一种光刻成像系统波像差优化方法、装置、设备及介质

1.本发明涉及半导体制造和光刻工艺开发技术领域，尤其涉及一种光刻成像系统波像差优化方法、装置、设备及介质。


背景技术：

2.光刻技术是集成电路制造中的关键技术，负责将掩模图形转移到硅片上。从光学设计角度来讲，光刻成像系统与典型的望远镜、显微镜等光学系统相似，均基于投影成像的原理。由于光学系统的低通滤波性质，以及制造、加工误差等因素的存在，实际的光学系统中很难达成零像差的理想设计目标，光学系统光瞳位置上的波前发生了与理想球面波的差距，表现为振幅和相位发生改变。
3.在光刻成像系统中，光瞳位置处的相位变化表现出的影响更大，因此一般不考虑波前振幅的变化。光刻系统中，成像系统通过投影成像的方式将掩模上的图形等比例缩小复制到晶圆上涂覆的光刻胶中。为了实现对纳米级别尺寸图形的准确成像，光刻投影光学系统的波像差需要具有极小的范围和极高的控制精度。因此，对投影物镜波像差进行分析和优化对于光刻工艺曝光质量的提升、光刻设备的研制和半导体制造工艺的开发具有重要价值和意义。
4.作为集成电路制造中的核心设备之一，光刻机的单次曝光分辨能力除了受到光源波长的限制以外，还受到物镜系统的数值孔径和波像差分布的影响。数值孔径是投影物镜系统镜组在像方的最大张角，而波像差表征了光学系统对其中传输光束的相位改变。
5.因此，亟需提供一种更为可靠的光刻成像系统波像差优化方案。


技术实现要素：

6.本发明的目的在于提供一种光刻成像系统波像差优化方法、装置、设备及介质，用于解决现有技术中无法对波像差分布进行可靠优化的问题。
7.为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
8.本发明提供一种光刻成像系统波像差优化方法，包括：
9.获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；
10.将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型；
11.基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化。
12.可选的，上述方法还包括：
13.获取光刻曝光质量特征的综合性能指标以及已知的所述综合性能指标对应的不同波像差分布的泽尼克项，将所述综合性能指标以及所述泽尼克项作为训练集；
14.建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。
15.可选的，所述建立所述综合性能指标中各个性能指标与波像差的泽尼克项之间的映射关系模型，具体可以包括：
16.对所述波像差分布进行泽尼克分解，得到基础数据集；
17.采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。
18.可选的，所述采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，具体可以包括：
19.择前n项泽尼克项作为变化参数，每个参数以0值为起点，设置变化范围以及变化步长，采用所述确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析。
20.可选的，所述获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标，具体可以包括：
21.获取所述光刻成像系统的光刻曝光需求；
22.基于所述光刻曝光需求，确定目标性能指标；所述目标性能指标至少包括光刻曝光结果的cd值、图形中心位置偏移以及工艺变化带宽中的一个或多个指标。
23.可选的，所述采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型之后，还可以包括：
24.设置评价光刻性能指标对应的敏感度阈值，随机生成范围在预设阈值范围内的泽尼克项组合；
25.利用所述确定性筛选设计方法，分析所述映射关系模型对所述泽尼克项组合进行波像差得到的光刻性能指标；
26.从得到的光刻性能指标中挑选出符合阈值要求的泽尼克项组合；
27.采用符合阈值要求的泽尼克项组合进行光刻性能指标的验证。
28.本发明提供一种光刻成像系统波像差优化装置，包括：
29.目标性能指标获取模块，用于获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；
30.目标泽尼克项确定模块，用于将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型；
31.波像差优化模块，用于基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化。
32.可选的，上述装置还包括：
33.训练集获取模块，用于获取光刻曝光质量特征的综合性能指标以及已知的所述综合性能指标对应的不同波像差分布的泽尼克项，将所述综合性能指标以及所述泽尼克项作为训练集；
34.映射关系模型建立模块，用于建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。
35.本发明提供一种光刻成像系统波像差优化设备，包括：
36.通信单元/通信接口，用于获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；
37.处理单元/处理器，用于将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型；
38.基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化
39.本发明提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现上述的光刻成像系统波像差优化方法。
