纳米颗粒磁性膜及电子部件的制作方法

1.本发明涉及纳米颗粒磁性膜及电子部件。


背景技术：

2.近年来，在智能手机及智能手表等移动设备中，同时要求显示画面的大型化、电池容量的增加、小型化、以及轻量化。显示画面的大型化及电池容量的增加的要求是与小型化及轻量化的要求相反的要求。为了实现这些相反的要求，要求电路基板的小型化。而且，在电路基板中，也要求占据特别大的面积的电源电路的小型化。因此，要求电源电路中使用的电感器的小型化。
3.作为使电感器小型化的方法，可举出电源电路的高频化。为了使电源电路高频化，要求能够实现电源电路中所含的开关元件的高频驱动。
4.近年来，专利文献1所记载的gan、sic等作为用于开关元件的半导体被实用化。例如，如专利文献2所记载的，硅以外的半导体被用于开关元件。
5.通过在开关元件中使用gan等高频特性优异的半导体，从而可以进行开关元件的高频驱动。随着可以进行开关元件的高频驱动，可以提高电源电路的驱动频率。即，可以进行电源电路的高频化。
6.随着可以进行电源电路的高频化，进一步要求能够应对高频驱动且能够实现电源电路的小型化的小型的电感器。
7.为了实现能够应对高频驱动的小型的电感器，使用薄膜电感器作为小型的电感器是有效的。薄膜电感器通过如下制作，通过半导体工序在基板上层叠线圈、端子、磁性膜、及绝缘层等。在薄膜电感器中，磁性膜作为薄膜电感器的磁芯而构成。因此，为了使薄膜电感器具有必要的特性，需要薄膜电感器中所含的磁性膜具备要求的特性。
8.在专利文献3中记载有具有使纳米尺寸的结晶分散成绝缘物基体的结构的纳米颗粒磁性膜。纳米尺寸的结晶主要由金属的单质、合金或化合物构成。作为金属的单质，例如可举出fe的单质、co的单质或ni的单质。作为合金，可举出含有选自fe、co及ni中的1种以上的合金。作为化合物，可举出含有选自fe、co及ni中的1种以上的化合物。
9.纳米颗粒磁性膜具有比铁氧体材料高的饱和磁通密度bs。纳米颗粒磁性膜还具有比通常的金属材料高的电阻率ρ。纳米颗粒磁性膜具有高的饱和磁通密度bs及电阻率ρ，因此，即使在高频区域中也具有高的磁导率。由于纳米颗粒磁性膜具有高的磁导率，因此，研究纳米颗粒磁性膜向薄膜电感器等高频用的薄膜部件中的应用。
10.但是，目前，对应用了纳米颗粒磁性膜的薄膜电感器要求减少高频驱动时的损耗。在此，纳米颗粒磁性膜的矫顽力hc越大，磁滞损耗越大。纳米颗粒磁性膜的电阻率ρ越小，涡流损耗失越大。因此，寻求良好地维持矫顽力hc并且进一步提高了电阻率ρ的纳米颗粒磁性膜。
11.现有技术文献
12.专利文献
13.专利文献1：日本特开昭60-152651号公报
14.专利文献2：日本特开2020-065160号公报
15.专利文献3：日本特许第3956061号公报


技术实现要素：

16.发明所要解决的问技术题
17.本发明的目的在于，提供一种矫顽力hc良好且电阻率ρ高的纳米颗粒磁性膜。
18.用于解决技术问题的手段
19.为了实现上述目的，本发明所涉及的纳米颗粒磁性膜具有第一相的微小区域分散于第二相中的结构，所述第一相含有选自fe、co及ni中的1种以上，所述第二相含有选自o、n及f中的1种以上，所述第一相的体积相对于所述第一相及所述第二相的合计体积的比例为65％以下，空隙率为0.17以上且0.30以下。
20.本发明的纳米颗粒磁性膜中，所述第一相的微小区域的平均尺寸也可以为30nm以下。
21.本发明的纳米颗粒磁性膜中，所述第一相中的fe、co及ni的合计含有比例也可以为75at％以上。
22.本发明所涉及的电子部件具有上述纳米颗粒磁性膜。
附图说明
23.图1是纳米颗粒磁性膜的截面示意图。
24.图2是实施例5的tem图像。
25.符号说明
[0026]1……
纳米颗粒磁性膜
[0027]
11
……
第一相
[0028]
12
……
第二相
具体实施方式
[0029]
以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。
[0030]
如图1所示，本实施方式的纳米颗粒磁性膜1具有第一相11的微小区域分散于第二相12中的结构，即纳米颗粒结构。另外，当利用tem观察纳米颗粒磁性膜1的截面时，可得到图2所示的tem图像。此外，图2所示的tem图像是后述的实施例5的tem图像(倍率2500000倍)。
