覆Ag坯料、覆Ag坯料的制造方法及端子部件与流程

覆ag坯料、覆ag坯料的制造方法及端子部件
技术领域
1.本发明涉及覆ag坯料及其制造方法等，尤其涉及作为用于车载用、民生用的电布线的连接器、开关、继电器等接点、端子部件的材料使用的覆ag坯料及其制造方法等。


背景技术：

2.以往，作为连接器、开关等接点、端子部件等的材料，使用根据电特性、焊接性等所需的特性而对铜或铜合金、不锈钢等相对廉价且耐腐蚀性、机械特性等优异的坯料实施了锡、银、金等的镀覆的镀覆材料。通过镀覆形成的金属覆膜与坯料的密合性优异，而且镀覆有制造成本低这样的优点。
3.对铜或铜合金、不锈钢等坯料实施了镀锡而得到的镀锡材虽然廉价，但在高温环境下的耐腐蚀性差。另外，对这些坯料实施了镀金的镀金材虽然耐腐蚀性优异、可靠性高，但原料成本增高。另一方面，对这些坯料实施了镀银的镀银材与镀金材相比廉价，与镀锡材相比耐腐蚀性优异。
4.另外，对于连接器、开关等接点、端子部件等的材料，还要求伴随连接器的插拔、开关滑动的耐磨耗性。
5.专利文献1公开了通过在坯料上形成有由择优取向面为{111}面的镀ag形成的表层的镀ag材，从而能够在维持高硬度(耐磨耗性)的状态下防止接触电阻的增加。同文献中公开了优选在坯料与表层之间形成由镍形成的基底层，通过该基底层能够提高坯料与表层的密合性。
6.另外，虽然使用镀ag材通过压制加工将端子等冲切成规定形状后，进行弯曲加工而成型为制品形状的情况较多，但有时在该弯曲加工时会产生裂纹从而材料发生断裂，或有时会产生坯料露出的裂纹从而坯料发生腐蚀，作为制品的寿命显著缩短。
7.关于这样的弯曲加工性，专利文献2公开了一种镀银材，其在由铜或铜合金形成的坯料的表面、或形成在坯料上的由铜或铜合金形成的基底层的表面形成有由银形成的表层，其中，表层的{200}面的x射线衍射强度相对于{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的各自的x射线衍射强度之和所占的比例为40％以上。同文献公开了该镀银材的弯曲加工性良好，并且即使在高温环境下使用也能够抑制接触电阻的上升。
8.专利文献3公开了一种镀银层叠体，其特征在于，其为金属基材与镀银层的层叠体，前述镀银层具有在金属基材的表面形成的软质镀银层和在软质镀银层的表面形成的硬质镀银层，软质镀银层的维氏硬度比硬质镀银层的维氏硬度低30hv以上，且公开了该镀银层叠体兼顾优异的耐磨耗性和加工性。
9.专利文献4公开了如下内容：接点的接触部具有由铜或铜合金形成的基材、在基材上形成的第2镀层、和在第2镀层上形成的第1镀层，第1镀层由银或银合金形成，且具有90hv以下的维氏硬度，第2镀层由银或银合金形成，且具有100hv以上的维氏硬度。同文献公开了具有这种接点的连接器具有低的接触电阻。
10.现有技术文献
11.专利文献
12.专利文献1：日本特开2015-110833号公报
13.专利文献2：日本特开2013-76127号公报
14.专利文献3：日本特开2014-95139号公报
15.专利文献4：日本特开2016-15224号公报


技术实现要素：

16.发明要解决的问题
17.如上所述，对于接点、端子部件等的材料，要求耐磨耗性和弯曲加工性之类的特性。
18.另外，近些年由于环境限制的问题，ev(电动汽车，electric vehicle)、phv(插电式混合动力汽车，plug-in hybrid vehicle)等电动车辆的需求增加，对于电动车辆的接点、端子部件的材料，从导电性、接触可靠性的观点出发，多将用由银形成的层覆盖的铜及铜基合金材料等用作基材。
19.在电动车辆中，考虑到其使用环境(通电所导致的焦耳热的产生等)，要求坯料与银层之间、或者基底ni层与银层之间的耐热密合性优异。具体而言，存在如下课题：在形成有银层的连接器彼此接触(嵌合)的状态下进行加热后，将两者分离时希望在基材与银层之间或者在镍层与银层之间不会发生剥离。
20.专利文献1～4中公开的构成耐热密合性均不充分，另外，专利文献1、4中公开的构成的弯曲加工性也不充分。
21.因此，鉴于这样的现有问题，本发明的目的在于提供耐热密合性和弯曲加工性优异的覆银坯料及其制造方法。
22.用于解决问题的方案
23.本发明的第1方式为一种覆ag坯料，其特征在于，
24.其具有坯料和形成在该坯料上的ag覆膜，
25.前述ag覆膜具有将平均晶粒直径相差3倍以上的ag层交替层叠至少3层而得到的ag层。
26.本发明的第2方式为根据第1方式所述的方式，其特征在于，
27.前述ag覆膜具有层叠4层以上的ag层。
28.本发明的第3方式为根据第1或第2方式所述的方式，其特征在于，
29.前述ag覆膜具有从靠近前述坯料的一侧起交替地层叠由平均晶粒直径小的ag形成的ag层1和由平均晶粒直径大于ag层1的ag形成的ag层2而得到的ag层。
30.本发明的第4方式为根据第3方式所述的方式，其特征在于，
31.前述ag层1的平均晶粒直径(面积平均粒径)为0.2μm以下。
32.本发明的第5方式为根据第3或第4方式所述的方式，其特征在于，
33.前述ag层2的平均晶粒直径(面积平均粒径)为0.3μm以上。
34.本发明的第6方式为根据第3～第5中任一项所述的方式，其特征在于，
35.前述ag层1的厚度为0.5～5μm。
36.本发明的第7方式为根据第3～第6中任一项所述的方式，其特征在于，
37.前述ag层2的厚度为0.5～5μm。
38.本发明的第8方式为根据第3～第7中任一项所述的方式，其特征在于，
39.前述ag层1的择优取向面为{111}面，前述ag层2的择优取向面为{100}面。
40.本发明的第9方式为根据第3～第8中任一项所述的方式，其特征在于，前述覆ag坯料的最表层由前述ag层2构成
41.本发明的第10方式为根据第1～第9中任一项所述的方式，其特征在于，
42.在前述坯料与前述ag覆膜之间形成有由ni形成的基底层。
43.本发明的第11方式为根据第1～第10中任一项所述的方式，其特征在于，
44.前述坯料由cu或cu合金形成。
45.本发明的第12方式为根据第1～第11中任一项所述的方式，其特征在于，
46.前述覆ag坯料的维氏硬度hv为100以上。
47.本发明的第13方式为一种覆ag坯料的制造方法，其特征在于，
48.在坯料上将平均晶粒直径相差3倍以上的ag层至少交替层叠3层，从而形成ag覆膜。
49.本发明的第14方式为根据第13方式所述的方式，其特征在于，
50.将前述ag层层叠4层以上来形成前述ag覆膜。
