一种高压下TBU器件的漏电测试电路的制作方法

一种高压下tbu器件的漏电测试电路
技术领域
1.本发明涉及漏电测试技术领域，且特别是有关于一种高压下tbu器件的漏电测试电路。


背景技术：

2.tbu高速保护器作为一种过流保护器件，由于其能够将主要能量阻绝在外、反应速度很快、阻绝高压、没有电容磁的问题、设计方便等优点，在通讯、医疗、工业、消费电子等领域的应用越来越广泛。
3.tbu器件具有在低电压下电流较大，高电压下电流较小的特性，如bourns公司的型号为tbu-ca085-200-wh的器件，其vi曲线如图1所示，在低电压下的电流数值为200ma-400ma，在高电压下的电流数值在1ma左右，其中，区域s1为大电流阶段，区域s2为小电流阶段。
4.目前市面上的高压电源限流点都较低，如型号为keithley 2657a的电源，在1500v以下的限流点为120ma，小于tbu器件在低电压下的最小电流200ma，如果直接在tbu器件两端接上高压电源，当高压电源电压从低到高上升时，高压电源的电流被限制在120ma，导致tbu器件两端的电压无法加到设定的高压值，因此无法测量tbu器件在高压下的漏电大小。


技术实现要素：

5.为解决上述问题，本发明提供一种高压下tbu器件的漏电测试电路。
6.为达到上述目的，本发明技术方案是：一种高压下tbu器件的漏电测试电路，包括第一电源、第二电源、第一电容，第一开关管与第二开关管，所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极，所述第一开关管的阴极连接tbu器件的第一端，所述第二电源的正极连接所述tbu器件的第一端，所述第一电源的负极接地，所述tbu器件的第二端接地，所述第二电源的负极接地，所述第一电容并联在所述第一电源两端，所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极，所述第二开关管的集电极接地，所述第二开关管的发射极连接第三电源，所述第二开关管的基极连接第一端口，所述第一端口连接ttl电平信号。
7.上述第一电源的电压小于所述第二电源的电压。
8.在一具体实施例中，上述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，还包括第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述第一开关管的门极，所述第一二极管的阳极连接所述第二开关管的集电极。
9.在一具体实施例中，上述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，还包括第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述第一电源的正极，所述第一电阻的第二端连接所述第一开关管的阳极。
10.在一具体实施例中，上述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述第一二极管的阳极，所述第二电阻的第二端连接所述第二
开关管的集电极。
11.在一具体实施例中，上述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端连接所述第二开关管的集电极，所述第三电阻的第二端接地。
12.在一具体实施例中，上述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，还包括第四电阻，所述第四电阻的第一端连接所述第三电源，所述第四电阻的第二端连接所述第二开关管的基极。
13.在一具体实施例中，上述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，还包括第五电阻，所述第五电阻的第一端连接所述第四电阻的第二端，所述第五电阻的第二端连接所述第一端口。
14.在一具体实施例中，上述第一开关管为一晶闸管。
15.在一具体实施例中，上述第二开关管为一pnp型三极管。
16.有益效果，本发明一种高压下tbu器件的漏电测试电路，结构简单，易于实现；采用ttl电平信号实现高压下的瞬时漏电检测，避免tbu器件长时间处于高压下，起到保护作用。
17.为让发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
18.图1为tbu-ca085-200-wh器件的vi曲线示意图。
19.图2为本发明一种高压下tbu器件的漏电测试电路的示意图。
20.图3为图2中一具体实施例的示意图。
具体实施方式
21.为使本发明实施例的目的和技术方案更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
22.图2为本发明一种高压下tbu器件的漏电测试电路的示意图。如图2所示，电源v1的正极连接开关管q1的阳极，所述开关管q1的阴极连接tbu器件的第一端，电源v2的正极连接所述tbu器件的第一端，电源v1的负极接地，所述tbu器件的第二端接地，所述电源v2的负极接地，电容c1并联在所述电源v1两端，所述开关管q1的门极连接开关管q2的集电极，所述开关管q2的集电极接地，所述开关管q2的发射极连接辅助电源vcc，所述开关管q2的基极连接端口p1，所述端口p1连接信号发生器（图中未示出），所述信号发生器输出ttl电平信号。
23.更具体地，所述电源v1为一低压电源。
24.更具体地，所述电源v2为一高压电源。
25.更具体地，所述开关管q1为一晶闸管。
26.更具体地，所述开关管q2为一pnp型三极管。
27.图3为图2中一具体实施例的电路示意图。如图3所示，电源v1的正极经过电阻r1连接开关管q1的阳极，所述开关管q1的阴极连接tbu器件的第一端，电源v2的正极连接所述tbu器件的第一端，电源v1的负极接地，所述tbu器件的第二端接地，所述电源v2的负极接
地，电容c1的第一端连接所述开关管q1的阳极，所述电容c1的第二端接地，所述开关管q1的门极连接二极管d1的阴极，所述二极管d1的阳极经过电阻r2连接开关管q2的集电极，所述开关管q2的集电极经过电阻r3接地，所述开关管q2的发射极连接辅助电源vcc，电阻r4的第一端连接辅助电源vcc，所述电阻r4的第二端连接所述开关管q2的基极，所述电阻r4的第二端连接电阻r5的第一端，所述电阻r5的第二端连接端口p1，所述端口p1连接信号发生器（图中未示出），所述信号发生器输出ttl电平信号。
28.更具体地，所述电源v1为一低压电源。
29.更具体地，所述电源v2为一高压电源。
30.更具体地，所述开关管q1为一晶闸管。
31.更具体地，所述开关管q2为一pnp型三极管。
32.更具体地，电源v1的值为5v；电源v2的值为850v；辅助电源vcc的值为12v；ttl电平信号的高电平为10v，低电平为0v，周期为2s，占空比为50%。
33.可选地，电源v2由型号为keithley 2657a的电源产生。
34.下面继续结合图3介绍本发明的工作原理。所述电源v1通过电阻r1向电容c1充电，充电一段时间后电容c1两端的电压为v3，其中，电压v3为5v。
35.当信号发生器输出的ttl电平信号为低时，开关管q2导通，辅助电源vcc通过电阻r2与二极管d1为开关管q1的gk引脚供电，当开关管q1的gk电压v
gk
达到阈值电压v
gk-th
时，开关管q1导通，电容c1通过tbu器件放电，为tbu器件提供一个电流，使得tbu器件从大电流阶段s1向小电流阶段s2转变，此时，tbu器件两端的电压在电源v2的作用下可以达到设定的高压v4，其中，高压v4为850v，通过电源v2可以读出tbu器件的漏电流大小，从而实现高压下tbu器件的漏电测试。
36.当信号发生器输出的ttl电平信号为高时，开关管q2关断，开关管q1关断，tbu器件两端电压被限制在电压v5，其中，电压v5小于高压v4，也就是说，tbu器件不会一直处于高压v4下，从而实现对tbu器件的保护。
37.需要注意的是，所述电源v1的值应满足如下条件，所述电源v1为电容c1充电后，应使得电容c1放电的电流能让tbu器件进入小电流阶段s2。
38.虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

