共振器、线性加速器配置以及具有环形共振器的离子植入系统的制作方法

1.本公开一般来说涉及离子植入装置，且更具体来说涉及高能束线离子植入机。


背景技术：

2.离子植入是通过离子轰击将掺杂剂或杂质引入衬底中的工艺。离子植入系统可包括离子源及一系列束线组件。离子源可包括其中产生离子的腔室。离子源还可包括电源及与腔室相邻地设置的提取电极总成。束线组件可包括例如质量分析器、第一加速或减速级、准直器、及第二加速或减速级。非常类似于用于操纵光束的一系列光学透镜，束线组件可对具有特定种类物、形状、能量和/或其他质量的离子或离子束进行过滤、聚焦及操纵。离子束穿过束线组件且可被朝向安装在压板(platen)或夹具上的衬底引导。
3.能够产生近似1mev或大于1mev的离子能量的植入装置常常被称为高能离子植入机或高能离子植入系统。一种类型的高能离子植入机被称为线性加速器(linear accelerator)(或者linac)，其中被布置成管的一系列电极沿着一连串管传导离子束且将离子束加速到越来越高的能量，其中电极接收交流(alternating current，ac)电压信号。已知的(射频(radio frequency，rf))linac由以介于13.56mhz与120mhz之间的频率供应的射频电压驱动。
4.在已知的linac(为简洁起见，本文中所使用的用语linac可指使用射频信号来加速离子束的rf linac)中，为达到目标最终能量(例如一mev、若干mev或更高)，可在多个加速级中对离子束进行加速。linac的每一连续级可以越来越高的能量接收离子束并将离子束加速到更高的能量。
5.依据漂移管(加速电极)的数目而定，已知的加速级可采用所谓的双重间隙配置或所谓的三重间隙配置。三重间隙配置的优点在于在给定加速级内提供三个加速间隙，从而使得加速的离子能够将能量增加与离子电荷状态乘以电极上产生的最大射频电压幅度的4倍相等的最大增加量。出于比较目的，对于相同的离子种类物，两个间隙的配置可将离子束加速到离子电荷状态乘以加速漂移管上的最大射频电压幅度的2倍的最大值。因此，对于给定的最大可用驱动电压，三重间隙配置可使用比双重间隙配置少的加速级将离子束加速到目标离子能量。
6.尽管在给定加速级内使用三重间隙配置可为比双重间隙配置更高效的配置，然而linac的大小仍为相对长的，部分原因是在漂移管(加速电极)上产生高的射频电压需要大的共振器组件。
7.针对这些及其他考虑而提供本公开。


技术实现要素：

8.在一个实施例中，提供一种装置，所述装置包括被布置成发射离子束的漂移管总成。所述漂移管总成可包括：第一接地电极；射频漂移管总成，设置在所述第一接地电极的
下游；以及第二接地电极，设置在所述射频漂移管总成的下游。这样一来，所述射频漂移管总成可界定三重间隙配置。所述装置还可包括共振器，所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到所述射频漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到所述射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。
9.在另一实施例中，提供一种离子植入机，所述离子植入机包括：离子源，用于产生离子束；以及线性加速器，用于传输并加速所述离子束，其中所述线性加速器包括多个加速级。所述多个加速级中的给定加速级可包括：射频功率总成，被布置成输出射频信号；以及漂移管总成，被布置成发射所述离子束且耦合到所述射频功率总成，其中所述漂移管总成界定三重间隙配置。所述给定加速级还可包括共振器，所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到所述漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到所述漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。
10.在另一实施例中，提供一种用于线性加速器的共振器。所述共振器可包括：射频壳体；以及环形线圈，设置在所述射频壳体内。所述环形线圈可包括：第一半部，形成第一线圈，所述第一线圈具有在第一方向上缠绕的第一多个匝；以及第二半部，形成第二线圈，所述第二线圈具有在所述第一方向上缠绕的第二多个匝。这样一来，所述第一半部还可包括用于耦合到所述线性加速器的第一电极的第一端，且所述第二半部还可包括用于耦合到所述线性加速器的第二电极的第二端。所述共振器还可包括设置在所述环形线圈内部的励磁线圈，所述励磁线圈具有连接到接地的第一支路及被耦合成接收射频功率的第二支路。