51.本发明的第15方式为根据第13或第14方式所述的方式，其特征在于，
52.在前述坯料上交替地形成由平均晶粒直径小的ag形成的ag层1和由平均晶粒直径大于ag层1的ag形成的ag层2。
53.本发明的第16方式为根据第15方式所述的方式，其特征在于，
54.将前述ag层1的平均晶粒直径(面积平均粒径)设为0.2μm以下。
55.本发明的第17方式为根据第15或第16方式所述的方式，其特征在于，
56.将前述ag层2的平均晶粒直径(面积平均粒径)设为0.3μm以上。
57.本发明的第18方式为根据第15～第17中任一项所述的方式，其特征在于，
58.将前述ag层1的厚度设为0.5～5μm。
59.本发明的第19方式为根据第15～第18中任一项所述的方式，其特征在于，
60.将前述ag层2的厚度设为0.5～5μm。
61.本发明的第20方式为根据第15～第19中任一项所述的方式，其特征在于，
62.将前述ag层1的择优取向面设为{111}面，将前述ag层2的择优取向面设为{100}面。
63.本发明的第21方式为根据第15～第20中任一项所述的方式，其特征在于，
64.作为前述覆ag坯料的最表层，形成前述ag层2。
65.本发明的第22方式为根据第15～第21中任一项所述的方式，其特征在于，
66.使用包含氰化银钾、氰化钾和硒氰酸钾的镀ag液1，在液温10～35℃、电流密度3～15a/dm2的条件下进行电镀，从而形成前述ag层1，
67.前述镀ag液1为包含如下成分的水溶液：
68.80～130g/l的银、
69.60～160g/l的氰化钾、和
70.50～80mg/l的硒。
71.本发明的第23方式为根据第22的方式所述的方式，其特征在于，
72.前述硒为55～70mg/l。
73.本发明的第24方式为根据第22或第23的方式所述的方式，其特征在于，
74.在前述镀ag液1中的氰化钾的浓度与电流密度的乘积为840g
·
a/l
·
dm2以下的条件下进行前述电镀。
75.本发明的第25方式为根据第15～第24中任一项所述的方式，其特征在于，
76.使用包含氰化银钾、氰化钾和硒氰酸钾的镀银液2，以液温10～40℃、电流密度3～10a/dm2进行电镀，从而形成前述ag层2，
77.前述镀银液2为包含如下成分的水溶液：
78.80～110g/l的银、
79.70～160g/l的氰化钾、和
80.1～15mg/l的硒。
81.本发明的第26方式为根据第13～第25中任一项所述的方式，其特征在于，在前述坯料上形成由ni形成的基底层，在该基底层上形成前述ag覆膜。
82.本发明的第27方式为根据第13～第26中任一项所述的方式，其特征在于，
83.前述坯料由cu或cu合金形成。
84.本发明的第28方式为一种端子部件，其特征在于，
85.将第1～第12中任一项所述的覆ag坯料用作构成材料。
86.发明的效果
87.本发明可以提供耐热密合性和弯曲加工性优异的覆银坯料及其制造方法。
附图说明
88.图1是示出实施例1的覆ag坯料的截面的sim(扫描离子显微镜)图像的照片。
具体实施方式
89.以下对本实施方式进行说明。本说明书中的“～”是指规定数值以上且规定数值以下。以下对本发明的覆ag坯料及其其制造方法等的实施方式进行说明。
90.[覆ag坯料]
[0091]
以下对本发明的覆ag坯料的实施方式的各构成进行说明。
[0092]
＜坯料＞
[0093]
本发明的覆ag坯料的实施方式具有坯料和在该坯料上形成的ag覆膜。作为前述坯料，可以广泛采用迄今为止使用的材料作为接点或端子部件等的材料中的坯料。从耐腐蚀性、机械特性的方面考虑，优选由cu(铜)、cu合金或不锈钢形成的坯料，除了前述方面之外，从导电性的方面考虑，优选由cu或cu合金形成的坯料。cu合金中，优选包含90质量％以上的cu，另外，作为构成cu合金的其他金属元素，可列举出ni、sn、p、si、co、fe、mg、zn、ti等。
[0094]
＜ag覆膜＞
[0095]
在坯料上形成的ag覆膜的特征在于，具有将平均晶粒直径相差3倍以上的ag层交替层叠至少3层而得到的ag层。进而，优选具有层叠了4层以上的ag层。
[0096]
上述“平均晶粒直径相差3倍以上”是指：在相邻的、平均晶粒直径不同的ag层中，
平均晶粒直径大的ag层的平均晶粒直径(设为d2)除以平均晶粒直径小的ag层的平均晶粒直径(设为d1)时为3以上、即d2/d1≥3。将平均晶粒直径相差3倍以上的ag层交替层叠3层而得到的ag层是指：依次层叠平均晶粒直径小的ag层(平均晶粒直径＝d1a)和平均晶粒直径大的ag层(平均晶粒直径＝d2)和平均晶粒直径小的ag层(平均晶粒直径＝d1b)，且d2/d1a、d2/d1b均为3以上。上述的层叠顺序也可以为平均晶粒直径大的ag层、平均晶粒直径小的ag层、平均晶粒直径大的ag层的顺序。
[0097]
另外，前述ag覆膜优选具有：从靠近前述坯料的一侧起交替地层叠由平均晶粒直径小的ag形成的ag层1和由平均晶粒直径比ag层1的(3倍以上)大的ag形成的ag层2而得到的ag层。
[0098]
在坯料(或后述的基底层)上形成的ag覆膜优选为将属于由具有规定的择优取向面的ag(银)形成的层的ag层1和ag层2分别交替地层叠2层而成的4层构成的层叠体。需要说明的是，将由于ag层的厚度非常薄等原因而难以区分为多个ag层的情况(例如，膜厚如后述的ag冲击镀层那样非常小。例如膜厚为0.1μm以下的ag层)不计数为多个层。
[0099]
(ag层1)
[0100]
ag层1是由平均晶粒直径比后述的ag层2小的ag形成的层。上述ag层1的平均晶粒直径(面积平均粒径)优选为0.005μm以上，优选为0.2μm以下。进一步优选为0.15μm以下。
[0101]
另外，ag层1优选由择优取向面为{111}面的ag构成。择优取向面是指：对ag层1的表面进行x射线衍射分析时的111衍射峰、200衍射峰、110衍射峰和311衍射峰的各自的x射线衍射峰中，与强度最高的衍射峰相对应的结晶面。对于择优取向面的求法的详情，将在实施例中后述。
[0102]
认为ag层1具有高硬度，有助于本发明的覆ag坯料的优异的耐磨耗性。
[0103]
ag层1的厚度没有特别限定，从其功能发挥、成本、弯曲加工性的观点出发，优选为0.5～5μm，更优选为0.7～3μm。
[0104]
需要说明的是，ag层1可以含有例如1.0质量％以下、或者0.5质量以下的se、sb等元素、不可避免的杂质。从导电性的观点等出发，ag层1g优选包含99.9质量％以上的ag。
