成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法与流程

1.本发明涉及成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法。


背景技术：

2.在有机el显示器等的制造中，将蒸镀物质经由掩模在基板上成膜。作为成膜的前处理，进行掩模与基板的对准，将两者重合。专利文献1公开了在使基板吸附于静电卡盘等的吸附板的状态下，使基板与掩模接近而进行对准的情况。而且，公开了用于检测基板的吸附状态的检测机构。
3.【现有技术文献】
4.【专利文献】
5.【专利文献1】日本特开2019-117926号公报


技术实现要素：

6.【发明要解决的课题】
7.在专利文献1公开的成膜装置中，虽然能够检测处于基板未充分吸附于吸附板的状态的情况，但是关于更适当地进行基板的吸附的方法未进行充分的研讨。本技术发明者们得到了通过施加较大的电压而能够使基板的吸附容易这样的见解。另一方面，如果为了使基板可靠地吸附于吸附板而向吸附板施加大的电压来进行基板的吸附，则过大的电压可能会对基板造成影响。
8.本发明的目的在于降低吸附基板时的对基板的影响。
9.【用于解决课题的方案】
10.本发明的第一方案涉及一种成膜装置，所述成膜装置经由掩模对基板进行成膜，其特征在于，
11.所述成膜装置具备：
12.腔室，所述腔室将内部保持为真空；
13.吸附板，所述吸附板设置在所述腔室的内部，具有产生用于吸附所述基板的静电力的电极；
14.电压控制机构，所述电压控制机构控制向所述电极施加的电压；及
15.检测机构，所述检测机构检测所述基板向所述吸附板的吸附状态，
16.所述电压控制机构在用于使所述吸附板吸附所述基板的电压控制中，使向所述电极施加的电压从所述电压控制的开始时的初始电压增加，对应于通过所述检测机构检测到所述基板向所述吸附板吸附的情况而停止向所述电极施加的电压的增加。
17.另外，本发明的第二方案涉及一种成膜方法，所述成膜方法经由掩模对基板进行成膜，其特征在于，
18.所述成膜方法包括：
19.使用于吸附所述基板的电压一边从初始电压增加一边施加于吸附板的工序，所述
吸附板设置在将内部保持为真空的腔室的内部且具有产生用于吸附所述基板的静电力的电极；
20.检测所述基板向所述吸附板的吸附状态的工序；及
21.对应于检测到所述基板向所述吸附板吸附的情况而停止向所述电极施加的电压的增加的工序。
22.【发明效果】
23.根据本发明，能够降低吸附基板时的对基板的影响。
附图说明
24.图1是电子器件的制造线的一部分的示意图。
25.图2是一实施方式的成膜装置的概略图。
26.图3是基板支承单元及吸附板的说明图。
27.图4是吸附板的电气配线的说明图。
28.图5是计测单元的说明图。
29.图6是调整单元的说明图。
30.图7是使用了吸附板的基板与掩模的重合的工艺的说明图。
31.图8(a)～图8(d)是使基板吸附于吸附板的工艺的说明图。
32.图9(a)～图9(d)是电压控制的说明图。
33.图10(a)和图10(b)是说明电子器件的制造方法的图。
34.【附图标记说明】
35.1：成膜装置，3：腔室，14：控制装置，15：吸附板，100：基板，1621：接触传感器
具体实施方式
36.以下，参照附图详细说明实施方式。需要说明的是，以下的实施方式没有限定权利要求书涉及的发明。虽然实施方式中记载了多个特征，但是这多个特征并非全部对于发明来说是必须的，而且，可以将多个特征任意组合。此外，在附图中，对于同一或同样的结构标注同一参照编号，省略重复的说明。
37.《电子器件的制造线》
38.图1是表示本发明的成膜装置能够适用的电子器件的制造线的结构的一部分的示意图。图1的制造线例如在智能手机用的有机el显示装置的显示面板的制造中使用，将基板100向成膜组301顺次传送，对基板100进行有机el的成膜。
39.在成膜组301中，在俯视观察具有八边形的形状的传送室302的周围配置有进行对于基板100的成膜处理的多个成膜室303a～303d和收纳使用前后的掩模的掩模保存室305。在传送室302配置有对基板100进行传送的传送机器人302a。传送机器人302a包括保持基板100的手和使手沿水平方向移动的多关节臂。换言之，成膜组301是以将传送机器人302a的周围包围的方式配置有多个成膜室303a～303d的群集型的成膜单元。需要说明的是，在总称成膜室303a～303d的情况下或者不对其进行区分的情况下，标记为成膜室303。
40.在基板100的传送方向(箭头方向)上，在成膜组301的上游侧、下游侧分别配置有缓冲室306、回旋室307、交接室308。在制造过程中，各室维持为真空状态。需要说明的是，在
图1中，成膜组301仅图示1个，但是本实施方式的制造线具有多个成膜组301，多个成膜组301具有通过由缓冲室306、回旋室307、交接室308构成的连结装置而连结的结构。需要说明的是，连结装置的结构没有限定于此，例如可以仅由缓冲室306或交接室308构成。
41.传送机器人302a进行从上游侧的交接室308向传送室302的基板100的送入、成膜室303间的基板100的传送、掩模保存室305与成膜室303之间的掩模的传送、及从传送室302向下游侧的缓冲室306的基板100的送出。
42.缓冲室306是根据制造线的运行状况而用于暂时保存基板100的室。在缓冲室306设有升降机构和也被称为盒的基板收纳搁板。基板收纳搁板具有能够将多张基板100以保持基板100的被处理面(被成膜面)朝向重力方向下方的水平状态的方式收纳的多段结构。升降机构为了使送入或送出基板100的段对合于传送位置而使基板收纳搁板升降。由此，能够使多个基板100暂时收容、滞留于缓冲室306。
43.回旋室307具备变更基板100的朝向的装置。在本实施方式中，回旋室307通过设置于回旋室307的传送机器人使基板100的朝向旋转180度。设置于回旋室307的传送机器人在支承有通过缓冲室306接收的基板100的状态下回旋180度向交接室308交付，由此在缓冲室306内与交接室308调换基板的前端与后端。由此，向成膜室303送入基板100时的朝向在各成膜组301中成为相同朝向，因此能够使对于基板100的成膜的扫描方向、掩模的朝向在各成膜组301中一致。通过设为这样的结构，在各成膜组301中能够使在掩模保存室305设置掩模的朝向一致，掩模的管理简化，能够提高工艺性。
44.制造线的控制系统包括作为主机对线整体进行控制的上位装置300、以及对各结构进行控制的控制装置14a～14d、309、310，它们能够经由有线或无线的通信回路300a通信。控制装置14a～14d对应于成膜室303a～303d设置，对后述的成膜装置1进行控制。需要说明的是，在总称控制装置14a～14d的情况下或者不对其进行区分的情况下，标记为控制装置14。
