一种高压结制备用工装的制作方法

1.本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种高压结制备用工装。


背景技术：

2.半导体器件的边缘终端结构主要分为平面终端结构和斜面终端结构，高压pn结器件通常采用后者。斜面终端结构又分为负斜角结构和正斜角结构，其目的都是降低pn结表面上的电场强度。负斜角的边结构通常不超过4
°
，正斜角的边结构通常在30
°
～80
°
之间的范围选择。
3.斜面终端结构的制备工艺包括磨角和腐蚀。腐蚀的目的是去除表面在磨角过程中引起的机械损伤和污染，达到稳定表面电特性的作用。腐蚀后的表面质量是控制高压pn结漏电流大小的关键，其取决于腐蚀速度。腐蚀速度与腐蚀温度密切相关，为了控制腐蚀温度，就要控制腐蚀液的配比、腐蚀液的流量和腐蚀芯片的数量。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高压结制备用工装。
5.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
6.一种高压结制备用工装，包括调节机构和固定机构；
7.调节机构：所述调节机构包括上压模、上压模上部等距离开设的螺杆孔、螺杆孔内设置的调节螺杆、通过调节螺杆与上压模连接的下托模、调节螺杆底部设置的固定螺母和调节螺杆顶部套设的调节螺帽；
8.固定机构：所述固定机构包括上压模中心位置设置的压块、下托模中心位置设置的托块、托块内腔上部设置的沉台、沉台上设置的密封圈和密封圈内设置的芯片。
9.通过上述方案，通过设置有固定机构，将待腐蚀芯片由矩阵式摆放调整为单芯工装，使各芯片的腐蚀环境相对独立，互不干扰，提高了pn结表面腐蚀的均匀性，便于维护，在实施腐蚀过程中出现问题时不影响其它工装中的芯片pn结腐蚀质量，采用本实用新型制备的高压pn结，可实现5000v阻断电压下的结温漏电流不超过5ma，通过设置有调节机构，能够适用于不同规格型号的芯片，扩大了适用范围，提高了实用性。
10.优选的，所述上压模的上部和下托模的下部均为正三角形基座，且基座的三个顶点均开设有螺杆孔。
11.通过上述方案，明确了上压模和下托模的连接方式。
12.优选的，所述上压模的基座厚度为上压模总厚度的1/3，且平行度0.02mm。
13.通过上述方案，明确的上压模的规格尺寸。
14.优选的，所述压块内腔底部为锥形，且锥形高度是压块总高度的1/3，压块壁厚是芯片直径的1/10。
15.通过上述方案，明确了压块的规格形状。
16.优选的，所述下托模的基座厚度为下托模总厚度的1/3，且平行度0.02mm。
17.通过上述方案，明确了下托模的规格尺寸。
18.优选的，所述沉台底部为锥形，且锥形高度是托块总高度的1/2。
19.通过上述方案，明确了沉台的规格形状。
20.优选的，所述密封圈为“o”形密封圈，且密封圈材质为氟橡胶。
21.通过上述方案，明确了装置的整体材质和密封圈的材质。
22.本实用新型的有益效果为：
23.1、本设计的一种高压结制备用工装，通过设置有固定机构，将待腐蚀芯片由矩阵式摆放调整为单芯工装，使各芯片的腐蚀环境相对独立，互不干扰，提高了pn结表面腐蚀的均匀性，便于维护，在实施腐蚀过程中出现问题时不影响其它工装中的芯片pn结腐蚀质量，采用本实用新型制备的高压pn结，可实现5000v阻断电压下的结温漏电流不超过5ma；
24.2、本设计的一种高压结制备用工装，通过设置有调节机构，能够适用于不同规格型号的芯片，扩大了适用范围，提高了实用性。
附图说明
25.图1为本实用新型提出的一种高压结制备用工装的整体结构三维图；
26.图2为本实用新型提出的一种高压结制备用工装的下托模三维图；
27.图3为本实用新型提出的一种高压结制备用工装的整体结构侧视剖视图。
28.图中：1、调节机构；2、固定机构；11、上压模；12、螺杆孔；13、调节螺杆；14、下托模；15、固定螺母；16、调节螺帽；21、压块；22、托块；23、沉台；24、密封圈；25、芯片。
具体实施方式
29.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
30.实施例1，参照图1-3，一种高压结制备用工装，包括调节机构1和固定机构2；
31.调节机构1：调节机构1包括上压模11、上压模11上部等距离开设的螺杆孔12、螺杆孔12内设置的调节螺杆13、通过调节螺杆13与上压模11连接的下托模14、调节螺杆13底部设置的固定螺母15和调节螺杆13顶部套设的调节螺帽16；
32.为了准确的描述上压模11和下托模14的连接结构，上压模11的上部和下托模14的下部均为正三角形基座，基座的三个顶点均开设有螺杆孔12；