[0105]
(ag层2)
[0106]
ag层2是由具有平均晶粒直径比ag层1大3倍以上(优选为4倍以上、进一步优选为5倍以上)的晶粒直径的ag形成的层。该ag层2的平均晶粒直径(面积平均粒径)优选为0.3μm以上，更优选为0.4μm以上，优选为1.0μm以下。
[0107]
ag层2的平均晶粒直径与ag层1的平均晶粒直径之差优选为规定的值以上(或者规定的范围内)。例如优选具有0.2μm以上、进一步优选具有0.3μm以上的差值，优选具有2μm以下、进一步优选具有1μm以下的差值。
[0108]
另外，构成ag覆膜的ag层2的表面优选由择优取向面为{100}面的ag构成。
[0109]
ag层2在受到弯曲加工时容易变形，有助于本发明的覆ag坯料的优异的弯曲加工性。
[0110]
ag层2的厚度没有特别限定，从其功能发挥、成本、弯曲加工性的观点出发，优选为0.5～5μm，更优选为0.7～3μm。
[0111]
需要说明的是，ag层2可以含有例如1.0质量％以下、或者0.5质量以下的se、sb等元素、不可避免的杂质。从导电性的观点等出发，ag层2优选包含99.9质量％以上的ag。
[0112]
(ag层1与ag层2的层叠)
[0113]
ag覆膜是将以上说明的ag层1和ag层2交替地层叠而成的层叠体。认为通过制成前述层叠体，从而与为ag层1或ag层2中的任意1层的镀层的情况相比，与坯料(或后述的基底层)的耐热密合性优异、在ag覆膜与坯料(或后述的基底层)之间不易产生剥离。
[0114]
关于弯曲加工性，认为裂纹是如下产生的：在弯曲加工时，在ag覆膜中的层的任意位置产生龟裂的起点，其向上下延伸(龟裂的传播)并上下贯通，由此产生。并且，认为在将覆ag坯料折叠的情况下，ag覆膜的各构成层中，越是距离坯料远(接近表面)的层，所产生的拉伸应力越大，越容易产生龟裂的起点。认为在本发明中，ag覆膜为3层以上、优选4层以上的ag层的层叠体，因此在各层的界面处可抑制龟裂的传播，其有助于本发明的覆ag坯料的优异的弯曲加工性。
[0115]
对于以上说明的优异的耐热密合性和弯曲加工性，在制成将ag层1和ag层2分别采用1层的总计2层的层叠体的情况下无法发挥，为了发挥效果需要制成3层以上、优选为4层以上的层叠体。
[0116]
若列举出包括以上说明的ag覆膜中的ag层1和2与坯料(基底层)的位置关系在内的层叠结构的具体例，则如下所述。
[0117]
坯料(基底层)-ag层1-ag层2-ag层1-ag层2
[0118]
坯料(基底层)-ag层2-ag层1-ag层2-ag层1
[0119]
优选覆ag坯料的最表层由前述ag层2构成。
[0120]
ag层1与ag层2的厚度之比没有限定，优选为0.5≤(ag层1的厚度/ag层2的厚度)≤5.0。
[0121]
＜其他层＞
[0122]
本发明的覆ag坯料的实施方式具有以上说明的坯料和ag覆膜，进而根据目的还可以具有其他层。
[0123]
例如，特别是在坯料由cu或cu合金构成的情况下，为了防止坯料中的cu、合金成分扩散至ag覆膜中而耐热性发生劣化，理想的是在坯料与ag覆膜之间形成由ni(镍)形成的基底层。基底层的厚度没有特别限定，从其功能的发挥和成本的观点出发，优选为0.3～2μm，更优选为0.5～1.5μm。
[0124]
例如，在利用后述的覆ag坯料的制造方法制造覆ag坯料的情况下，也可以在坯料或基底与ag覆膜之间形成由ag构成的非常薄的中间层。
[0125]
＜覆ag坯料的维氏硬度＞
[0126]
本发明的覆ag坯料的维氏硬度优选为98以上，更优选为100以上(单位：kgf/mm2)。需要说明的是，如果硬度过高，则有时会对弯曲加工性产生不良影响，因此维氏硬度优选为135以下。
[0127]
需要说明的是，覆ag坯料的维氏硬度是针对覆ag坯料的表面求出的维氏硬度，前述表面是指覆ag坯料的、形成有ag覆膜的部位的表面。维氏硬度的测定方法的详情在实施例中进行后述。
[0128]
＜ag覆膜中的ag层1和ag层2的确认方法＞
[0129]
本发明的覆ag坯料中，ag覆膜具备以上说明的构成(晶粒直径、择优取向面等)的情况可以利用例如以下的方法加以确认。
[0130]
首先，对于ag覆膜为3层以上的构成的情况，可以制作与覆ag坯料的表面垂直的截面试样，通过扫描型显微镜、扫描离子显微镜等观察该试样，从而确认。由于ag层1的晶粒直径比ag层2小，因此可以通过晶粒直径的大小加以区分。
[0131]
另外，对于覆ag材的表面，可以利用x射线衍射法(xrd)或ebsd(电子背散射衍射图，electron back scatter diffraction pattern)解析法求出ag覆膜的最表层的择优取向面。接着，利用公知的方法(例如研磨、磨削(milling)、溅射、蚀刻等)去除最表层，对于从上面起数第2层，同样地求出择优取向面。对其进行重复，从而能够确认属于本发明中规定的ag层1和ag层2的3层以上的构成的ag覆膜。
[0132]
[覆ag坯料的制造方法]
[0133]
接着，对本发明的覆ag坯料的制造方法的实施方式进行说明。
[0134]
该制造方法的特征在于，在坯料上，将平均晶粒直径相差3倍以上的ag层至少交替层叠3层，从而形成ag覆膜。优选将前述ag层层叠4层以上，从而形成前述ag覆膜。
[0135]
另外，优选为如下制造方法：在坯料上，交替地形成由平均晶粒直径小的ag形成的ag层1和由平均晶粒直径比ag层1大3倍以上的ag形成的ag层2，形成由3层以上的ag层构成的ag覆膜。进而优选形成将ag层1的择优取向面设为{111}面、将ag层2的择优取向面设为{100}面的覆ag坯料。坯料与对本发明的覆ag坯料的实施方式的上述说明同样。
[0136]
＜ag覆膜＞
[0137]
如前所述，ag覆膜由将ag层1和ag层2交替地层叠而成的3层以上的ag层构成。对于ag层1和ag层2，与针对本发明的覆ag坯料的实施方式的上述说明的同样。以下，对ag层1和ag层2的形成方法进行说明。需要说明的是，在形成ag覆膜之前，根据需要也可以对形成了基底层的坯料进行预处理(电解脱脂、酸洗等)。
[0138]
(ag层1的形成)
[0139]
ag层1可以利用公知的方法(例如专利文献1中公开的方法)形成。作为ag层1的形成方法，从与坯料、基底层或ag层2的密合性以及制造成本的观点出发，优选镀覆。
[0140]