[0031]
第一相11的微小区域的平均尺寸为纳米尺寸，即50nm以下。第一相11的微小区域的平均尺寸也可以为30nm以下。第一相11的微小区域的尺寸的测定方法没有特别限制。例如，也可以将纳米颗粒磁性膜1的截面中的第一相11的微小区域的圆当量直径设为第一相11的微小区域的尺寸。
[0032]
此外，纳米颗粒磁性膜1的截面中的第一相11的微小区域的圆当量直径是具有与纳米颗粒磁性膜1的截面中的第一相11的微小区域的面积相等的面积的圆的直径。
[0033]
第一相11可以由纯物质构成，也可以由混合物构成。
[0034]
第一相11为含有金属元素的相。具体而言，含有选自fe、co及ni中的1种以上。选自fe、co及ni中的1种以上的元素如何包含于第一相11中没有特别限制。例如，选自fe、co及ni中的1种以上的元素可以作为单质包含于第一相11中，也可以作为与其它的金属元素的合金包含于第一相11中，也可以作为与其它元素的化合物包含于第一相11中。第一相11中所含的化合物也可以为氧化物磁性体。例如也可以为铁氧体。
[0035]
第一相11中的fe、co和/或ni的合计含量没有特别限制。第一相11中的fe、co及ni的合计含量相对于fe、co、ni、x1及x2的合计含量的比例可以为75at％以上，也可以为80at％以上。
[0036]
x1为非金属元素。例如，也可以为选自b、si、p、c及ge中的1种以上的非金属元素。
[0037]
x2为fe、co及ni以外的金属元素。例如，也可以为选自cr、ti、zr、hf、v、nb、ta、mo、w、mn、cu、ag、zn、al、sn、bi、y、la及mg中的1种以上的金属元素，也可以为选自cr、v、mo、zr、nb、ti、mn、zn、al、cu及y中的1种以上的金属元素。
[0038]
第一相11也可以含有fe、co、ni、x1及x2以外的元素。fe、co、ni、x1及x2以外的元素的合计含量相对于fe、co、ni、x1及x2的合计含量的比例也可以为5at％以下。
[0039]
第二相12可以由纯物质构成，也可以由混合物构成。
[0040]
第二相12为含有非金属元素的相。具体而言，含有选自o、n及f中的1种以上。选自o、n及f中的1种以上的元素如何包含于第二相12中没有特别限制。例如，选自o、n及f中的1种以上的元素可以作为与其它元素的化合物包含于第二相12中。
[0041]
第二相12中所含的化合物的种类没有特别限制。例如，可举出sio2、al2o3、aln、zno、mgf2、sno2、gao2、geo2、si3n4·
al2o3、bn等。也可以是选自sio2、al2o3、aln、zno、mgf2、sno2、gao2、geo2及si3n4·
al2o3中的1种以上。
[0042]
第一相11的体积相对于第一相11及第二相12的合计体积的比例为65％以下。即，将第一相11的体积比例设为v1，将第二相12的体积比例设为v2，v1/(v1+v2)为0.65以下。v1/(v1+v2)也可以为0.60以下。在第一相11的体积相对于第一相11及第二相12的合计体积的比例过大的情况下，纳米颗粒磁性膜的电阻率ρ降低。这是由于第一相11具有比第二相12高的导电性。
[0043]
第一相11的体积相对于第一相11及第二相12的合计体积的比例没有特别下限，可以为30％以上。即，v1/(v1+v2)可以为0.30以上。v1/(v1+v2)也可以为0.40以上。第一相11的体积相对于第一相11及第二相12的合计体积的比例越小，电阻率ρ越上升，但饱和磁通密度降低。
[0044]
第一相11的体积相对于第一相11及第二相12的合计体积的比例的测定方法没有特别限制。例如，能够根据对纳米颗粒磁性膜1的xrf的测定结果来计算。另外，也可以利用tem观察纳米颗粒磁性膜1的截面并根据第一相11的面积相对于第一相11及第二相12的合计面积的比例来计算。在该情况下，将面积比例换算成体积比例。
[0045]
纳米颗粒磁性膜1可以仅包含第一相11及第二相12，但也可以进一步包含第一相11及第二相12以外的异相。异相的比例没有特别限制。另外，异相的一部分或全部也可以为空隙。