45.控制装置309对传送机器人302a进行控制。控制装置310对设置于回旋室307的传送机器人进行控制。上位装置300将与基板100相关的信息、传送时机等指示向各控制装置14、309、310发送，各控制装置14、309、310基于接收到的指示来控制各结构。
46.《成膜装置的概要》
47.图2是一实施方式的成膜装置1的概略图。设置于成膜室303的成膜装置1是通过成膜材料在基板100形成薄膜的装置，使用掩模101形成规定的图案的薄膜。通过成膜装置1进行成膜的基板100的材质可以适当选择玻璃、树脂、金属等材料，优选使用在玻璃上形成有聚酰亚胺等树脂层的材料。作为成膜材料，可采用有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等物质。成膜装置1能够应用于制造例如显示装置(平板显示器等)、薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜拍摄元件)等电子器件、光学构件等的制造装置，特别是适合使用于制造有机el面板的制造装置。在以下的说明中，说明成膜装置1通过真空蒸镀对基板100进行成膜的例子。但是，本发明没有限定于此，能够应用于进行溅射或cvd等的各种成膜装置。需要说明的是，在各图中，箭头z表示铅垂方向，箭头x及箭头y表示相互正交的水平方向。
48.成膜装置1具有能够将内部保持为真空的箱型的真空腔室3(也简称为腔室)。真空腔室3的内部空间3a维持为真空气氛或者氮气等非活性气体气氛。在本实施方式中，真空腔
室3与未图示的真空泵连接。需要说明的是，在本说明书中，“真空”是指由比大气压低的压力的气体充满的状态，换言之是指减压状态。在真空腔室3的内部空间3a配置有以水平姿势支承基板100的基板支承单元6、对掩模101进行支承的掩模台5、成膜单元4、板单元9、吸附板15。掩模101是具有与形成于基板100上的薄膜图案对应的开口图案的金属掩模，载置在掩模台5之上。需要说明的是，掩模台5可以置换为将掩模101固定于规定位置的其他方式的机构。作为掩模101，可以使用具有在框状的掩模框架焊接固定有几μm～几十μm左右的厚度的掩模箔的结构的掩模。掩模101的材质没有特别限定，优选使用因瓦合金材料等热膨胀系数小的金属。成膜处理在基板100载置于掩模101之上且基板100与掩模101相互重合的状态下进行。
49.板单元9具备冷却板10和磁铁板11。冷却板10以相对于磁铁板11能够沿z方向位移的方式悬吊在磁铁板11之下。冷却板10具有在成膜时通过与吸附板15接触而对吸附于吸附板15的基板100进行冷却的功能。冷却板10没有限定为具备水冷机构等而积极地对基板100进行冷却的结构，也可以是虽然未设置水冷机构等但是通过与吸附板15接触而夺走基板100的热量那样的板状构件。磁铁板11是通过磁力将掩模101拉近的板，载置于基板100的上表面，在成膜时发挥使基板100与掩模101的紧贴性提高的功能。
50.需要说明的是，也可以采用未设置冷却板10和磁铁板11的结构。例如，在吸附板15设置有冷却机构的情况下，可以不设置冷却板10。而且，在吸附板15吸附掩模101的情况下，可以不设置磁铁板11。
51.成膜单元4是具有蒸发源的单元，除了蒸发源之外，还具备加热器、挡板、蒸发源的驱动机构、蒸发率监视器等。更具体而言，在本实施方式中，成膜单元4是将多个喷嘴(未图示)沿x方向排列配置并从各个喷嘴放出蒸镀材料的线性蒸发源。例如，线性蒸发源通过蒸发源移动机构(未图示)沿y方向(装置的进深方向)往复移动。在本实施方式中，成膜单元4设置于与后述的对准装置2相同的真空腔室3。然而，在与进行对准的真空腔室3不同的腔室进行成膜处理的实施方式中，成膜单元4未配置于真空腔室3。
52.《对准装置》
53.成膜装置1具备进行基板100与掩模101的对准的对准装置2。对准装置2具备基板支承单元6、吸附板15、位置调整单元20、距离调整单元22、板单元升降单元13、计测单元7、8、调整单元17、浮动部19、检测单元16。以下，说明对准装置的各结构。
54.(基板支承单元)
55.对准装置2具备对基板100的周缘部进行支承的基板支承单元6。除了图2之外，参照图3进行说明。图3是基板支承单元6及吸附板15的说明图，是从下侧观察它们的图。
56.基板支承单元6具备构成其外框的多个基体部61a～61d和从基体部61a～61d向内侧突出的多个载置部62及63。需要说明的是，载置部62及63有时也称为“承受爪”或“指状物”。基体部61a～61d分别由支承轴r3支承。多个载置部62以承受基板100的周缘部的长边侧的方式空出间隔地配置于基体部61a～61d。而且，多个载置部63以承受基板100的周缘部的短边侧的方式空出间隔地配置于基体部61a～61d。通过传送机器人302a向成膜装置1送入的基板100由多个载置部62及63支承。以下，在总称基体部61a～61d的情况下或者不对其进行区分的情况下，标记为基体部61。
57.在本实施方式中，多个载置部62及63由板簧构成，在使由多个载置部62及63支承
的基板100吸附于吸附板15时，能够通过板簧的弹性力将基板100压靠于吸附板15。
58.需要说明的是，在图3的例子中，通过四个基体部61构成局部地存在切口的矩形的框体，但是没有限定于此，基体部61也可以是将矩形形状的基板100的外周包围那样的没有裂缝的矩形框体。但是，通过在多个基体部61设置切口，当传送机器人302a向载置部62及63交接基板100时，传送机器人302a能够避开基体部61地退避。由此，能够提高基板100的传送及交接的效率。
59.需要说明的是，也可以采用在基板支承单元6对应于多个载置部62及63地设置多个夹紧部，将载置于载置部62及63的基板100的周缘部通过夹紧部夹持并保持的方案。
60.(吸附板)
61.继续参照图2及3。对准装置2具备设置在真空腔室3的内部而能够吸附基板100的吸附板15。在本实施方式中，吸附板15设置在基板支承单元6与板单元9之间，由一个或多个支承轴r1支承。在本实施方式中，吸附板15由四个支承轴r1支承。在一实施方式中，支承轴r1是圆柱形状的轴。
62.另外，在本实施方式中，吸附板15是通过静电力来吸附基板100的静电卡盘。例如，吸附板15具有在陶瓷材质的基质(也称为基体)的内部埋入有金属电极等电路的结构。例如，在各电极配置区域151中，为了产生静电力而配置被施加正(+)及负(-)的电压的一对电极。正电极及负电极在一个电极配置区域151内交替配置。如果向配置于电极配置区域151的金属电极施加正电压及负电压，则通过陶瓷基质向基板100引导分极电荷，通过基板100与吸附板15之间的静电引力(静电力)，将基板100吸附固定于吸附板15的吸附面150。