更具体而言，优选的是，使用包含氰化银钾、氰化钾和硒氰酸钾的镀ag液1，在液温10～35℃、电流密度3～15a/dm2的条件下(针对坯料、基底层或ag层2)进行电镀，从而形成ag层1。前述镀ag液1为包含如下成分的水溶液：80～130g/l(优选为80～110g/l)的银、60～160g/l(优选为70～160g/l)的氰化钾、和50～80mg/l(优选为55～70mg/l)的硒。(需要说明的是，氰化银钾和硒氰酸钾发生电离时会产生氰离子和钾离子，但这些不包含在前述氰化钾的浓度中。)如此使用硒浓度高的镀ag液进行电镀时，能够适宜地形成择优取向面为{111}面的银层。另外，从适宜地形成择优取向面为{111}面的银层的观点出发，该电镀优选在前述镀ag液1中的氰化钾的浓度与电流密度的乘积为840g
·
a/l
·
dm2以下的条件下进行，从同样的观点出发，优选在前述乘积为250g
·
a/l
·
dm2以上的条件下进行。
[0141]
另外，也可以将上述镀ag液1制成由包含74～203g/l的氰化银钾、70～160g/l的氰化钾和73～128mg/l的硒氰酸钾的水溶液形成的镀ag液。
[0142]
(ag层2的形成)
[0143]
ag层2可以利用公知的方法(例如专利文献2中公开的方法)形成。作为ag层2的形成方法，从与坯料、基底层或ag层1的密合性以及制造成本的观点出发，优选镀覆。
[0144]
更具体而言，优选的是，使用包含氰化银钾、氰化钾和硒氰酸钾的镀银液2，在液温
10～40℃、电流密度3～10a/dm2的条件下(针对坯料、基底层或ag层1)进行电镀，由此形成ag层2。前述镀银液2为含有如下成分的水溶液：80～110g/l的银、70～160g/l的氰化钾、和1～15mg/l的硒。(需要说明的是，氰化银钾和硒氰酸钾发生电离时会生成氰离子和钾离子，但这些不包含在前述氰化钾的浓度中。)如此使用包含少量的硒的镀ag液进行电镀时，可以适宜地形成择优取向面为{100}面的银层。
[0145]
另外，也可以将上述镀ag液2制成由包含74～203g/l的氰化银钾、70～160g/l的氰化钾和3～30mg/l的硒氰酸钾的水溶液形成的镀ag液。
[0146]
(平均晶粒直径)
[0147]
利用上述那样的具体的ag层1和ag层2的制造方法，可以提供在坯料上交替地形成由平均晶粒直径小的ag形成的ag层1和由平均晶粒直径大于ag层1的ag形成的ag层2，由此形成由3层以上的ag层构成的ag覆膜的制造方法。此时将ag层1的平均晶粒直径设为d1、将ag层2的平均晶粒直径设为d2时，d2/d1≥3。
[0148]
另外，可以提供将ag层1的平均晶粒直径(面积平均粒径)设为0.2μm以下、将ag层2的平均晶粒直径(面积平均粒径)设为0.3μm以上的覆ag坯料的制造方法。
[0149]
另外，前述ag层1的厚度优选设为0.5～5μm，前述ag层2的厚度优选设为0.5～5μm。
[0150]
(ag冲击镀)
[0151]
优选在坯料或基底层上形成ag覆膜之前，通过ag冲击镀形成非常薄的中间层，提高坯料或基底层与ag覆膜的密合性。
[0152]
＜其他层＞
[0153]
如覆ag坯料的实施方式的说明中所述，本发明中，除了坯料和ag覆膜以外也可以形成其他层(由镍形成的基底层等)。
[0154]
在坯料上形成由镍形成的基底层的情况下，作为该基底层的形成方法，可以没有特别限制地采用公知的方法，从与坯料的密合性和成本的观点出发，优选基于电镀的方法。
[0155]
另外，在制造的覆ag坯料中，在重视耐磨耗性的情况下，优选形成ag层1(形成方法与上述同样)作为最表层，在重视弯曲加工性的情况下，优选形成ag层2(形成方法与上述同样)作为最表层。
[0156]
[端子部件]
[0157]
以上说明的本发明的覆ag坯料的实施方式、和通过覆ag坯料的制造方法的实施方式制造的覆ag坯料的耐热密合性、弯曲加工性和耐磨耗性优异，因此适宜作为接点、端子部件的构成材料。
[0158]
本发明的保护范围不限定于上述的实施方式，还包括在导出通过发明的技术特征、其组合而得到的特定效果的范围内进行了各种变更、改进的方式。
[0159]
例如，在本实施方式中，关于ag覆膜示例出了具有从靠近前述坯料的一侧起交替地层叠有各两层的ag层1和ag层2而得到的ag层的情况。另一方面，只要交替地层叠平均晶粒直径不同的ag层，则也可以至少层叠3层。例如，可以从靠近坯料的一侧起层叠ag层1、ag层2、ag层1，也可以层叠ag层2、ag层1、ag层2。另外，ag覆膜也可以具有4层以上的ag层。例如，可以从靠近坯料的一侧起层叠ag层1、ag层2、ag层1、ag层2、ag层1、ag层2，还可以层叠ag层2、ag层1、ag层2、ag层1、ag层2、ag层1。
[0160]
实施例
[0161]
接着，示出实施例来对本发明进行具体地说明。本发明不限定于以下的实施例。需要说明的是，以下未记载的内容与本实施方式中说明的内容相同。
[0162]
以下对基于本发明的镀银材及其制造方法的实施例进行详细地说明。
[0163]
[实施例1]
[0164]
(预处理：电解脱脂和酸洗)
[0165]
首先，作为坯料(被镀覆材)，准备由67mm
×
50mm
×
0.3mm的纯铜(c1020)制成的轧制板，将该被镀覆材和sus板放入碱脱脂液中，将被镀覆材作为阴极，将sus板作为阳极，以电压5v进行30秒电解脱脂，进行15秒水洗后，在3％硫酸水溶液中进行15秒酸洗，进行15秒水洗。
[0166]
(镀ni)
[0167]
接着，在由包含25g/l的氯化镍、35g/l的硼酸和540g/l的氨基磺酸镍四水合物的水溶液形成的镍镀液中，将经预处理的被镀覆材料作为阴极，将sk镍电极板作为阳极，边通过磁力搅拌器以500rpm进行搅拌，边在液温55℃、电流密度7a/dm2的条件下进行电镀(镍镀覆)直至厚度为1μm而形成由镍形成的基底层后，进行15秒水洗。
[0168]
(ag冲击镀)
[0169]
接着，由包含3g/l的氰化银钾和90g/l的氰化钾的水溶液形成的冲击镀ag液中，将形成了基底层的被镀覆材作为阴极，将用铂覆盖的钛电极板作为阳极，边利用搅拌器以500rpm进行搅拌边在液温18℃、电流密度2a/dm2的条件下进行10秒电镀(银冲击镀)后，进行15秒水洗。
[0170]
(镀ag工序a)
[0171]