33.为了准确的描述上压模11的连接结构，上压模11的基座厚度为上压模11总厚度的1/3，平行度0.02mm；
34.为了准确的描述下托模14的连接结构，下托模14的基座厚度为下托模14总厚度的1/3，平行度0.02mm；
35.通过设置有调节机构1，能够适用于不同规格型号的芯片25，扩大了适用范围，提高了实用性。
36.实施例2，参照图1-3，本实施例是在实施例1的基础上进行优化，具体是：
37.固定机构2：固定机构2包括上压模11中心位置设置的压块21、下托模14中心位置
设置的托块22、托块22内腔上部设置的沉台23、沉台23上设置的密封圈24和密封圈24内设置的芯片25；
38.为了准确的描述压块21的连接结构，压块21内腔底部为锥形，锥形高度是压块21总高度的1/3，压块21壁厚是芯片25直径的1/10；
39.为了准确的描述沉台23的连接结构，沉台23底部为锥形，锥形高度是托块22总高度的1/2；
40.为了准确的描述密封圈24的连接结构，密封圈24为“o”形密封圈，密封圈24其材质为氟橡胶；
41.通过设置有固定机构2，将待腐蚀芯片25由矩阵式摆放调整为单芯工装，使各芯片25的腐蚀环境相对独立，互不干扰，提高了pn结表面腐蚀的均匀性，便于维护，在实施腐蚀过程中出现问题时不影响其它工装中的芯片25pn结腐蚀质量，采用本实用新型制备的高压pn结，可实现5000v阻断电压下的结温漏电流不超过5ma。
42.工作原理：本实用新型为一种高压结制备用工装，当使用者使用该台设备时，先将三个一端设置有固定螺母15的调节螺杆13穿入下托模14的螺杆孔12内，使下托模14垂直向上；将待腐蚀的芯片25放置在下托模14的“o”型密封圈24上，将上压模11穿过调节螺杆13，使压块21居中压在芯片25台面内，轻轻旋紧调节螺帽16，使上压模11和下托模14平行。将装有待加工芯片25的工装放入自动腐蚀装置的提手架上，设置好腐蚀液搅动速率、工装提拉速率等参数，实施腐蚀工艺。
43.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：
1.一种高压结制备用工装，包括调节机构(1)和固定机构(2)，其特征在于，调节机构(1)：所述调节机构(1)包括上压模(11)、上压模(11)上部等距离开设的螺杆孔(12)、螺杆孔(12)内设置的调节螺杆(13)、通过调节螺杆(13)与上压模(11)连接的下托模(14)、调节螺杆(13)底部设置的固定螺母(15)和调节螺杆(13)顶部套设的调节螺帽(16)；固定机构(2)：所述固定机构(2)包括上压模(11)中心位置设置的压块(21)、下托模(14)中心位置设置的托块(22)、托块(22)内腔上部设置的沉台(23)、沉台(23)上设置的密封圈(24)和密封圈(24)内设置的芯片(25)。2.根据权利要求1所述的一种高压结制备用工装，其特征在于，所述上压模(11)的上部和下托模(14)的下部均为正三角形基座，且基座的三个顶点均开设有螺杆孔(12)。3.根据权利要求1所述的一种高压结制备用工装，其特征在于，所述上压模(11)的基座厚度为上压模(11)总厚度的1/3，且平行度0.02mm。4.根据权利要求1所述的一种高压结制备用工装，其特征在于，所述压块(21)内腔底部为锥形，且锥形高度是压块(21)总高度的1/3，压块(21)壁厚是芯片(25)直径的1/10。5.根据权利要求1所述的一种高压结制备用工装，其特征在于，所述下托模(14)的基座厚度为下托模(14)总厚度的1/3，且平行度0.02mm。6.根据权利要求1所述的一种高压结制备用工装，其特征在于，所述沉台(23)底部为锥形，且锥形高度是托块(22)总高度的1/2。7.根据权利要求1所述的一种高压结制备用工装，其特征在于，所述密封圈(24)为“o”形密封圈，且密封圈(24)其材质为氟橡胶。

技术总结
本实用新型属于电子元器件技术领域，尤其是一种高压结制备用工装，针对背景技术提出的问题，现提出以下方案，包括调节机构和固定机构，调节机构包括上压模、上压模上部等距离开设的螺杆孔、螺杆孔内设置的调节螺杆、通过调节螺杆与上压模连接的下托模、调节螺杆底部设置的固定螺母和调节螺杆顶部套设的调节螺帽，固定机构包括上压模中心位置设置的压块、下托模中心位置设置的托块、托块内腔上部设置的沉台、沉台上设置的密封圈和密封圈内设置的芯片。本实用新型将待腐蚀芯片由矩阵式摆放调整为单芯工装，使各芯片的腐蚀环境相对独立，互不干扰，提高了PN结表面腐蚀的均匀性，便于维护，能够适用于不同规格型号的芯片，提高了实用性。用性。用性。


技术研发人员：杨胜国 纪伟 霍立新 隋鑫
受保护的技术使用者：阜新飞宇电子科技有限公司
技术研发日：2022.12.26
技术公布日：2023/8/8