63.另外，吸附板15能够控制向电极施加的电压的大小、极性、电压的施加开始及结束的时机、电压的维持时间、电压的施加顺序等。向吸附板15的电压施加由控制装置14控制。控制装置14能够相互独立地控制向多个电极配置区域151的电压施加。
64.需要说明的是，电极配置区域151可以适当设定。例如，在本实施方式中，多个电极配置区域151相互分离设置，但是一个电极配置区域151可以遍及吸附板15的吸附面150的大致整面地形成。
65.另外，在吸附板15埋设有检测吸附板15与基板100的接触的多个接触传感器1621。在本实施方式中，设有合计9个接触传感器1621。在吸附板15的周缘部，沿着两长边分别各设置4个，在吸附板15的中央部设置一个。通过这样在吸附板15的多个部位设置接触传感器1621，能够检测对于基板100的吸附面150的吸附状态、吸附的程度。基于接触传感器1621的输出，能够检测基板100的整面被吸附于吸附面150的情况、基板100的一部分未被吸附于吸附板15的吸附面150的情况等。需要说明的是，接触传感器1621的个数、配置可以适当变更。
66.另外，在本实施方式中，接触传感器1621机械地检测自身与对象的接触。作为一例，接触传感器1621设置成，其前端部由弹簧等施力，在前端部与基板100等未接触的状态下，前端部从吸附面150突出。并且，如果基板100与接触传感器1621的前端部接触，则前端部被基板100按压而向吸附板15侧引入，通过与内部的触点接触而输出规定的电气信号。需要说明的是，前端部的形状没有特别限定，可以为按钮形状或棒形状。通过适当设定与对象未接触的状态的前端部从吸附面150突出的长度，接触传感器1621能够实质地检测吸附板15与基板100的接触。而且，多个接触传感器1621构成如后所述检测吸附板15与掩模台5的平行度的检测单元16。
67.另外，在本实施方式中，在吸附板15设置有检测基板100的向吸附板15的吸附状态的光纤传感器1622。光纤传感器1622包含发光部1622a及受光部1622b。发光部1622a设置在与基板100的周缘部对应的部位。受光部1622b设置在隔着基板100的成膜面的与设有发光部1622a的部位相反侧的基板100的周缘部所对应的部位。发光部1622a及受光部1622b以在吸附板15的下方，例如吸附板15的几mm～几十mm的下方形成光路1622c的方式设置。在基板100的一部分未被吸附于吸附板15的情况下，该一部分由于重力而向下方挠曲。在进行了基板100向吸附板15的吸附处理之后基板100发生挠曲的情况下，该挠曲的部分会遮挡光路1622c，由此检测到基板100的挠曲。即，能够检测基板100的吸附未适当进行的情况。需要说明的是，也可以采用未设置光纤传感器1622的结构。
68.需要说明的是，吸附状态的检测方法并不局限于此。例如，可以在基板100的下侧或吸附板15的上侧设置测距传感器，基于通过测距传感器计测的至基板100的距离来检测吸附状态，也可以在吸附板15设置静电电容传感器，基于通过测距传感器计测的至基板100的距离来检测吸附状态。
69.在吸附板15形成有多个开口152，后述的计测单元(第一计测单元7及第二计测单元8)经由多个开口152拍摄后述的掩模标记。
70.一并参照图4。图4示意性地示出从吸附板15至支承轴r1的结构。而且，图4是吸附板15的电气配线的说明图，示出向在吸附板15的电极配置区域151配置的电极供给电力用的配线。在本实施方式的情况下，对吸附板15进行支承的多个支承轴r1形成为中空的筒状。并且，用于施加正(+)及负(-)电压的电线153以通过其内部的方式配线。在图4的例子中，用于施加正(+)及负(-)电压的电线153分别各示出一根，总计两根。而且，从支承轴r1的下部向真空腔室3延伸出的电线153沿着吸附板15的短边延伸，与设置在短边的大致中央的电气连接部154连接。即，电线153经由支承轴r1从真空腔室3的外部被导向内部，与电气连接部154连接。而且，从电线153向电气连接部154供给的电力向配置于电极配置区域151的各电极供给。
71.另外，在本实施方式中，设置4根支承轴r1，通过这些支承轴r1，将各种电线(线缆)导向真空腔室3的内部。在一实施方式中，向吸附板15供给电力的电线153分别通过在对角设置的两根支承轴r1的内侧，接触传感器1621、光纤传感器1622等线缆以捆束的状态通过其余的2根支承轴r1的内侧。
72.(位置调整单元)
73.对准装置2具备位置调整单元20，该位置调整单元20对通过基板支承单元6支承了周缘部的基板100或者通过吸附板15吸附的基板100与掩模101的相对位置进行调整。位置调整单元20通过使基板支承单元6或吸附板15在xy平面内移动，来调整基板100相对于掩模101的相对位置。即，位置调整单元20也可以说是调整掩模101和基板100的水平位置的单元。例如，位置调整单元20能够使基板支承单元6沿着x方向、y方向及绕着z方向的轴的旋转方向移动。在本实施方式中，将掩模101的位置固定，使基板100移动而调整它们的相对位置，但是也可以使掩模101移动，或者使基板100和掩模101这双方移动来调整相对位置。
74.在本实施方式中，位置调整单元20具备固定板20a、可动板20b、配置在这些板之间的多个致动器201。固定板20a固定于真空腔室3的上壁部30上。而且，在可动板20b上搭载有框架状的架台21，在架台21支承有距离调整单元22及板单元升降单元13。当通过致动器201
使可动板20b相对于固定板20a沿水平方向移动时，架台21、距离调整单元22及板单元升降单元13一体移动。
75.多个致动器201包括例如能够使可动板20b沿x方向移动的致动器及能够使可动板20b沿y方向移动的致动器等。并且，通过控制它们的移动量，能够使可动板20b沿着x方向及y方向、绕z方向的轴的旋转方向移动。例如，多个致动器201可以包括作为驱动源的电动机、将电动机的驱动力转换成直线运动的滚珠丝杠机构等机构。
76.(距离调整单元)
77.距离调整单元22通过使吸附板15及基板支承单元6升降，来调整它们与掩模台5的距离，使基板100与掩模101沿着基板100的厚度方向(z方向)接近及隔离(分离)。换言之，距离调整单元22使基板100与掩模101向重合的方向接近，或者向其反方向分离。需要说明的是，通过距离调整单元22调整的“距离”是所谓垂直距离(或铅垂距离)，距离调整单元也可以说是调整掩模101与基板100的垂直位置的单元。
78.如图2所示，距离调整单元22具备第一升降板220。在架台21的侧部形成有沿z方向延伸的导轨21a，第一升降板220沿着导轨21a在z方向上升降自如。
