基板处理装置及基板处理方法与流程

1.本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。


背景技术：

2.专利文献1所记载的基板处理装置包括：处理槽、基板保持部、流体供给部、以及控制部。处理槽贮存用于对基板进行处理的处理液。基板保持部在处理槽的处理液内保持基板。流体供给部向处理槽供给流体。流体为气体。控制部对流体供给部进行控制。控制部对流体供给部进行控制，以使在从开始对贮存有浸渍了基板的处理液的处理槽供给流体至结束对贮存有浸渍了基板的处理液的处理槽供给流体的期间，流体供给部变更流体的供给。
3.[现有技术文献]
[0004]
[专利文献]
[0005]
[专利文献1]日本专利特开2020-47885号公报


技术实现要素：

[0006]
[发明所要解决的问题]
[0007]
然而，在专利文献1所记载的基板处理装置中，只不过是通过流体供给部向处理槽的内槽供给惰性气体而在贮存于内槽的处理液内形成气泡。因此，惰性气体的有效性是有限的。
[0008]
因此，本技术的发明人对可提高惰性气体的有效性而有效果地对基板进行处理的技术反复进行了努力研究。
[0009]
本发明的目的在于提供一种可提高惰性气体的有效性而有效果地对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
[0010]
[解决问题的技术手段]
[0011]
根据本发明的一方面，基板处理装置包括：处理槽、第一盖体、外槽、处理液导入部、第一气体供给部、以及第二气体供给部。处理槽贮存用来浸渍基板的处理液。第一盖体覆盖所述处理槽的上部开口。外槽配置于所述处理槽的外侧，供所述处理液中的从所述处理槽溢出的处理液流入。处理液导入部能够将贮存于所述外槽的处理液导入至所述处理槽。第一气体供给部向贮存于所述处理槽的所述处理液供给第一惰性气体。第二气体供给部向所述外槽的内部供给第二惰性气体。
[0012]
在本发明的一实施例中，优选为基板处理装置还包括基板保持部。优选为基板保持部沿着规定方向保持多个所述基板，并将所述多个基板浸渍于所述处理槽中所贮存的所述处理液。优选为所述处理槽包括沿着所述规定方向延伸的一对侧壁。优选为所述第一盖体包括与所述处理液接触的接触部。优选为所述接触部相对于所述多个基板分隔。优选为所述接触部包括第一倾斜部以及第二倾斜部。优选为第一倾斜部在所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口的状态下，从与所述多个基板的顶部相向的位置朝向所述一对侧壁中的其中一个侧壁之侧向斜上方倾斜。优选为第二倾斜部在所述第一盖体覆盖所述处理槽
的所述上部开口的状态下，从与所述多个基板的顶部相向的所述位置朝向所述一对侧壁中的另一个侧壁之侧向斜上方倾斜。
[0013]
在本发明的一实施例中，优选为所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部，朝向下方喷出所述第二惰性气体。
[0014]
在本发明的一实施例中，优选为所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部，朝向上方喷出所述第二惰性气体。
[0015]
在本发明的一实施例中，优选为基板处理装置还包括气体流量调节部以及第一控制部。优选为气体流量调节部对所述第一惰性气体的流量进行调节。优选为第一控制部对所述气体流量调节部进行控制。优选为所述第一控制部对所述气体流量调节部进行控制，以使所述基板未浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气体的流量比将所述基板浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气体的流量大。
[0016]
在本发明的一实施例中，优选为所述第一控制部对所述气体流量调节部进行控制，以使在所述基板未浸渍于所述处理液的所述期间中，所述第一惰性气体的流量成为最大流量。
[0017]
在本发明的一实施例中，优选为所述处理液导入部包括配管以及泵。优选为配管将所述外槽与所述处理槽连接，供所述处理液流动。优选为泵经由所述配管而从所述外槽朝向所述处理槽送出所述处理液。优选为所述基板处理装置还包括对所述泵进行控制的第二控制部。优选为所述第二控制部对所述泵进行控制，以使将所述基板浸渍于所述处理液的期间中的在所述配管中流动的所述处理液的流量比所述基板未浸渍于所述处理液的期间中的在所述配管中流动的所述处理液的流量小。
[0018]
在本发明的一实施例中，优选为所述第二控制部在将所述基板浸渍于所述处理液的所述期间中使所述泵停止。
[0019]
在本发明的一实施例中，优选为所述第二控制部对所述泵进行控制，以使在所述基板未浸渍于所述处理液的所述期间中，在所述配管中流动的所述处理液的流量成为最大流量。
[0020]
在本发明的一实施例中，优选为基板处理装置还包括第二盖体。优选为第二盖体覆盖所述外槽的上部开口。优选为所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口及所述第二盖体。
[0021]
在本发明的一实施例中，优选为所述处理液为碱性。
[0022]
根据本发明的另一方面，基板处理方法由基板处理装置执行，所述基板处理装置包括：处理槽，贮存对基板进行处理的处理液；外槽，供所述处理液中的从所述处理槽溢出的处理液流入；以及处理液导入部，能够将贮存于所述外槽的处理液导入至所述处理槽。基板处理方法包括第一气体供给工序以及第二气体供给工序。在第一气体供给工序中，向贮存于所述处理槽的所述处理液供给第一惰性气体。在第二气体供给工序中，向所述外槽的内部供给第二惰性气体。
[0023]
[发明的效果]
[0024]
通过本发明，可提供一种可提高惰性气体的有效性而有效果地对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
附图说明
[0025]
图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的示意性剖面图。
[0026]
图2是表示本实施方式的处理液的溶解氧浓度与蚀刻量的关系的图表。
[0027]
图3是表示本实施方式的气泡的供给时间与处理液中的溶解氧浓度的关系的图表。
[0028]
图4a是表示本实施方式的基板浸渍于处理液之前的状态的图。图4b是表示本实施方式的基板浸渍于处理液的状态的图。
[0029]
图5是表示本实施方式的第一盖体及第二盖体拆下时的基板处理装置的示意性平面图。
[0030]
图6是沿着图5的vi-vi线的剖面图。
[0031]
图7是表示本实施方式的第一盖体拆下时的基板处理装置的示意性平面图。
[0032]
图8是表示本实施方式的第一盖体的示意性平面图。
[0033]
图9a是表示本实施方式的第一盖体关闭的状态的示意图。图9b是表示本实施方式的第一盖体打开的状态的示意图。
[0034]
图10是表示本实施方式的第一气体供给部的示意性平面图。
[0035]
图11是表示本实施方式的导入部的示意性后视图。
[0036]
图12是表示本实施方式的处理槽内的处理液的溶解氧浓度的控制的图。
[0037]
图13是表示本实施方式的基板处理方法的前段的流程图。
[0038]
图14是表示本实施方式的基板处理方法的后段的流程图。
[0039]
图15是表示本实施方式的基板处理方法的另一例中的后段的流程图。
[0040]
图16是表示本实施方式的第一变形例的基板处理装置的示意性剖面图。
[0041]
图17是表示第一变形例的第一盖体关闭的状态的示意图。
[0042]
图18是表示本实施方式的第二变形例的基板处理装置的示意性剖面图。
[0043]
图19是表示第二变形例的外槽及第二气体供给管的示意性剖面图。
[0044]
图20是表示本发明的实施例1中的处理液的溶解氧浓度的时间变化(无第一惰性气体)的图表。
[0045]
图21是表示本发明的实施例2中的处理液的溶解氧浓度的时间变化(有第一惰性气体)的图表。
[0046]
图22是在第一惰性气体的各流量下表示本发明的实施例3中的处理液的溶解氧浓度的时间变化的图表。
[0047]
[符号的说明]
[0048]
21：第一气体供给管
[0049]
25：第二气体供给管
[0050]
25a：第一配管部
[0051]
25b：第二配管部
[0052]
25c：第三配管部
[0053]
25d：第四配管部
[0054]
25e：第五配管部
[0055]
25f：第六配管部
[0056]
26、41、146、156、166、170b：阀
[0057]
31：板
[0058]
31a：中央区域
[0059]
42：过滤器
[0060]
43：流量计
[0061]
44：调节阀
[0062]
50a：第一铰链门部
[0063]
50b：第二铰链门部
[0064]
51：分隔部
[0065]
51a：第一分隔部
[0066]
51b：第二分隔部
[0067]
51c、112a：开口
[0068]
52、52x：接触部
[0069]
52a：第一接触部
[0070]
52b：第二接触部
[0071]
53a：第一支撑部
[0072]
53b：第二支撑部
[0073]
54a、54b：端面
[0074]
55a：第一倾斜部
[0075]
55b：第二倾斜部
[0076]
60a：第一驱动机构
[0077]
60b：第二驱动机构
[0078]
61a：第一旋转轴
[0079]
61b：第二旋转轴
[0080]
62a：第一连结部
[0081]
62b：第二连结部
[0082]
63a：第一驱动部
[0083]
63b：第二驱动部
[0084]
100、100a、100b：基板处理装置
[0085]
105：处理槽
[0086]
105a、105b：侧壁
[0087]
105c：前壁
[0088]
105d：后壁
[0089]
105u：上缘
[0090]
106a、110a：上部开口
[0091]
110：外槽
[0092]
110b：间隙
[0093]
111：第一盖体
[0094]
112：第二盖体
[0095]
112b：缘
[0096]
112c：处理液孔
[0097]
112d：稀释液孔
[0098]
112x：一部分
[0099]
113：处理室
[0100]
115：导入室
[0101]
117a：第一贮存部
[0102]
117b：第二贮存部
[0103]
117c：第三贮存部
[0104]
117d：第四贮存部
[0105]
120：基板保持部
[0106]
122：主体板
[0107]
124：保持棒
[0108]
125：处理液导入部
[0109]
126：升降单元
[0110]
130：导入部
[0111]
131：喷出部
[0112]
132：分散板
[0113]
133、154、164、181、185：配管
[0114]
140：循环部
[0115]
141：循环配管(配管)
[0116]
142：泵
[0117]
143：加热器
[0118]
144：过滤器
[0119]
145：调整阀
[0120]
150：处理液供给部
[0121]
160：稀释液供给部
[0122]
170：排液部
[0123]