附图说明
11.图1示出根据本公开实施例的示例性装置。
12.图2呈现出环形线圈的实施例的详细正视图。
13.图3a、图3b及图3c分别示出根据本公开实施例的加速级的侧视图、透视图及正视图。
14.图4a示出根据本公开实施例的励磁线圈。
15.图4b示出位于示例性环形线圈内的图4a所示励磁线圈。
16.图4c示出根据本公开实施例的用于共振器的调谐器的实施例。
17.图4d示出图4c所示调谐器结构的共振频率的依赖性。
18.图5a-5d示出根据本公开实施例的在三重间隙配置中用作共振器的环形共振线圈的电特性。
19.图5e呈现出根据本公开实施例布置的共振线圈的电磁性质的模拟。
20.图6a及图6b示出根据本公开不同实施例的用作共振器的环形线圈的替代实施例。
21.图7示出针对图6b中所示出的线圈实施例的线圈管直径对管长度的依赖性。
22.图8a-8c分别示出根据本公开实施例的环形线圈的侧视图、透视图及正视图。
23.图9a及图9b示出根据本公开不同实施例的环形共振器的替代配置。
24.图10示出根据本公开实施例的离子植入机装置的示意图。
25.所述附图未必按比例绘制。所述附图仅为代表图，并非旨在描绘本公开的具体参数。所述附图旨在示出本公开的示例性实施例，且因此不应被视为对范围进行限制。在所述附图中，相同的编号代表相同的元件。
具体实施方式
26.在下文中，现将参照附图来更充分地阐述根据本公开的装置、系统及方法，所述附图示出所述系统及方法的实施例。所述系统及方法可实施为许多不同的形式且不应被视为仅限于本文中陈述的实施例。确切来说，提供这些实施例是为了使本公开将透彻及完整，并将向所属领域中的技术人员充分传达所述系统及方法的范围。
27.在本文中可使用例如“顶部(top)”、“底部(bottom)”、“上部(upper)”、“下部(lower)”、“垂直(vertical)”、“水平(horizontal)”、“侧向(lateral)”及“纵向(longitudinal)”等用语来阐述图中出现的这些组件及其构成部件相对于半导体制造器件的组件的几何形状及取向而言的相对放置及取向。所述术语可包括具体提及的词、其派生词及具有相似意义的词。
28.如本文中所使用的以单数形式描述且前面带有词“一(a或an)”的元件或操作被理解为也潜在地包括多个元件或多个操作。此外，在提及本公开的“一个实施例”时并非旨在被解释为排除也囊括所述特征的附加实施例的存在。
29.本文中提供基于束线架构的用于改善的高能离子植入系统及组件(且具体来说是基于线性加速器的离子植入机)的方法。为简洁起见，离子植入系统在本文中也可被称为“离子植入机”。各种实施例需要新颖的方法，所述新颖的方法会提供在线性加速器的加速级内灵活调整有效漂移长度的能力。
30.图1示出根据本公开实施例的处于第一配置的示例性装置。装置100代表加速级，所述加速级包括漂移管总成102及相关联的共振器110，用于使线性加速器中的离子束104加速。如以下论述的图10中所示，可在用于使离子植入机300中的离子束306加速的线性加速器314的多个加速级中实施装置100。
31.在图1所示实施例中，漂移管总成102包括上游接地漂移管及下游接地漂移管，上游接地漂移管与下游接地漂移管以相似的方式被标记为接地漂移管电极102b。漂移管总成102还包括一对射频漂移管电极(被示出为射频漂移管电极102a)，所述一对射频漂移管电极通过所述一对射频漂移管电极之间的间隙而隔开。总的来说，射频漂移管电极102a与接地漂移管电极102b界定三重间隙配置。
32.共振器110包括容置环形线圈114的射频壳体(罐)112且通过所产生的线圈壳体静电电容来形成电振荡电路。在随后的实施例中详细阐述环形线圈114及相似的共振线圈。简单来说，图2呈现出环形线圈114的实施例的详细正视图。如本文中所使用的用语“环形线圈”可指相互布置成界定环形形状的两个单独的线圈，其中所述单独的线圈中的每一者可形成环形形状的一部分，例如环形的相似半部。
33.如图2中所示，环形线圈114包括多个回路(loop)或匝。环形线圈114包括被布置成两个半部的两个线圈，所述两个线圈各自具有n个匝且由合适的导体(例如铜管材(tubing))构成。如图2中所示，环形线圈114的每一半部的匝在相同的方向上缠绕。如上所述，在环形线圈114的上部部分处，环形线圈114的两端延伸长度l0且穿过射频壳体(罐)中的开口，以使得能够在壳体中实现进一步整合且单独连接到两个单独的通电射频漂移管电极。在底部部分处，环形线圈114的回路连接到接地罐壁。