40.与现有技术相比，本发明提供的光刻成像系统波像差优化方法。通过基于确定性筛选设计方法建立了表征波像差的泽尼克项与光刻成像性能指标之间关系的模型，既可以实现波像差对光刻成像性能影响的快速正向分析，也可以根据光刻成像性能的指标要求实现投影系统波像差的优化，可以为投影物镜像差的快速调整提供评估依据。
附图说明
41.此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
42.图1为本说明书实施例提供的一种光刻成像系统波像差优化方法流程示意图；
43.图2为本说明书实施例提供的一种优像差与泽尼克项关系示意图；
44.图3为本说明书实施例提供的一种光刻成像系统波像差优化装置示意图；
45.图4为本说明书实施例提供的一种光刻成像系统波像差优化设备示意图。
具体实施方式
46.为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。例如，第一阈值和第二阈值仅仅是为了区分不同的阈值，并不对其先后顺序进行限定。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
47.需要说明的是，本发明中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本发明中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
48.本发明中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b的结合，a和c的结合，b和c的结合，或a、b和c的结合，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
49.在介绍本发明实施例之前首先对本发明实施例中涉及到的相关名词作如下释义：
50.极紫外光刻(extreme ultraviolet lithography)，常称作euv光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的k极然后放射出紫外线。
51.确定性筛选实验设计(definitive screening design,dsd)，可以大幅缩小试验
规模，因为其试验次数等于因子数量的2倍加1；避免二阶(含)以下的任何效应之间的完全混杂；在满足显著因子稀疏性的条件下，可以估算所有显著因子的主效应项、主效应二次项和二阶交互作用项的系数；摆脱了以往在经典试验设计中对一个新流程优化需要经过部分析因设计、完全析因设计、响应面设计的繁琐过程，仅用一次试验设计就实现了筛选重要因子、描述基本特性、找到最优方案等所有工作，大大节约了试验成本，缩短了试验周期。
52.泽尼克项：使用幂级数展开式的形式来描述光学系统的像差。由于泽尼克多项式和光学检测中观测到的像差多项式的形式是一致的，因而常常被用来描述波前特性。
53.在光学系统设计中，一般是从初始结构设计优化以及制造公差分配等角度来优化波像差分布，进而对像差分布提出约束。波像差的优劣一般采用均方根误差(rms)和峰谷值(p-v)来评价，rms和p-v值越大则代表波像差越大。
54.集成电路的三维结构是由平面工艺制作的，金属层负责连接不同晶体管组成符合一定需求的器件，一个集成电路需要几十层的金属层，而通孔层则负责相邻金属层的连接。由于集成电路的金属层和通孔层具有不同的图形特征，例如金属层的图形特征是长线条居多，而通孔层的图形特征是矩形分布居多，因此通孔层的光刻曝光存在不同于金属层的需求。
55.本发明从光刻通孔层的图形特征出发，提出一种极紫外光刻技术中针对集成电路通孔层的光刻投影物镜波像差优化方法，设计测试图形并从光刻成像性能的角度来评估和优化投影系统波像差的分布，提升了光刻投影系统设计的针对性，对于提升光刻设备的研发效率具有重要意义。
56.接下来结合附图对本方案进行说明：
57.图1为本说明书实施例提供的一种光刻成像系统波像差优化方法流程示意图。从程序角度而言，流程的执行主体可以为光刻成像系统波像差优化系统对应的服务器集群或者处理器；以服务器集群为例，该服务器集群中可以包含系统中的各种虚拟模块，实现基于接收到的目标性能指标对波像差进行优化。
58.如图1所示，该流程可以包括以下步骤：
59.步骤110：获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标。
60.在集成电路的多图层结构中，通孔层的图形特征主要由正方形和短矩形组成，在实施例中选择了不同特征尺寸(cd值)、不同分布周期(pitch)的不同测试图形。
61.实际应用中，光刻成像系统光刻曝光的性能指标可以包括：
62.关键尺寸值(critical dimension,cd)：指在集成电路光掩模制造及光刻工艺中为评估及控制工艺的图形处理精度，特设计一种反映集成电路特征线条宽度的专用线条图形，数值越小说明光刻工艺的分辨率越高。
63.图像中心位置偏移(pattern shift,ps)：一种描述图形中心位置偏移量的参数，数值越小说明图形整体偏移量越小，位置越精确。
64.工艺变化带宽(process variation band,pvb)：是一种表示工艺变化范围内图形关键尺寸最大变化量的参数，数值越小说明尺寸最大变化量越小，图形尺寸改变得越少。
65.步骤120:将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型。
66.映射关系模型中包含了成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系。基于该模型，可以根据需求的成像性能指标，对波像差分布进行优化，以满足需求。