170a：排液配管
[0124]
180：气体流量调节部
[0125]
182：气体流量调节机构
[0126]
200：第一气体供给部
[0127]
210：第二气体供给部
[0128]
220：控制装置
[0129]
221：控制部
[0130]
223：存储部
[0131]
a1：第一控制部
[0132]
a2：第二控制部
[0133]
a3：第三控制部
[0134]
bb：气泡
[0135]
cl：假想中心线
[0136]
d：铅垂方向
[0137]
d10：第一方向
[0138]
d20：第二方向
[0139]
da：方向
[0140]
g1～g3、q1～q9：曲线
[0141]
ga、gb、gc：流量
[0142]
ga1：第一惰性气体
[0143]
ga2：第二惰性气体
[0144]
h1：第一喷出孔
[0145]
h2：第二喷出孔
[0146]
lq：处理液
[0147]
p：处理液孔
[0148]
pa、pb：泵流量(流量)
[0149]
ps：位置
[0150]
s1～s14、s101～s109：工序
[0151]
t1～t5：时刻
[0152]
t1～t5：期间
[0153]
tka：处理液供给源
[0154]
tkb：稀释液供给源
[0155]
tkc：惰性气体供给源
[0156]
tp：顶部
[0157]
w：基板
[0158]
x、y、z：轴
[0159]
za、zb：部位
具体实施方式
[0160]
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在图中，对相同或相当部分标注相同的参照符号并不重复说明。另外，在图中，为了容易理解，适宜图示了x轴、y轴及z轴。x轴、y轴及z轴相互正交，x轴及y轴与水平方向平行，z轴与铅垂方向平行。此外，“俯视”表示从铅垂上方观察对象。“后视”表示从铅垂下方观察对象。
[0161]
参照图1～图15对本发明的实施方式的基板处理装置100进行说明。首先，参照图1对基板处理装置100进行说明。图1是表示基板处理装置100的示意性剖面图。图1所示的基板处理装置100为批次式，利用处理液lq一并对多个基板w进行处理。基板处理装置100也可对一张基板w进行处理。
[0162]
基板处理装置100包括：处理槽105、外槽110、第一盖体111、第二盖体112、基板保持部120、处理液导入部125、排液部170、气体流量调节部180、第一气体供给部200、第二气体供给部210、以及控制装置220。
[0163]
处理槽105贮存用来浸渍多个基板w的处理液lq。处理槽105能够收容多个基板w。处理槽105在处理液lq中浸渍多个基板w，对多个基板w进行处理。处理液lq例如为蚀刻液。
[0164]
以下，在本实施方式中，作为一例，对处理液lq为碱性的情况进行说明。碱性的处理液lq例如为包含四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide，tmah)的水溶液、包含三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵(trimethyl-2-hydroxyethyl ammonium hydroxide，tmy)的水溶液、氢氧化铵(氨水)、或氨过氧化氢水混合液(sc1)。碱性的处理液lq例如为碱性的蚀刻液(以下，为“碱性蚀刻液”)。
[0165]
第一盖体111覆盖处理槽105的上部开口106a。上部开口106a在铅垂方向d上向上开口。第一盖体111例如为合成树脂制。例如，第一盖体111的原材料为聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，ptfe)。第一盖体111包括分隔部51以及接触部52。分隔部51在第一盖体111关闭的状态下，相对于处理槽105内的处理液lq分隔。分隔部51例如具有大致平板形状。接触部52在第一盖体111关闭的状态下，从处理槽105内的处理液lq的上方与处理液lq接触。具体而言，在第一盖体111关闭的状态下，接触部52的下部与处理槽105内的处理液lq接触。在图1的例子中，在第一盖体111关闭的状态下，接触部52的下部从上部开口106a进入至处理槽105，没入至处理槽105内的处理液lq。另外，在第一盖体111关闭的状态下，接触部52相对于多个基板w在铅垂方向d上分隔。接触部52例如具有大致平板形状。
[0166]
外槽110配置于处理槽105的外侧。外槽110包围处理槽105。贮存于处理槽105的处理液lq中的从处理槽105溢出的处理液lq流入至外槽110。外槽110的上缘的高度比处理槽105的上缘的高度高。
[0167]
第二盖体112覆盖外槽110的上部开口110a。上部开口110a在铅垂方向d上向上开口。在第二盖体112与处理槽105的上端之间存在间隙110b。从处理槽105溢出的处理液lq通过间隙110b而流入至外槽110。第二盖体112例如为合成树脂制。例如，第二盖体112的原材料为ptfe。
[0168]
基板保持部120保持多个基板w。基板保持部120也可保持一张基板w。基板保持部120将隔开间隔地排布的多个基板w浸渍于处理槽105中所贮存的处理液lq。
[0169]
处理液导入部125能够将贮存于外槽110的处理液lq导入至处理槽105。排液部170将处理槽105的处理液lq排出。
[0170]
第一气体供给部200向贮存于处理槽105的处理液lq供给第一惰性气体ga1。第一气体供给部200配置于处理槽105的内部。第一惰性气体ga1例如为氮或氩。具体而言，第一气体供给部200向贮存于处理槽105的处理液lq供给第一惰性气体ga1的气泡bb。
[0171]
详细而言，第一气体供给部200包括至少一个第一气体供给管21。在本实施方式中，第一气体供给部200包括多个第一气体供给管21。多个第一气体供给管21配置于处理槽105的内部。多个第一气体供给管21配置于处理槽105的底部侧。多个第一气体供给管21各者具有多个第一喷出孔h1。多个第一气体供给管21各者通过从多个第一喷出孔h1各者喷出第一惰性气体ga1，而从各第一喷出孔h1向处理液lq供给气泡bb。具体而言，多个第一气体供给管21各者在基板w浸渍于处理液lq的状态下，从基板w的下方自多个第一喷出孔h1各者对处理液lq供给气泡bb。第一气体供给管21例如为起泡器管。第一气体供给管21的材质例如为石英或树脂。第一气体供给管21的管径并无特别限定，例如为约6.0mm。第一喷出孔h1的直径并无特别限定，例如为约0.2mm。
[0172]
气体流量调节部180对向第一气体供给部200供给的第一惰性气体ga1的流量进行调节。具体而言，气体流量调节部180通过对向第一气体供给部200供给的第一惰性气体ga1的流量进行调节，而对第一气体供给部200向处理液lq供给的气泡bb进行调节。更具体而言，气体流量调节部180通过对向各第一气体供给管21供给的第一惰性气体ga1的流量进行调节，而对各第一气体供给管21从多个第一喷出孔h1向处理液lq供给的气泡bb进行调节。
[0173]
第二气体供给部210向外槽110的内部供给第二惰性气体ga2。第二气体供给部210配置于外槽110的内部。第二惰性气体ga2例如为氮或氩。在本实施方式中，第二惰性气体ga2与第一惰性气体ga1相同。具体而言，第二气体供给部210包括第二气体供给管25。第二气体供给管25配置于外槽110的内部。第二气体供给管25具有多个第二喷出孔h2。第二气体供给管25从多个第二喷出孔h2各者向外槽110的内部喷出第二惰性气体ga2。第二气体供给管25的材质例如为石英或树脂。第二气体供给管25的管径并无特别限定，例如为约6.0mm。第二喷出孔h2的直径并无特别限定，例如为约0.2mm。
[0174]
控制装置220对基板处理装置100的各结构进行控制。具体而言，控制装置220对第一盖体111、基板保持部120、处理液导入部125、排液部170、气体流量调节部180、及第二气体供给部210进行控制。
[0175]
具体而言，控制装置220包括控制部221以及存储部223。控制部221包括中央处理器(central processing unit，cpu)等处理器。存储部223包含存储装置，存储数据及计算机程序。控制部221的处理器执行存储部223的存储装置所存储的计算机程序来对基板处理装置100的各结构进行控制。例如，存储部223包括半导体存储器等主存储装置、以及半导体存储器及硬盘驱动器等辅助存储装置。存储部223可包括光盘等可移动介质。存储部223例如为非暂时性的计算机可读取的存储介质。控制装置220可包括输入装置及显示装置。
[0176]
以上，如参照图1所说明那样，根据本实施方式，第一气体供给部200通过向处理槽105的处理液lq供给第一惰性气体ga1(气泡bb)，而将溶解于处理液lq中的氧置换为第一惰性气体ga1。因此，与不供给第一惰性气体ga1的情况相比，可使处理槽105的处理液lq的溶解氧浓度下降。其结果，可利用处理液lq有效果地对浸渍于处理液lq的基板w进行处理。即，通过供给第一惰性气体ga1(气泡bb)，使处理液lq的溶解氧浓度下降，因此与不供给第一惰性气体ga1的情况相比，可增多处理液lq对基板w的处理量。在本实施方式中，作为一例，处理液lq对基板w的处理是对基板w的蚀刻。在此情况下，处理液lq对基板w的处理量是对基板w的蚀刻量。因此，通过供给第一惰性气体ga1(气泡bb)，可增多处理液lq对基板w的蚀刻量。
[0177]
另外，在处理液lq为碱性的情况下，特别是当利用第一惰性气体ga1(气泡bb)使处理液lq的溶解氧浓度下降时，可进一步增多处理液lq对基板w的处理量。其结果，可提高对基板w进行处理时的生产率。
[0178]
特别是在本实施方式中，由于向外槽110的内部供给第二惰性气体ga2，因此可抑制氧溶解于外槽110内的处理液lq中。因此，与不供给第二惰性气体ga2的情况相比，溶解氧浓度低的处理液lq通过处理液导入部125而从外槽110导入至处理槽105。其结果，可抑制“处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度因从外槽110导入的处理液lq而上升”。因此，可利用处理液lq更有效果地对浸渍于处理液lq的基板w进行处理。即，不仅向处理槽105的处理液lq供给第一惰性气体ga1，而且向外槽110的内部供给第二惰性气体ga2，由此与仅使用第一惰性气体ga1的情况相比，可利用处理液lq更有效果地对基板w进行处理。如此，可提高惰
性气体的有效性而有效果地对基板w进行处理。
[0179]
另外，根据本实施方式，通过向处理液lq供给第一惰性气体ga1(气泡bb)，可将与基板w的表面接触的处理液lq有效果地置换为新鲜的处理液lq。其结果，当在基板w的表面形成有包含凹部的表面图案的情况下，可利用扩散现象将凹部内的处理液lq有效果地置换为新鲜的处理液lq。因此，可利用处理液lq有效果地对表面图案的凹部内的壁面从浅的位置至深的位置进行处理(蚀刻)。
[0180]
优选为第二气体供给部210配置于外槽110的内部，从各第二喷出孔h2朝向下方喷出第二惰性气体ga2。根据所述优选的例子，可有效果地抑制氧溶解于外槽110中所贮存的处理液lq中。其原因在于，向外槽110内的处理液lq的液面喷出第二惰性气体ga2，并且充满外槽110内。作为一例，第二气体供给部210配置于外槽110内的处理液lq的上方。此外，“下方”例如为铅垂方向d下侧(铅垂下方)。