79.第一升降板220通过多个支承轴r1支承吸附板15。当第一升降板220升降时，伴随于此，吸附板15升降。换言之，第一升降板220对支承吸附板15的多个支承轴r1进行支承，通过第一升降板220的升降而使多个支承轴r1同步升降，吸附板15以保持其平行度的状态进行升降。而且，第一升降板220经由多个致动器65及多个支承轴r3支承基板支承单元6。当第一升降板220升降时，伴随于此，基板支承单元6升降。而且，多个致动器65能够使与这些致动器65分别连接的多个支承轴r3沿铅垂方向移动。基板支承单元6通过多个致动器65相对于吸附板15沿垂直方向相对移动。多个致动器65例如由电动机和滚珠丝杠机构等构成，由此能够使支承轴r3沿铅垂方向移动。
80.关于第一升降板220的升降更具体地进行说明。距离调整单元22具备支承于架台21并作为使第一升降板220升降的致动器的驱动单元221。驱动单元221是将作为驱动源的电动机221a的驱动力向第一升降板220传递的机构。作为驱动单元221的传递机构，在本实施方式中，采用具有滚珠丝杠轴221b和滚珠螺母221c的滚珠丝杠机构。滚珠丝杠轴221b沿z方向延伸设置，通过电动机221a的驱动力绕z方向的轴旋转。滚珠螺母221c固定于第一升降板220，与滚珠丝杠轴221b啮合。通过滚珠丝杠轴221b的旋转及其旋转方向的切换，使第一升降板220沿z方向升降。第一升降板220的升降量能够根据例如检测电动机221a的旋转量的旋转编码器等传感器的检测结果来进行控制。由此，控制对基板100进行吸附并支承的吸附板15在z方向上的位置，能够控制基板100与掩模101的接触、分离。而且，在第一升降板220的上部设置有后述的调整单元17。
81.需要说明的是，在本实施方式的距离调整单元22中，采用将掩模台5的位置固定，通过基板支承单元6及吸附板15移动来调整它们的z方向的距离的结构。然而，在距离调整单元中，没有限定为这样的结构。也可以采用将基板支承单元6或吸附板15的位置固定，使掩模台5移动来进行调整，或者使基板支承单元6、吸附板15及掩模台5分别移动来调整相互的距离的结构。
82.(板单元升降单元)
83.板单元升降单元13通过使在真空腔室3的外部配置的第二升降板12升降而使与第
二升降板12连结且配置在真空腔室3的内部的板单元9升降。板单元9经由一个或多个支承轴r2而与第二升降板12连结。在本实施方式中，板单元9由两个支承轴r2支承。支承轴r2从磁铁板11向上方延伸设置，穿过上壁部30的开口部、固定板20a及可动板20b的各开口部、及第一升降板220的开口部而与第二升降板12连结。
84.第二升降板12沿着引导轴12a在z方向上升降自如。板单元升降单元13具备支承于架台21并使第二升降板12升降的驱动机构。该驱动机构是将作为驱动源的电动机13a的驱动力向第二升降板12传递的机构。作为板单元升降单元13的传递机构，在本实施方式中，采用具有滚珠丝杠轴13b和滚珠螺母13c的滚珠丝杠机构。滚珠丝杠轴13b沿z方向延伸设置，通过电动机13a的驱动力而绕z方向的轴旋转。滚珠螺母13c固定于第二升降板12，与滚珠丝杠轴13b啮合。通过滚珠丝杠轴13b的旋转及其旋转方向的切换，使第二升降板12沿z方向升降。第二升降板12的升降量例如能够根据检测各电动机13a的旋转量的旋转编码器等传感器的检测结果来进行控制。由此，能够控制板单元9的z方向上的位置，控制板单元9与基板100的接触、分离。
85.供前述的各支承轴r1～r3穿过的真空腔室3的上壁部30的开口部具有各支承轴r1～r3能够沿x方向及y方向位移的大小。为了维持真空腔室3的气密性，在供各支承轴r1～r3穿过的上壁部30的开口部设置波纹管等。例如，对第一升降板220进行支承的支承轴r1由波纹管31(参照图4等)覆盖。
86.(计测单元)
87.对准装置2具备对由基板支承单元6支承周缘部的基板100与掩模101的位置偏离进行计测的计测单元(第一计测单元7及第二计测单元8)。除了图2之外，还参照图5进行说明。图5是第一计测单元7及第二计测单元8的说明图，示出基板100与掩模101的位置偏离的计测方案。本实施方式的第一计测单元7及第二计测单元8都是拍摄图像的拍摄装置(相机)。第一计测单元7及第二计测单元8配置在上壁部30的上方，能够经由形成于上壁部30的窗部(未图示)拍摄真空腔室3内的图像。
88.在基板100形成有基板粗对准标记100a及基板精对准标记100b，在掩模101形成有掩模粗对准标记101a及掩模精对准标记101b。以下，有时将基板粗对准标记100a称为基板粗标记100a，将基板精对准标记100b称为基板精标记100b，将两者统称为基板标记。而且，有时将掩模粗对准标记101a称为掩模粗标记101a，将掩模精对准标记101b称为掩模精标记101b，将两者统称为掩模标记。
89.基板粗标记100a形成在基板100的短边中央部。基板精标记100b形成于基板100的四角。掩模粗标记101a对应于基板粗标记100a而形成于掩模101的短边中央部。而且，掩模精标记101b对应于基板精标记100b而形成于掩模101的四角。
90.第二计测单元8以拍摄对应的基板精标记100b和掩模精标记101b的各组(在本实施方式中为四组)的方式设置四个。第二计测单元8是虽然视野相对窄但是具有高析像度(例如几μm的等级)的高倍率ccd相机(精相机)，高精度地计测基板100与掩模101的位置偏离。第一计测单元7设置一个，拍摄对应的基板粗标记100a与掩模粗标记101a的各组(在本实施方式中为两组)。
91.第一计测单元7是虽然视野相对宽但是具有低析像度的低倍率ccd相机(粗相机)，计测基板100与掩模101的大致的位置偏离。在图5的例子中，示出了将两组基板粗标记100a
及掩模粗标记101a通过1个第一计测单元7一并拍摄的结构，但是没有限定于此。也可以与第二计测单元8同样，以分别拍摄基板粗标记100a及掩模粗标记101a的各组的方式，在与各个组对应的位置设置第一计测单元7，整体上设置两个第一计测单元7。
92.在本实施方式中，在基于第一计测单元7的计测结果进行了基板100与掩模101的大致的位置调整之后，以基于第二计测单元8的计测结果进行基板100与掩模101的精密的位置调整的方式进行控制。
93.(调整单元)
94.对准装置2具备调整单元17。图6是调整单元17(调整装置)的说明图。调整单元17是调整吸附板15与掩模台5的相对的倾斜的单元。在本实施方式中，调整单元17通过移动吸附板15来调整吸附板15与掩模台5的相对的倾斜。进而言之，通过调整多个支承轴r1中的至少一部分支承轴r1的轴向的位置，来调整吸附板15与掩模台5的相对的倾斜。