[0046]
而且，本实施方式的纳米颗粒磁性膜1中，空隙率为0.17以上且0.30以下。通过纳米颗粒磁性膜1的空隙率在上述的范围内，特别是0.17以上，由此能够实质上不变更组成就
特别提高ρ。此外，在空隙率超过0.30的情况下，hc会增加。
[0047]
以下，对空隙率的计算方法进行说明。
[0048]
首先，以重量比例测定纳米颗粒磁性膜1中所含的全部物质的含有比例。测定方法没有特别限制，例如使用xrf测定。
[0049]
接着，通过各物质的含有比例除以各物质的密度，从而换算成各物质的体积比例。然后，计算各物质的体积比例的合计。
[0050]
接着，通过上述的各物质的重量比例的合计除以上述的各物质的体积比例的合计，来计算纳米颗粒磁性膜1的理论密度。
[0051]
接着，根据纳米颗粒磁性膜1的附着量(每单位面积的重量)、及纳米颗粒磁性膜1的理论密度，来计算纳米颗粒磁性膜1的换算膜厚。
[0052]
接着，测定纳米颗粒磁性膜1的实际膜厚。纳米颗粒磁性膜1的实际膜厚的测定方法没有特别限制。例如，能够使用tem、sem、高度差膜厚计等测定。另外，通过预先在多个测定装置之间取得相关性，从而确认得到的测定结果的可靠性。
[0053]
然后，将(1-(换算膜厚/实际膜厚))设为空隙率。以下，在仅记载为膜厚的情况下是指实际膜厚。
[0054]
此外，纳米颗粒磁性膜1的膜厚是任意的。例如也可以设为0.05μm以上且200μm以下。另外，也可以根据用途适当选择恰当的膜厚。
[0055]
以下，对本实施方式所涉及的软磁性薄膜的制造方法进行说明。
[0056]
本实施方式的软磁性薄膜的制造方法没有特别限定。例如可举出通过溅射来制造的方法。
[0057]
首先，准备溅射纳米颗粒磁性膜的基板。基板的种类是任意的。例如，可举出硅基板、带热氧化膜的硅基板、铁氧体基板、非磁性铁氧体基板、蓝宝石基板、玻璃基板、玻璃环氧基板等。但是，基板的种类不限定于这些，可以使用各种陶瓷基板或各种半导体基板。另外，在仅通过成膜于样品基板上的薄膜难以确认各种特性的情况下，也可以根据需要使用虚设基板。也可以通过在样品基板和虚设基板上同时成膜薄膜，并将在虚设基板上成膜的薄膜的特性看作在样品基板上成膜的薄膜的特性。
[0058]
接着，准备溅射装置。溅射装置准备可进行多元同时溅射的溅射装置。进一步准备能够使溅射靶材和基板之间的距离按每个靶材变化的溅射装置。
[0059]
接下来，作为溅射靶材，准备金属溅射靶材和陶瓷溅射靶材。金属溅射靶材设为主要含有fe、co和/或ni的溅射靶材。陶瓷溅射靶材设为主要由第二相12中所含的化合物构成的溅射靶材。为了成膜具有期望的组成比的纳米颗粒磁性膜，适当调整金属溅射靶材的组成和陶瓷溅射靶材的组成。
[0060]
接着，向准备的溅射装置的金属用的喷枪装配金属溅射靶材，向陶瓷用的喷枪装配陶瓷溅射靶材。然后，通过多元同时溅射在基板上成膜纳米颗粒磁性膜。
[0061]
通过控制施加于各溅射靶材的电压，从而能够控制第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例、及成膜速度。此外，成膜速度例如能够设为以上且以下。
[0062]
通过控制成膜速度及成膜时间，能够控制得到的纳米颗粒磁性膜的膜厚。
[0063]
本发明人等发现，通过控制溅射时的气压、和/或溅射靶材和样品基板之间的距
离，从而能够控制纳米颗粒磁性膜的空隙率。此外，气体的种类没有特别限制。例如，可举出惰性气体，特别是可举出ar。
[0064]
具体而言，通过提高溅射时的气压，从而能够增大纳米颗粒磁性膜的空隙率。另外，通过增长溅射靶材和样品基板之间的距离，能够增大纳米颗粒磁性膜的空隙率。
[0065]
在此，对纳米颗粒磁性膜的空隙率变化的机制进行说明。此外，在以下的说明中，对气体为惰性气体的情况进行说明。
[0066]
首先，在溅射中，溅射靶材具有负电荷。而且，存在于溅射靶材和基板之间的惰性气体原子电离成惰性气体阳离子和电子。接着，惰性气体阳离子与具有负电荷的溅射靶材弹性碰撞。此时，惰性气体阳离子从溅射靶材接收电子而成为惰性气体原子。通过惰性气体阳离子与溅射靶材碰撞时的惰性气体阳离子的动能，溅射粒子从溅射靶材飞出。然后，飞出的溅射粒子在基板上堆积，形成溅射膜。