[0181]
具体而言，第二气体供给管25配置于外槽110的内部，从各第二喷出孔h2朝向下方喷出第二惰性气体ga2。在此情况下，例如，第二喷出孔h2朝向铅垂方向d下侧。即，第二喷出孔h2配置于第二气体供给管25的底部。
[0182]
另外，在本实施方式中，第一盖体111覆盖处理槽105的上部开口106a及第二盖体112。因此，可更有效果地抑制氧溶解于处理槽105内的处理液lq及外槽110内的处理液lq中。另外，通过设置第二盖体112，可抑制第二惰性气体ga2从外槽110流出。其结果，可更有效果地抑制氧溶解于外槽110内的处理液lq中。
[0183]
进而，在本实施方式中，第一盖体111的接触部52从处理槽105内的处理液lq的上方覆盖处理液lq的液面，并且与处理液lq接触。因此，可抑制处理槽105内的处理液lq暴露于氧中。其结果，可更有效果地抑制氧溶解于处理槽105内的处理液lq中。
[0184]
接着，参照图2对溶解氧浓度与蚀刻量的关系进行说明。图2是表示处理液lq的溶解氧浓度与蚀刻量的关系的图表。横轴表示处理液lq中的溶解氧浓度(ppm)，纵轴表示基板w的蚀刻量。
[0185]
图2示出了使用tmah作为处理液lq时的实施例。tmah的浓度为0.31％。第一惰性气体ga1为氮。未使用第二惰性气体ga2。其原因在于，本实施例的目的在于验证处理液lq的溶解氧浓度与蚀刻量的关系，因此简化了实验系统。
[0186]
在基板w形成有多晶硅膜(多晶硅层)。图2示出了将基板w浸渍于tmah时的多晶硅膜的蚀刻量。蚀刻量是从在tmah中浸渍前的多晶硅膜的厚度减去浸渍后的多晶硅膜的厚度而得的值。有时将蚀刻量记载为“基板w的蚀刻量”。
[0187]
如图2所示，处理液lq的溶解氧浓度越低，基板w的蚀刻量(处理量)越多。蚀刻量(处理量)与溶解氧浓度大致成正比。比例常数为“负”。
[0188]
接着，参照图3对第一惰性气体ga1的流量与溶解氧浓度的关系进行说明。图3是在第一惰性气体ga1的各流量下表示第一惰性气体ga1(气泡bb)的供给时间与处理液lq的溶解氧浓度的关系的图表。横轴表示第一惰性气体ga1的供给时间(小时(hour))，纵轴表示处理液lq的溶解氧浓度(ppm)。
[0189]
图3示出了使用tmah作为处理液lq时的实施例。tmah的浓度为0.31％。第一惰性气体ga1为氮。未使用第二惰性气体ga2。其原因在于，本实施例的目的在于验证惰性气体的流量与溶解氧浓度的关系，因此简化了实验系统。另外，在循环配管141(图1)中，利用泵142
(图1)的处理液lq的流量为23升/分钟。
[0190]
曲线g1表示第一惰性气体ga1的流量为10升/分钟时的溶解氧浓度。曲线g2表示第一惰性气体ga1的流量为20升/分钟时的溶解氧浓度。曲线g3表示第一惰性气体ga1的流量为30升/分钟时的溶解氧浓度。在此情况下，第一惰性气体ga1的流量表示向一根第一气体供给管21供给的流量。
[0191]
如根据曲线g1～曲线g3可理解那样，在约1小时时，处理液lq的溶解氧浓度大致恒定。另外，在溶解氧浓度大致恒定的状态下，第一惰性气体ga1的流量越多，处理液lq的溶解氧浓度越下降。换言之，在溶解氧浓度大致恒定的状态下，向处理液lq供给的气泡bb越多，处理液lq的溶解氧浓度越下降。其原因在于，第一惰性气体ga1的流量越多，向处理液lq供给的气泡bb越多。
[0192]
以上，如根据图2及图3的实施例可理解那样，第一惰性气体ga1的流量越多，溶解氧浓度越下降，因此第一惰性气体ga1的流量越多，基板w的蚀刻量(处理量)越多。即，向处理液lq供给的气泡bb越多，溶解氧浓度越下降，因此气泡bb越多，基板w的蚀刻量(处理量)越多。
[0193]
接着，参照图4a及图4b对处理槽105、外槽110、及基板保持部120进行说明。图4a及图4b是将基板w投入至处理槽105之前及之后的基板处理装置100的示意性立体图。此外，在图4a及图4b中，为了避免附图变得过度复杂，省略了图1所示的第一盖体111、第二盖体112、处理槽105内的处理液lq、及外槽110内的处理液lq进行表示。另外，在图4a及图4b中，示出了在处理槽105中对一批(例如25张)基板w进行处理的例子。
[0194]
如图4a所示，处理槽105包括：一对侧壁105a、105b、前壁105c、以及后壁105d。
[0195]
一对侧壁105a、105b沿着第一方向d10延伸。一对侧壁105a、105b在第二方向d20上隔开间隔地配置。一对侧壁105a、105b各者具有大致平板形状，且与铅垂方向d大致平行。
[0196]
前壁105c及后壁105d沿着第二方向d20延伸。前壁105c及后壁105d在第一方向d10上隔开间隔地配置。前壁105c及后壁105d各者具有大致平板形状，且与铅垂方向d大致平行。前壁105c及后壁105d相对于一对侧壁105a、105b呈大致直角。
[0197]
外槽110包围处理槽105。具体而言，外槽110至少包围处理槽105的上部周面。更具体而言，外槽110包括第一贮存部117a、第二贮存部117b、第三贮存部117c、以及第四贮存部117d。第一贮存部117a～第四贮存部117d贮存从处理槽105溢出的处理液lq。
[0198]
第一贮存部117a沿着侧壁105a延伸。第一贮存部117a沿着第一方向d10延伸。第一贮存部117a配置于侧壁105a的上部外侧。
[0199]
第二贮存部117b沿着侧壁105b延伸。第二贮存部117b配置于侧壁105b的上部外侧。第二贮存部117b沿着第一方向d10延伸。
[0200]
第三贮存部117c沿着前壁105c延伸。第三贮存部117c沿着第二方向d20延伸。第三贮存部117c配置于前壁105c的外侧。第三贮存部117c从前壁105c的上部延伸至下部。
[0201]
第四贮存部117d沿着后壁105d延伸。第四贮存部117d配置于后壁105d的上部外侧。第四贮存部117d沿着第二方向d20延伸。
[0202]
基板保持部120沿着第一方向d10保持多个基板w。具体而言，基板保持部120在第一方向d10上隔开间隔地保持多个基板w(一批基板w)。多个基板w沿着第一方向d10排列成一列。换言之，第一方向d10表示多个基板w的排列方向。第一方向d10与水平方向大致平行，
且与铅垂方向d大致垂直。另外，多个基板w各者与第二方向d20大致平行。第二方向d20与第一方向d10及铅垂方向d大致正交，且与水平方向大致平行。
[0203]
第一方向d10相当于本发明的“规定方向”的一例。
[0204]
在图4a中，基板保持部120位于处理槽105的上方。基板保持部120在保持多个基板w的状态下沿着铅垂方向d下降。由此，将多个基板w投入至处理槽105。如图4b所示，当基板保持部120下降至处理槽105时，多个基板w浸渍于处理槽105内的处理液lq。
[0205]
接着，参照图5及图6对第二气体供给部210(图1)进行说明。图5是表示拆下第一盖体111及第二盖体112(图1)时的基板处理装置100的示意性平面图。另外，在图5中，未向处理槽105投入基板w。
[0206]
如图5所示，第二气体供给部210包括第二气体供给管25以及阀26。第二气体供给管25配置于外槽110的内部。第二气体供给管25包围处理槽105。具体而言，第二气体供给管25包括：第一配管部25a、第二配管部25b、第三配管部25c、第四配管部25d、第五配管部25e、以及第六配管部25f。
[0207]
第一配管部25a配置于第三贮存部117c的内部。具体而言，第一配管部25a在第三贮存部117c的内部配置于上侧区域。第一配管部25a沿着第一方向d10延伸。第一配管部25a从外槽110的内部延伸至外部。
[0208]
第二配管部25b配置于第三贮存部117c的内部。具体而言，第二配管部25b在第三贮存部117c的内部配置于上侧区域。第二配管部25b从第一配管部25a的下游端弯曲，并沿着前壁105c延伸。第二配管部25b沿着第二方向d20延伸。
[0209]
第三配管部25c配置于第一贮存部117a的内部。具体而言，第三配管部25c在第一贮存部117a的内部配置于上侧区域。第三配管部25c从第二配管部25b的下游端弯曲，并沿着侧壁105a延伸。第三配管部25c沿着第一方向d10延伸。
[0210]
第四配管部25d配置于第四贮存部117d的内部。具体而言，第四配管部25d在第四贮存部117d的内部配置于上侧区域。第四配管部25d从第三配管部25c的下游端弯曲，并沿着后壁105d延伸。第四配管部25d沿着第二方向d20延伸。
[0211]
第五配管部25e配置于第二贮存部117b的内部。具体而言，第五配管部25e在第二贮存部117b的内部配置于上侧区域。第五配管部25e从第四配管部25d的下游端弯曲，并沿着侧壁105b延伸。第五配管部25e沿着第一方向d10延伸。
[0212]
第六配管部25f配置于第三贮存部117c的内部。具体而言，第六配管部25f在第三贮存部117c的内部配置于上侧区域。第六配管部25f从第五配管部25e的下游端弯曲，并沿着前壁105c延伸。第六配管部25f沿着第二方向d20延伸。第六配管部25f的下游端被阻塞。
[0213]
在第一配管部25a～第六配管部25f各者设置有多个第二喷出孔h2(图1)。因此，在第一贮存部117a～第四贮存部117d的任一者中，均可抑制氧溶解于处理液lq中。
[0214]
基板处理装置100还包括配管185。配管185经由阀26而将第二气体供给管25(具体而言为第一配管部25a)与惰性气体供给源tkc连接。惰性气体供给源tkc贮存惰性气体。惰性气体是第一惰性气体ga1及第二惰性气体ga2。其原因在于，在本实施方式中，第一惰性气体ga1及第二惰性气体ga2是相同的惰性气体。
[0215]
惰性气体供给源tkc经由阀26及配管185而向第二气体供给管25供给第二惰性气体ga2。
[0216]
具体而言，阀26在处理槽105及外槽110的外侧配置于配管185。阀26通过将配管185的流路开放，而从惰性气体供给源tkc对第二气体供给管25供给第二惰性气体ga2。另一方面，阀26通过将配管185的流路阻塞，而停止从惰性气体供给源tkc向第二气体供给管25供给第二惰性气体ga2。
[0217]
图6是沿着图5的vi-vi线的剖面图。如图6所示，第二气体供给管25配置于外槽110内的处理液lq的上方。在第二气体供给管25中，多个第二喷出孔h2在第一方向d10上隔开间隔地配置于大致一条直线上。而且，多个第二喷出孔h2朝向铅垂方向d下侧开口，并相对于处理液lq的液面在铅垂方向d上相向。第二气体供给管25从多个第二喷出孔h2朝向外槽110内的处理液lq的液面喷出第二惰性气体ga2。
[0218]
接着，参照图7对第二盖体112进行说明。图7是表示拆下第一盖体111(图1)时的基板处理装置100的示意性平面图。另外，在图7中，未向处理槽105投入基板w。
[0219]
如图7所示，第二盖体112覆盖外槽110的上部开口110a。第二盖体112具有开口112a。开口112a具有大致矩形形状。开口112a的缘112b在比处理槽105的上缘105u更靠内侧处，沿着处理槽105的上缘105u延伸。
