一种8~12μm波段高透过率膜系及其制备方法以及应用与流程

一种8～12
μ
m波段高透过率膜系及其制备方法以及应用
技术领域
1.本发明属于红外镀膜技术领域，具体涉及一种8～12μm波段高透过率膜系及其制备方法以及应用。


背景技术：

2.砷化镓(gaas)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力极强，它在2μm～14μm光谱范围有很好的透过率，广泛应用于热红外成像系统，大功率co2激光光学系统和flir系统。在现场环境很差，光学镜头或窗口需要反复擦拭的条件下，砷化镓(gaas)常被用来替代硒化锌(znse)作为红外镜头或窗口的材料。
3.但是，将砷化镓(gaas)制备为红外镜头或窗口后，会影响产品的透过率。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种8～12μm波段高透过率膜系及其制备方法以及应用，本发明提供8～12μm波段高透过率膜系以砷化镓为基底在8～12μm波段透过率能达到99％以上，膜层的附着力及环境适应性满足光学薄膜国家军用标准gjb2485-95规定的要求。
5.本发明提供了一种8～12μm波段高透过率膜系，包括砷化镓基底以及在所述砷化镓基底两侧对称设置的红外增透膜系，所述红外增透膜膜系由内之外依次为第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜。
6.优选的，所述砷化镓基底的厚度为0.9～1.5mm；
7.所述第一ge膜的厚度为61.5～66.5nm；
8.所述第一zns膜的厚度为341～351nm；
9.所述第二ge膜的厚度为99～109nm；
10.所述第二zns膜的厚度为881～891nm；
11.所述ybf3膜的厚度为1238～1248nm；
12.所述第三zns膜的厚度为107～117nm。
13.优选的，所述高透过膜系在8～12μm波段的透过率＞97％。
14.本发明还提供了一种上述高透过率膜系的制备方法，包括以下步骤：
15.a)在砷化镓基底的一侧依次真空蒸镀第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜；
16.b)在砷化镓基底的另一侧依次真空蒸镀第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜，得到高透过率膜系。
17.优选的，在真空蒸镀之前，采用超声波或手擦对砷化镓基底表面进行清洁处理。
18.优选的，在真空蒸镀之前，将真空蒸镀机进行清洗，清洗方法如下：
19.将清洗后的砷化镓基底置于真空镀膜机的腔体内，机台腔体温度设定为145～155℃；
20.真空镀膜机真空度达到1
×
10-3
pa后，打开离子源进行清洗，清洗时间为6min；
21.所述离子源参数为阳极电压为220v，阳极电流为1.2～1.5a，发射级电流为1.3～1.5a。
22.优选的，步骤a)和步骤b)中，所述第一ge膜采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s；
23.所述第一zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；
24.所述第二ge膜采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s；
25.所述第二zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；
26.所述ybf3膜采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s；
27.所述第三zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；
28.蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为130v，阳极电流为1a，发射级电流为1.5a。
29.本发明还提供了一种红外成像系统，包括上述高透过率膜系。
30.本发明还提供了一种co2激光光学系统，包括上述高透过率膜系。
31.本发明还提供了一种flir系统，包括上述高透过率膜系。
32.与现有技术相比，本发明提供了一种8～12μm波段高透过率膜系，包括砷化镓基底以及在所述砷化镓基底两侧对称设置的红外增透膜系，所述红外增透膜膜系由内之外依次为第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜。本发明提供8～12μm波段高透过率膜系以砷化镓为基底在8～12μm波段透过率能达到99％以上，膜层的附着力及环境适应性满足光学薄膜国家军用标准gjb2485-95规定的要求。
附图说明
33.图1为本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系的结构示意图；
34.图2为实施例1制备得到的高透过率膜系的透过率曲线图。
具体实施方式
35.本发明提供了一种8～12μm波段高透过率膜系，包括砷化镓基底以及在所述砷化镓基底两侧对称设置的红外增透膜系，所述红外增透膜膜系由内之外依次为第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜。
36.本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系包括砷化镓基底，所述砷化镓基底的厚度为0.9～1.5mm，优选为0.9、1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5，或0.9～1.5mm之间的任意值。本发明对所述砷化镓基底的来源并没有特殊限制，一般市售即可。
37.本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系还包括对称设置于所述砷化镓基底两侧的第一ge膜，所述第一ge膜的厚度为61.5～66.5nm，优选为61.5、62、63、64、65、66.5，或61.5～66.5nm之间的任意值；
38.本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系还包括设置于所述第一ge膜表面的第一zns膜，所述第一zns膜的厚度341～351nm，优选为341、343、345、346、348、350、351，或341～351nm之间的任意值；
39.本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系还包括设置于所述第一zns膜表面的第二ge膜，所述第二ge膜的厚度为99～109nm，优选为99、100、102、104、105、107、109，或99～109nm之间的任意值；
40.本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系还包括设置于所述第二ge膜表面的所述第二zns膜，所述第二zns膜的厚度为881～891nm，优选为881、883、885、886、887、889、890、891，或881～891nm之间的任意值；
