光学邻近修正方法与流程

1.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法。


背景技术：

2.光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
3.在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(ope：optical proximity effect)。
4.为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近修正(opc：optical proximity correction)。光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型，根据光学邻近修正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近修正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
5.然而，现有技术中光学邻近修正仍存在诸多问题。


技术实现要素：

6.本发明解决的技术问题是提供一种光学邻近修正方法，以提高光学邻近修正的准确性和效率。
7.为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种光学邻近修正方法，包括：获取初始版图，所述初始版图包括若干初始图形；对所述初始版图进行缺陷检测，确定缺陷位置；在所述缺陷位置形成第一缺陷标记，所述第一缺陷标记包括可偏移的边界；根据所述缺陷位置，确定缺陷初始图形、对应所述缺陷初始图形的指定初始图形以及缺陷偏移方向；沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，所述第二缺陷标记与所述指定初始图形之间的最小间距小于相邻初始图形之间的预设最小间距；根据所述第二缺陷标记，确定所述缺陷初始图形中的待修正线段，并对所述初始版图进行修正。
8.可选的，所述预设最小间距基于所述光罩规则检查中的边界条件生成。
9.可选的，所述沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，包括：在所述第一缺陷标记中获取与所述缺陷偏移方向垂
直且与所述指定初始图形相邻的第一边界；在所述缺陷偏移方向上，将所述第一边界朝向所述指定初始图形进行偏移，直至所述第一边界满足预设条件，形成第二缺陷标记。
10.可选的，所述预设条件包括：所述第一边界与所述指定初始图形之间的最小间距小于所述相邻初始图形之间的预设最小间距；所述第二缺陷标记与所述指定初始图形不重合。
11.可选的，所述沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，还包括：在所述第一缺陷标记中获取与所述第一边界相对的第二边界；在所述缺陷偏移方向上，将所述第二边界背向所述指定初始图形偏移第一预设距离。
12.可选的，所述光学邻近修正方法还包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形，各所述目标图形包括若干目标线段；所述获取初始版图，包括：对所述目标版图进行若干次全局光学邻近修正，获取所述初始版图，若干初始图形与若干目标图形对应。
13.可选的，所述对所述初始版图进行缺陷检测，确定缺陷位置，包括：对所述初始版图进行曝光处理，形成初始曝光版图，所述初始曝光版图包括与若干初始图形对应的若干初始曝光图形；对比所述初始版图和所述初始曝光版图，获取与若干目标线段对应的若干边缘放置误差；当与若干目标线段对应的若干边缘放置误差中的任意边缘放置误差超出预设偏差范围时，确定缺陷位置。
14.可选的，所述在所述缺陷位置形成第一缺陷标记，包括：根据所述缺陷位置，从若干所述目标线段中确定对应的第一目标线段；在所述目标版图中形成对应的目标第一缺陷标记，至少部分所述第一目标线段在所述目标第一缺陷标记的范围内；根据所述目标第一缺陷标记，在所述初始版图中形成相应的第一缺陷标记。
15.可选的，所述缺陷偏移方向的确定方法包括：根据所述第一目标线段，获取与所述第一目标线段相垂直的缺陷偏移方向。
16.可选的，所述缺陷初始图形的确定方法包括：确定所述第一目标线段所在的目标图形；在若干初始图形中确定对应所述目标图形的初始图形为缺陷初始图形。