接着，在由包含175g/l的氰化银钾(kag(cn)2)(银的浓度为95g/l)、95g/l的氰化钾(kcn)和55mg/l的se(硒)的水溶液形成的镀ag液中，将经ag冲击镀的被镀覆材作为阴极，将由纯度99.99质量％以上的ag形成的ag电极板作为阳极，边利用搅拌器以500rpm进行搅拌，边以液温18℃在电流密度5a/dm2的条件下进行电镀(镀ag)直至镀ag覆膜的厚度为1.25μm，进行15秒水洗，利用气枪带来的风压进行干燥，得到形成了第1层的镀ag覆膜(层)的被镀覆材。需要说明的是，本技术说明书中将该镀ag工序称为“镀ag工序a”。其中，镀ag液中的se通过添加硒氰酸钾来供给。
[0172]
(结晶取向性的评价)
[0173]
对于如此得到的第1层的镀ag覆膜的表面，利用x射线衍射分析装置(理学电气株式会社制的全自动多功能水平型x射线衍射装置smart lab)，通过cu球管、kβ过滤法进行评价。由将扫描范围2θ设为5～120deg、以扫描速度50deg/分钟进行扫描而得到的x射线衍射图案，用镀ag覆膜的111衍射峰、200衍射峰、220衍射峰和311衍射峰的各自的x射线衍射峰强度(x射线衍射峰的强度)除以jcpds卡片no.40783中记载的各相对强度比(粉末测定时的相对强度比)(111：200：220：311＝100：40：25：26)进行校正，求出由此得到的值(校正强度)。将该校正强度最强的x射线衍射峰所对应的结晶面作为上述第1层的镀ag覆膜的择优取向面。结果择优取向面为{111}面。
[0174]
(镀ag工序b)
[0175]
接着，在由包含175g/l的氰化银钾(kag(cn)2)(银的浓度为95g/l)、95g/l的氰化钾(kcn)和6mg/l的se(硒)的水溶液形成的镀银液中，将形成了前述第1层的镀ag覆膜的被
镀覆材作为阴极，将由纯度99.99质量％以上的ag形成的ag电极板作为阳极，边利用搅拌器以500rpm进行搅拌，边在液温18℃、电流密度5a/dm2的条件下进行电镀(镀ag)，直至镀ag覆膜的厚度为1.25μm后，进行15秒水洗，利用气枪带来的风压进行干燥，得到形成了第2层的镀ag覆膜(层)的被镀覆材。
[0176]
需要说明的是，本技术的说明书中将该镀ag工序称为“镀ag工序b”。镀ag液中的se通过添加硒氰酸钾来供给。
[0177]
另外，根据在与后述的比较例2同样的条件下制作的镀ag覆膜的基于x射线衍射的评价的结果，本工序的第2层的镀ag覆膜的择优取向面为{100}面。
[0178]
(镀ag工序a(第2次))
[0179]
接着，将形成了前述第2层的镀ag覆膜的试样作为被镀覆材，与前述“镀ag工序a”同样地进行电镀(镀ag)后，进行15秒水洗，得到形成了第3层的镀ag覆膜的被镀覆材。
[0180]
(镀ag工序b(第2次))
[0181]
接着，将形成了前述第3层的镀ag覆膜的试样作为被镀覆材，与前述“镀ag工序b”同样地进行电镀(镀ag)后，进行15秒水洗，利用气枪带来的风压进行干燥，得到形成了第4层的镀ag覆膜的被镀覆材(即覆ag坯料)。
[0182]
如此，得到形成了各层的厚度为1.25μm、总厚度为5μm的4层的镀ag覆膜的覆ag坯料。另外，这些镀ag层的ag的纯度(浓度)均为99.9质量％以上。
[0183]
对于该覆ag坯料，对各ag层的截面的晶粒直径、弯曲加工性、耐热密合性、维氏硬度、接触电阻、耐磨耗性进行了评价。
[0184]
图1是示出实施例1的覆ag坯料的截面的sim(扫描离子显微镜)图像的照片。
[0185]
如图1所示，从下侧起确认到坯料、镀ni层、基于镀ag工序a的第1层的镀ag覆膜、基于镀ag工序b的第2层的镀ag覆膜、基于镀ag工序a的第3层的镀ag覆膜、基于镀ag工序b的第4层的镀ag覆膜。由于ag冲击镀层薄，因此在图1中难以辨认。
[0186]
(晶粒直径)
[0187]
切断覆ag坯料，对其截面利用ebsd解析中的area fraction法测定平均晶粒直径(面积平均粒径)。
[0188]
详细而言，如下所述。
[0189]
对于将覆ag坯料切断而得到的截面，通过截面抛光机(日本电子株式会社制的ib-09010cp)进行磨削处理而制成镜面。对于该截面，使用具备电子背散射衍射(electron backscatter diffraction(ebsd))分析装置(tsl solutions公司制的oim analysis)的场发射俄歇微探针(日本电子株式会社制的jamp-9500f)，采用加速电压15kv、倍率20000倍、测定视野5.0μm
×
10.0μm、步长尺寸20nm进行ebsd测定。
[0190]
基于该测定结果，使用数据收集用软件(tsl solutions公司制的oim-dc)和数据解析用软件(tsl solutions公司制的oim)，制作了反极图(inverse pole figure(ipf))映射。
[0191]
基于该ipf映射，去除通过上述的数据解析用软件解析的置信度指数(confidence index(ci)值)为0.1以下的测定点，将相邻的像素之间的晶体取向差为5
°
以上的边界视为晶界，通过上述的数据解析用软件并基于面积分数(area fraction)法计算出平均晶粒直径(面积平均粒径)。
[0192]
其结果，平均晶粒直径(面积平均粒径)的值从靠近基材的一侧起如下：第1层为0.080μm、第2层为0.420μm、第3层为0.080μm、第4层为0.563μm。即，相邻的镀ag的层的平均晶粒直径的比为3以上。
[0193]
(弯曲加工性)
[0194]
覆ag坯料的弯曲加工性依据jis z2248的v形块法，将覆ag坯料在与坯料的轧制方向的垂直的方向上以弯曲半径r＝1.0mm和r＝0.5mm这2个标准弯折为90度后，通过显微镜(keyence corporation制的digital microscope vhx-1000)放大500倍观察该弯折的部位，通过弯曲部(外折部)的基体(镀ni或cu坯料)露出的有无来进行评价。需要说明的是，弯曲半径r是按压在覆ag坯料上进行折叠的推压件的弯曲部的半径，用弯曲半径r除以板厚t而得到的值r/t分别为3.3(r＝1.0的情况)、1.67(r＝0.5的情况)。
[0195]
其结果，在以任意的弯曲半径折叠的情况下，均未观察到基体的露出，弯曲加工性良好。
[0196]
(耐热密合性)
[0197]
由该覆ag坯料切出2张试验片(50mm
×
10mm)，将一张试验片制成平板状试验片，且对另一张试验片进行压花加工(内侧r＝1.5mm的半球状的冲切加工)制成带压花的试验片(压头)，使带压花的试验片的凸部与平板状试验片接触后，利用回形针(tanosee回形针大尺寸28mm、型号tg-2g)夹持两者进行固定，放入200℃的恒温槽(as one corporation制恒温槽of-450)，在保持120小时后取出，卸下回形针，将两个试验片分离。制作3组这样的试验片并进行评价。