67.步骤130:基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化。
68.上述图1中的方法，通过基于确定性筛选设计方法建立了表征波像差的泽尼克项与光刻成像性能指标之间关系的模型，既可以实现波像差对光刻成像性能影响的快速正向分析，也可以根据光刻成像性能的指标要求实现投影系统波像差的优化，可以为投影物镜像差的快速调整提供评估依据。
69.基于图1的方法，本说明书实施例还提供了该方法的一些具体实施方式，下面进行说明。
70.可选的，所述光刻成像系统为集成电路通孔层的光刻成像系统，所述将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征目标波像差的泽尼克项之前，还可以包括：
71.获取光刻曝光质量特征的综合性能指标以及已知的所述综合性能指标对应的不同波像差分布的泽尼克项，将所述综合性能指标以及所述泽尼克项作为训练集；
72.建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。
73.进一步地，所述建立所述综合性能指标中各个性能指标与波像差的泽尼克项之间的映射关系模型，具体可以包括：
74.对所述波像差分布进行泽尼克分解，得到基础数据集；
75.采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。
76.例如：在所述采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析时，可以选择前n项泽尼克项作为变化参数，每个参数以0值为起点，设置变化范围以及变化步长，采用所述确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析。
77.本说明书实施例中对波像差分布进行了泽尼克分解，并选择了前37项的泽尼克项作为变化参数，选取了不同泽尼克项组合下的光刻曝光结果的特征作为评价对象，对不同的评价指标设置不同的权重因子，权重因子根据不同指标项的重要程度进行设定；通过合理设定权重因子，可以有效实现对不同波像差的泽尼克项组合引起的曝光质量变化进行评估。
78.对波像差分布进行泽尼克分解，可以选择前37项泽尼克项作为变化参数，每个参数以0值为起点，设置变化范围为-0.02到0.02，变化步长为0.001，并用dsd(definitive screening design，确定性筛选设计)方法进行分析。输入数据集包含1553组数据，不仅有单独变化的泽尼克项1453组，还有77组具有代表性的相互正交的组合泽尼克项。
79.利用确定性筛选设计方法，对仿真数据进行统计分析，建立表征波像差的泽尼克项与成像性能指标之间关系的模型，结合光刻性能指标获取波像差参数的敏感度；
80.在本实施例中，根据dsd计算拟合得出的模型是一种完整的二阶模型：
81.82.其中，模型包含了所有的输入(x为各个泽尼克项的值)，相关的零次项(截距，即β0)，一次项(x
ij
及其系数βj)和二次项(x
ij
x
jk
及其系数β
jk
以及x
ij2
及其系数β
jj
)，输出yi即为光刻性能指标的预测值，并且进行模型的拟合与建立所需的最小输入输出组合只要求输入项的两倍稍多即可，并且主效应之间是正交的，与线性拟合相比，比较活跃的主效应也能够在统计上更显著，而各个二次效应不会与其它二次效应混淆，统计误差也会更小。对不同的光刻性能指标进行dsd分析后，得到如下表所示的敏感度排序：
83.表1、敏感度排序表
[0084][0085]
从上表中可以看出：对于水平方向(x方向)矩形孔形结构的图形中心位置偏移，敏
感度从高到低的前五项单项或组合泽尼克项分别为：z2、z7、z14、z19、z10和z19*z23、z14*z30、z2*z34、z23*z26、z26*z34；同样方向的正方形结构ps的敏感度排名：z2、z7、z10、z23、z19和z19*z23、z10*z14、z2*z26、z2*z14、z2*z10；对y方向的两种图形的泽尼克项的敏感度排名可以以此为例解读。
[0086]
可选的，本说明书实施例中提供给的方案可以针对极紫外光刻中的光学投影系统，因此光刻质量评价指标也需要考虑极紫外光刻系统的特征。在极紫外光刻技术中，曝光光源的中心波长为13.5nm，由于目前已知的材料均对该波段的光线具有很强的吸收性，因此极紫外光刻系统中的光学系统和掩模版均采用反射式设计。为了避免光路遮挡，掩模版上入射主光线与掩模面法线的夹角为6
°
。在斜入射的情形下，掩模上的三维结构会产生较强的阴影效应，因此实施例中使用的光刻成像质量评价指标均包含水平和竖直两个方向。
[0087]
可选的，所述获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标，具体可以包括：
[0088]
获取所述光刻成像系统的光刻曝光需求；
[0089]
基于所述光刻曝光需求，确定目标性能指标；所述目标性能指标至少包括光刻曝光结果的cd值、图形中心位置偏移以及工艺变化带宽中的一个或多个指标。
[0090]
进一步地，所述采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型之后，还可以包括：
[0091]
设置评价光刻性能指标对应的敏感度阈值，随机生成范围在预设阈值范围内的泽尼克项组合；
[0092]
利用所述确定性筛选设计方法，分析所述映射关系模型对所述泽尼克项组合进行波像差得到的光刻性能指标；
[0093]
从得到的光刻性能指标中挑选出符合阈值要求的泽尼克项组合；
[0094]
采用符合阈值要求的泽尼克项组合进行光刻性能指标的验证。
[0095]