34.环形线圈114由励磁线圈116供电，励磁线圈116对称地位于环形线圈114的接地支路之间。绝缘插套(insulating sleeve)118确保励磁线圈的供电支路与接地罐壁之间的电
绝缘。励磁线圈116被布置成接收射频功率作为射频功率总成的一部分，射频功率总成被示出为射频电路系统124，包括射频产生器120及阻抗元件122。共振器110还包括调谐器130，调谐器130可被布置为电容性结构，如下所述。
35.装置100与已知的三重间隙加速器级的不同之处在于共振器110经由环形线圈114向漂移管总成102递送电压，此与已知的三重间隙加速器级的螺线管(或螺旋)线圈相反。如针对图5a-5d更详细地论述，图1所示环形线圈共振器结构受益于磁通量包含在环形线圈114内部的事实，从而避免环形线圈114外部的场线泄漏，且因此使得共振器的射频壳体112中感应的涡电流更少。
36.图3a、图3b及图3c分别示出根据本公开实施例的加速级200的侧视图、透视图及正视图。加速级包括在离子束壳(housing)126内被布置成三重间隙结构的漂移管电极总成以及绝缘固持器128。加速级200还包括共振器210，共振器210包括如上所述的环形线圈114。共振器210还包括调谐器130，其中调谐器130包括调谐器本体，所述调谐器本体分别沿着环形线圈114的第一侧及环形线圈114的第二侧设置在第一部件及第二部件中。调谐器130的实施例的细节在以下详细论述的图4c中示出。简单来说，调谐器130可沿着环形线圈114的主轴线(被示出为如图所示的笛卡尔坐标系中的x轴线)移动。调谐器130沿着x轴线的移动可改变由共振器210界定的电rlc电路的电容，使得可调整共振器210的共振频率。
37.根据本公开的实施例，图4a示出励磁线圈116，而图4b示出设置在环形线圈114内的励磁线圈116。励磁线圈116可具有连接到接地的第一支路(右支路)及耦合到射频功率总成的第二支路(左支路)。如图4a中所示，励磁线圈116的耦合到射频功率总成的支路可使用绝缘插套118而与射频壳体112绝缘。
38.在各种实施例中，励磁线圈116是由用于流体冷却的金属管材(例如铜管材)制成的一个匝回路。回路直径d可被布置成大致等于环形线圈114的小半径。角开度(angular opening angle)θ可介于15度与20度之间，且根据必要的空间分隔来设定，以防止环形线圈114的接地支路形成电弧。为使励磁线圈与环形线圈之间的相互耦合系数m最大化，励磁线圈平面(在此种情形中为x-y平面)可与由环形线圈114界定的环形的方位角轴线垂直地布置，环形线圈114具有在此轴线上的中心且可放置在环形半部的最后接地侧回路之间的中间距离处，同样在图3a及图3b中示出。
39.现转到图4c，图4c示出调谐器130的实施例，调谐器130包括第一半部及第二半部(被示出为冠部(crown)130a)，第一半部与第二半部被布置成位于环形线圈114的相对的侧上。在此实施例中，冠部130a被布置为模仿环形线圈114的形状的环形冠部。十字形固持器130b固定到所述半部中的每一者，同时还固定到杆130c。杆130c可安装在导向平台(未示出)上且穿过射频壳体112。杆130c可由例如电动线性运动平台等机构从射频壳体112的外部驱动，所述平台可是杆130c沿着x轴线平移。在一个实施例中，为将调谐范围最大化，冠部130a的曲率半径可被设定成等于形成环形线圈114的环形的小半径；在实施例中，冠部130a的高度h可略大于2r，2r是环形的小直径。调谐器130可被设定处于接地电位，使得环形线圈-环形冠部总成形成由两个并联连接的电容器形成的系统或电路。随着线圈到冠部距离的增大，电容减小，从而使得共振频率增大。
40.在各种非限制性实施例中，环形共振器的特性被设计用于工作共振频率，以匹配合适的射频电源或射频产生器操作频率(例如13.56mhz)。由于包含环形线圈的空腔形成
rlc电路，因此所述电路将以某一频率f0振荡，所述频率f0在共振时的值由下式给出：
41.f
0 ＝ 1/ (2π √lc)，
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
42.其中l是线圈的电感且c是系统的电容。