[0198]
对于该分离的平板状试验片和带压花的试验片发生接触的部分，使用显微镜(keyence corporation制形状解析激光显微镜vk-x150)，用物镜
×
50进行观察，将3组中任意1组的试验片中观察到作为基底层的镀ni层的露出的情况(即观察到镀ag的剥离的情况)判定为不良(ng)，将3组全部未观察到基底层的情况判定为良好(good)。在无法确认镀ni层是否露出的情况下，可以利用epma(电子探针显微分析仪)进行确认。
[0199]
上述评价的结果，3组的试验片全部为良好，耐热密合性良好。
[0200]
需要说明的是，仅实施例1通过以200℃保持1000小时的条件对耐热密合性进行了评价，3组的试验片全部为良好，耐热密合性良好。
[0201]
(维氏硬度)
[0202]
对于覆ag坯料的表面的维氏硬度hv，使用微型硬度试验机(mitutoyo corporation制的hm-221)，将测定载荷10gf设为下降时间3秒、保持时间10秒、上升时间3秒而形成压痕，依据jis z2244进行测定。其结果，维氏硬度hv为110。维氏硬度hv若为98以上，则可期待良好的耐磨耗性。
[0203]
(接触电阻)
[0204]
由覆ag坯料切出2张试验片，将一张试验片制成平板状试验片，且对另一张试验片进行压花加工(内侧r＝1.5mm的半球状的冲切加工)而制成带压花的试验片(压头)，使带压花的试验片的凸部以载荷5n接触平板状试验片，将测定电流设为10ma，使用株式会社山崎精机研究所制的精密滑动试验机crs-g2050-dwa型测定接触电阻值。其结果，接触电阻为0.4mω。
[0205]
(耐磨耗性)
[0206]
由覆ag坯料切出2张试验片，将一张试验片制成平板状试验片，且对另一张试验片进行压花加工(内侧r＝1.5mm的半球状的冲切加工)而制成带压花的试验片(压头)，使带压花的试验片的凸部以载荷5n接触平板状试验片，使用株式会社山崎精机研究所制的精密滑动试验机crs-g2050-dwa型，以滑动速度1.67mm/s、滑动距离5mm使其往復滑动，在每次滑动次数10次结束后确认铜基体有无露出，测定直至铜基体露出为止的次数。其结果，直至80次往復滑动操作后，铜基体未露出，耐磨耗性良好。
[0207]
[实施例2]
[0208]
在镀ag工序a中形成厚度2.5μm的镀ag层，在镀ag工序b中形成厚度2.5μm的镀ag层，形成总厚度10μm的镀ag覆膜，除此以外利用与实施例1同样的制造方法制作了由4层的镀ag形成的覆ag坯料。另外，这些镀ag层的ag的纯度(浓度)均为99.9质量％以上。另外，与实施例1同样地，相邻的镀ag的层的平均晶粒直径的比为3以上。
[0209]
对于该镀ag材料，与实施例1同样地进行弯曲加工性的评价。其结果，在弯曲半径r为1.0mm下未观察到基体的露出，弯曲加工性良好。另外，在将弯曲半径设为0.5mm的条件下确认到基体的露出。
[0210]
另外，与实施例1同样地评价了耐热密合性，结果3组试验片全部为良好，是良好的。
[0211]
[实施例3]
[0212]
自坯料侧起，作为第1层，在镀ag工序a中形成厚度1μm的镀ag层，作为第2层，在镀ag工序b中形成厚度1μm的镀ag层，作为第3层，在镀ag工序a中形成厚度1μm的镀ag层，作为第4层，在镀ag工序b中形成厚度2μm的镀ag层，形成镀ag层总厚度为5μm的镀ag覆膜，除此以外利用与实施例1同样的制造方法制作了由4层的镀ag形成的覆ag坯料。另外，这些镀ag层的ag的纯度(浓度)均为99.9质量％以上。另外，与实施例1同样地，相邻的镀ag的层的平均晶粒直径的比为3以上。
[0213]
对于该镀ag材料，与实施例1同样地进行弯曲加工性的评价。其结果，在弯曲半径r为1.0mm下未观察到基体的露出，弯曲加工性良好。另外，在将弯曲半径设为0.5mm的条件下确认到基体的露出。
[0214]
另外，与实施例1同样地评价了耐热密合性，结果3组试验片全部为良好，是良好的。
[0215]
[比较例1]
[0216]
(通过“镀ag工序a”)以厚度成为5μm的方式形成第1层的镀ag层，未进行第2层、第3层和第4层的镀ag层的形成，除此以外利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜是仅有第1层的单层。
[0217]
利用与实施例1的晶体取向性的评价同样的方法评价了该覆ag坯料的表面，结果择优取向面为{111}面。
[0218]
对于该镀ag材，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性、维氏硬度、接触电阻、耐磨耗性的评价。其结果，对于弯曲加工性，在弯曲半径r为1.0mm、0.5mm时均确认到基体的露出，弯曲加工性差，耐热密合性为不良。另外，维氏硬度hv为140、接触电阻为0.6mω、耐磨耗性直至80次往复滑动操作后铜基体未露出，耐磨耗性良好。
[0219]
[比较例2]
[0220]
通过“镀ag工序b”以厚度成为5μm的方式形成第1层的镀ag层，未进行第2层、第3层和第4层的镀ag层的形成，除此以外利用与实施例1同样的方法进行镀ag材的制作。即，ag覆膜是仅有第1层的单层。
[0221]
利于与实施例1的晶体取向性的评价同样的方法评价该覆ag坯料的表面，结果择优取向面为{100}面。
[0222]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性、维氏硬度、接触电阻、耐磨耗性的评价。其结果，对于弯曲加工性，在弯曲半径r为1.0mm的条件下，未确认到基体的露出，是良好的。在0.5mm的条件下确认到基体的露出。另外，耐热密合性为不良。另外，维氏硬度hv为90，接触电阻为0.2mω，耐磨耗性在进行50次往復滑动操作后铜基体露出，耐磨耗性差。
[0223]
[比较例3]
[0224]
ag冲击镀之后，在由包含115g/l的氰化银钾(kag(cn)2)、60g/l的氰化钾(kcn)和32mg/l的se(硒)的水溶液形成的镀ag液中，将经ag冲击镀的被镀覆材作为阴极，将由纯度99.99质量％以上的ag形成的ag电极板作为阳极，利用搅拌器一边以500rpm进行搅拌，一边在液温30℃下以电流密度2a/dm2的条件进行电镀(镀ag)，直至镀ag覆膜的厚度成为5μm，进行15秒水洗，利用气枪带来的风压进行干燥，得到第1层的镀ag层，未进行第2层、第3层和第4层的镀ag层的形成，除此以外利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜是仅有第1层的单层。