[0220]
另外，第二盖体112具有处理液孔112c及稀释液孔112d。进而，基板处理装置100还包括处理液供给部150以及稀释液供给部160。
[0221]
处理液供给部150接受控制部221(图1)的控制，从处理液孔112c将处理液lq供给至外槽110。处理液供给部150例如在处理槽105及外槽110的清洗后或处理液lq的更换时将处理液lq供给至外槽110。
[0222]
具体而言，处理液供给部150包括配管154以及阀156。从处理液供给源tka向配管154供给处理液lq。在配管154配置有阀156。当阀156打开时，从配管154通过处理液孔112c向外槽110内供给处理液lq。然后，处理液lq从外槽110由处理液导入部125(图1)供给至处理槽105。此外，也可将处理液lq直接供给至处理槽105。
[0223]
稀释液供给部160接受控制部221(图1)的控制，将稀释液供给至外槽110。具体而言，稀释液供给部160包括配管164以及阀166。从稀释液供给源tkb向配管164供给稀释液。在配管164配置有阀166。当阀166打开时，从配管164通过稀释液孔112d向外槽110内供给稀释液。
[0224]
接着，参照图8以及图9a及图9b对第一盖体111进行说明。图8是表示第一盖体111的示意性平面图。如图8所示，第一盖体111的分隔部51具有开口51c。开口51c具有大致矩形形状。开口51c沿着第二方向d20延伸。开口51c在铅垂方向d上与第二盖体112的开口112a的一部分112x(图7)重叠。而且，基板保持部120(图4a及图4b)的主体板122插通开口51c。
[0225]
另外，在第一盖体111中，分隔部51包括第一分隔部51a以及第二分隔部51b。第一分隔部51a及第二分隔部51b各者具有大致平板形状。另外，接触部52包括第一接触部52a以及第二接触部52b。第一接触部52a及第二接触部52b各者具有大致平板形状。
[0226]
第一分隔部51a与第一接触部52a构成第一铰链门部50a。第一分隔部51a与第一接触部52a可一体成形，也可为单独的构件。在第一分隔部51a与第一接触部52a为单独的构件的情况下，将第一分隔部51a与第一接触部52a连接。
[0227]
第二分隔部51b与第二接触部52b构成第二铰链门部50b。第二分隔部51b与第二接触部52b可一体成形，也可为单独的构件。在第二分隔部51b与第二接触部52b为单独的构件
的情况下，将第二分隔部51b与第二接触部52b连接。
[0228]
第一盖体111还包括第一支撑部53a以及第二支撑部53b。另外，基板处理装置100还包括第一驱动机构60a以及第二驱动机构60b。第一驱动机构60a包括第一旋转轴61a、第一连结部62a、以及第一驱动部63a。第二驱动机构60b包括第二旋转轴61b、第二连结部62b、以及第二驱动部63b。
[0229]
第一支撑部53a支撑第一铰链门部50a。第一驱动机构60a与第一支撑部53a连接。第一驱动机构60a经由第一支撑部53a驱动第一铰链门部50a旋转，由此使第一铰链门部50a相对于处理槽105的上部开口106a(图1)打开/关闭。
[0230]
具体而言，第一支撑部53a在第一盖体111的第二方向d20的其中一侧与第一分隔部51a的第一方向d10的其中一端连接。第一支撑部53a沿着第一方向d10延伸。在第一支撑部53a连接有第一旋转轴61a。第一旋转轴61a沿着第一方向d10延伸。另外，第一连结部62a为连结机构，且将第一旋转轴61a与第一驱动部63a连结。第一驱动部63a经由第一连结部62a而使第一旋转轴61a旋转。其结果，第一支撑部53a旋转，而由第一支撑部53a支撑的第一铰链门部50a旋转。如此，第一驱动部63a驱动第一铰链门部50a绕第一旋转轴61a旋转。第一驱动部63a例如包括马达或气缸。
[0231]
第二支撑部53b支撑第二铰链门部50b。第二驱动机构60b与第二支撑部53b连接。第二驱动机构60b经由第二支撑部53b而驱动第二铰链门部50b旋转，由此使第二铰链门部50b相对于处理槽105的上部开口106a(图1)打开/关闭。
[0232]
具体而言，第二支撑部53b在第一盖体111的第二方向d20的另一侧与第二分隔部51b的第一方向d10的其中一端连接。第二支撑部53b沿着第一方向d10延伸。在第二支撑部53b连接有第二旋转轴61b。第二旋转轴61b沿着第一方向d10延伸。另外，第二连结部62b为连结机构，且将第二旋转轴61b与第二驱动部63b连结。第二驱动部63b经由第二连结部62b而使第二旋转轴61b旋转。其结果，第二支撑部53b旋转，而由第二支撑部53b支撑的第二铰链门部50b旋转。如此，第二驱动部63b驱动第二铰链门部50b绕第二旋转轴61b旋转。第二驱动部63b例如包括马达或气缸。
[0233]
图9a是表示第一盖体111关闭的状态的示意图。图9b是表示第一盖体111打开的状态的示意图。在图9a及图9b中，从图8的方向da观察第一盖体111。
[0234]
如图9a所示，通过第一铰链门部50a及第二铰链门部50b关闭，第一盖体111关闭。
[0235]
在第一盖体111关闭的状态下，第一铰链门部50a覆盖处理槽105的上部开口106a的第二方向d20其中一侧。因此，第一接触部52a与处理液lq的液面的第二方向d20其中一侧接触。在图9a的例子中，第一接触部52a的下部没入至处理液lq的液面的第二方向d20其中一侧。
[0236]
在第一盖体111关闭的状态下，第二铰链门部50b覆盖处理槽105的上部开口106a的第二方向d20另一侧。因此，第二接触部52b与处理液lq的液面的第二方向d20另一侧接触。在图9a的例子中，第二接触部52b的下部没入至处理液lq的液面的第二方向d20另一侧。
[0237]
在第一铰链门部50a及第二铰链门部50b关闭的状态下，第一铰链门部50a的端面54a与第二铰链门部50b的端面54b接触。另外，在第一铰链门部50a及第二铰链门部50b关闭的状态下，第一旋转轴61a及第二旋转轴61b位于比第一铰链门部50a的部位za及第二铰链门部50b的部位zb更靠下方处。其结果，可防止第一铰链门部50a与第二铰链门部50b发生干
涉，因此可顺利地将第一铰链门部50a及第二铰链门部50b打开/关闭。
[0238]
部位za是在第一铰链门部50a及第二铰链门部50b关闭的状态下，接触部52在第二方向d20上的中央处的第一接触部52a的下端部。部位zb是在第一铰链门部50a及第二铰链门部50b关闭的状态下，接触部52在第二方向d20上的中央处的第二接触部52b的下端部。
[0239]
如图9b所示，通过第一旋转轴61a逆时针旋转，第一铰链门部50a将处理槽105的上部开口106a的第二方向d20其中一侧开放。另一方面，通过第一旋转轴61a顺时针旋转，第一铰链门部50a覆盖处理槽105的上部开口106a的第二方向d20其中一侧。
[0240]
通过第二旋转轴61b顺时针旋转，第二铰链门部50b将处理槽105的上部开口106a的第二方向d20另一侧开放。另一方面，通过第二旋转轴61b逆时针旋转，第二铰链门部50b覆盖处理槽105的上部开口106a的第二方向d20另一侧。
[0241]
返回至图1，对基板处理装置100的其他结构的详细情况进行说明。基板保持部120在保持多个基板w的状态下沿着铅垂方向d上升或下降。具体而言，基板保持部120包括主体板122以及多个保持棒124。主体板122是沿铅垂方向d延伸的板。多个保持棒124从主体板122向第一方向d10(图4a及图4b)延伸。多个基板w在隔开间隔地排布的状态下，由多个保持棒124抵接各基板w的下缘而以立起姿势(铅垂姿势)保持。
[0242]
基板保持部120也可还包括升降单元126。升降单元126使主体板122在由基板保持部120保持的多个基板w位于处理槽105内的处理位置(图4b所示的位置)与由基板保持部120保持的多个基板w位于处理槽105的上方的退避位置(图4a所示的位置)之间升降。因此，通过利用升降单元126使主体板122移动至处理位置，由保持棒124保持的多个基板w浸渍于处理液lq。由此，对多个基板w实施处理。
[0243]
处理液导入部125包括导入部130以及循环部140。
[0244]
导入部130向处理槽105导入处理液lq。导入部130在处理槽105的内部配置于第一气体供给部200(具体而言为第一气体供给管21)的下方。
[0245]
具体而言，导入部130包括板31。板31具有大致平板形状。板31将处理槽105的内部分割，而形成处理室113以及导入室115。即，处理槽105具有处理室113以及导入室115。处理室113是在处理槽105的内部比板31更靠上方的室。在处理室113配置有第一气体供给部200。另外，在处理室113配置有基板w。导入室115是在处理槽105的内部比板31更靠下方的室。
[0246]
板31配置于第一气体供给部200的下方。板31覆盖处理槽105的底面。板31相对于铅垂方向d大致垂直。板31具有多个处理液孔p。处理液孔p贯通板31。处理液孔p配置于板31的整个面。处理液孔p朝向铅垂方向d上侧。
[0247]
多个第一气体供给管21在处理槽105的内部配置于板31的上方且基板w的下方。
[0248]
导入部130在处理液lq贮存于处理槽105的状态下，从多个处理液孔p朝向上方将处理液lq导入至处理槽105。因此，导入部130可产生从循环部140供给的处理液lq的层流。即，导入部130通过产生处理液lq的层流而将处理液lq导入至处理槽105。处理液lq的层流从多个处理液孔p沿着大致铅垂方向d向上方流动。
[0249]
根据本实施方式，由于利用处理液lq的层流而将处理液lq导入至处理槽105，因此可抑制第一气体供给部200向处理液lq供给的气泡bb的流动被扰乱。因此，可通过气泡bb有效果地使处理液lq中的溶解氧浓度下降。其结果，可利用处理液lq有效果地对基板w进行处
理(例如蚀刻)。
[0250]
具体而言，导入部130包括至少一个喷出部131以及至少一个分散板132。喷出部131例如为喷嘴或管。分散板132例如为大致平板状。分散板132相对于铅垂方向d大致垂直。喷出部131及分散板132配置于导入室115。
[0251]
喷出部131位于分散板132的下方。喷出部131与分散板132在铅垂方向d上相向。喷出部131将从循环部140供给的处理液lq朝向分散板132喷出。因此，处理液lq与分散板132碰撞。其结果，处理液lq的压力被分散板132分散。即，分散板132将喷出部131所喷出的处理液lq的压力分散。然后，被分散板132分散了压力的处理液lq在导入室115中沿大致水平方向扩展。进而，处理液lq从板31的各处理液孔p沿着铅垂方向d朝向上方作为层流被供给至处理室113。如此，导入部130在产生沿着铅垂方向d的处理液lq的层流这一点上具有处理液lq的整流功能。
[0252]
循环部140通过将从处理槽105溢出并流入至外槽110的处理液lq供给至导入部130，而使处理槽105内的处理液lq循环。
[0253]