95.调整单元17具有由作业者操作的多个操作部171。在本实施方式中，多个操作部171分别对应于多个支承轴r1设置。并且，当操作部171被操作时，对应的支承轴r1与其他支承轴r1独立地沿着其轴向即铅垂方向移动。即，多个操作部171能够分别独立地调整对应的支承轴r1支承吸附板15的铅垂方向的位置。因此，通过作业者对操作部171进行操作来调整吸附板15与掩模台5的相对的倾斜。为了提高调整的自由度，优选在多个支承轴r1分别设置操作部171，但是只要在至少一个支承轴r1设置操作部171，就能够在一定的范围内调整吸附板15与掩模台5的相对的倾斜。
96.在本实施方式中，操作部171是使支承轴r1沿着其轴向即铅垂方向移动的调整螺母。调整螺母与形成于支承轴r1的螺纹牙172螺合地设置，当通过作业者转动调整螺母时，支承轴r1移动。
97.另外，在本实施方式中，操作部171设置在真空腔室3的外部。具体而言，支承轴r1经由滑动套筒173支承于第一升降板220，在滑动套筒173的上侧设置有操作部171。通过将操作部171设置在真空腔室3的外部，在真空腔室3的内部保持为真空的状态下，作业者能够进行基于调整单元17的调整。
98.另外，在支承轴r1与吸附板15之间设有接头部18，该接头部18以使吸附板15相对于支承轴r1的角度可变的方式连接支承轴r1与吸附板15。在本实施方式中，接头部18为球面轴承，包括球状部181和能够滑动地承接球状部181的轴承部182。
99.在本实施方式中，多个支承轴r1仅能够沿铅垂方向(轴向)移动。因此，在如图6的左侧所示的状态st1那样吸附板15保持为水平的状态和如图6的右侧所示的状态st2那样吸附板15倾斜的状态下，吸附板15相对于支承轴r1所成的角度不同。在本实施方式中，吸附板15在接头部18处相对于支承轴r1弯折，由此，即使在吸附板15倾斜的状态下，支承轴r1也能够支承吸附板15。需要说明的是，接头部18可以适当采用万向接头等将两个构件能够变更其连接角度地连接的结构。
100.在此，与距离调整单元22进行比较来说明调整单元17的结构。在距离调整单元22的第一升降板220升降的情况下，使支承于第一升降板220的多个支承轴r1全部升降相同量，即，使多个支承轴r1同步升降。因此，在保持吸附板15相对于掩模台5的平行度或相对的倾斜的状态下，吸附板15升降。另一方面，调整单元17能够使多个支承轴r1的任一个与其他的支承轴r1独立地相对于第一升降板220沿铅垂方向(轴向)移动。例如，调整单元17能够不
变更三个支承轴r1的位置而调整其余的一个支承轴r1的轴向的位置。由此，调整单元17能够调整由多个支承轴r1支承的吸附板15的倾斜。
101.(浮动部)
102.对准装置2具备浮动部19。浮动部19设置在接头部18与吸附板15之间。浮动部19包括弹性构件191、套筒192、轴构件193、吸附板支承部194、以及凸缘195。轴构件193从接头部18向下方延伸地设置。套筒192隔着轴构件193与吸附板支承部194之间的环状间隙地设置，减轻它们之间的摩擦或减少晃动。例如，套筒192由滑动性优异的金属烧结材料等形成。吸附板支承部194支承吸附板15。弹性构件191设置于吸附板支承部194与在轴构件193设置的凸缘195之间，承受吸附板15的载荷。即，浮动部19经由接头部18连接于支承轴r1，浮动部19的弹性构件191支承吸附板15。这样，支承轴r1经由浮动部19的弹性构件191支承吸附板15，由此能够减轻吸附板15与掩模101接触时向掩模101施加的载荷，并能够确保吸附板15与掩模101接触时的吸附板15的避让。
103.(检测单元)
104.对准装置2具备检测单元16。再次参照图2及3。检测单元16检测吸附板15与掩模台5的平行度。在本实施方式中，平行度表示吸附板15与掩模台5的相对倾斜的程度。在本实施方式中，检测单元16由设置于吸附板15侧的前述的多个接触传感器1621等构成。多个接触传感器1621以从前端部的吸附面150突出的长度相互大致相等的方式安装于吸附板15。通过将接触传感器1621安装于吸附板15，即使因大气压而真空腔室3发生变形，也能够减小吸附板15与接触传感器1621的相对位置产生的变化。即，即使成为真空状态，接触传感器1621的前端部的突出长度也几乎不变化，仍维持相互大致相等。因此，在吸附板15移动时，如果多个接触传感器1621全部大致同时地反应，则能够判断为平行度高，换言之，吸附板15与掩模台5的相对的倾斜小。通过适当改变前端部的从吸附面150突出的长度，也能够将不平行的规定的倾斜设定为目标值。关于使用了检测单元16的吸附板15的平行度的检测动作，在后文叙述。而且，在本实施方式中，接触传感器1621执行吸附板15与基板100的接触的检测、及吸附板15与掩模台5的平行度的检测这两方。由此，与分别设置检测它们的传感器的情况相比，能够削减传感器的数量。
105.(基板中央部的抬起机构)
106.在基板100以不完全的状态吸附于吸附板15的情况下，如图8(d)所示，在比基板100的周缘部靠内侧的区域容易产生褶皱。因此，如图2所示，本实施例的成膜装置1具备基板中央部的抬起机构，该基板中央部的抬起机构具有：能够与基板支承单元6独立地沿着与吸附板15垂直的方向移动的支承轴401；以及设置在支承轴401的下端并能够对基板100的周缘部的中央附近进行支承的承受部400。并且，如图8(a)所示，在向吸附板15施加吸附电压之前，使支承轴401向铅垂上方移动而通过承受部400将基板100的周缘部的中央附近抬起，使其接近吸附板15的吸附面。由此，在向吸附板15施加了吸附电压时，通过承受部400朝向吸附板15抬起的基板100的中央部分先被吸附，因此能够使褶皱难以产生。需要说明的是，基板支承单元6是用于将基板100保持为水平的结构，承受部400及支承轴401是用于使基板100的容易产生褶皱的部分接近吸附板15而使褶皱难以产生的结构，在这一点上不同。
107.在图2中，为了避免附图变得烦杂而省略了用于使支承轴401移动的机构及驱动源的图示，但只要是能够与基板支承单元6、板单元9独立地移动的结构即可，可以适当采用与
上述的板单元升降单元13、距离调整单元22同样的结构。而且，承受部400可以设置成从基板100的下方支承基板100的四边各自的中央附近，也可以设置成支承基板100的短边的中央附近，还可以设置成支承基板100的长边的中央附近。而且，还可以设置成支承基板100的周缘部中的各边的不是中央附近的部位。需要说明的是，可以不具备基于支承轴401及承受部400的基板100的中央部的抬起机构。
108.《控制装置》
