
73.相同地，层间绝缘膜55的宽度l43也可以与其他的层间绝缘膜52～54的宽度l13、l23、l33相同。这些宽度l13、l23、l33、l43也可以与覆盖线圈图案cp1～cp3的最内周匝和最外周匝的宽度l11、l21、l31、l12、l22、l32相同。
74.接着，说明根据本实施方式的线圈部件1的制造方法。
75.图6～图31是用于说明根据本实施方式的线圈部件1的制造方法的工序图。图6～图31所示的工序图示出对应于1个线圈部件1的截面，但是实际上，能够通过使用集合基板同时制作多个线圈部件1而取得多个。
76.首先，准备将铜(cu)等的金属箔62、63设置于基材61的表面的支承体60(图6)。在金属箔62和金属箔63的界面设置剥离层。接着，通过对金属箔63进行图案化(patterning)，在金属箔63上形成突起部63a(图7)。
77.接着，在设置突起部63a的金属箔63的表面形成层间绝缘膜51和金属箔64(图8)。层间绝缘膜51和金属箔64的形成能够通过层压(laminate)法进行。由此，突起部63a的形状被转印到层间绝缘膜51，在层间绝缘膜51上形成膜厚厚的区域51a和膜厚薄的区域51b。
78.接着，通过蚀刻除去金属箔64后(图9)，通过无电解镀在层间绝缘膜51的表面形成种子层s1(图10)。也可以直接将金属箔64用作种子层，以代替形成种子层s1，但是由于希望种子层s1尽可能薄，因此优选在除去金属箔64后，优选新成膜更薄的种子层s1。
79.接着，在种子层s1的表面形成抗蚀剂图案r1(图11)。抗蚀剂图案r1是导体层10的负片(negative)图案。抗蚀剂图案r1的径向上的宽度和间隔对应于其后形成的层间绝缘膜52和线圈图案cp1径向上的宽度。即，抗蚀剂图案r1的径向上的宽度为l11～l13，抗蚀剂图案r1的沿径向的间隔为w11～w13。由于抗蚀剂图案r1的基底的平坦性足够高，因此抗蚀剂图案r1的径向上的宽度l11～l13可以足够细。在该状态下，通过电解电镀使种子层s1生长，形成导体层10(图12)。此时，在线圈图案cp1的内径区域形成牺牲图案vp1。牺牲图案vp1以层间绝缘膜51中的膜厚薄的区域51a完全重叠，并且膜厚厚的区域51b一部分重叠的方式，调整抗蚀剂图案r1的位置。
80.接着，在剥离抗蚀剂图案r1之后(图13)，通过蚀刻除去在抗蚀剂图案r1的剥离部分露出的种子层s1(图14)。由此，线圈图案cp1和牺牲图案vp1被螺旋状的狭缝sl电分离。接着，以将狭缝sl掩埋的方式，在导体层10的表面形成层间绝缘膜52和金属箔65(图15)。层间绝缘膜52和金属箔65的形成能够通过层压法进行。接着，在金属箔65的表面形成抗蚀剂图案r2(图16)，将抗蚀剂图案r2作为掩模蚀刻金属箔65(图17)。由此，除去与牺牲图案vp1重叠的部分的金属箔65。
81.接着，剥离抗蚀剂图案r2后(图18)，通过将金属箔65作为掩模进行喷砂加工，使牺牲图案vp1露出(图19)。接着，除去金属箔65后(图20)，通过激光加工在层间绝缘膜52上形成开口部52a(图21)。通过以上工序，完成导体层10和层间绝缘膜52的形成。
82.之后，通过重复图10～图21所示的工序，依次形成导体层20、层间绝缘膜53、导体层30、层间绝缘膜54(图22)。在导体层20、30中包括与牺牲图案vp1重叠的牺牲图案vp2、vp3。接着，通过无电解镀在层间绝缘膜54的表面形成种子层s4后，在种子层s4的表面形成抗蚀图案r4(图23)。
83.抗蚀剂图案r4的径向上的宽度和间隔对应于其后形成的层间绝缘膜55和线圈图案cp4的径向上的宽度。即，抗蚀剂图案r4的径向上的宽度为l41～l43，抗蚀剂图案r4的沿径向的间隔为w41～w43。而且，通过电解电镀使种子层s4生长后，剥离抗蚀剂图案r4，通过蚀刻除去在抗蚀剂图案r4的剥离部分露出的种子层s4，则完成导体层40(图24)。