实际操作中，根据光刻曝光需求，确定成像性能指标需满足的范围，利用建立的模型完成波像差优化。具体地，在通过dsd完成对泽尼克项与各个光刻性能指标的敏感度分析后进行反敏感预测：设置评价光刻性能指标对应的敏感度阈值，随机生成范围在-0.02到0.02的泽尼克项组合，利用dsd通过分析数据分析拟合后建立出的模型对所有新生成的泽尼克项组合进行其对应的波前像差导致的光刻性能指标的预测并从中挑选出符合阈值要求的像差泽尼克项组合后进行光刻性能指标的验证即完成。
[0096]
上述实施例中泽尼克项系数可以结合图2进行说明：
[0097]
图2为本说明书实施例提供的一种优像差与泽尼克项关系示意图。如图2所示：图2中的a图、b图、c图表示通过dsd模型达成的预测结果展示，横坐标就是泽尼克项的项的标号，纵坐标就是泽尼克项的值，a图、b图、c图都是在不同预设条件(即不同光刻性能指标的要求)下通过dsd模型做出的预测符合条件的像差的泽尼克项组合。
[0098]
在经过对原始的输入(泽尼克项组合)-输出(各个光刻性能指标)的拟合与建立模型后，dsd模型已经拥有了对任意泽尼克项组合的输出的预测能力，在将正方形图形的水平方向作为考察对象，把ps作为光刻性能指标的实例中，根据随机生成的100组随机泽尼克项组合的像差的预测结果与实际结果相对比，平均误差的rms值为0.015037nm，最大rms值为0.0406631nm；平均误差的mape值为0.37％，最大mape值为1.43％，只要泽尼克项的变化保
持在这个范围以内，其对应的光刻性能指标值可以利用dsd模型进行快速预测。
[0099]
本发明设计了一种新型的面向集成电路通孔层的光刻投影物镜波像差优化方法，该方法中基于dsd方法建立了表征波像差的泽尼克项同光刻成像性能指标之间关系的模型，该模型既可以实现波像差对光刻成像性能影响的快速正向分析，也可以根据光刻成像性能的指标要求实现投影系统波像差的优化，可以为投影物镜像差的快速调整提供评估依据。
[0100]
基于同样的思路，本说明书实施例还提供了一种光刻成像系统波像差优化装置。图3为本说明书实施例提供的一种光刻成像系统波像差优化装置示意图。可以包括：
[0101]
目标性能指标获取模块310，用于获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；
[0102]
目标泽尼克项确定模块320，用于将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型；
[0103]
波像差优化模块330，用于基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化。
[0104]
基于图3的装置，本说明书实施例还提供了具体的实现模块：
[0105]
上述装置还可以包括：
[0106]
训练集获取模块，用于获取光刻曝光质量特征的综合性能指标以及已知的所述综合性能指标对应的不同波像差分布的泽尼克项，将所述综合性能指标以及所述泽尼克项作为训练集；
[0107]
映射关系模型建立模块，用于建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。
[0108]
所述映射关系模型建立模块，具体可以包括：
[0109]
基础数据集确定单元，应用对所述波像差分布进行泽尼克分解，得到基础数据集；
[0110]
映射关系模型建立单元，用于采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。
[0111]
可选的，所述映射关系模型建立单元，具体可以用于：
[0112]
选择前n项泽尼克项作为变化参数，每个参数以0值为起点，设置变化范围以及变化步长，采用所述确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析；其中，n大于等于0。
[0113]
可选的，所述目标性能指标获取模块310，具体可以包括：
[0114]
光刻曝光需求获取单元，用于获取所述光刻成像系统的光刻曝光需求；
[0115]
目标性能指标确定单元，用于基于所述光刻曝光需求，确定目标性能指标；所述目标性能指标至少包括光刻曝光结果的cd值、图形中心位置偏移以及工艺变化带宽中的一个或多个指标。
[0116]
可选的，所述装置，还可以用于：
[0117]
设置评价光刻性能指标对应的敏感度阈值，随机生成范围在预设阈值范围内的泽尼克项组合；
[0118]
利用所述确定性筛选设计方法，分析所述映射关系模型对所述泽尼克项组合进行波像差得到的光刻性能指标；
[0119]
从得到的光刻性能指标中挑选出符合阈值要求的泽尼克项组合；
[0120]
采用符合阈值要求的泽尼克项组合进行光刻性能指标的验证。
[0121]
基于同样的思路，本说明书实施例还提供了一种光刻成像系统波像差优化设备。图4为本说明书实施例提供的一种光刻成像系统波像差优化设备示意图。可以包括：
[0122]
通信单元/通信接口，用于获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；
[0123]
处理单元/处理器，用于将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型；
[0124]
基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化。
[0125]
如图4所示，上述终端设备还可以包括通信线路。通信线路可包括一通路，在上述组件之间传送信息。
[0126]
可选的，如图4所示，该终端设备还可以包括存储器。存储器用于存储执行本发明方案的计算机执行指令，并由处理器来控制执行。处理器用于执行存储器中存储的计算机执行指令，从而实现本发明实施例提供的方法。
[0127]