109.控制装置14对成膜装置1的整体进行控制。控制装置14具备处理部141、存储部142、输入输出接口(i/o)143、通信部144、显示部145及输入部146。处理部141是以cpu为代表的处理器，执行存储部142存储的程序来控制成膜装置1。存储部142是rom、ram、hdd等存储器件，除了处理部141执行的程序之外，还存储各种控制信息。i/o 143是对处理部141与外部器件之间的信号进行收发的接口。通信部144是经由通信回路300a与上位装置300或其他的控制装置14、309、310等进行通信的通信器件，处理部141经由通信部144从上位装置300接收信息，或者向上位装置300发送信息。显示部145例如是液晶显示器，显示各种信息。输入部146例如是键盘或点击器件，受理来自用户的各种输入。需要说明的是，控制装置14、309、310、上位装置300的全部或一部分可以由plc、asic、fpga构成。
110.《基板与掩模的重合的工艺》
111.图7是使用了吸附板15的基板100与掩模101的重合的工艺的说明图。图7示出工艺的各状态。
112.状态st100是通过传送机器人302a向成膜装置1内送入基板100，传送机器人302a退避之后的状态。此时，基板100由基板支承单元6支承。
113.状态st101示出基板支承单元6上升的状态作为吸附板15对基板100的吸附的准备阶段。基板支承单元6从状态st100开始，通过致动器65以接近吸附板15的方式上升。在状态st101下，由基板支承单元6支承的基板100的周缘部处于与吸附板15接触或稍微分离的位置。另一方面，由于基板100的中央部因自重而挠曲，因此与周缘部相比处于从吸附板15分离的位置。
114.状态st102示出吸附板15对基板100的吸附正在进行的状态。具体而言，执行向在吸附板15的电极配置区域151配置的电极施加用于吸附基板100的电压的电压控制。电压控制通过控制装置14，基于来自接触传感器1621、光纤传感器1622的输出，控制向在吸附板15的电极配置区域151配置的电极施加电压的电源的输出。关于电压控制的详情，在后文叙述。
115.状态st103示出检测基板100是否正常吸附于吸附板15时的状态。在基板支承单元6下降而从基板100分离的状态下，基于接触传感器1621的检测值来检测基板100是否被吸附板15吸附。例如，控制装置14在埋设于吸附板15的全部的接触传感器1621检测到与基板100的接触的情况下，判断为基板100的整面被吸附板15正常地吸附。控制装置14在一个以上的接触传感器1621检测到未与基板100接触，即基板100的一部分未被吸附板15吸附的情况下，判断为基板100的整面未被吸附板15正常吸附。而且，在设有光纤传感器1622的情况下，也可以基于来自光纤传感器1622的输出，进行基板100的整面是否被吸附板15正常吸附的判断。例如在受光部1622b接收到来自发光部1622a的光的情况下，检测为基板100的整面被吸附板15正常吸附。在基板100被吸附板15正常吸附的情况下，控制装置14向基板100与
掩模101的对准动作转移。在基板100未被吸附板15正常吸附的情况下，控制装置14再次执行使基板100吸附于吸附板15用的电压控制。例如，在以一部分吸附的状态或产生了褶皱的状态进行吸附的情况下，使基板100从吸附板15剥离，基板100返回由基板支承单元6支承的状态(st101)，再次执行st102的吸附用的电压控制。
116.状态st104示出基板100与掩模101的对准动作中的状态。控制装置14在通过距离调整单元22使吸附板15下降而使基板100与掩模101接近的状态下，通过位置调整单元20执行对准动作。
117.状态st105示出通过磁铁板11使基板100与掩模101更加紧贴的状态。控制装置14在对准动作结束后，通过板单元升降单元13使板单元9下降。通过磁铁板11接近基板100和掩模101而将掩模101向基板100侧拉近，基板100与掩模101的紧贴性提高。
118.通过以上说明的动作，基板100与掩模101的重合的工艺结束。例如，在本工艺结束后，执行基于成膜单元4的蒸镀处理。
119.然而，在上述说明的工艺之中进行基板100与掩模101的对准时，吸附板15与掩模台5之间的倾斜有时会影响对准的精度。通过拉近基板100与掩模101的距离进行对准，能够提高对准的精度。然而，当吸附板15与掩模台5之间存在相对的倾斜时，基板100的一部分可能会与掩模101接触，由此在基板100可能会产生伤痕等。为了保护基板100而增大基板100与掩模101的距离，相应地对准的精度可能下降。因此，通常，在真空腔室3的内部空间3a为大气压的环境下进行吸附板15与掩模台5的平行调整。大气压环境下的平行调整通过例如向基板支承单元6的连结部分插入垫片等进行。
120.《基板吸附用的电压控制》
121.参照图8(a)～图8(d)、图9(a)～图9(d)，说明在状态st102下，通过控制装置14执行的基板吸附用的电压控制。需要说明的是，在以下的说明中，表示电压的大小关系的用语对应于将该电压向吸附板15施加的情况下产生的静电引力的大小关系来解释。例如，如果施加了v2＝-200v时产生的静电引力大于施加了v1＝-100v时产生的静电引力，则表现为“v2比v1电压高(大)”。而且，将电压增大的情况也表现为电压的增加。
122.图8(a)～图8(d)是表示基板100的向吸附板15的吸附状态的变化的图。图9(a)～图9(d)是示意性地表示使基板100吸附于吸附板15用的电压控制中的电压的变化的图。
123.图8(a)示出在st101中基板吸附用的电压控制的开始时的状态。如上所述，通过基板中央部的抬起机构400，在基板吸附用的电压控制的开始前，使由基板支承单元6保持的基板100的中央部接近吸附板15。在该状态下，控制装置14开始向吸附板15的电极配置区域151的电极施加基板吸附用的电压的电压控制(时刻t1)。电压控制的开始时的初始电压为v1。控制装置14在电压控制开始后，如图9(a)所示，使向吸附板15的电极施加的电压从初始电压v1开始连续增加。由此，如图8(b)所示，基板100的吸附于吸附板15的部分的面积增加。
124.如图8(c)所示，当基板100的整面吸附于吸附板15时，通过接触传感器1621检测到基板100的整面吸附于吸附板15的情况。控制装置14对应于检测到基板100的整面向吸附板15的吸附的情况，停止向吸附板15的电极施加的电压的增加(时刻t2、电压v2)。在图9(a)的例子中，关于时刻t2以后的一定的期间，以将电压维持为恒定的方式进行控制。然后，控制装置14将向吸附板15的电极施加的电压以v2维持为恒定。
125.这样，在基板吸附用的电压控制中，使电压从初始电压连续地增加至检测到整面
吸附状态为止，由此，能够以必要最小限度的电压施加使基板100的整面吸附于吸附板15，因此能够抑制施加过大的电压对基板100的影响。可以对应于检知到仅吸附了基板的一部分的情况，停止向吸附板15的电极施加的电压的增加。这是因为，根据基板的尺寸、种类，只要基板的一部分开始吸附，以后即使不增大电压也能够吸附基板的整面。