41.本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系还包括设置于第二zns膜表面的ybf3膜，所述ybf3膜的厚度为1238～1248nm，优选为1238、1240、1242、1243、1245、1248，或1238～1248nm之间的任意值；
42.本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系还包括设置于ybf3膜表面的第三zns膜，所述第三zns膜的厚度为107～117nm，优选为107、109、110、112、114、115、117，或107～117nm之间的任意值。
43.在本发明中，所述8～12μm波段高透过率膜系以砷化镓基底的竖向中轴线为轴左右对称设置。
44.参见图1，图1为本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系的结构示意图。
45.在本发明中，所述高透过膜系在8～12μm波段的透过率＞99％。
46.本发明还提供了一种上述高透过率膜系的制备方法，包括以下步骤：
47.a)在砷化镓基底的一侧依次真空蒸镀第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜；
48.b)在砷化镓基底的另一侧依次真空蒸镀第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜，得到高透过率膜系。
49.本发明首先对砷化镓基底进行清洁处理，具体的，采用超声波或手擦对砷化镓基底表面进行清洁处理。
50.接着，将真空镀膜机进行清洗，清洗方法如下：
51.将清洗后的砷化镓基底置于真空镀膜机的腔体内，机台腔体温度设定为145～155，优选为145、150、155，或145～155℃之间的任意值；
52.真空镀膜机真空度达到1
×
10-3
pa后，打开离子源进行清洗，清洗时间为6min；
53.所述离子源参数为阳极电压为220v，阳极电流为1.2～1.5a，优选为1.2、1.3、1.4、1.5，或1.2～1.5a之间的任意值，发射级电流为1.3～1.5a，优选为1.3、1.4、1.5，或1.3～1.5a之间的任意值。
54.真空镀膜机清洗完成后，在砷化镓基底的一侧依次真空蒸镀第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜。
55.在本发明中，所述第一ge膜采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s；
56.所述第一zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；
57.所述第二ge膜采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s；
58.所述第二zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；
59.所述ybf3膜采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s；
60.所述第三zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s。
61.镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出一侧镀制好的膜系。
62.蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为130v，阳极电流为1a，发射级电流为1.5a。
63.然后，将膜系按照上述步骤对膜系以及真空蒸镀机进行清洗。再在砷化镓基底的另一侧依次真空蒸镀第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜，得到高透过率膜系
64.在本发明中，所述第一ge膜采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s；
65.所述第一zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；
66.所述第二ge膜采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s；
67.所述第二zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；
68.所述ybf3膜采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s；
69.所述第三zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s。
70.蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为130v，阳极电流为1a，发射级电流为1.5a。
71.镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出高透过率膜系。
72.本发明还提供了一种红外成像系统，包括上述高透过率膜系。
73.本发明还提供了一种co2激光光学系统，包括上述高透过率膜系。
74.本发明还提供了一种flir系统，包括上述高透过率膜系。
75.本发明提供了一种8～12μm波段高透过率膜系，包括砷化镓基底以及在所述砷化镓基底两侧对称设置的红外增透膜系，所述红外增透膜膜系由内之外依次为第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜。本发明提供8～12μm波段高透过率膜系以砷化镓为基底在8～12μm波段透过率能达到99％以上，膜层的附着力及环境适应性满足光学薄膜国家军用标准gjb2485-95规定的要求。
76.为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的8～12μm波段高透过率膜系及其制备方法以及应用进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
77.以下实施例和对比例中，砷化镓基底为安徽光智科技有限公司提供，厚度为1.2mm。
78.实施例1
79.1.将作为镜片的砷化镓基底的陪镀片和产品的表面采用超声波进行清洁处理；
80.2.将清洁处理好的包括陪镀片和产品的镜片放入工装夹具，装好后的镜片挂入真空镀膜机腔体内，机台腔体温度设定为150℃；
81.3.真空镀膜机真空度达到1
×
10-3
pa，打开离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源参数(阳极电压为220v，阳极电流为1.2a，发射级电流为1.5a)；
82.4.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度64nm；
83.5.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制
膜厚346nm；
84.6.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度104nm；
85.7.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚886nm；