[0067]
从溅射靶材飞出的溅射粒子在从溅射靶材的表面向基板移动的期间，有时与存在于成膜腔室内的惰性气体原子产生弹性碰撞。溅射粒子每当与惰性气体原子发生弹性碰撞时，就失去动能。然后，到达基板时的溅射粒子的能量、特别是动能越高，可形成越致密的溅射膜。相反，到达基板时的溅射粒子的能量、特别是动能越低，形成越稀疏的溅射膜。
[0068]
另外，溅射靶材和基板之间的距离越短，溅射粒子以保持越高的动能的状态到达基板。其结果，溅射靶材和基板之间的距离越短，纳米颗粒磁性膜的空隙率越降低。
[0069]
另外，溅射靶材中，特别是在陶瓷溅射靶材和基板之间的距离长的情况下，纳米颗粒磁性膜的空隙率容易增加。与此相对，即使金属溅射靶材和基板之间的距离变化，空隙率也不易变化。因此，溅射靶材中，通过仅使陶瓷溅射靶材远离基板，从而能够增加纳米颗粒磁性膜的空隙率。而且，能够将纳米颗粒磁性膜的空隙率控制在0.17以上且0.30以下。
[0070]
使陶瓷溅射靶材和基板之间的距离变化的方法没有特别限制。只要通过适于使用的溅射装置的方法来改变即可。一般而言，只要移动陶瓷用的喷枪使其与基板的距离变化即可。
[0071]
在仅通过移动陶瓷用的喷枪无法将陶瓷溅射靶材和基板之间的距离扩展至目的的距离的情况下，例如，也可以移动基板的装载位置，使其比规定值远离陶瓷用的喷枪。在该情况下，根据需要移动金属用的喷枪，金属用的喷枪和基板之间的距离也变化。
[0072]
相反，在仅通过移动陶瓷用的喷枪无法将陶瓷溅射靶材和基板之间的距离缩短至目的的距离的情况下，例如，也可以移动安装有基板的基板支架，使其比规定值接近陶瓷用的喷枪。另外，也可以卸下处于基板周边的夹具或开闭板(shutter)。可以进一步在输送托盘和基板之间安装间隔件，也可以在基板和基板支架之间安装铝板。在该情况下，根据需要移动金属用的喷枪，金属用的喷枪和基板之间的距离也变化。
[0073]
得到的纳米颗粒磁性膜的ρ的测定方法是任意的。例如，能够使用电阻率计测定。另外，纳米颗粒磁性膜的磁特性的测定方法是任意的。例如，能够使用vsm测定。
[0074]
以上，对本发明的一个实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述的实施方式。
[0075]
本实施方式的纳米颗粒磁性膜的用途没有特别限制。包含纳米颗粒磁性膜的磁性体特别适用于以高频使用，追求ρ高的电子部件。例如，可举出垂直记录用记录介质、磁性随机存取存储器(mram)用tmr磁头、磁光学元件、薄膜电感器、噪声滤波器、高频电容器等。
[0076]
另外，包含上述电子部件中使用的纳米颗粒磁性膜的磁性体可以是仅包含纳米颗
粒磁性膜的单层结构，也可以是层叠纳米颗粒磁性膜和由其它材料构成的膜(例如sio2膜)而成的层叠结构。另外，层叠次数没有限制。
[0077]
以下，基于实施例具体地说明本发明。
[0078]
(实验例1)
[0079]
作为样品基板准备两张vsm测定用的6
×6×
0.6mmt的带热氧化膜的硅基板。作为膜厚测定用的虚设基板，准备了一张在6
×6×
0.6mmt带热氧化膜的硅基板上载置有长度为6mm宽度为0.5～1mm的抗蚀层的基板。作为组成确认用及片材电阻测定用的虚设基板，准备了一张φ2英寸0.4mmt的蓝宝石基板。然后，在这些基板上同时成膜纳米颗粒磁性膜。成膜中使用了多元同时溅射装置(株式会社eicoh，es340)。以下，进一步说明详情。
[0080]
在实验例1中，作为溅射靶材，准备了由原子数比为fe
60
co
40
的合金构成的金属溅射靶材和由sio2构成的陶瓷溅射靶材。接着，将各溅射靶材装配于不同的喷枪。
[0081]
在实验例1中，将溅射时的ar的气压固定成0.4pa。然后，通过将陶瓷溅射靶材和样品基板之间的距离(ts距离)设为表1所示的值，从而控制了纳米颗粒磁性膜中的空隙率。此外，金属溅射靶材和样品基板之间的距离设为90mm。
[0082]
然后，以第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例成为55％程度且成膜速度成为的方式，控制对各溅射靶材投入的电力进行溅射，成膜纳米颗粒磁性膜。纳米颗粒磁性膜的膜厚设为300nm。