126.需要说明的是，也可以如图9(b)所示，在检测到基板100吸附于吸附板15的时机t2停止施加电压的增加之后，在经过规定期间后(时刻t3)，将向吸附板15的电极施加的电压控制成比v2小的v3(v3《v2)。减小之后的电压v3基于能够维持基板100吸附于吸附板15的状态的必要最小限度的电压值来设定。对于为了将从吸附板15分离的状态的基板100向吸附板15拉近所需的施加电压v2，为了维持已经吸附的基板100的吸附状态所需的施加电压v3有时可以减小。通过如图9(b)那样在吸附完成后减小施加电压，能够降低为了维持吸附状态所需的消耗电力。在图9(b)的例子中，在从时刻t2经过了规定期间之后以减小电压的方式进行控制，但是也可以从时刻t2的时点开始逐渐减小电压。此时，电压的下限也基于能够维持吸附于吸附板15的状态的必要最小限度的电压值来设定。此外，通过将减小电压的时机设为施加用于从吸附板15剥离基板100的电压之前，能得到容易剥离基板100这样的效果。
127.在图9(a)、图9(b)中，示出了在基板吸附用的电压控制中，使施加电压从初始电压v1开始线性地增加的例子，但是使施加电压从初始电压v1开始连续的增加的方法并不局限于此，也可以使其曲线地变化。
128.另外，也可以如图9(c)所示，使施加电压从初始电压v1开始逐级地(不连续地)增加。在图9(c)的例子中，设为基板吸附用的电压控制的开始时(时刻t1)的初始电压v1。在从开始初始电压v1的施加起经过了规定时间的时刻t2，通过接触传感器1621检测基板100向吸附板15的吸附状态。在基板100的整面未向吸附板15吸附的情况下，控制装置14使向吸附板15施加的电压增加为大一级的电压v2。在从使电压增加为大一级的电压v2起经过了规定时间的时刻t3，通过接触传感器1621检测基板100向吸附板15的吸附状态。在图9(c)的例子中，在时刻t3，基板100的整面也未向吸附板15吸附，因此控制装置14使向吸附板15施加的电压增加为再大一级的电压v3。在从使电压增加为大一级的电压v2起经过了规定时间的时刻t4，通过接触传感器1621检测基板100向吸附板15的吸附状态。此时，对应于检测到基板100的整面向吸附板15吸附的情况，停止控制装置14向吸附板15的施加电压的增加。在图9(c)的例子中，停止施加电压的增加，在这以后，电压维持为恒定。需要说明的是，也可以对应于检知到仅吸附了基板的一部分的情况，停止向吸附板15的电极施加的电压的增加。这是因为，根据基板的尺寸、种类，如果基板的一部分开始被吸附，则以后即使不增大电压，也能够吸附基板的整面。
129.在使施加电压逐级增加的情况下，也与图9(b)同样，可以在检测到基板100吸附于吸附板15的情况的时机t4停止施加电压的增加之后，在经过规定期间后(时刻t5)，将向吸附板15的电极施加的电压控制为比v3小的v4(v4《v3)。减小之后的电压v4基于能够维持基板100吸附于吸附板15的状态的必要最小限度的电压值来设定。
130.《电子器件的制造方法》
131.接下来，说明使用了基于本实施例的成膜装置的成膜方法的电子器件的制造方法的一例。以下，示出有机el显示装置的结构作为电子器件的例子，并例示有机el显示装置的
制造方法。
132.首先，说明制造的有机el显示装置。图10(a)表示有机el显示装置50的整体图，图10(b)表示一个像素的剖面结构。
133.如图10(a)所示，具备多个发光元件的像素52在有机el显示装置50的显示区域51呈矩阵状地配置多个。发光元件分别具有具备由一对电极夹持的有机层的结构。需要说明的是，在此所说的像素是指在显示区域51能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。在本实施例的有机el显示装置的情况下，通过表现出互不相同的发光的第一发光元件52r、第二发光元件52g、第三发光元件52b的组合来构成像素52。像素52多通过红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件的组合构成，但也可以是黄色发光元件、青绿色发光元件、白色发光元件的组合，只要为至少一个颜色以上即可，没有特别限制。
134.图10(b)是图10(a)的a-b线处的局部剖视示意图。像素52由多个发光元件构成，各发光元件在基板53上具有第一电极(阳极)54、空穴输送层55、发光层56r、56g、56b中的任一个、电子输送层57、第二电极(阴极)58。它们中的空穴输送层55、发光层56r、56g、56b、电子输送层57相当于有机层。而且，在本实施例中，发光层56r是发出红色的有机el层，发光层56g是发出绿色的有机el层，发光层56b是发出蓝色的有机el层。发光层56r、56g、56b分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记述为有机el元件)对应的图案。而且，第一电极54按照各发光元件分离地形成。空穴输送层55、电子输送层57、第二电极58可以在多个发光元件52r、52g、52b中共用地形成，也可以按照各发光元件形成。需要说明的是，为了防止第一电极54与第二电极58因杂质而短路，在第一电极54之间设置有绝缘层59。此外，由于有机el层会因水分或氧而劣化，因此设置有用于保护有机el元件免于遭受水分或氧的保护层40。
135.在图10(b)中，空穴输送层55、电子输送层57由一个层表示，但是根据有机el显示元件的结构，也可以由具备空穴阻挡层或电子阻挡层的多个层形成。而且，在第一电极54与空穴输送层55之间也可以形成空穴注入层，该空穴注入层具有能够使从第一电极54向空穴输送层55的空穴的注入顺畅地进行的能带结构。同样，在第二电极58与电子输送层57之间也可以形成电子注入层。
136.接下来，具体说明有机el显示装置的制造方法的例子。
137.首先，准备形成有对有机el显示装置进行驱动用的电路(未图示)及第一电极54的基板53。
138.将丙烯酸树脂通过旋涂形成在形成有第一电极54的基板53之上，将丙烯酸树脂通过光刻法以在形成有第一电极54的部分形成开口的方式制图而形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
139.将制图有绝缘层59的基板53向第一有机材料成膜装置送入，利用基板支承台及静电卡盘保持基板，将空穴输送层55在显示区域的第一电极54之上成膜为共用的层。通过真空蒸镀成膜出空穴输送层55。实际上，空穴输送层55形成为比显示区域51大的尺寸，因此不需要高精细的掩模。