具体而言，循环部140包括：循环配管141、泵142、加热器143、过滤器144、调整阀145及阀146。泵142、加热器143、过滤器144、调整阀145及阀146依序从循环配管141的上游朝向下游配置。
[0254]
循环配管141将外槽110与处理槽105连接。而且，循环配管141将从处理槽105溢出并流入至外槽110的处理液lq再次引导至处理槽105。如此，处理液lq在循环配管141中流动。具体而言，循环配管141的上游端与外槽110连接。另一方面，在循环配管141的下游端连接有导入部130(具体而言为喷出部131)。因此，循环配管141将处理液lq从外槽110引导至导入部130(具体而言为喷出部131)。
[0255]
泵142经由循环配管141而从外槽110朝向处理槽105送出处理液lq。具体而言，泵142从循环配管141朝向喷出部131送出外槽110内的处理液lq。因此，喷出部131喷出从循环配管141供给的处理液lq。过滤器144对在循环配管141中流动的处理液lq进行过滤。处理液lq的流量越大，利用过滤器144的过滤的效果越大。
[0256]
加热器143对在循环配管141中流动的处理液lq进行加热。即，加热器143对处理液lq的温度进行调节。调整阀145对循环配管141的开度进行调节，而对向喷出部131供给的处理液lq的流量进行调整。具体而言，调整阀145对在循环配管141中流动的处理液lq的流量进行微调整。这是因为，基本上，在循环配管141中流动的处理液lq的流量由泵142设定。阀146将循环配管141打开/关闭。
[0257]
排液部170包括排液配管170a以及阀170b。而且，在处理槽105的底壁连接有排液配管170a。在排液配管170a配置有阀170b。通过打开阀170b，贮存于处理槽105内的处理液lq通过排液配管170a而排出至外部。所排出的处理液lq被送至排液处理装置(未图示)并进行处理。
[0258]
气体流量调节部180将从惰性气体供给源tkc供给的第一惰性气体ga1供给至多个第一气体供给管21。具体而言，基板处理装置100还包括多个配管181。多个配管181分别与多个第一气体供给管21连接。而且，气体流量调节部180将从惰性气体供给源tkc供给的第一惰性气体ga1从多个配管181分别供给至多个第一气体供给管21。
[0259]
具体而言，气体流量调节部180包括多个气体流量调节机构182。多个气体流量调
节机构182分别与多个配管181连接。即，配管181的一端与第一气体供给管21连接，配管181的另一端与气体流量调节机构182连接。多个气体流量调节机构182分别与多个第一气体供给管21对应地设置。气体流量调节机构182将从惰性气体供给源tkc供给的第一惰性气体ga1经由对应的配管181而供给至对应的第一气体供给管21。另外，气体流量调节机构182对向对应的第一气体供给管21供给的第一惰性气体ga1的流量进行调节。
[0260]
接着，参照图10对第一气体供给部200进行说明。图10是表示第一气体供给部200的示意性平面图。如图10所示，多个第一气体供给管21在俯视时相互大致平行且隔开间隔地配置。在图10的例子中，多个第一气体供给管21相对于假想中心线cl对称地配置。假想中心线cl通过各基板w的中心，沿着第一方向d10延伸。
[0261]
具体而言，多个第一气体供给管21在处理槽105中相互大致平行且在第二方向d20上隔开间隔地配置。第一气体供给管21沿着第一方向d10延伸。在多个第一气体供给管21各者中，多个第一喷出孔h1在第一方向d10上隔开间隔地配置于大致一条直线上。在多个第一气体供给管21各者中，各第一喷出孔h1设置于第一气体供给管21的上部。
[0262]
多个气体流量调节机构182各者包括：阀41、过滤器42、流量计43、以及调节阀44。阀41、过滤器42、流量计43、及调节阀44依序从配管181的下游朝向上游配置于配管181。
[0263]
调节阀44通过对配管181的开度进行调节，而对向配管181供给的第一惰性气体ga1的流量进行调节，来对向第一气体供给管21供给的第一惰性气体ga1的流量进行调节。流量计43对在配管181中流动的第一惰性气体ga1的流量进行测量。调节阀44基于流量计43的测量结果来对第一惰性气体ga1的流量进行调节。此外，例如，也可设置质量流量控制器来代替调节阀44及流量计43。
[0264]
过滤器42从在配管181中流动的第一惰性气体ga1中将异物去除。阀41将配管181打开/关闭。即，阀41切换第一惰性气体ga1从配管181对第一气体供给管21的供给与供给停止。
[0265]
接着，参照图11对导入部130进行说明。图11是表示导入部130的示意性后视图。如图11所示，导入部130包括多个喷出部131以及多个分散板132。在图11的例子中，导入部130包括两个喷出部131以及两个分散板132。多个喷出部131在第一方向d10上隔开间隔地配置。多个分散板132在第一方向d10上隔开间隔地配置。多个分散板132分别与多个喷出部131对应。多个分散板132配置于板31的下方。在图11的例子中，分散板132具有大致圆板形状。多个喷出部131分别配置于多个分散板132的下方。
[0266]
在后视时，喷出部131及分散板132与第二方向d20上的板31的中央区域31a对应地配置。中央区域31a沿着第一方向d10延伸。
[0267]
循环配管141(图1)包括配管133。配管133从板31的第一方向d10的其中一端侧朝向另一端侧延伸。配管133沿着第一方向d10延伸。配管133与板31的背面相向。即，配管133配置于板31的下方。具体而言，配管133配置于比分散板132更靠下方处。
[0268]
喷出部131与配管133的上表面连接。喷出部131与配管133连通。而且，喷出部131朝向分散板132，从配管133向铅垂上方突出。从循环部140(图1)向配管133供给处理液lq。其结果，喷出部131将处理液lq朝向分散板132喷出。因此，处理液lq的压力被分散，处理液lq沿水平方向扩展。然后，处理液lq从多个处理液孔p上升而形成层流。
[0269]
再次参照图1对处理液lq的溶解氧浓度与泵流量及惰性气体流量的关系进行说
明。在本说明书中，所谓泵流量，是指在循环配管141中利用泵142的处理液lq的送出流量。在本实施方式中，泵流量实质上与“在循环配管141中流动的处理液lq的流量”为相同含义。泵流量表示每单位时间的处理液lq的流量。所谓惰性气体流量，是指为了生成气泡bb而向第一气体供给管21供给的第一惰性气体ga1的流量。惰性气体流量由向一根第一气体供给管21供给的第一惰性气体ga1的流量表示。惰性气体流量表示每单位时间的第一惰性气体ga1的流量。这一点对于第二惰性气体ga2也同样。
[0270]
处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度具有下述(1)～(3)的特性。
[0271]
(1)在不向处理槽105内的处理液lq供给第一惰性气体ga1(气泡bb)的情况下，处理液lq的溶解氧浓度随着时间的经过而上升。在此情况下，泵流量越小，处理液lq的溶解氧浓度的上升速度越慢。特性(1)由后述的实施例1(图20)证实。
[0272]
(2)在向处理槽105内的处理液lq供给第一惰性气体ga1(气泡bb)的情况下，处理液lq的溶解氧浓度随着时间的经过而下降，趋同于大致恒定。在此情况下，泵流量越小，处理液lq的溶解氧浓度越小。另外，泵流量越小，处理液lq的溶解氧浓度的下降速度越快。特性(2)由后述的实施例2(图21)证实。
[0273]
(3)在向处理槽105内的处理液lq供给第一惰性气体ga1(气泡bb)的情况下，处理液lq的溶解氧浓度随着时间的经过而下降，趋同于大致恒定。在此情况下，惰性气体流量越大，处理液lq的溶解氧浓度越小。另外，惰性气体流量越大，处理液lq的溶解氧浓度的下降速度越快。特性(3)由后述的实施例3(图22)证实。
[0274]
在本实施方式中，作为优选的例子，控制部221执行基于溶解氧浓度的所述特性(1)～特性(3)的控制。在此情况下，如图1所示，控制部221包括第一控制部a1、第二控制部a2、以及第三控制部a3。具体而言，控制部221的处理器通过执行存储部223的存储装置所存储的计算机程序，而作为第一控制部a1～第三控制部a3发挥功能。第一控制部a1对气体流量调节部180进行控制。第二控制部a2对泵142进行控制。第三控制部a3对第二气体供给部210(具体而言为阀26)进行控制。
[0275]
图12是表示处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度的控制的图。在图12中，横轴表示时间，纵轴表示处理液lq的溶解氧浓度。
[0276]
如图12所示，在时刻t1，处理液供给部150(图7)开始经由外槽110对空的处理槽105供给处理液lq。然后，处理液供给部150当供给规定量的处理液lq时，停止处理液lq的供给。
[0277]
时刻t1～时刻t2是基板w的处理前的期间t1(将基板w浸渍于处理液lq之前的期间t1)。在期间t1中，第一惰性气体ga1的流量为“ga(升/分钟)”。在期间t1中，第二惰性气体ga2的流量为“gc(升/分钟)”。在期间t1中，泵流量(利用泵142的处理液lq的送出流量)为“pa(升/分钟)”。处理前的期间t1中的第一惰性气体ga1的流量ga比前处理的期间t2及处理中的期间t3中的第一惰性气体ga1的流量gb大。
[0278]
时刻t2～时刻t3是前处理的期间t2。所谓前处理，是指将基板w浸渍于处理液lq之前的一定期间中的处理(准备处理)。在前处理的期间t2中，基板保持部120将基板w浸渍于处理液lq。
[0279]
时刻t3～时刻t4是对基板w进行处理的期间t3(将基板w浸渍于处理液lq的期间t3)。然后，在期间t3的结束附近，基板保持部120从处理液lq中将基板w提起。基板w的提起
是在时刻t4之前完成。
[0280]
在期间t2、期间t3中，第一惰性气体ga1的流量为“gb(升/分钟)”。在期间t2、期间t3中，第二惰性气体ga2的流量为“gc(升/分钟)”。在期间t2、期间t3中，泵流量为“pb(升/分钟)”。
[0281]
前处理的期间t2及处理中的期间t3中的第一惰性气体ga1的流量gb比处理前的期间t1、后处理的期间t4、及处理后的期间t5中的流量ga小。前处理的期间t2及处理中的期间t3中的泵流量pb比处理前的期间t1、后处理的期间t4、及处理后的期间t5中的泵流量pa小。优选为前处理的期间t2及处理中的期间t3中的泵流量pb为零。
[0282]
时刻t4～时刻t5是后处理的期间t4。所谓后处理，是指从处理液lq中刚刚将基板w提起之后的一定期间中的处理。
[0283]
时刻t5以后的期间是基板w的处理后的期间t5(从处理液lq中将基板w提起之后的期间t5)。即，期间t5是用于对下一批基板w进行处理的待机期间。
[0284]
在期间t4、期间t5中，第一惰性气体ga1的流量为“ga(升/分钟)”。在期间t4、期间t5中，第二惰性气体ga2的流量为“gc(升/分钟)”。在期间t4、期间t5中，泵流量为“pa(升/分钟)”。后处理的期间t4及处理后的期间t5中的第一惰性气体ga1的流量ga比前处理的期间t2及处理中的期间t3中的第一惰性气体ga1的流量gb大。
[0285]