[0225]
需要说明的是，本技术说明书中将该第1层的镀ag层的形成工序称为“镀ag工序c”。
[0226]
利用与实施例1的晶体取向性的评价同样的方法评价该覆ag坯料的表面，结果择优取向面为{110}面。
[0227]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性、维氏硬度的评价。其结果，对于弯曲加工性，弯曲半径r为1.0mm、0.5mm时均确认到基体的露出，弯曲加工性差，另外，耐热密合性为不良。另外，维氏硬度hv为110。
[0228]
[比较例4]
[0229]
通过“镀ag工序b”以厚度成为2.5μm的方式形成第1层的镀ag层，通过“镀ag工序a”以厚度成为2.5μm的方式形成第2层的镀ag层，未进行第3层和第4层的镀ag层的形成，除此以外利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜由2层的镀ag层形成。
[0230]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性的评价。其结果，对于弯曲加工性，在弯曲半径r为1.0mm的条件下未确认到基体的露出，是良好的。在弯曲半径r为0.5mm的条件下确认到基体的露出。另外，耐热密合性为不良。
[0231]
[比较例5]
[0232]
通过“镀ag工序a”以厚度成为2.5μm的方式形成第1层的镀ag层，通过“镀ag工序b”以厚度成为2.5μm的方式形成第2层的镀ag层，未进行第3层和第4层的镀ag层的形成，除此以外，利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜由2层的镀ag层形成。
[0233]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性的评价。其结果，对于弯曲加工性，在弯曲半径r为1.0mm的条件下未确认到基体的露出，是良好的。在弯曲半径r为0.5mm的条件下确认到基体的露出。另外，耐热密合性为不良。
[0234]
[比较例6]
[0235]
通过“镀ag工序c”以厚度成为2.5μm的方式形成第1层的镀ag层，通过“镀ag工序b”以厚度成为2.5μm的方式形成第2层的镀ag层，未进行第3层和第4层的镀ag覆膜的形成，除此以外利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜由2层的镀ag层形成。
[0236]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性的评价。其结果，对于弯曲加工性，在弯曲半径r为1.0mm的条件下未确认到基体的露出，是良好的。在弯曲半径r为0.5mm的条件下确认到基体的露出。另外，耐热密合性为不良。
[0237]
[比较例7]
[0238]
通过“镀ag工序b”以厚度成为2.5μm的方式形成第1层的镀ag层，通过“镀ag工序c”以厚度成为2.5μm的方式形成第2层的镀ag层，未进行第3层和第4层的镀ag层的形成，除此以外利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜由2层的镀ag层形成。
[0239]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性的评价。其结果，对于弯曲加工性，在弯曲半径r为1.0mm的条件下未确认到基体的露出，是良好的。在弯曲半径r为0.5mm的条件下确认到基体的露出。另外，耐热密合性为不良。
[0240]
[比较例8]
[0241]
通过“镀ag工序c”以厚度成为2.5μm的方式形成第1层的镀ag层，通过“镀ag工序a”以厚度成为2.5μm的方式形成第2层的镀ag层，未进行第3层和第4层的镀ag层的形成，除此以外利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜由2层的镀ag层形成。
[0242]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性的评价。其结果，对于弯曲加工性，弯曲半径r为1.0mm、0.5mm时均确认到基体的露出，弯曲加工性差，另外，耐热密合性为不良。
[0243]
[比较例9]
[0244]
通过“镀ag工序a”以厚度成为2.5μm的方式形成第1层的镀ag层，通过“镀ag工序c”以厚度成为2.5μm的方式形成第2层的镀ag层，未进行第3层和第4层的镀ag层的形成，除此以外利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜由2层的镀ag层形成。
[0245]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性的评价。其结果，对于弯曲加工性，弯曲半径r为1.0mm、0.5mm时均确认到基体的露出，弯曲加工性差，另外，耐热密合性为不良。
[0246]
[比较例10]
[0247]
通过“镀ag工序c”形成第1层的镀ag层，通过“镀ag工序b”形成第2层的镀ag层，通过“镀ag工序c”形成第3层的镀ag层，通过“镀ag工序b”形成第4层的镀ag层，除此以外利用与实施例1同样的方法进行覆ag坯料的制作。即，ag覆膜由4层的镀ag层形成，各层的镀ag层的厚度为1.25μm，全部镀ag覆膜的总厚度为5μm。
[0248]
与实施例1同样地测定该覆ag坯料的平均晶粒直径(面积平均粒径)，结果自靠近基材一侧起第1层为0.213μm、第2层为0.265μm、第3层为0.119μm、第4层为0.251μm。即，相邻的各层平均晶粒直径的比低于3。
[0249]
对于该覆ag坯料，与实施例1同样地进行弯曲加工性、耐热密合性的评价。其结果，对于弯曲加工性，弯曲半径r为1.0mm、0.5mm时均确认到基体的露出，弯曲加工性差，另外，耐热密合性为不良。
[0250]
另外，比较例1～10的镀ag层的ag的纯度(浓度)均为99.9质量％以上。
[0251]