86.8.镀制ybf3膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s，控制膜厚1243nm；
87.9.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚112nm；
88.10.镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好膜系的镜片；
89.11.重复步骤1～9，镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好的膜系的镜片，得到的膜系以砷化镓基底的竖向中轴线为轴左右对称设置。
90.在步骤4～9中，蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为130v，阳极电流为1a，发射级电流为1.5a。
91.参见图2，图2为实施例1制备得到的高透过率膜系的透过率曲线图。由图2可知，在8～12μm波段的平均透过率为99.6636％。
92.实施例2
93.1.将作为镜片的砷化镓基底的陪镀片和产品的表面采用超声波进行清洁处理；
94.2.将清洁处理好的包括陪镀片和产品的镜片放入工装夹具，装好后的镜片挂入真空镀膜机腔体内，机台腔体温度设定为150℃；
95.3.真空镀膜机真空度达到1
×
10-3
pa，打开离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源参数(阳极电压为220v，阳极电流为1.2a，发射级电流为1.5a)；
96.4.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度61.5nm；
97.5.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚341m；
98.6.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度99nm；
99.7.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚881nm；
100.8.镀制ybf3膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s，控制膜厚1238nm；
101.9.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚107nm；
102.10.镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好膜系的镜片；
103.11.重复步骤1～9，镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好的膜系的镜片，得到的膜系以砷化镓基底的竖向中轴线为轴左右对称设置。
104.在步骤4～9中，蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为130v，阳极电流为1a，发射级电流为1.5a。
105.实施例3
106.1.将作为镜片的砷化镓基底的陪镀片和产品的表面采用超声波进行清洁处理；
107.2.将清洁处理好的包括陪镀片和产品的镜片放入工装夹具，装好后的镜片挂入真空镀膜机腔体内，机台腔体温度设定为150℃；
108.3.真空镀膜机真空度达到1
×
10-3
pa，打开离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源参数(阳极电压为220v，阳极电流为1.2a，发射级电流为1.5a)；
109.4.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度66.5nm；
110.5.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚351nm；
111.6.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度109nm；
112.7.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚891nm；
113.8.镀制ybf3膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s，控制膜厚1248nm；
114.9.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚117nm；
115.10.镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好膜系的镜片；
116.11.重复步骤1～9，镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好的膜系的镜片，得到的膜系以砷化镓基底的竖向中轴线为轴左右对称设置。
117.在步骤4～9中，蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为130v，阳极电流为1a，发射级电流为1.5a。
118.对比例1
119.1.将作为镜片的砷化镓基底的陪镀片和产品的表面采用超声波进行清洁处理；
120.2.将清洁处理好的包括陪镀片和产品的镜片放入工装夹具，装好后的镜片挂入真空镀膜机腔体内，机台腔体温度设定为140℃；
121.3.真空镀膜机真空度达到1
×
10-3
pa，打开离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源参数(阳极电压为220v，阳极电流为1.2a，发射级电流为1.5a)；
122.4.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度64nm；
123.5.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚346nm；
124.6.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度104nm；
125.7.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚886nm；
126.8.镀制ybf3膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s，控制膜厚1243nm；
127.9.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚112nm；
128.10.镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好膜系的镜片；
129.11.重复步骤1～9，镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好的膜系的镜片，得到的膜系以砷化镓基底的竖向中轴线为轴左右对称设置。
130.在步骤4～9中，蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为130v，阳极电流为1a，发射级电流为1.5a。