84.接着，在形成覆盖导体层40的层间绝缘膜55之后，通过对层间绝缘膜55进行图案化，使牺牲图案vp4露出(图25)。通过在该状态下进行湿式蚀刻，除去牺牲图案vp1～vp4(图26)。线圈图案cp1～cp4由于被层间绝缘膜51～55覆盖，因此不会被蚀刻。由此，在线圈图案cp1～cp4的内径区域形成空间s。
85.接着，形成掩埋该空间s的磁性元件主体m1～m3(图27)。在形成磁性元件主体m1～m3时，对位于最上层的线圈图案cp4的最内周匝或最外周匝施加强压力。但是，在本实施方式中，由于覆盖线圈图案cp4的最内周匝或最外周匝的层间绝缘膜55的径向上的宽度被扩大，因此不会有由于形成磁性元件主体m1～m3时的压力而引起的线圈图案cp4的最内周匝或最外周匝变形。
86.接着，通过剥离金属箔62和金属箔63的界面，除去支承体60，使其上下反转，贴附支承体70后(图28)，通过蚀刻除去金属箔63(图29)。通过在该状态下进行灰化(ashing)处
理，使层间绝缘膜51的膜厚整体减少(图30)。膜厚的减少量调整为膜厚薄的区域51b全部被除去，并且膜厚厚的区域51a残余的量。由此，埋入到线圈部c的内径区域的磁性元件主体m1露出。虽然未图示，但是埋入到线圈部c的外侧区域的磁性元件主体m2也露出。
87.接着，以覆盖层间绝缘膜51的方式形成磁性元件主体m4(图31)。而且，如果剥离支承体70，通过切片(dicing)进行单片化，则根据图1所示本实施方式的线圈部件1完成。
88.这样，在本实施方式中，位于磁性元件主体m1和线圈图案cp4的最内周匝之间的层间绝缘膜55的径向上的宽度扩大到l41，由于位于磁性元件主体m2和线圈图案cp4的最外周匝之间的层间绝缘膜55的径向上的宽度扩大到l42，因此能够防止由于形成磁性元件主体m1～m3时的压力而引起的线圈图案cp4的最内周匝或最外周匝的变形。而且，由于导体层40位于最上层，因此存在抗蚀剂图案r4的基底的平坦性不充分的情况，但是即使在该情况下，通过扩大层间绝缘膜55的宽度，也可以稳定地形成抗蚀剂图案r4。
89.另一方面，对于位于导体层10、20、30的线圈图案cp1～cp3，由于具有足够的导体宽度，因此可以减小直流电阻。线圈图案cp1～cp3的全部的导体宽度不需要比线圈图案cp4的导体宽度w41、w42更宽，但是由于位于最下层的线圈图案cp1形成于平坦性高的表面，因此在设计上可以确保充分的导体宽度。此外，对于位于线圈图案cp4的正下方的线圈图案cp3，由于内周端连接于线圈图案cp4的内周端，因此，为了不使导体宽度窄的区间连续，优选为比导体宽度w41、w42更宽。进而，不需要扩大与磁性元件主体m1相接的层间绝缘膜55的宽度l41和与磁性元件主体m2相接的层间绝缘膜55的宽度l42这两者，也可以仅扩大与磁性元件主体m1相接的层间绝缘膜55的宽度l41。
90.以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行各种变化，当然它们也包含在本发明的范围内。
91.附图标记的说明
[0092]1…
线圈部件，10，20，30，40
…
导体层，11，12，21，22，31，32，41，42
…
电极图案，51～55
…
层间绝缘膜，51a
…
膜厚厚的区域，51b
…
膜厚薄的区域，52a
…
开口部，60
…
支承体，61
…
基材，62～65
…
金属箔，63a
…
突起部，70
…
支承体，c
…
线圈部，cp1～cp4
…
线圈图案，m1～m4
…
磁性元件主体，r1，r2，r4
…
抗蚀剂图案，s
…
空间，s1～s4
…
种子层，sl
…
狭缝，vp1～vp4
…
牺牲图案。

技术特征：