[0083]
使用xrf(rigaku corporation制primus4)进行在上述蓝宝石基板上成膜的纳米颗粒磁性膜的测定，算出上述第一相的体积相对于上述第一相及上述第二相的合计体积的比例。将结果示于表1中。
[0084]
使用tem(日本电子株式会社制jem-2100f)，确认到在上述带热氧化膜的硅基板上成膜的各试样的纳米颗粒磁性膜具有第一相的微小区域分散于第二相中的结构。另外，使用tem确认到第一相的微小区域的平均尺寸为30nm以下。进一步使用tem-eds确认到第一相中的fe、co及ni的合计相对于fe、co、ni、x1及x2的总量的含有比例为75at％以上。
[0085]
各试样的纳米颗粒磁性膜的空隙率通过上述方法测定。在换算膜厚的计算中所需要的纳米颗粒磁性膜中所含的所有的物质的含有比例的测定中使用了xrf。将使用在上述蓝宝石基板上成膜的薄膜而测定的含有比例看作各试样的纳米颗粒磁性膜中的含有比例。作为xrf，使用了rigaku corporation制primus4。在使用xrf时，将测定直径设为30mmφ并采用了薄膜fp法。
[0086]
使用预先取得了在与tem之间的相关性的高度差膜厚计(klatencor p-16+)测定了实际膜厚。具体而言，通过高度差膜厚计测定了在膜厚测定用的虚设基板上成膜的薄膜的实际膜厚。将得到的实际膜厚看作各实验例的薄膜的实际膜厚。将结果示于表1中。
[0087]
对于在上述带热氧化膜的硅基板上成膜的各试样的纳米颗粒磁性膜使用vsm测定了hc。磁特性使用了株式会社玉川制作所制的vsm(tm-vsm331483-hgc)进行测定。另外，测定磁场设为-10000oe～+10000oe。将结果示于表1中。就hc而言，将4.00oe以下的情况设为良好，将3.00oe以下设为更良好。
[0088]
各试样的ρ使用电阻率计(三菱化学制loresta-ep mcp-t360)测定了片材电阻。测定在上述的组成确认用及片材电阻测定用的蓝宝石基板上成膜的薄膜的片材电阻，将得到的片材电阻看作各实验例的薄膜的片材电阻。然后，使用在膜厚测定用的虚设基板上成膜
的薄膜的实际膜厚算出各试样的ρ。
[0089]
在ts距离为90mm的试样的ρ相对于ρ的比率(以下，有时记载为ρ比)为1.20以上的情况下，设为ρ良好。将结果示于表1中。
[0090]
表1
[0091][0092]
根据表1确认到，ts距离越大，即，陶瓷溅射靶材和样品基板之间的距离越大，空隙率越大。而且，确认到空隙率为0.17以上且0.30以下的实施例1～3中，与除了空隙率以外其它实际上为相同条件的比较例相比，ρ变高。
[0093]
(实验例2)
[0094]
除了使第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例成为47％程度这一点以外，其它与实验例1同样地实施。将结果示于表2中。此外，在ts距离为240mm以上的实施例及比较例中，改变基板的装载位置，随之将金属溅射靶材和样品基板之间的距离调整成90mm而进行实施。
[0095]
表2
[0096][0097]
根据表2确认到，ts距离越大，即，陶瓷溅射靶材和样品基板之间的距离越大，空隙率越大。而且，确认到空隙率为0.17以上且0.30以下的实施例4～8与除了空隙率过小这一点以外其它实际上为相同条件的比较例相比，ρ变高。进一步确认到，空隙率为0.17以上且0.30以下的实施例4～8与除了空隙率过大这一点以外其它实际上为相同条件的比较例相比，hc变低。
[0098]
(实验例3)
[0099]
在除了改变金属溅射靶材的组成并使第一相的组成变化成表3a、表3b所示的组成这一点以外，其它与实验例1相同的条件下实施。将结果示于表3a、表3b中。此外，在实验例3、5、6中，在所有的实施例中hc为3.00oe以下。此外，在使金属溅射靶材有意地不含si的情
况下，源自陶瓷溅射靶材的少量的si能够包含于第一相。但是，在表3a、表3b中，不考虑这种少量的si。
[0100]
表3a
[0101][0102]
表3b
[0103][0104]