17.可选的，所述指定初始图形的确定方法包括：在若干初始图形中确定与所述缺陷初始图形、所述第一缺陷标记均相邻的初始图形为指定初始图形。
18.可选的，所述对所述初始版图进行修正，包括：对所述初始版图进行第一局部光学邻近修正，形成第一修正版图。
19.可选的，所述光学邻近修正方法还包括：对所述第一修正版图进行若干次第二局部光学邻近修正，形成第二修正版图。
20.可选的，所述对所述第一修正版图进行若干次第二局部光学邻近修正，形成第二修正版图，包括：将所述第一修正版图作为中间待修正版图，并进行曝光处理，获取中间待修正曝光版图；根据所述中间待修正版图和所述中间待修正曝光版图，形成中间修正版图；将所述中间修正版图作为所述中间待修正版图，并继续进行第二局部光学邻近修正，直至完成若干次第二局部光学邻近修正，获取第二修正版图。
21.与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
22.本发明的技术方案提供的光学邻近修正方法中，对初始版图进行缺陷检测，确定缺陷位置；在所述缺陷位置形成第一缺陷标记，所述第一缺陷标记包括可偏移的边界；根据
所述缺陷位置，确定缺陷初始图形、对应所述缺陷初始图形的指定初始图形以及缺陷偏移方向；沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，所述第二缺陷标记与所述指定初始图形之间的最小间距小于相邻初始图形之间的预设最小间距；根据所述第二缺陷标记，确定所述缺陷初始图形中的待修正线段，并对所述初始版图进行修正。其中，所述相邻初始图形之间的预设最小间距用于：限定相邻初始图形之间的间距需要在所述预设最小间距以上。因此，所述第二缺陷标记容易接触到缺陷初始图形中相邻于指定初始图形的轮廓，从而，减少了指定初始图形的轮廓中实际需要被修正但无法被确定的待修正线段，提高了获取待修正线段的准确性，进而，提升了光学邻近修正的准确性和效率。
附图说明
23.图1是本发明一实施例的光学邻近修正方法的流程示意图；
24.图2至图9是本发明一实施例的光学邻近修正方法各步骤的结构示意图。
具体实施方式
25.正如背景技术所述，现有技术中光学邻近修正仍存在诸多问题。以下将结合一实施例进行具体说明。
26.在一种光学邻近修正方法中，包括以下步骤：步骤s11，提供包括若干目标图形的目标版图；步骤s12，对所述目标版图进行若干次全局的光学邻近修正，形成初始版图，所述初始版图包括与若干目标图形对应的若干初始图形；步骤s13，对所述初始版图进行若干次局部光学邻近修正。
27.针对所述步骤s13，对所述初始版图进行若干次局部光学邻近修正，包括：
28.步骤s13a，将所述初始版图作为待修正版图；
29.步骤s13b，检测所述待修正版图的若干缺陷；
30.步骤s13c，根据若干缺陷，形成对应的若干缺陷标记；
31.步骤s13d，根据若干缺陷标记，在所述待修正版图中获取对应的若干待修正线段；
32.步骤s13e，偏移若干待修正线段，形成中间修正版图；
33.步骤s13f，将所述中间修正版图作为所述待修正版图，并继续进行局部光学邻近修正，直至完成若干次局部光学邻近修正，获取修正版图。
34.然而，随着半导体制作技术的发展，先进节点下需要形成尺寸更小、结构更复杂的半导体结构，因此，形成的所述初始版图中，若干初始图形的尺寸越来越小、形状越来越复杂，导致进行初次局部光学邻近修正的过程中，成的缺陷标记出现无法接触所述待修正版图中的图形的轮廓，造成实际需要被修正的待修正线段无法被获取，导致光学邻近修正的准确性和效率较差。
35.为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种光学邻近修正方法，通过：对初始版图进行缺陷检测，确定缺陷位置；在所述缺陷位置形成第一缺陷标记，所述第一缺陷标记包括可偏移的边界；根据所述缺陷位置，确定缺陷初始图形、对应所述缺陷初始图形的指定初始图形以及缺陷偏移方向；沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，所述第二缺陷标记与所述指定初始图形之间的
最小间距小于相邻初始图形之间的预设最小间距，使所述第二缺陷标记与所述指定初始图形之间的最小间距小于相邻初始图形之间的预设最小间距，因此，提升了光学邻近修正的准确性和效率。
36.为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