以上，如参照图12所说明那样，在本实施方式中，基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的第一惰性气体ga1的流量ga比基板w浸渍于处理液lq的期间t3中的第一惰性气体ga1的流量gb大。换言之，第一控制部a1对气体流量调节部180进行控制，以使基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的第一惰性气体ga1的流量ga比将基板w浸渍于处理液lq的期间t3中的第一惰性气体ga1的流量gb大。
[0286]
其结果，特别是在期间t1中，可使处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度高速地下降(溶解氧浓度的特性(3))，因此可缩短基板w的处理开始之前的期间。另外，通过增大第一惰性气体ga1的流量ga，不仅在期间t1，而且在期间t4、期间t5也可有效果地抑制氧溶解于处理槽105内的处理液lq中。进而，在期间t1、期间t4、期间t5中，基板w未浸渍于处理液lq，因此即使在增大第一惰性气体ga1的流量ga的情况下，也不会发生由第一惰性气体ga1的气泡bb引起的基板w的位置偏移。
[0287]
另外，第一控制部a1也可对气体流量调节部180进行控制，以使在基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中，第一惰性气体ga1的流量ga成为最大流量。在此情况下，特别是在期间t1中，可使处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度更高速地下降，因此可进一步缩短基板w的处理开始之前的期间。另外，不仅在期间t1，而且在期间t4、期间t5中，也可更有效果地抑制氧溶解于处理槽105内的处理液lq中。此处，所谓最大流量，是指能够由气体流量调节部180供给的第一惰性气体ga1的最大流量。
[0288]
进而，在本实施方式中，将基板w浸渍于处理液lq的期间t3中的泵流量pb比基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的泵流量pa小。即，第二控制部a2对泵142进行控制，以使将基板w浸渍于处理液lq的期间t3中的在循环配管141中流动的处理液lq的流量pb比基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的在循环配管141中流动的处理液lq的流量pa小。
[0289]
其结果，在期间t3中，可有效果地使处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度下降
(溶解氧浓度的特性(2))，因此可增多基板w的处理量。因此，可提高处理基板w时的生产率。此外，相较于期间t1、期间t5，在期间t3中，处理液lq的溶解氧浓度低。
[0290]
更优选为第二控制部a2在将基板w浸渍于处理液lq的期间t3中使泵142停止。其结果，在期间t3中，可更有效果地使处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度下降(溶解氧浓度的特性(2))。泵142停止表示循环配管141中的处理液lq的流量为零。
[0291]
另外，在本实施方式中，基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的泵流量pa比将基板w浸渍于处理液lq的期间t3中的泵流量pb大。即，第二控制部a2对泵142进行控制，以使基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的在循环配管141中流动的处理液lq的流量pa比将基板w浸渍于处理液lq的期间t3的流量pb大。其结果，在期间t1、期间t4、期间t5中，可提高利用过滤器144的过滤的效果。
[0292]
进而，基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的泵流量pa也可为最大流量。即，第二控制部a2也可对泵142进行控制，以使在基板w未浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中，在循环配管141中流动的处理液lq的流量pa成为最大流量。在此情况下，在期间t1、期间t4、期间t5中可进一步提高利用过滤器144的过滤的效果。此处，所谓最大流量，是指能够由泵142送出的处理液lq的最大流量。
[0293]
此外，在相较于利用过滤器144的过滤而优先使处理液lq的溶解氧浓度下降的情况下，第二控制部a2使期间t1、期间t4、期间t5中的处理液lq的流量pa比期间t3中的处理液lq的流量pb大，且比利用泵142的处理液lq的最大流量小。
[0294]
另外，在本实施方式中，第一控制部a1对气体流量调节部180进行控制，以使前处理的期间t2中的第一惰性气体ga1的流量gb比未将基板w浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的第一惰性气体ga1的流量ga小。其结果，在期间t2中在基板保持部120将基板w浸渍于处理液lq时，可抑制基板w发生位置偏移。
[0295]
进而，在本实施方式中，前处理的期间t2中的泵流量pb比未将基板w浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的泵流量pa小。即，第二控制部a2对泵142进行控制，以使前处理的期间t2中的在循环配管141中流动的处理液lq的流量pb比未将基板w浸渍于处理液lq的期间t1、期间t4、期间t5中的在循环配管141中流动的处理液lq的流量pa小。在此情况下，在期间t2中，可进一步使溶解氧浓度下降。
[0296]
进而，在本实施方式中，在期间t1～期间t5中，向外槽110供给的第二惰性气体ga2的流量gc恒定。即，在期间t1～期间t5中，第三控制部a3设定阀26的开度，以使第二惰性气体ga2的流量gc恒定。其结果，在期间t1～期间t5，可稳定地抑制氧溶解于外槽110内的处理液lq中。
[0297]
此外，在本说明书中，也可将“在循环配管141中流动的处理液lq的流量”改读成“利用泵142的处理液lq的送出流量”。
[0298]
接着，参照图1及图13～图15对本实施方式的基板处理方法进行说明。基板处理方法由基板处理装置100执行。图13及图14是表示本实施方式的基板处理方法的一例的流程图。如图13及图14所示，基板处理方法包括工序s1～工序s14。
[0299]
如图1及图13所示，首先，在工序s1中，基板处理装置100的控制部221对处理液供给部150(图7)及处理液导入部125进行控制，以向空的处理槽105供给处理液lq。其结果，开始向空的处理槽105供给处理液lq。具体而言，控制部221对处理液供给部150进行控制，以
向外槽110供给处理液lq。进而，控制部221对处理液导入部125进行控制，以从外槽110向处理槽105导入处理液lq。在此情况下，控制部221的第二控制部a2将处理液导入部125的利用泵142的处理液lq的送出流量设定为流量pa(升/分钟)。
[0300]
接着，在工序s2中，控制部221判定是否供给了规定量的处理液lq。
[0301]
当在工序s2中判定为未供给规定量的处理液lq的情况下(否(no))，继续供给处理液lq直至供给规定量的处理液lq为止。
[0302]
另一方面，当在工序s2中判定为供给了规定量的处理液lq的情况下(是(yes))，处理前进至工序s3。
[0303]
接着，在工序s3中，控制部221对处理液供给部150进行控制，以停止处理液lq的供给。另一方面，处理液导入部125继续从外槽110向处理槽105导入处理液lq。因此，处理槽105的处理液lq通过外槽110及循环配管141循环。在此情况下，处理液导入部125的利用泵142的处理液lq的流量为流量pa(升/分钟)。
[0304]
接着，并列地执行工序s4及工序s5。此外，可在工序s4之后执行工序s5，也可在工序s4之前执行工序s5。
[0305]
在工序s4中，控制部221的第一控制部a1对气体流量调节部180进行控制，以向第一气体供给管21供给第一惰性气体ga1。其结果，各第一气体供给管21通过从各第一喷出孔h1喷出第一惰性气体ga1，而向处理槽105内的处理液lq供给多个气泡bb。在工序s4中，气体流量调节部180将第一惰性气体ga1的流量设定为流量ga(升/分钟)。工序s4相当于本发明的“向贮存于处理槽105的处理液lq供给第一惰性气体ga1的第一气体供给工序”的一例。
[0306]
另一方面，在工序s5中，控制部221的第三控制部a3对阀26(图5)进行控制，以向第二气体供给管25供给第二惰性气体ga2。其结果，第二气体供给管25从各第二喷出孔h2向外槽110的内部喷出第二惰性气体ga2。在工序s5中，阀26将第二惰性气体ga2的流量设定为流量gc(升/分钟)。工序s5相当于本发明的“向外槽110的内部供给第二惰性气体ga2的第二气体供给工序”的一例。
[0307]
接着，如图14所示，在工序s6中，控制部221判定从处理液lq的供给停止时(工序s3)起是否经过了第一时间。第一时间是基于处理液lq的溶解氧浓度，并通过实验和/或经验来确定。
[0308]
当在工序s6中判定为未经过第一时间的情况下(否)，使控制待机直至经过第一时间为止。
[0309]
另一方面，当在工序s6中判定为经过了第一时间的情况下(是)，处理前进至工序s7。
[0310]
接着，在工序s7中，第二控制部a2对泵142进行控制，以使在循环配管141中流动的处理液lq的流量pb比流量pa(工序s3)小。即，第二控制部a2将利用泵142的处理液lq的送出流量从流量pa(工序s3)设定为比流量pa小的流量pb。
[0311]
接着，在工序s8中，第一控制部a1对气体流量调节部180进行控制，以使向第一气体供给管21供给的第一惰性气体ga1的流量gb比流量ga(工序s4)小。其结果，向处理液lq供给的气泡bb的量变少。
[0312]
接着，在工序s9中，控制部221对基板保持部120进行控制，以将基板w浸渍于处理液lq。其结果，基板保持部120将基板w浸渍于处理液lq。
[0313]
接着，在工序s10中，控制部221判定从基板w向处理液lq的浸渍时(工序s9)起是否经过了第二时间。第二时间是基于对基板w要求的处理量，并通过实验和/或经验来确定。
[0314]
当在工序s10中判定为未经过第二时间的情况下(否)，使控制待机直至经过第二时间为止。
[0315]
另一方面，当在工序s10中判定为经过了第二时间的情况下(是)，处理前进至工序s11。
[0316]
接着，在工序s11中，控制部221对基板保持部120进行控制，以将基板w从处理液lq中提起。其结果，基板保持部120将基板w从处理液lq中提起。
[0317]
接着，在工序s12中，第二控制部a2对泵142进行控制，以使在循环配管141中流动的处理液lq的流量pa比流量pb(工序s7)大。即，第二控制部a2将利用泵142的处理液lq的送出流量从流量pb(工序s7)设定为比流量pb大的流量pa。