如图4所示，存储器可以是只读存储器(read-only memory，rom)或可存储静态信息和指令的其他类型的静态存储设备，随机存取存储器(random access memory，ram)或者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory，eeprom)、只读光盘(compact disc read-only memory，cd-rom)或其他光盘存储、光碟存储(包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等)、磁盘存储介质或者其他磁存储设备、或者能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其他介质，但不限于此。存储器可以是独立存在，通过通信线路与处理器相连接。存储器也可以和处理器集成在一起。
[0128]
可选的，本发明实施例中的计算机执行指令也可以称之为应用程序代码，本发明实施例对此不作具体限定。
[0129]
在具体实现中，作为一种实施例，如图4所示，处理器可以包括一个或多个cpu，如图4中的cpu0和cpu1。
[0130]
在具体实现中，作为一种实施例，如图4所示，终端设备可以包括多个处理器，如图4中的处理器。这些处理器中的每一个可以是一个单核处理器，也可以是一个多核处理器。
[0131]
基于同样的思路，本说明书实施例还提供了上述实施例对应的计算机存储介质，计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现实施例2中的数字声音重构方法。
[0132]
上述主要从各个模块之间交互的角度对本发明实施例提供的方案进行了介绍。可以理解的是，各个模块为了实现上述功能，其包含了执行各个功能相应的硬件结构和/或软件单元。本领域技术人员应该很容易意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，本发明能够以硬件或硬件和计算机软件的结合形式来实现。某个功能究竟以硬件还是计算机软件驱动硬件的方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这
种实现不应认为超出本发明的范围。
[0133]
本发明实施例可以根据上述方法示例进行功能模块的划分，例如，可以对应各个功能划分各个功能模块，也可以将两个或两个以上的功能集成在一个处理模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。需要说明的是，本发明实施例中对模块的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。
[0134]
本说明书中的处理器还可以具有存储器的功能。存储器用于存储执行本发明方案的计算机执行指令，并由处理器来控制执行。处理器用于执行存储器中存储的计算机执行指令，从而实现本发明实施例提供的方法。
[0135]
存储器可以是只读存储器(read-only memory，rom)或可存储静态信息和指令的其他类型的静态存储设备，随机存取存储器(random access memory，ram)或者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是电可擦可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory，eeprom)、只读光盘(compact disc read-only memory，cd-rom)或其他光盘存储、光碟存储(包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等)、磁盘存储介质或者其他磁存储设备、或者能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其他介质，但不限于此。存储器可以是独立存在，通过通信线路与处理器相连接。存储器也可以和处理器集成在一起。
[0136]
可选的，本发明实施例中的计算机执行指令也可以称之为应用程序代码，本发明实施例对此不作具体限定。
[0137]
上述本发明实施例揭示的方法可以应用于处理器中，或者由处理器实现。处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器、数字信号处理器(digital signal processing，dsp)、asic、现成可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
[0138]
一种可能的实现方式中，提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有指令，当指令被运行时，用于实现上述实施例中的逻辑运算控制方法和/或逻辑运算读取方法。
[0139]
在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机程序或指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序或指令时，全部或部分地执行本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、终端、用户设备或者其它可编程装置。所述计算机程序或指令可以
存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机程序或指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线或无线方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是集成一个或多个可用介质的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，例如，软盘、硬盘、磁带；也可以是光介质，例如，数字视频光盘(digital video disc，dvd)；还可以是半导体介质，例如，固态硬盘(solid state drive，ssd)。