131.对比例2
132.1.将作为镜片的砷化镓基底的陪镀片和产品的表面采用超声波进行清洁处理；
133.2.将清洁处理好的包括陪镀片和产品的镜片放入工装夹具，装好后的镜片挂入真空镀膜机腔体内，机台腔体温度设定为160℃；
134.3.真空镀膜机真空度达到1
×
10-3
pa，打开离子源进行清洗，清洗时间为6min，离子源参数(阳极电压为220v，阳极电流为1.2a，发射级电流为1.5a)；
135.4.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度64nm；
136.5.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚346nm；
137.6.镀制ge膜层，采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s，控制膜厚度104nm；
138.7.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚886nm；
139.8.镀制ybf3膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s，控制膜厚1243nm；
140.9.镀制zns膜层，采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s，控制膜厚112nm；
141.10.镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好膜系的镜片；
142.11.重复步骤1～9，镀制完成后待真空室冷却至80℃以下取出镀制好的膜系的镜片，得到的膜系以砷化镓基底的竖向中轴线为轴左右对称设置。
143.在步骤4～9中，蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为240v，阳极电流为2a，发射级电流为2a。
144.实施例4
145.对上述实施例1～3和对比例1～2得到的膜系进行性能测试，具体如下：
146.1、水泡试验：实施例1～3和对比例1～2所制备的陪镀片连同两面上均镀制八层膜层整体经过取自自来水的水泡试验10min。
147.2、粘接力试验：在取自自来水的水泡和盐雾试验完成之后，用手粘贴3m胶带纸在陪镀片的各面的第三zns膜层进行沿与粘贴端相反的方向拉胶带，考察膜层是否被拉起。
148.3、盐雾试验：中性盐雾试验48h。
149.4、冷热冲击试验：在高低温箱内，-40℃至85℃范围进行冷热冲击24h。
150.5、恒温恒湿试验：在恒温恒湿箱内，50℃、95％相对湿度下48h。
151.6、低温试验：在低温箱内，-40℃，48h。
152.7、高温试验：在高温内，85℃，48h。
153.实验结果见表1。
154.表1
[0155][0156]
表1中，“合格”表示“未发现各面上的膜层从陪镀片上脱落、也未发现各面上的膜层崩裂”；
[0157]“不合格”表示“有膜层从陪镀片上脱落或者有膜层崩裂”。
[0158]
其中，对比例1在进行冷热冲击试验不合格之后，后续的恒温恒湿试验、低温试验和高温试验没有继续进行；
[0159]
对比例2在进行水泡实验不合格之后，后续的实验没有继续进行。
[0160]
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种8～12μm波段高透过率膜系，其特征在于，包括砷化镓基底以及在所述砷化镓基底两侧对称设置的红外增透膜系，所述红外增透膜膜系由内之外依次为第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜。2.根据权利要求1所述的高透过率膜系，其特征在于，所述砷化镓基底的厚度为0.9～1.5mm；所述第一ge膜的厚度为61.5～66.5nm；所述第一zns膜的厚度为341～351nm；所述第二ge膜的厚度为99～109nm；所述第二zns膜的厚度为881～891nm；所述ybf3膜的厚度为1238～1248nm；所述第三zns膜的厚度为107～117nm。3.根据权利要求1所述的高透过率膜系，其特征在于，所述高透过膜系在8～12μm波段的透过率＞97％。4.一种如权利要求1～3任意一项所述的高透过率膜系的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)在砷化镓基底的一侧依次真空蒸镀第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜；b)在砷化镓基底的另一侧依次真空蒸镀第一ge膜、第一zns膜、第二ge膜、第二zns膜、ybf3膜和第三zns膜，得到高透过率膜系。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在真空蒸镀之前，采用超声波或手擦对砷化镓基底表面进行清洁处理。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在真空蒸镀之前，将真空蒸镀机进行清洗，清洗方法如下：将清洗后的砷化镓基底置于真空镀膜机的腔体内，机台腔体温度设定为145～155℃；真空镀膜机真空度达到1
×
10-3
pa后，打开离子源进行清洗，清洗时间为6min；所述离子源参数为阳极电压为220v，阳极电流为1.2～1.5a，发射级电流为1.3～1.5a。7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤a)和步骤b)中，所述第一ge膜采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s；所述第一zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；所述第二ge膜采用电子束蒸发的方式进行蒸镀，其中电子束流ge膜层沉积速率为0.4nm/s；所述第二zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；所述ybf3膜采用电阻加热方式进行蒸镀，ybf3膜层沉积速率为0.6nm/s；所述第三zns膜采用电阻加热方式进行蒸镀，zns膜层沉积速率为0.8nm/s；蒸镀过程中使用霍尔离子源辅助，离子源参数为阳极电压为130v，阳极电流为1a，发射级电流为1.5a。8.一种红外成像系统，其特征在于，包括权利要求1～3任意一项所述的高透过率膜系。9.一种co2激光光学系统，其特征在于，包括权利要求1～3任意一项所述的高透过率膜系。
10.一种flir系统，其特征在于，包括权利要求1～3任意一项所述的高透过率膜系。

技术总结
本发明提供了一种8～12μm波段高透过率膜系，包括砷化镓基底以及在所述砷化镓基底两侧对称设置的红外增透膜系，所述红外增透膜膜系由内之外依次为第一Ge膜、第一ZNS膜、第二Ge膜、第二ZNS膜、YBF3膜和第三ZNS膜。本发明提供8～12μm波段高透过率膜系以砷化镓为基底在8～12μm波段透过率能达到99％以上，膜层的附着力及环境适应性满足光学薄膜国家军用标准GJB2485-95规定的要求。95规定的要求。


技术研发人员：梁献波 刘梦佳 尹士平
受保护的技术使用者：安徽光智科技有限公司
技术研发日：2023.05.06
技术公布日：2023/8/4