140.接下来，将形成有空穴输送层55的基板53向第二有机材料成膜装置送入，通过基板支承台及静电卡盘进行保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置在掩模之上，在基板53的配置发出红色的元件的部分成膜出发出红色的发光层56r。
141.与发光层56r的成膜同样，通过第三有机材料成膜装置成膜出发出绿色的发光层56g，而且，通过第四有机材料成膜装置成膜出发出蓝色的发光层56b。在发光层56r、56g、56b的成膜完成之后，通过第五成膜装置在显示区域51的整体成膜出电子输送层57。电子输送层57在三色的发光层56r、56g、56b形成为共用的层。
142.通过金属性蒸镀材料成膜装置使形成有电子输送层57的基板移动而成膜出第二电极58。
143.然后，向等离子体cvd装置移动而成膜出保护层40，有机el显示装置50完成。
144.从将制图有绝缘层59的基板53向成膜装置送入至保护层40的成膜完成为止，如果曝露于含有水分、氧的气氛，则由有机el材料构成的发光层可能会因水分或氧而劣化。因此，在本实施例中，成膜装置间的基板的送入送出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
145.上述的实施例示出本发明的一例，但是本发明没有限定为上述实施例的结构，在其技术思想的范围内可以适当变形。

技术特征：
1.一种成膜装置，所述成膜装置经由掩模对基板进行成膜，其特征在于，所述成膜装置具备：腔室，所述腔室将内部保持为真空；吸附板，所述吸附板设置在所述腔室的内部，具有产生用于吸附所述基板的静电力的电极；电压控制机构，所述电压控制机构控制向所述电极施加的电压；及检测机构，所述检测机构检测所述基板向所述吸附板的吸附状态，所述电压控制机构在用于使所述吸附板吸附所述基板的电压控制中，使向所述电极施加的电压从所述电压控制的开始时的初始电压增加，对应于通过所述检测机构检测到所述基板向所述吸附板吸附的情况而停止向所述电极施加的电压的增加。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述电压控制机构在停止了向所述电极施加的电压的增加之后，减小向所述电极施加的电压。3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述电压控制机构在停止了向所述电极施加的电压的增加之后且施加用于从所述吸附板剥离所述基板的电压之前，减小向所述电极施加的电压。4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述电压控制机构使向所述电极施加的电压从所述初始电压开始连续增加。5.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述电压控制机构使向所述电极施加的电压从所述初始电压开始逐级增加。6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，所述电压控制机构在从使向所述电极施加的电压增加一级起在规定时间内通过所述检测机构未检测到所述基板向所述吸附板吸附的情况下，使向所述电极施加的电压增加为下一级。7.根据权利要求1～3、6中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述检测机构具有在多个部位检测所述基板与所述吸附板的接触的多个传感器，在由所述多个传感器全部检测到所述基板与所述吸附板的接触的情况下，检测为所述基板的整面向所述吸附板吸附。8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述传感器设置在与所述基板的周缘部及中央部对应的部位。9.根据权利要求1～3、6、8中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述检测机构具有发光部和受光部，所述发光部设置在与所述基板的周缘部对应的部位，所述受光部设置在隔着所述基板的成膜面与设有所述发光部的部位相反侧的与所述基板的周缘部对应的部位，从所述发光部向所述受光部的光路设置成，在所述基板以一部分挠曲的状态吸附于所述吸附板的情况下被所述基板的一部分遮挡，所述检测机构在所述受光部接收到来自所述发光部的光的情况下，检测为所述基板的整面向所述吸附板吸附。10.根据权利要求1～3、6、8中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置具备使所述基板的周缘部接近所述吸附板的吸附面的接近机构，在开始所述吸附电压控制之前，通过所述接近机构使所述基板的周缘部接近所述吸附板的吸附面。11.根据权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，所述接近机构使所述基板的周缘部的中央附近接近所述吸附板的吸附面。12.根据权利要求1～3、6、8中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜装置还具备：掩模台，所述掩模台设置在所述腔室的内部，载置掩模；及对准机构，所述对准机构在所述基板吸附于所述吸附板的状态下，进行所述基板与载置于所述掩模台的所述掩模的对准。13.一种成膜方法，所述成膜方法经由掩模对基板进行成膜，其特征在于，所述成膜方法包括：使用于吸附所述基板的电压一边从初始电压增加一边施加于吸附板的工序，所述吸附板设置在将内部保持为真空的腔室的内部且具有产生用于吸附所述基板的静电力的电极；检测所述基板向所述吸附板的吸附状态的工序；及对应于检测到所述基板向所述吸附板吸附的情况而停止向所述电极施加的电压的增加的工序。14.一种电子器件的制造方法，其特征在于，所述电子器件的制造方法使用权利要求13所述的成膜方法来制造电子器件。

技术总结
本发明提供一种成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法。抑制对基板的影响并使吸附板更可靠地吸附基板。经由掩模对基板进行成膜的成膜装置具备：腔室，所述腔室将内部保持为真空；吸附板，所述吸附板设置在所述腔室的内部，具有产生用于吸附所述基板的静电力的电极；电压控制机构，所述电压控制机构控制向所述电极施加的电压；以及检测机构，所述检测机构检测所述基板向所述吸附板的吸附状态，所述电压控制机构在用于使所述吸附板吸附所述基板的电压控制中，使向所述电极施加的电压从所述电压控制的开始时的初始电压增加，对应于通过所述检测机构检测到所述基板向所述吸附板吸附的情况而停止向所述电极施加的电压的增加。加。加。


技术研发人员：山崎将大 石井博
受保护的技术使用者：佳能特机株式会社
技术研发日：2023.02.06
技术公布日：2023/8/9