43.转到图4d，图4d示出图4c所示调谐器结构的共振频率的依赖性，其被示出为冠部130a的位置变化的函数。如图4d中所示，对于从方位角平面(oyz)的x＝100mm到x＝150mm的50mm的平移，调谐器130在13.56mhz的期望频率左右产生大于1.5mhz的调谐范围。
44.转到图5a-5d，图5a-5d示出根据本公开实施例的在三重间隙配置中用作共振器的环形共振线圈的电特性。在图5a中示出在射频循环期间的给定时刻行进穿过励磁线圈116的射频电流(以暗箭头示出的电流)。施加在励磁线圈116的输入处的射频功率将产生射频电流152，所述电流将进一步产生局部时变磁场。如图5b中所示，励磁线圈116与环形线圈114之间的相互耦合使得磁通量线154能够穿过环形线圈114的体积闭合。由于射频功率从射频产生器通过励磁线圈转移到电振荡电路，因此环形线圈114中的磁能为：
[0045][0046]
其中b是线圈中的磁场强度，且μ0是真空的磁导率，所述磁导率将周期性地转变成静电能
[0047][0048]
其中ε0是真空的介电常数(dielectric permittivity)，且e是环形线圈114终端处的静电场，其位于图的顶部处。在射频漂移管电极102a处产生的电压会在射频漂移管电极102a与接地漂移管电极102b之间的所述三个间隙中产生静电等势线156，其中电场矢量158在图5d中示出。众所周知，如此形成的电场将根据所施加的射频信号的频率而振荡。通过在加速间隙的入口处应用脉冲或聚束离子束中离子到达的正确定时，离子可获得等于高达乘积电荷乘以射频电压幅度的4倍的能量。
[0049]
图5e呈现出根据本公开实施例布置的共振线圈的电磁性质的模拟。在图中，b(t)表示共振线圈中的可变磁通量，而v1(t)是耦合到共振线圈的一端的第一通电电极上的可变射频电压，且v2(t)是耦合到共振线圈的第二端的第二通电电极上的可变射频电压。电极上的磁通量及射频电压的时间演变由等于2πf0t的射频相位阐述，其中t是经过的时间。磁通量可表示在给定时刻流经环形线圈的体积的通量。对于一半射频循环，通量将在一个方向(例如，顺时针方向)上进行取向，而对于下一半周期，通量将在逆时针方向上进行取向。
[0050]
可看出，磁场与电极上的电压之间存在π/2弧度(相当于90度)的相位差。根据方程式(2)及(3)，当静电能量最大时，磁能为零，且反之亦然。另外，通电电极上的电压之间存在π弧度的相位差；因此，当一个电极上的电压为+vmax时，另一电极上的电压为
–
vmax。
[0051]
图6a 6b及图7示出根据本公开不同实施例的用作共振器的环形线圈的替代实施例。图6a所示环形线圈114a可由导电管构成，所述导电管具有恒定管直径(意指不变的管直径)，其中为简化构造将直径示出为，其中环形线圈114a的内部部分中的相邻匝之间的节距被定义为p。对于13.56mhz范围内的频率，通过环形线圈114a的射频电流可被限制在小于20微米的量级的趋肤深度(skin depth)，因此导电管的壁的厚度不需要厚于50微米、100微米左右。然而，为提供线圈的机械坚固性及防止机械振动，使用几毫米厚度的管壁。
[0052]
图6b所示环形线圈114b可由具有连续可变直径的导电管构成，其中沿着环形线圈114b的外侧的外管直径具有第一尺寸，且其中沿着环形线圈114b的内侧的内管直径'具有小于第一尺寸的第二尺寸。后一种配置的结果是，与图6a所示实施例相比，p的值相对较大，使得环形线圈114b的相邻匝之间的电场相对较小。此种较小的电场可有助于避免形成电弧。在特定实施例中，当管材朝向环形线圈114c的内部部分弯曲时，管的直径可连续减小，使得在环形线圈的内侧位置处管具有最小的直径，导致节距增大到更大的值p’。另外，较大节距意指较小的内回路电容以及振荡电路的所得较高质量(q)因数。
[0053][0054]
应注意，在前述实施例的变型中，环形线圈的各别匝的形状可被表征为椭圆形横截面，例如圆形横截面。如图7中所示出，连续可变直径的管材用于构建图6b中所示的线圈，所述管材在线圈的最外部位置处具有最大直径d
max
且在最内部位置处具有最小直径d
min
，其中沿着管长度具有2πr的周期性。
[0055]
图8a、图8b及图8c分别示出根据本公开实施例的环形线圈114c的侧视图、透视图及正视图。在此实例中，环形线圈被表征为对d形横截面进行界定的线圈匝。在给定相同的主直径及相同的线圈匝直径的情况下，与具有由圆形横截面界定的线圈匝的环形线圈相比，所述d形横截面将增大环形线圈内的总体积。