37.图1是本发明一实施例的光学邻近修正方法的流程示意图。
38.请参考图5，光学邻近修正方法包括以下步骤：
39.步骤s100，提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；
40.步骤s200，获取初始版图，所述初始版图包括若干初始图形；
41.步骤s300，对所述初始版图进行缺陷检测，确定缺陷位置；
42.步骤s400，在所述缺陷位置形成第一缺陷标记，所述第一缺陷标记包括可偏移的边界；
43.步骤s500，根据所述缺陷位置，确定缺陷初始图形、对应所述缺陷初始图形的指定初始图形以及缺陷偏移方向；
44.步骤s600，沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，所述第二缺陷标记与所述指定初始图形之间的最小间距小于相邻初始图形之间的预设最小间距；
45.步骤s700，根据所述第二缺陷标记，确定所述缺陷初始图形中的待修正线段；
46.步骤s800，对所述初始版图进行修正。
47.以下结合附图进行详细说明。
48.图2至图9是本发明一实施例的光学邻近修正方法各步骤的结构示意图。
49.请参考图2，提供目标版图100，所述目标版图100包括若干目标图形110。
50.所述目标图形110是理想状态(即没有光学邻近效应)的图形。然而，由于光学邻近效应的存在，在实际的曝光过程中会发生光的干涉和衍射，因此，曝光处理后获取的图形与目标图形110之间存在差异。例如，目标图形110为规则的长方形，曝光处理后获取的图形类似于椭圆形。若干目标图形110的形状可以是矩形、正方形、多边形、圆形等。
51.为了便于解释，图2中示意性地示出若干矩形的目标图形110为例进行说明。
52.在本实施例中，各所述目标图形110包括若干目标线段111。
53.具体的，可提供预设窗口，并以所述预设窗口对若干目标图形110的轮廓进行分割，以形成若干目标线段111。
54.请参考图3，获取初始版图200，所述初始版图200包括若干初始图形210。
55.若干初始图形210与若干目标图形110对应。
56.在本实施例中，获取初始版图200的方法包括：对所述目标版图100进行若干次全局光学邻近修正，获取所述初始版图200。
57.在本实施例中，对所述目标版图100进行若干次全局光学邻近修正，形成所述初始版图200的方法包括：将所述目标版图100作为待修正目标版图，并进行曝光处理，获取中间目标曝光版图(未图示)；根据预设模型、所述目标版图100以及所述中间目标曝光版图，对所述待修正目标版图进行全局修正处理，生成中间目标版图(未图示)；将所述中间目标版图作为待修正目标版图，直至完成若干次全局光学邻近修正，获取初始版图200。
58.在本实施例中，所述全局光学邻近修正进行的曝光处理为全局(即对目标版图100整体)曝光处理，并且，相比局部光学邻近修正(例如所述第一局部光学邻近修正、第二局部光学邻近修正)，所述全局光学邻近修正中采用的预设模型更复杂，并且，针对的缺陷类型以及边界条件的限制更多。所述第一局部光学邻近修正、第二局部光学邻近修正是针对所述初始版图200的边缘放置误差缺陷(edge placement error defect，epe缺陷)进行的修正。
59.接着，对所述初始版图200进行缺陷检测，确定缺陷位置。
60.对所述初始版图200进行缺陷检测，确定缺陷位置的方法的具体步骤请参考图4至图5。
61.请参考图4，对所述初始版图200进行曝光处理，形成初始曝光版图300。
62.所述初始曝光版图300包括：与若干初始图形210对应的若干初始曝光图形310。
63.请参考图5，对比所述初始版图200和所述初始曝光版图310，获取与若干目标线段111对应的若干边缘放置误差epet；当任意边缘放置误差epet超出预设偏差范围时，确定缺陷位置(未图示)。
64.需要理解的是，由于若干边缘放置误差epet与若干目标线段111具有对应关系，因此，检测到的缺陷位置不仅与所述超出预设偏差范围的边缘放置误差epet具有对应关系，同时，也与对应所述超出预设偏差范围的边缘放置误差epet的目标线段111具有对应关系。
65.需要说明的是，为了便于理解和解释，图5中示意性地以虚线表示出部分目标图形110的轮廓。
66.请参考图6，在所述缺陷位置形成第一缺陷标记220，所述第一缺陷标记220包括可偏移的边界(图中未标识)。