技术特征：
1.一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，包括第一电源、第二电源、第一电容，第一开关管与第二开关管，所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极，所述第一开关管的阴极连接tbu器件的第一端，所述第二电源的正极连接所述tbu器件的第一端，所述第一电源的负极接地，所述tbu器件的第二端接地，所述第二电源的负极接地，所述第一电容并联在所述第一电源两端，所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极，所述第二开关管的集电极接地，所述第二开关管的发射极连接第三电源，所述第二开关管的基极连接第一端口，所述第一端口连接ttl电平信号。2.如权利要求1所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，所述第一电源的电压小于所述第二电源的电压。3.如权利要求2所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述第一开关管的门极，所述第一二极管的阳极连接所述第二开关管的集电极。4.如权利要求3所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述第一电源的正极，所述第一电阻的第二端连接所述第一开关管的阳极。5.如权利要求4所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述第一二极管的阳极，所述第二电阻的第二端连接所述第二开关管的集电极。6.如权利要求5所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端连接所述第二开关管的集电极，所述第三电阻的第二端接地。7.如权利要求6所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第四电阻，所述第四电阻的第一端连接所述第三电源，所述第四电阻的第二端连接所述第二开关管的基极。8.如权利要求7所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第五电阻，所述第五电阻的第一端连接所述第四电阻的第二端，所述第五电阻的第二端连接所述第一端口。9.如权利要求1所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，所述第一开关管为一晶闸管。10.如权利要求1所述一种高压下tbu器件的漏电测试电路，其特征在于，所述第二开关管为一pnp型三极管。

技术总结
本发明公开了一种高压下TBU器件的漏电测试电路，属于漏电测试技术领域，包括第一电源、第二电源、第一电容，第一开关管与第二开关管，所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极，所述第一开关管的阴极连接TBU器件的第一端，所述第二电源的正极连接所述TBU器件的第一端，所述第一电源的负极接地，所述TBU器件的第二端接地，所述第二电源的负极接地，所述第一电容并联在所述第一电源两端，所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极，所述第二开关管的集电极接地，所述第二开关管的发射极连接第三电源，所述第二开关管的基极连接第一端口，所述第一端口连接TTL电平信号。本发明一种高压下TBU器件的漏电测试电路结构简单，易于实现。易于实现。易于实现。


技术研发人员：梁媛媛 赵国情 徐旭 葛俊吉 夏冰
受保护的技术使用者：江苏展芯半导体技术有限公司
技术研发日：2023.07.06
技术公布日：2023/8/5