将这些实施例和比较例的覆ag坯料的制造条件和特性示于表1。
[0252]
[表1]
[0253][0254]
如由表1可知，实施例1中制造的覆ag坯料的弯曲加工性、耐磨耗性和耐热密合性良好。

技术特征：
1.一种覆ag坯料，其特征在于，其具有坯料和形成在该坯料上的ag覆膜，所述ag覆膜具有将平均晶粒直径相差3倍以上的ag层交替层叠至少3层而得到的ag层。2.根据权利要求1所述的覆ag坯料，其特征在于，所述ag覆膜具有层叠4层以上的ag层。3.根据权利要求1或2所述的覆ag坯料，其特征在于，所述ag覆膜具有从靠近所述坯料的一侧起交替地层叠由平均晶粒直径小的ag形成的ag层1和由平均晶粒直径大于ag层1的ag形成的ag层2而得到的ag层。4.根据权利要求3所述的覆ag坯料，其特征在于，所述ag层1的平均晶粒直径(面积平均粒径)为0.2μm以下。5.根据权利要求3或4所述的覆ag坯料，其特征在于，所述ag层2的平均晶粒直径(面积平均粒径)为0.3μm以上。6.根据权利要求3～5中任一项所述的覆ag坯料，其特征在于，所述ag层1的厚度为0.5～5μm。7.根据权利要求3～6中任一项所述的覆ag坯料，其特征在于，所述ag层2的厚度为0.5～5μm。8.根据权利要求3～7中任一项所述的覆ag坯料，其特征在于，所述ag层1的择优取向面为{111}面，所述ag层2的择优取向面为{100}面。9.根据权利要求3～8中任一项所述的覆ag坯料，其特征在于，所述覆ag坯料的最表层由所述ag层2构成。10.根据权利要求1～9中任一项所述的覆ag坯料，其特征在于，在所述坯料与所述ag覆膜之间形成有由ni形成的基底层。11.根据权利要求1～10中任一项所述的覆ag坯料，其特征在于，所述坯料由cu或cu合金形成。12.根据权利要求1～11中任一项所述的覆ag坯料，其特征在于，所述覆ag坯料的维氏硬度hv为100以上。13.一种覆ag坯料的制造方法，其特征在于，在坯料上将平均晶粒直径相差3倍以上的ag层至少交替层叠3层，从而形成ag覆膜。14.根据权利要求13所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，将所述ag层层叠4层以上来形成所述ag覆膜。15.根据权利要求13或14所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，在所述坯料上交替地形成由平均晶粒直径小的ag形成的ag层1和由平均晶粒直径大于ag层1的ag形成的ag层2。16.根据权利要求15所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，将所述ag层1的平均晶粒直径(面积平均粒径)设为0.2μm以下。17.根据权利要求15或16所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，将所述ag层2的平均晶粒直径(面积平均粒径)设为0.3μm以上。18.根据权利要求15～17中任一项所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，将所述ag层1的厚度设为0.5～5μm。19.根据权利要求15～18中任一项所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，将所述ag层2的厚度设为0.5～5μm。
20.根据权利要求15～19中任一项所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，将所述ag层1的择优取向面设为{111}面，将所述ag层2的择优取向面设为{100}面。21.根据权利要求15～20中任一项所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，作为所述覆ag坯料的最表层，形成所述ag层2。22.根据权利要求15～21中任一项所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，使用包含氰化银钾、氰化钾和硒氰酸钾的镀ag液1，在液温10～35℃、电流密度3～15a/dm2的条件下进行电镀，从而形成所述ag层1，所述镀ag液1为包含如下成分的水溶液：80～130g/l的银、60～160g/l的氰化钾、和50～80mg/l的硒。23.根据权利要求22所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，所述硒为55～70mg/l。24.根据权利要求22或23所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，在所述镀ag液1中的氰化钾的浓度与电流密度的乘积为840g
·
a/l
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dm2以下的条件下进行所述电镀。25.根据权利要求15～24中任一项所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，使用包含氰化银钾、氰化钾和硒氰酸钾的镀银液2，以液温10～40℃、电流密度3～10a/dm2进行电镀，从而形成所述ag层2，所述镀银液2为包含如下成分的水溶液：80～110g/l的银、70～160g/l的氰化钾、和1～15mg/l的硒。26.根据权利要求13～25中任一项所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，在所述坯料上形成由ni形成的基底层，在该基底层上形成所述ag覆膜。27.根据权利要求13～26中任一项所述的覆ag坯料的制造方法，其特征在于，所述坯料由cu或cu合金形成。28.一种端子部件，其特征在于，将权利要求1～12中任一项所述的覆ag坯料用作构成材料。

技术总结
提供覆Ag坯料及其相关技术，所述覆Ag坯料的特征在于，其具有坯料和形成在该坯料上的Ag覆膜，Ag覆膜具有将平均晶粒直径相差3倍以上的Ag层交替层叠至少3层而得到的Ag层。的Ag层交替层叠至少3层而得到的Ag层。的Ag层交替层叠至少3层而得到的Ag层。


技术研发人员：佐藤阳介 平井悠太郎 荒井健太郎
受保护的技术使用者：同和金属技术有限公司
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2023/8/9