根据表3a、表3b确认到，即使金属溅射靶材的组成变化，空隙率为0.17以上且0.30以下的实施例2、9～29与除了空隙率以外其它实际上为相同条件的比较例相比，ρ变高。
[0105]
(实验例4)
[0106]
在除了改变第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例这一点以外，其它与实验例1的实施例2、比较例3相同的条件下实施。将结果示于表4中。
[0107]
表4
[0108][0109]
根据表4，在第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例为65％以下的情况下，空隙率成为0.17以上且0.30以下。而且，与除了空隙率以外其它实际上为相同条件的比较例相比，ρ变高。
[0110]
在第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例为75％的情况下，与第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例为65％以下的情况相比，ρ显著降低，hc显著上升。而且，即使将空隙率设为0.17以上，与除了空隙率以外其它实际上为相同条件的比较例相比，ρ未充分变高。
[0111]
(实验例5)
[0112]
在除了改变第二相中所含的化合物这一点以外，与实验例1的实施例2及比较例3相同的条件下实施。为了改变第二相中所含的化合物，从而改变了陶瓷溅射靶材的种类。将结果示于表5中。
[0113]
表5
[0114][0115]
根据表5确认到，在即使变更第二相中所含的化合物，空隙率也为0.17以上且0.30以下的情况下，与除了空隙率以外其它实际上为相同条件的比较例相比，ρ变高。
[0116]
(实验例6)
[0117]
除了改变金属溅射靶材和样品基板之间的距离(以下，称为ts2距离)这一点以外，其它与实验例1的比较例3同样地实施。将结果示于表6中。此外，ρ比设为比较例3的ρ相对于ρ的比率。
[0118]
表6
[0119]
[0120]
根据表6确认到，即使改变ts2距离，空隙率也未大幅变化，ρ也未大幅变化。
[0121]
(实验例7)
[0122]
通过在溅射时提高基板温度，从而改变了纳米颗粒磁性膜的第一相11的平均粒径即第一相的微小区域的平均尺寸。在其它点与实施例2相同的条件下制作试样并进行比较。将结果示于表7中。
[0123]
表7
[0124][0125]
r.t.＝室温(25℃)
[0126]
根据表7，随着第一相11的平均粒径即第一相的微小区域的平均尺寸变大，空隙率缓慢地降低。而且，随着空隙率的降低，矫顽力上升。平均粒径即第一相的微小区域的平均尺寸超过30nm的实施例45的空隙率降低至0.17。而且，hc呈现比其它实施例略大的值。

技术特征：
1.一种纳米颗粒磁性膜，其中，具有第一相的微小区域分散于第二相中的结构，所述第一相含有选自fe、co及ni中的1种以上，所述第二相含有选自o、n及f中的1种以上，所述第一相的体积相对于所述第一相及所述第二相的合计体积的比例为65％以下，空隙率为0.17以上且0.30以下。2.根据权利要求1所述的纳米颗粒磁性膜，其中，所述第一相的微小区域的平均尺寸为30nm以下。3.根据权利要求1或2所述的纳米颗粒磁性膜，其中，所述第一相中的fe、co及ni的合计含有比例为75at％以上。4.一种电子部件，其中，具有权利要求1～3中任一项所述的纳米颗粒磁性膜。

技术总结
本发明提供一种矫顽力Hc良好且电阻率ρ高的纳米颗粒磁性膜。本发明的纳米颗粒磁性膜具有第一相的微小区域分散于第二相中的结构。第一相含有选自Fe、Co及Ni中的1种以上，第二相含有选自O、N及F中的1种以上。第一相的体积相对于第一相及第二相的合计体积的比例为65％以下。空隙率为0.17以上且0.30以下。空隙率为0.17以上且0.30以下。空隙率为0.17以上且0.30以下。


技术研发人员：天野一 荒健辅 吉留和宏 鹤丸理沙子
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2023.01.28
技术公布日：2023/8/2