[0056]
图9a及图9b示出根据本公开不同实施例的环形共振器的替代配置。由于方位角的半对称，环形几何形状在不同的配置中被布置成非常通用：此种通用将使得能够将共振器的占用面积最小化。配置250示出束方向(沿着z轴线)移入及移出图所示平面的壳212。配置260还示出束方向(沿着z轴线)移入及移出图的平面的壳212。如图所示，共振器210的环形线圈的轴线沿着x轴线对齐。当共振器沿着z轴线布置时，图9a中所示出的配置250是所期望的(罐共振器的高度通常小于直径)。相反，如果共振器分布在z方向及方位角方向二者上，则图9b中所示出的配置260是所期望的。
[0057]
图10示出根据本公开实施例的装置的示意图。离子植入机300包括线性加速器314。离子植入机300可代表束线离子植入机，为使阐释清晰起见而未示出一些元件。如所属领域中已知的，离子植入机300可包括离子源302及气体盒307。离子源302可包括提取系统，所述提取系统包括提取组件及过滤器(未示出)以产生处于第一能量的离子束306。第一离子能量的合适离子能量的实例介于从5kev到300kev的范围内，而实施例在此上下文中并不受限。为形成高能离子束，离子植入机300包括用于将离子束306加速的各种附加组件。
[0058]
如图所示，离子植入机300可包括分析器310，分析器310用于通过改变离子束306的轨迹来分析如已知装置中的离子束306。离子植入机300还可包括聚束器312及设置在聚束器312的下游的线性加速器314(以虚线示出)，其中线性加速器314被布置成在离子束306进入线性加速器314之前将离子束306加速以形成比离子束306的离子能量大的高能离子束315。聚束器312可接收离子束306作为连续离子束且将离子束306以聚束离子束形式输出到线性加速器314。如图所示，线性加速器314可包括串联布置的多个加速级(由共振器110表示)。在各种实施例中，高能离子束315的离子能量可代表离子束306的最终离子能量或者近似最终离子能量。在各种实施例中，离子植入机300可包括附加组件，例如过滤磁铁316、扫描器318、准直器320，其中扫描器318及准直器320的一般功能是众所周知的且在本文中将
不进一步详细阐述。这样一来，可将由高能离子束315表示的高能离子束递送到用于处理衬底324的终端站322。高能离子束315的非限制性能量范围包括500kev到10mev，其中离子束306的离子能量通过线性加速器314的各个加速级逐步增加。根据本公开的各种实施例，线性加速器314的加速级由共振器110供电，其中共振器110的设计可根据图1-9b所示实施例。
[0059]
鉴于以上内容，本公开提供至少以下优点。一个优点在于与已知的基于linac的离子植入机相比，使用本实施例的环形线圈共振器可实现较小的共振器占用面积，且因此实现较小的linac占用面积。与螺线管型共振器相比，本实施例进一步提供振荡电路的较高质量因数q的优点。
[0060]
尽管本文中已阐述本公开的某些实施例，然而本公开并不仅限于此，这是因为本公开的范围具有所属领域将允许的及本说明书可表明的最广范围。因此，以上说明不应被视为限制性的。所属领域中的技术人员将想到在所附权利要求的范围及精神内的其他修改。

技术特征：
1.一种装置，包括：漂移管总成，被布置成发射离子束，所述漂移管总成包括：第一接地电极；射频漂移管总成，设置在所述第一接地电极的下游；以及第二接地电极，设置在所述射频漂移管总成的下游，其中所述射频漂移管总成界定三重间隙配置；以及共振器，所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到所述射频漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到所述射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。2.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈具有第一半部及第二半部，所述第一半部包括第一匝数目，所述第一匝数目等于所述第二半部的第二匝数目。3.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈界定椭圆形横截面。4.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈界定d形横截面。