67.具体而言，所述可偏移的边界为后续进行说明的第一边界和第二边界。
68.在本实施例中，在所述缺陷位置形成第一缺陷标记220的方法包括：根据所述缺陷位置，从若干目标线段111中确定对应的第一目标线段111a；在所述目标版图100中形成对应的目标第一缺陷标记(图中未标识)，至少部分所述第一目标线段111a在所述目标第一缺陷标记的范围内；根据所述目标第一缺陷标记，在所述初始版图200中形成相应的第一缺陷标记220。
69.为了便于理解和解释，图6中示意性地以虚线表示出第一目标线段111a。
70.优选的，所述第一缺陷标记220的边界是具有预设边长的正方形。
71.优选的，所述预设边长为1纳米。
72.请继续参考图6，根据所述缺陷位置，确定缺陷初始图形210a、对应所述缺陷初始图形210a的指定初始图形210b以及缺陷偏移方向x。
73.在本实施例中，所述缺陷初始图形210a的确定方法包括：确定所述第一目标线段111a所在的目标图形110；在若干初始图形210中确定对应所述目标图形110的初始图形210为缺陷初始图形210a。
74.在本实施例中，所述指定初始图形210b的确定方法包括：在若干初始图形210中确定与所述缺陷初始图形210a、所述第一缺陷标记220均相邻的初始图形210为指定初始图形210b。
75.在本实施例中，所述缺陷偏移方向x的确定方法包括：根据所述第一目标线段
111a，获取与所述第一目标线段111a相垂直的缺陷偏移方向x。
76.即：所述缺陷偏移方向垂直于所述对应的目标线段111。
77.为了便于理解和解释，图6中示意性地以虚线表示出第一目标线段111a所在的目标图形110。
78.请参考图7，沿所述缺陷偏移方向x偏移所述第一缺陷标记220中垂直于所述缺陷偏移方向x的边界，形成第二缺陷标记230，所述第二缺陷标记230与所述指定初始图形210b之间的最小间距d1小于相邻初始图形210之间的预设最小间距。
79.所述相邻初始图形210之间的预设最小间距用于：限定相邻初始图形210之间的间距需要在所述预设最小间距以上。
80.具体而言，所述缺陷初始图形210a与所述指定初始图形210b之间的最小间距d2必定大于或等于所述预设最小间距。因此，缺陷初始图形210a中的实际需要被修正的待修正线段中，背向对应的目标图形110偏移而形成的待修正线段能够被所述第二缺陷标记230接触(即部分位于所述第二缺陷标记230的范围内)。从而，减少了实际需要被修正但无法被确定的待修正线段，提高了获取待修正线段的准确性。
81.在本实施例中，所述相邻初始图形210之间的预设最小间距基于所述光罩规则检查(mrc)中的边界条件生成。从而，可基于现有的模型和数据得到所述预设最小间距，提高了便利性和效率。
82.在本实施例中，形成第二缺陷标记230的方法包括：在所述第一缺陷标记220中获取与所述缺陷偏移方向x垂直且与所述指定初始图形210b相邻的第一边界221；在缺陷偏移方向x上，将所述第一边界221朝向所述指定初始图形210b进行偏移，直至所述第一边界221满足预设条件。
83.具体的，获取所述第一边界221的方法包括：将所述第一缺陷标记220中，与所述缺陷偏移方向x垂直，并且，对应于目标图形110外部区域的边界作为所述第一边界221。
84.在本实施例中，所述预设条件包括：所述第一边界221与所述指定初始图形210b之间的最小间距d1小于所述相邻初始图形210之间的预设最小间距；所述第二缺陷标记230与所述指定初始图形210b不重合。
85.相比通过大量调取目标版图100和初始版图200的相关数据并进行复杂的筛查比对，确定目标图形110的轮廓与缺陷初始图形210a的轮廓之间的间距，接着，得到第一边界221的需要偏移的距离，以确保形成可接触到待修正线段的第二缺陷标记的方式，本实施例中由于通过判断是否满足所述预设条件形成所述第二缺陷标记220，因此，能够极大地减少光学邻近修正时设备的数据处理量，从而，更好地提升了提高光学邻近修正的效率。
86.此外，由于所述预设条件包括：所述第二缺陷标记230与所述指定初始图形210b不重合，因此，降低了所述第二缺陷标记230误接触非待修正线段的风险，更好地提高了光学邻近修正的准确性。
87.在本实施例中，形成第二缺陷标记230的方法还包括：在所述第一缺陷标记220中获取与所述第一边界221相对的第二边界222；在所述缺陷偏移方向x上，将所述第二边界222背向所述指定初始图形210b偏移第一预设距离。