[0140]
尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
[0141]
尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

技术特征：
1.一种光刻成像系统波像差优化方法，其特征在于，包括：获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型；基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻成像系统为集成电路通孔层的光刻成像系统；所述将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征目标波像差的泽尼克项之前，还包括：获取光刻曝光质量特征的综合性能指标以及已知的所述综合性能指标对应的不同波像差分布的泽尼克项，将所述综合性能指标以及所述泽尼克项确定为训练集；建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述建立所述综合性能指标中各个性能指标与波像差的泽尼克项之间的映射关系模型，具体包括：对所述波像差分布进行泽尼克分解，得到基础数据集；采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，具体包括：选择前n项泽尼克项作为变化参数，每个参数以0值为起点，设置变化范围以及变化步长，采用所述确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析；其中，n大于0。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标，具体包括：获取所述光刻成像系统的光刻曝光需求；基于所述光刻曝光需求，确定目标性能指标；所述目标性能指标至少包括光刻曝光结果的cd值、图形中心位置偏移以及工艺变化带宽中的一个或多个指标。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用确定性筛选设计方法对所述基础数据集进行统计分析，建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型之后，还包括：设置评价光刻性能指标对应的敏感度阈值，随机生成范围在预设阈值范围内的泽尼克项组合；利用所述确定性筛选设计方法，分析所述映射关系模型对所述泽尼克项组合进行波像差得到的光刻性能指标；从得到的光刻性能指标中挑选出符合阈值要求的泽尼克项组合；采用符合阈值要求的泽尼克项组合进行光刻性能指标的验证。7.一种光刻成像系统波像差优化装置，其特征在于，包括：目标性能指标获取模块，用于获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；目标泽尼克项确定模块，用于将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，
得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型；波像差优化模块，用于基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：训练集获取模块，用于获取光刻曝光质量特征的综合性能指标以及已知的所述综合性能指标对应的不同波像差分布的泽尼克项，将所述综合性能指标以及所述泽尼克项作为训练集；映射关系模型建立模块，用于建立所述综合性能指标中各个性能指标与所述泽尼克项之间的映射关系模型。9.一种光刻成像系统波像差优化设备，其特征在于，包括：通信单元/通信接口，用于获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；处理单元/处理器，用于将所述目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到所述光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；所述映射关系模型为成像性能指标与表征目标波像差的泽尼克项的映射关系模型；基于所述目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对所述光刻成像系统的波像差进行优化。10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现权利要求1～6任一项所述的光刻成像系统波像差优化方法。

技术总结
本发明公开一种光刻成像系统波像差优化方法、装置、设备及介质，涉及半导体制造和光刻工艺开发技术领域，用于解决现有技术中无法对波像差分布进行可靠优化的问题。包括：获取光刻成像系统光刻曝光的目标性能指标；将目标性能指标输入构建完成的映射关系模型中，得到光刻成像系统中表征波像差的目标泽尼克项；基于目标泽尼克项，采用确定性筛选设计方法对光刻成像系统的波像差进行优化。其中通过确定性筛选设计方法建立的表征波像差的泽尼克项与光刻成像性能指标之间关系的模型，既可以实现波像差对光刻成像性能影响的快速正向分析，也可以根据光刻成像性能的指标要求实现投影系统波像差的优化，可以为投影物镜像差的快速调整提供评估依据。提供评估依据。提供评估依据。


技术研发人员：陈知枢 韦亚一 董立松
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2022.01.26
技术公布日：2023/8/4