5.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈包括具有恒定管直径的导电管。6.根据权利要求1所述的装置，所述环形线圈包括导电管，所述导电管具有不均匀的管直径，其中沿着所述环形线圈的外侧设置的外管直径具有第一尺寸，且其中沿着所述环形线圈的内侧设置的内管直径具有比所述第一尺寸小的第二尺寸。7.根据权利要求1所述的装置，所述共振器还包括调谐器，其中所述调谐器包括调谐器本体，所述调谐器本体分别沿着所述环形线圈的第一侧及所述环形线圈的第二侧设置在第一部件及第二部件中。8.根据权利要求1所述的装置，还包括设置在所述环形线圈内部的励磁线圈，所述励磁线圈具有连接到接地的第一支路及耦合到射频功率总成的第二支路。9.一种离子植入机，包括：离子源，用于产生离子束；以及线性加速器，用于传输并加速所述离子束，所述线性加速器包括多个加速级，其中所述多个加速级中的给定加速级包括：射频功率总成，被布置成输出射频信号；漂移管总成，被布置成发射所述离子束且耦合到所述射频功率总成，所述漂移管总成界定三重间隙配置；以及共振器，所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到所述漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到所述漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。10.根据权利要求9所述的离子植入机，所述环形线圈具有第一半部及第二半部，所述第一半部包括第一匝数目，所述第一匝数目等于所述第二半部的第二匝数目。11.根据权利要求9所述的离子植入机，所述环形线圈界定椭圆形横截面。12.根据权利要求9所述的离子植入机，所述环形线圈界定d形横截面。13.根据权利要求9所述的离子植入机，所述环形线圈包括具有恒定管直径的导电管。14.根据权利要求9所述的离子植入机，所述环形线圈包括导电管，所述导电管具有不均匀的管直径，其中沿着所述环形线圈的外侧设置的外管直径具有第一尺寸，且其中沿着所述环形线圈的内侧设置的内管直径具有比所述第一尺寸小的第二尺寸。15.根据权利要求9所述的离子植入机，所述共振器还包括调谐器，其中所述调谐器包
括调谐器本体，所述调谐器本体分别沿着所述环形线圈的第一侧及所述环形线圈的第二侧设置在第一部件及第二部件中。16.根据权利要求9所述的离子植入机，还包括设置在所述环形线圈内部的励磁线圈，所述励磁线圈具有连接到接地的第一支路及耦合到射频功率总成的第二支路。17.一种共振器，所述共振器用于线性加速器，包括：射频壳体；环形线圈，设置在所述射频壳体内，所述环形线圈包括：第一半部，形成第一线圈，所述第一线圈具有在第一方向上缠绕的第一多个匝；以及第二半部，形成第二线圈，所述第二线圈具有在所述第一方向上缠绕的第二多个匝，其中所述第一半部还包括用于耦合到所述线性加速器的第一电极的第一端，且其中所述第二半部还包括用于耦合到所述线性加速器的第二电极的第二端；以及励磁线圈，设置在所述环形线圈内部，所述励磁线圈具有连接到接地的第一支路及被耦合成接收射频功率的第二支路。18.根据权利要求17所述的共振器，所述环形线圈界定椭圆形横截面。19.根据权利要求17所述的共振器，所述环形线圈界定d形横截面。20.根据权利要求17所述的共振器，所述环形线圈包括导电管，所述导电管具有不均匀的管直径，其中沿着所述环形线圈的外侧设置的外管直径具有第一尺寸，且其中沿着所述环形线圈的内侧设置的内管直径具有比所述第一尺寸小的第二尺寸。

技术总结
一种装置可包括被布置成发射离子束的漂移管总成。所述漂移管总成可包括：第一接地电极；射频(RF)漂移管总成，设置在第一接地电极的下游；以及第二接地电极，设置在射频漂移管总成的下游。所述射频漂移管总成可界定三重间隙配置。所述装置可包括共振器，其中所述共振器包括环形线圈，所述环形线圈具有连接到射频漂移管总成的第一射频漂移管的第一端及连接到射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。到射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。到射频漂移管总成的第二射频漂移管的第二端。


技术研发人员：科斯特尔
受保护的技术使用者：应用材料股份有限公司
技术研发日：2021.10.29
技术公布日：2023/8/5