88.从而，缺陷初始图形210a中的实际需要被修正的待修正线段中，朝向对应的目标图形110偏移而形成的待修正线段也能够被所述第二缺陷标记230接触，以准确对待修正线
段进行确定。
89.通常，在实际应用场合中，可通过经验准确预估第一预设距离(即第二边界222的偏移距离)，以确保形成的第二缺陷标记230能够在不与非待修正线段接触的同时，接触到朝向对应的目标图形110偏移而形成的待修正线段。
90.优选的，所述第一预设距离为20纳米。
91.需要说明的是，为了便于理解，图7中以虚线表示所述第一边界221和所述第二边界222。
92.请参考图8，根据所述第二缺陷标记230，确定所述缺陷初始图形210a中的待修正线段211a。
93.由于缺陷初始图形210a中的实际需要被修正的待修正线段中，背向对应的目标图形110偏移而形成的待修正线段能够被所述第二缺陷标记230接触(即部分位于所述第二缺陷标记230的范围内)，因此，减少了实际需要被修正但无法被确定的待修正线段211a，从而，提高了获取待修正线段的准确性。由此，可提高后续局部光学邻近修正(包括第一局部光学邻近修正、第二局部光学邻近修正)的准确性和迭代响应速度，进而，提升了光学邻近修正的准确性和效率。
94.在本实施例中，根据所述第二缺陷标记230，在所述缺陷初始图形210a的轮廓中获取对应的待修正线段211a的方法包括：对所述缺陷初始图形210a的轮廓进行分割处理，形成若干缺陷初始线段211；根据所述第二缺陷标记230，在若干缺陷初始线段211中获取待修正线段211a，所述待修正线段211a部分或全部位于所述第二缺陷标记230的范围内。
95.请参考图9，对所述初始版图200进行第一局部光学邻近修正，形成第一修正版图400。
96.具体的，形成所述第一修正版图400的方法包括：根据与若干所述待修正线段211a对应的若干边缘放置误差epet，偏移若干所述待修正线段211a，形成所述第一修正版图400。
97.在本实施例中，形成所述第一修正版图400后，所述光学邻近修正方法还包括：对所述第一修正版图400进行若干次第二局部光学邻近修正，形成第二修正版图(未图示)。
98.在本实施例中，形成所述第二修正版图的方法包括：将所述第一修正版图作为中间待修正版图(未图示)，并进行曝光处理，获取中间待修正曝光版图(未图示)；根据所述中间待修正版图和所述中间待修正曝光版图，形成中间修正版图(未图示)；将所述中间修正版图作为所述中间待修正版图，并继续进行第二局部光学邻近修正，直至完成若干次第二局部光学邻近修正，获取第二修正版图(未图示)。
99.虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

技术特征：
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：获取初始版图，所述初始版图包括若干初始图形；对所述初始版图进行缺陷检测，确定缺陷位置；在所述缺陷位置形成第一缺陷标记，所述第一缺陷标记包括可偏移的边界；根据所述缺陷位置，确定缺陷初始图形、对应所述缺陷初始图形的指定初始图形以及缺陷偏移方向；沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，所述第二缺陷标记与所述指定初始图形之间的最小间距小于相邻初始图形之间的预设最小间距；根据所述第二缺陷标记，确定所述缺陷初始图形中的待修正线段，并对所述初始版图进行修正。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设最小间距基于所述光罩规则检查中的边界条件生成。3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，包括：在所述第一缺陷标记中获取与所述缺陷偏移方向垂直且与所述指定初始图形相邻的第一边界；在所述缺陷偏移方向上，将所述第一边界朝向所述指定初始图形进行偏移，直至所述第一边界满足预设条件，形成第二缺陷标记。4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设条件包括：所述第一边界与所述指定初始图形之间的最小间距小于所述相邻初始图形之间的预设最小间距；所述第二缺陷标记与所述指定初始图形不重合。