[0318]
接着，在工序s13中，第一控制部a1对气体流量调节部180进行控制，以使向第一气体供给管21供给的第一惰性气体ga1的流量ga比流量gb(工序s8)大。其结果，向处理液lq供给的气泡bb的量变多。
[0319]
接着，在工序s14中，控制部221判定前处理定时是否到来。
[0320]
当在工序s14中判定为前处理定时未到来的情况下(否)，使控制待机直至前处理定时到来为止。
[0321]
另一方面，当在工序s14中判定为前处理定时到来的情况下(是)，处理前进至工序s7。以后，重复进行工序s7～工序s14。
[0322]
以上，如参照图13及图14所说明那样，根据本实施方式的基板处理方法，通过向处理槽105的处理液lq供给第一惰性气体ga1(气泡bb)(工序s4、工序s8、工序s13)，而将溶解于处理液lq中的氧置换为第一惰性气体ga1。因此，可使处理槽105的处理液lq的溶解氧浓度下降。其结果，可增多处理液lq对基板w的处理量。特别是，由于向外槽110的内部供给第二惰性气体ga2(工序s5)，因此可抑制氧溶解于外槽110内的处理液lq中。因此，溶解氧浓度低的处理液lq通过处理液导入部125而从外槽110导入至处理槽105。其结果，可抑制“处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度因从外槽110导入的处理液lq而上升”。因此，可利用处理液lq更有效果地对浸渍于处理液lq的基板w进行处理。如此，可提高惰性气体的有效性而有效果地对基板w进行处理。
[0323]
接着，参照图1、图13及图15对本实施方式的基板处理方法的更优选的例子进行说明。更优选的例子的基板处理方法的前段包括参照图13所说明的工序s1～工序s5。图15是表示基板处理方法的更优选的例子中的后段的流程图。如图15所示，基板处理方法的后段包括工序s101～工序s109。
[0324]
在工序s101中，控制部221判定从处理液lq的供给停止时(工序s3)起是否经过了第一时间。
[0325]
当在工序s101中判定为未经过第一时间的情况下(否)，使控制待机直至经过第一时间为止。
[0326]
另一方面，当在工序s101中判定为经过了第一时间的情况下(是)，处理前进至工序s102。
[0327]
接着，在工序s102中，第二控制部a2停止泵142。因此，停止利用循环配管141进行
处理液lq的循环。即，循环配管141中的处理液lq的流量为零。其结果，停止从外槽110向处理槽105导入处理液lq。
[0328]
接着，执行工序s103～工序s106。工序s103～工序s106分别与图14的工序s8～工序s11相同。
[0329]
接着，在工序s107中，第二控制部a2驱动泵142。因此，开始利用循环配管141进行处理液lq的循环。其结果，开始从外槽110向处理槽105导入处理液lq。在此情况下，第二控制部a2将利用泵142的处理液lq的送出流量设定为流量pa(图13的工序s3)。
[0330]
接着，在工序s108中，第一控制部a1对气体流量调节部180进行控制，以使向第一气体供给管21供给的第一惰性气体ga1的流量ga比流量gb(工序s103)大。其结果，向处理液lq供给的气泡bb的量变多。
[0331]
接着，在工序s109中，控制部221判定前处理定时是否到来。
[0332]
当在工序s109中判定为前处理定时未到来的情况下(否)，使控制待机直至前处理定时到来为止。
[0333]
另一方面，当在工序s109中判定为前处理定时到来的情况下(是)，处理前进至工序s102。以后，重复进行工序s102～工序s109。
[0334]
以上，如参照图15所说明那样，根据基板处理方法的优选的例子，在将基板w浸渍于处理液lq的期间中，使泵142停止(工序s102)。其结果，在基板w的处理中，可更有效果地使处理槽105内的处理液lq的溶解氧浓度下降。
[0335]
(第一变形例)
[0336]
参照图16及图17对本实施方式的第一变形例进行说明。在第一变形例中，在第一盖体111的接触部52x倾斜这一点上，与参照图1所说明的所述实施方式主要不同。以下，主要对第一变形例与所述实施方式的不同点进行说明。
[0337]
图16是表示第一变形例的基板处理装置100a的示意性剖面图。此外，在图16中，省略了图1所示的基板保持部120、处理液导入部125、气体流量调节部180、及控制装置220。
[0338]
如图16所示，基板处理装置100a的第一盖体111包括接触部52x。在第一盖体111关闭的状态下，接触部52x相对于多个基板w在铅垂方向d上分隔。另外，在第一盖体111关闭的状态下，接触部52x从处理槽105内的处理液lq的上方与处理槽105内的处理液lq接触。
[0339]
具体而言，接触部52x包括第一倾斜部55a以及第二倾斜部55b。更具体而言，第一倾斜部55a是第一接触部52a的底部。另外，第二倾斜部55b是第二接触部52b的底部。
[0340]
第一倾斜部55a在第一盖体111覆盖处理槽105的上部开口106a的状态下(第一盖体111关闭的状态下)，从与多个基板w的顶部tp相向的位置ps朝向处理槽105的一对侧壁105a、105b中的其中一个侧壁105a之侧向斜上方倾斜。即，第一倾斜部55a在第一盖体111覆盖处理槽105的上部开口106a的状态下，从接触部52x的最下部朝向其中一个侧壁105a之侧向斜上方倾斜。因此，到达处理液lq的液面的气泡bb通过浮力而沿着第一倾斜部55a聚集于侧壁105a侧。其结果，可抑制到达液面的气泡bb积存于位置ps附近。
[0341]
第二倾斜部55b在第一盖体111覆盖处理槽105的上部开口106a的状态下(第一盖体111关闭的状态下)，从与多个基板w的顶部tp相向的位置ps朝向一对侧壁105a、105b中的另一个侧壁105b之侧向斜上方倾斜。即，第二倾斜部55b在第一盖体111覆盖处理槽105的上部开口106a的状态下，从接触部52x的最下部朝向另一侧壁105a之侧向斜上方倾斜。
[0342]
因此，到达处理液lq的液面的气泡bb通过浮力而沿着第二倾斜部55b聚集于侧壁105b侧。其结果，可抑制到达液面的气泡bb积存于位置ps附近。
[0343]
以上，如参照图16所说明那样，根据第一变形例，通过设置第一倾斜部55a及第二倾斜部55b，可抑制到达液面的气泡bb积存于位置ps附近。其结果，可抑制到达处理液lq的液面的气泡bb与基板w的顶部tp接触。因此，可抑制基板w的顶部tp附近的处理被到达液面的气泡bb阻碍的情况。
[0344]
另外，在第一变形例中，第一接触部52a及第二接触部52b没入至处理槽105内的处理液lq。因此，可抑制处理液lq的液面与氧接触。其结果，可抑制氧溶解于处理液lq中。
[0345]
接着，参照图17对第一盖体111的旋转机构进行说明。图17是表示第一盖体111关闭的状态的示意图。如图17所示，在第一铰链门部50a及第二铰链门部50b关闭的状态下，第一旋转轴61a及第二旋转轴61b位于比第一铰链门部50a的部位za及第二铰链门部50b的部位zb更靠下方处。其结果，可防止第一铰链门部50a与第二铰链门部50b发生干涉，因此可顺利地将第一铰链门部50a及第二铰链门部50b打开/关闭。
[0346]
部位za是在第一铰链门部50a及第二铰链门部50b关闭的状态下，接触部52x在第二方向d20上的中央处的第一接触部52a的最下部。即，部位za是第一倾斜部55a的最下部。另外，部位zb是在第一铰链门部50a及第二铰链门部50b关闭的状态下，接触部52x在第二方向d20上的中央处的第二接触部52b的最下部。即，部位zb是第二倾斜部55b的最下部。
[0347]
(第二变形例)
[0348]
参照图18及图19对本实施方式的第二变形例进行说明。在第二变形例中，在第二气体供给部210向上方供给第二惰性气体ga2这一点上，与参照图1所说明的所述实施方式主要不同。以下，主要对第二变形例与所述实施方式的不同点进行说明。
[0349]
图18是表示第二变形例的基板处理装置100b的示意性剖面图。图19是表示外槽110及第二气体供给管25的示意性剖面图。在图19中，示出了利用与图18的yz平面平行的面将图18中的右侧所示的外槽110及第二气体供给管25切断的状态。
[0350]
如图18所示，在基板处理装置100b中，第二气体供给部210配置于外槽110的内部，从各第二喷出孔h2朝向上方喷出第二惰性气体ga2。因此，可有效果地抑制氧溶解于外槽110中所贮存的处理液lq中。其原因在于，第二惰性气体ga2容易充满外槽110内。优选为第二气体供给部210配置于外槽110内的处理液lq中。在此情况下，可有效果地使处理液lq的溶解氧浓度下降。此外，“上方”例如是铅垂方向d上侧(铅垂上方)。
[0351]
具体而言，如图19所示，在第二气体供给管25中，多个第二喷出孔h2在第一方向d10上隔开间隔地配置于大致一条直线上。第二气体供给管25配置于外槽110的内部，从各第二喷出孔h2朝向上方喷出第二惰性气体ga2。在此情况下，例如，第二喷出孔h2朝向铅垂方向d上侧。即，第二喷出孔h2配置于第二气体供给管25的上部。优选为第二气体供给管25配置于外槽110内的处理液lq中。具体而言，第二气体供给管25在外槽110内的处理液lq中，配置于外槽110的第一贮存部117a的底部侧、第二贮存部117b(图5)的底部侧、第四贮存部117d(图5)的底部侧、及第三贮存部117c的上部侧。
[0352]
接着，基于实施例对本发明进行具体说明，但本发明并不受以下的实施例限定。
[0353]
[实施例]
[0354]
在本发明的实施例1、实施例2及实施例3中，使用图1所示的基板处理装置100。此
外，为了简化实验系统，不使用第二气体供给部210。
[0355]
使用tmah作为处理液lq。第一惰性气体ga1为氮。
[0356]
(实施例1)
[0357]
在本发明的实施例1中，在各泵流量(利用泵142的处理液lq的送出流量)下，在不向处理液lq供给第一惰性气体ga1(气泡bb)的情况下，对处理液lq的溶解氧浓度的时间变化进行测量。具体而言，第一惰性气体ga1的流量为0升/分钟。即，不将第一惰性气体ga1的气泡bb供给至处理液lq。其原因在于，实施例1的目的在于对溶解氧浓度的泵流量依存性进行测量，从而减少了变量。另外，不使用第二惰性气体ga2。其原因在于，实施例1的目的在于对溶解氧浓度的泵流量依存性进行测量，从而简化了实验系统。
[0358]
图20是表示实施例1中的处理液lq的溶解氧浓度的时间变化(无第一惰性气体ga1)的图表。横轴表示时间(分钟)，纵轴表示处理液lq的溶解氧浓度(ppm)。在图20中，曲线q1表示泵流量为0升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。即，曲线q1表示在泵142停止的状态下的溶解氧浓度的时间变化。曲线q2表示泵流量为5升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。曲线q3表示泵流量为10升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。
[0359]