1.一种线圈部件，其特征在于，具备：线圈部，具有多个层间绝缘膜和螺旋状地卷绕的多个线圈图案沿轴向交替层叠的结构；以及磁性元件主体，将所述线圈部埋入，所述多个线圈图案至少包括：第1线圈图案，位于所述轴向上的一端；以及第2线圈图案，与所述第1线圈图案不同，所述多个层间绝缘膜包括：第1层间绝缘膜，至少从径向覆盖所述第1线圈图案；以及第2层间绝缘膜，至少从所述径向覆盖所述第2线圈图案，所述磁性元件主体具有位于所述线圈部的内径区域的第1部分，位于所述磁性元件主体的所述第1部分和所述第1线圈图案的最内周匝之间的所述第1层间绝缘膜的所述径向上的宽度比位于所述磁性元件主体的所述第1部分和所述第2线圈图案的最内周匝之间的所述第2层间绝缘膜的所述径向上的宽度更宽。2.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，所述第1层间绝缘膜从所述轴向上的所述一端侧进一步覆盖所述第1线圈图案。3.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其特征在于，所述第2线圈图案与所述第1线圈图案在所述轴向上邻接。4.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其特征在于，所述第2线圈图案位于所述轴向上的另一端。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的线圈部件，其特征在于，所述磁性元件主体进一步具有位于所述线圈部的所述径向上的外侧区域的第2部分，位于所述磁性元件主体的所述第2部分和所述第1线圈图案的最外周匝之间的所述第1层间绝缘膜的所述径向上的宽度比位于所述磁性元件主体的所述第2部分和所述第2线圈图案的最外周匝之间的所述第2层间绝缘膜的径向上的宽度更宽。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的线圈部件，其特征在于，位于构成所述第1线圈图案的多个匝中的在所述径向上邻接的2匝之间的所述第1层间绝缘膜的所述径向上的宽度，与位于构成所述第2线圈图案的多个匝中的在所述径向上邻接的2匝之间的所述第2层间绝缘膜的所述径向上的宽度相同。7.一种线圈部件的制造方法，其特征在于，具备：第1工序，通过多个层间绝缘膜和螺旋状地卷绕的多个线圈图案沿轴向交替层叠，形成线圈部；以及第2工序，通过磁性元件主体将所述线圈部埋入，所述多个线圈图案至少包括：最后形成的第1线圈图案；以及与所述第1线圈图案不同的第2线圈图案，所述多个层间绝缘膜包括：第1层间绝缘膜，至少从径向覆盖所述第1线圈图案；以及第2层间绝缘膜，至少从所述径向覆盖所述第2线圈图案，所述磁性元件主体具有位于所述线圈部的内径区域的第1部分，位于所述磁性元件主体的所述第1部分和所述第1线圈图案的最内周匝之间的所述第1
层间绝缘膜的所述径向上的宽度比位于所述磁性元件主体的所述第1部分和所述第2线圈图案的最内周匝之间的所述第2层间绝缘膜的所述径向上的宽度更宽。

技术总结
本公开提供了一种线圈部件，具有将螺旋状的线圈图案层叠的结构，可以防止线圈图案的变形。线圈部件(1)具备：层间绝缘膜(51)～(55)；线圈部(C)，具有线圈图案(CP1)～(CP4)沿轴向交替层叠的结构；以及磁性元件主体(M1)～(M4)，将线圈部(C)埋入。位于磁性元件主体(M1)和线圈图案(CP4)的最内周匝之间的层间绝缘膜(55)的径向上的宽度(L41)比位于磁性元件主体(M1)和线圈图案(CP1)～(CP3)的最内周匝之间的层间绝缘膜(52)～(54)的径向上的宽度(L11)、(L21)、(L31)更宽，其中，磁性元件主体(M1)位于线圈部(C)的内径区域。这样，由于层间绝缘膜(55)的宽度在最内周侧被扩大，因此当将磁性元件主体(M1)埋入到线圈部(C)的内径区域时，可以缓和施加于线圈图案(CP4)的最内周匝的压力。的压力。的压力。


技术研发人员：铃木将典 高桥延也 本桥睿 藤井直明 米山将基 西川朋永
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2021.09.07
技术公布日：2023/7/25