5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，还包括：在所述第一缺陷标记中获取与所述第一边界相对的第二边界；在所述缺陷偏移方向上，将所述第二边界背向所述指定初始图形偏移第一预设距离。6.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光学邻近修正方法还包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形，各所述目标图形包括若干目标线段；所述获取初始版图，包括：对所述目标版图进行若干次全局光学邻近修正，获取所述初始版图，若干初始图形与若干目标图形对应。7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述初始版图进行缺陷检测，确定缺陷位置，包括：对所述初始版图进行曝光处理，形成初始曝光版图，所述初始曝光版图包括与若干初始图形对应的若干初始曝光图形；对比所述初始版图和所述初始曝光版图，获取与若干目标线段对应的若干边缘放置误差；当与若干目标线段对应的若干边缘放置误差中的任意边缘放置误差超出预设偏差范围时，确定缺陷位置。8.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述在所述缺陷位置形成第一
缺陷标记，包括：根据所述缺陷位置，从若干所述目标线段中确定对应的第一目标线段；在所述目标版图中形成对应的目标第一缺陷标记，至少部分所述第一目标线段在所述目标第一缺陷标记的范围内；根据所述目标第一缺陷标记，在所述初始版图中形成相应的第一缺陷标记。9.如权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述缺陷偏移方向的确定方法包括：根据所述第一目标线段，获取与所述第一目标线段相垂直的缺陷偏移方向。10.如权利要求8所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述缺陷初始图形的确定方法包括：确定所述第一目标线段所在的目标图形；在若干初始图形中确定对应所述目标图形的初始图形为缺陷初始图形。11.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述指定初始图形的确定方法包括：在若干初始图形中确定与所述缺陷初始图形、所述第一缺陷标记均相邻的初始图形为指定初始图形。12.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述初始版图进行修正，包括：对所述初始版图进行第一局部光学邻近修正，形成第一修正版图。13.如权利要求12所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光学邻近修正方法还包括：对所述第一修正版图进行若干次第二局部光学邻近修正，形成第二修正版图。14.如权利要求13所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述第一修正版图进行若干次第二局部光学邻近修正，形成第二修正版图，包括：将所述第一修正版图作为中间待修正版图，并进行曝光处理，获取中间待修正曝光版图；根据所述中间待修正版图和所述中间待修正曝光版图，形成中间修正版图；将所述中间修正版图作为所述中间待修正版图，并继续进行第二局部光学邻近修正，直至完成若干次第二局部光学邻近修正，获取第二修正版图。

技术总结
一种光学邻近修正方法，包括：获取初始版图，所述初始版图包括若干初始图形；对所述初始版图进行缺陷检测，确定缺陷位置；在所述缺陷位置形成第一缺陷标记，所述第一缺陷标记包括可偏移的边界；根据所述缺陷位置，确定缺陷初始图形、对应所述缺陷初始图形的指定初始图形以及缺陷偏移方向；沿所述缺陷偏移方向偏移所述第一缺陷标记中与所述缺陷偏移方向垂直的边界，形成第二缺陷标记，所述第二缺陷标记与所述指定初始图形之间的最小间距小于相邻初始图形之间的预设最小间距；根据所述第二缺陷标记，确定所述缺陷初始图形中的待修正线段，并对所述初始版图进行修正。所述光学邻近修正方法可提高光学邻近修正的准确性和效率。修正方法可提高光学邻近修正的准确性和效率。修正方法可提高光学邻近修正的准确性和效率。


技术研发人员：严中稳 王晨
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
技术研发日：2022.01.28
技术公布日：2023/8/8