如图20所示，在曲线q1～曲线q3的任一者中，环境中的氧均溶解于处理液lq中，因此随着时间的经过，溶解氧浓度上升。另外，如根据曲线q1～曲线q3可理解那样，泵流量越小，溶解氧浓度的上升速度越慢。可推测为其原因在于，泵流量越小，环境中的氧越不易溶解于处理液lq中。
[0360]
(实施例2)
[0361]
本发明的实施例2中，在各泵流量(利用泵142的处理液lq的送出流量)下，向处理液lq供给第一惰性气体ga1(气泡bb)，并且对处理液lq的溶解氧浓度的时间变化进行测量。具体而言，第一惰性气体ga1的流量为10升/分钟。即，在实施例2中，目的还在于，确认由第一惰性气体ga1的气泡bb引起的溶解氧浓度的降低效果。此外，第一惰性气体ga1的流量表示向一根第一气体供给管21供给的流量。另外，不使用第二惰性气体ga2。其原因在于，实施例2的目的在于对溶解氧浓度的泵流量依存性进行测量，从而简化了实验系统。
[0362]
图21是表示实施例2中的处理液lq的溶解氧浓度的时间变化(有第一惰性气体ga1)的图表。横轴表示时间(分钟)，纵轴表示处理液lq的溶解氧浓度(ppm)。在图21中，曲线q4表示泵流量为0升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。即，曲线q4表示泵142停止的状态下的溶解氧浓度的时间变化。曲线q5表示泵流量为5升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。曲线q6表示泵流量为10升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。
[0363]
如图21所示，在曲线q4～曲线q6的任一者中，处理液lq的溶解氧浓度均因第一惰性气体ga1的气泡bb而随着时间的经过下降。另外，如根据曲线q4～曲线q6可理解那样，泵流量越小，溶解氧浓度的下降速度越快。可推测为其原因在于，泵流量越小，环境中的氧越不易溶解于处理液lq中。进而，如根据曲线q4～曲线q6可理解那样，随着时间的经过，处理液lq的溶解氧浓度趋同于大致恒定。另外，在溶解氧浓度趋同于大致恒定的状态下，泵流量越小，处理液lq的溶解氧浓度越低。
[0364]
(实施例3)
[0365]
在本发明的实施例3中，在第一惰性气体ga1的各流量下，对处理液lq的溶解氧浓度的时间变化进行测量。为了简化实验系统，不使用第二惰性气体ga2。泵流量(利用泵142
的处理液lq的送出流量)为23升/分钟。
[0366]
图22是在第一惰性气体ga1的各流量下表示实施例3中的处理液lq的溶解氧浓度的时间变化的图表。横轴表示时间(分钟)，纵轴表示处理液lq的溶解氧浓度(ppm)。在图22中，曲线q7表示第一惰性气体ga1的流量为30升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。曲线q8表示第一惰性气体ga1的流量为20升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。曲线q9表示第一惰性气体ga1的流量为10升/分钟时的溶解氧浓度的时间变化。此外，第一惰性气体ga1的流量表示向一根第一气体供给管21供给的流量。
[0367]
如图22所示，在曲线q7～曲线q9的任一者中，处理液lq的溶解氧浓度均因第一惰性气体ga1的气泡bb而随着时间的经过下降。另外，如根据曲线q7～曲线q9可理解那样，第一惰性气体ga1的流量越大，溶解氧浓度的下降速度越快。可推测为其原因在于，第一惰性气体ga1的流量越大，越促进处理液lq中的氧置换为第一惰性气体ga1。进而，如根据曲线q7～曲线q9可理解那样，随着时间的经过，处理液lq的溶解氧浓度趋同于大致恒定。另外，在溶解氧浓度趋同于大致恒定的状态下，第一惰性气体ga1的流量越大，处理液lq的溶解氧浓度越低。
[0368]
以上，参照附图对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限于所述实施方式，可在不脱离其主旨的范围内在各种形态中实施。另外，所述实施方式中所公开的多个构成要素能够适宜改变。例如，可将某一实施方式所示的全部构成要素中的某一构成要素追加至其他实施方式的构成要素中，或者也可将某一实施方式所示的全部构成要素中的若干构成要素从实施方式中删除。
[0369]
另外，为了容易理解发明，附图以各自的构成要素为主体示意性地表示，就方便制作附图而言，所图示的各构成要素的厚度、长度、个数、间隔等也存在与实际不同的情况。另外，所述实施方式所示的各构成要素的结构为一例，并无特别限定，当然能够在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。
[0370]
(1)在图1中，针对多个第一气体供给管21各者，设置有气体流量调节机构182。但是，也可对多个第一气体供给管21共用地设置一个气体流量调节机构182。
[0371]
(2)图1所示的第一气体供给管21的数量并无特别限定，可为偶数，也可为奇数。另外，多个第一气体供给管21在铅垂方向d上的位置可一致，也可不一致。进而，第一喷出孔h1的朝向并无特别限定，例如可朝向斜上方、斜下方、水平或铅垂下方。
[0372]
(3)图5的第二气体供给部210也可设置与气体流量调节机构182(图10)相同的结构的气体流量调节机构来代替阀26。在此情况下，气体流量调节机构在第三控制部a3的控制下对第二惰性气体ga2的流量进行调节。
[0373]
(4)图6及图19的第二喷出孔h2的朝向并无特别限定，例如可朝向斜上方、斜下方、或水平。
[0374]
[产业上的可利用性]
[0375]
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，具有产业上的可利用性。

技术特征：
1.一种基板处理装置，包括：处理槽，贮存用来浸渍基板的处理液；第一盖体，覆盖所述处理槽的上部开口；外槽，配置于所述处理槽的外侧，供所述处理液中的从所述处理槽溢出的处理液流入；处理液导入部，能够将贮存于所述外槽的处理液导入至所述处理槽；第一气体供给部，向贮存于所述处理槽的所述处理液供给第一惰性气体；以及第二气体供给部，向所述外槽的内部供给第二惰性气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括基板保持部，所述基板保持部沿着规定方向保持多个所述基板，并将所述多个基板浸渍于所述处理槽中所贮存的所述处理液，所述处理槽包括沿着所述规定方向延伸的一对侧壁，所述第一盖体包括与所述处理液接触的接触部，所述接触部相对于所述多个基板分隔，所述接触部包括：第一倾斜部，在所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口的状态下，从与所述多个基板的顶部相向的位置朝向所述一对侧壁中的其中一个侧壁之侧向斜上方倾斜；以及第二倾斜部，在所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口的状态下，从与所述多个基板的顶部相向的所述位置朝向所述一对侧壁中的另一个侧壁之侧向斜上方倾斜。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部，朝向下方喷出所述第二惰性气体。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述第二气体供给部配置于所述外槽的内部，朝向上方喷出所述第二惰性气体。5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，还包括：气体流量调节部，对所述第一惰性气体的流量进行调节；以及第一控制部，对所述气体流量调节部进行控制，所述第一控制部对所述气体流量调节部进行控制，以使所述基板未浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气体的流量比将所述基板浸渍于所述处理液的期间中的所述第一惰性气体的流量大。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一控制部对所述气体流量调节部进行控制，以使在所述基板未浸渍于所述处理液的所述期间中，所述第一惰性气体的流量成为最大流量。7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述处理液导入部包括：配管，将所述外槽与所述处理槽连接，供所述处理液流动；以及泵，经由所述配管而从所述外槽朝向所述处理槽送出所述处理液，所述基板处理装置还包括对所述泵进行控制的第二控制部，所述第二控制部对所述泵进行控制，以使将所述基板浸渍于所述处理液的期间中的在所述配管中流动的所述处理液的流量比所述基板未浸渍于所述处理液的期间中的在所述配管中流动的所述处理液的流量小。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述第二控制部在将所述基板浸渍于所
述处理液的所述期间中使所述泵停止。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述第二控制部对所述泵进行控制，以使在所述基板未浸渍于所述处理液的所述期间中，在所述配管中流动的所述处理液的流量成为最大流量。10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，还包括覆盖所述外槽的上部开口的第二盖体，所述第一盖体覆盖所述处理槽的所述上部开口及所述第二盖体。11.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述处理液为碱性。12.一种基板处理方法，是由基板处理装置执行，所述基板处理装置包括：处理槽，贮存对基板进行处理的处理液；外槽，供所述处理液中的从所述处理槽溢出的处理液流入；以及处理液导入部，能够将贮存于所述外槽的处理液导入至所述处理槽，所述基板处理方法包括：第一气体供给工序，向贮存于所述处理槽的所述处理液供给第一惰性气体；以及第二气体供给工序，向所述外槽的内部供给第二惰性气体。

技术总结
本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)包括：处理槽(105)、第一盖体(111)、外槽(110)、处理液导入部(125)、第一气体供给部(200)、以及第二气体供给部(210)。处理槽(105)贮存用来浸渍基板(W)的处理液(LQ)。第一盖体(111)覆盖处理槽(105)的上部开口(106a)。外槽(110)配置于处理槽(105)的外侧，供处理液(LQ)中的从处理槽(105)溢出的处理液(LQ)流入。处理液导入部(125)能够将贮存于外槽(110)的处理液(LQ)导入至处理槽(105)。第一气体供给部(200)向贮存于处理槽(105)的处理液(LQ)供给第一惰性气体(GA1)。第二气体供给部(210)向外槽(110)的内部供给第二惰性气体(GA2)。二惰性气体(GA2)。二惰性气体(GA2)。


技术研发人员：佐佐木光敏
受保护的技术使用者：株式会社斯库林集团
技术研发日：2023.01.31
技术公布日：2023/8/5