Type-C连接器及其制作方法与流程

type-c连接器及其制作方法
技术领域
1.本发明涉及连接器领域技术，尤其是指一种type-c连接器及其制作方法。


背景技术：

2.type-c连接器是一种usb接口外形标准，拥有比type-a及type-b均小的体积，既可以应用于pc(主设备)又可以应用于外部设备(从设备，如手机)的接口类型。type-c连接器有4对tx/rx分线，2对usbd+/d-，一对sbu，2个cc，另外还有4个vbus和4个地线。
3.目前的type-c插座连接器主要由绝缘本体、金属端子、卡勾件、emi套壳以及屏蔽壳构成；其中，绝缘本体包括有基座和于基座上向前延伸出的舌板；该金属端子为多个，多个金属端子通过金属片冲压形成，多个金属端子呈上下两排排布并镶嵌成型固定在绝缘本体内，每一金属端子的前端均具有接触部并外露于舌板的表面，每一金属端子的后端均具有焊接部并向后伸出基座外；该卡勾件镶嵌成型在绝缘本体内；该emi套壳由金属片冲压形成，emi套壳套设在基座的前侧，emi套壳用于与type-c插头连接器内的emi弹片接触；该屏蔽壳套设在绝缘本体外并与emi套壳接触，以形成回路，从而实现较好的emi效果。
4.由于上述type-c插座连接器需要采用金属片冲压成型金属端子和emi套壳，再将金属端子植入绝缘本体以及将emi套壳进行套合组装，使得目前的type-c插座连接器零部件数量多，成本较高，产品生产效率低下，并且金属端子之间高频干扰严重，不利于高频信号的传输。因此，有必要对目前的type-c插座连接器进行改进。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种type-c连接器及其制作方法，其能有效解决现有之type-c插座连接器零部件多导致成本高、生产效率低并且高频干扰严重的问题。
6.为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：
7.一种type-c连接器，包括有绝缘基板、卡勾件、绝缘基座以及屏蔽壳；
8.该绝缘基板为镶嵌有金属氧化物的塑胶材质，该绝缘基板的上下表面均通过激光照射配合电镀成型有多个第一导体层，多个第一导体层横向间隔排布，每一第一导体层均纵向延伸，每一第一导体层的前端均具有接触区，每一第一导体层的后端均具有焊接区，多个接触区横向间隔并排外露于绝缘基板的上下表面，多个焊接区横向间隔并排外露于绝缘基板的上下表面；
9.该卡勾件为金属材质，卡勾件镶嵌成型固定在绝缘基板内，卡勾件的前端两侧分别外露于绝缘基板的前端两侧，卡勾件的后端延伸出有焊脚，该焊脚外露于绝缘基板的后端；
10.该绝缘基座固定于绝缘基板上并位于接触区和焊接区之间，该绝缘基座亦为镶嵌有金属氧化物的塑胶材质，绝缘基座的外表面通过激光照射配合电镀成型有第二导体层，该第二导体层包括有彼此前后设置并导通连接的前连接区和后连接区；
11.该屏蔽壳套设于绝缘基板和绝缘基座外并与后连接区接触导通；
12.所述镶嵌有金属氧化物的塑胶材质包括有铜氧化物和镍氧化物，其中铜氧化物的质量占比为3％，镍氧化物的质量占比为11％，其余为塑胶材质，铜氧化物和镍氧化物均匀镶嵌分布在塑胶材质中，以保证绝缘基板和绝缘基座整体的绝缘性，同时形成的第一导体层和第二导体层具有更好的导电性能。
13.作为一种优选方案，所述绝缘基座与绝缘基板镶嵌成型或组合装配固定在一起。
14.作为一种优选方案，所述绝缘基座的上下外表面均成型有前述第二导体层，且后连接区与前连接区上下错位设置。
15.作为一种优选方案，所述卡勾件的前端两侧均开设有固定孔，该固定孔埋于绝缘基板内，以使得卡勾件与绝缘基板结合更加的稳固。
16.作为一种优选方案，所述绝缘基座的前侧凹设有限位槽，该屏蔽壳上由外往内冲切形成有限位部，该限位部由前往后嵌入限位槽中，以限制屏蔽壳向后移动。
17.作为一种优选方案，所述绝缘基座的后侧凹设有扣槽，该屏蔽壳上由外往内冲切形成有扣片，该扣片卡扣于扣槽中固定，以限制屏蔽壳向前移动。
18.作为一种优选方案，所述屏蔽壳上由外往内冲切形成有弹片，该弹片抵于后连接区上接触导通，结构简单，连接稳定，组装方便。
19.作为一种优选方案，所述绝缘基板的后端两侧均向外延伸出有限位台，该限位台埋于绝缘基座内，以使得绝缘基座与绝缘基板结合更加的稳固。
20.一种type-c连接器的制作方法，包括有以下步骤：
21.(1)冲压成型出卡勾件；
22.(2)将卡勾件放入模具中并采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质注塑成型出绝缘基板；
23.(3)采用激光器对绝缘基板设定的区域进行激光照射，在激光照射下，塑胶材质内的部分金属氧化物被激活而释放出金属离子，以形成多个由金属颗粒组成的第一金属膜层；
24.(4)对多个第一金属膜层进行电镀加厚以形成多个第一导体层；
25.(5)采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质注塑成型出绝缘基座，并使绝缘基座固定于绝缘基板上，以将接触区和焊接区隔离分开；
26.(6)采用激光器对绝缘基座设定的区域进行激光照射，在激光照射下，塑胶材质内的部分金属氧化物被激活而释放出金属离子，以形成多个由金属颗粒组成的第二金属膜层；
27.(7)对多个第二金属膜层进行电镀加厚以形成多个第二导体层；
28.(8)将成型好的屏蔽壳套设于绝缘基板和绝缘基座外并与后连接区接触导通。
29.作为一种优选方案，所述步骤(3)和步骤(6)中激光的光斑直径为0.08mm，光斑重叠55％。
30.本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
31.通过采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质制作绝缘基板和绝缘基座，以及通过激光照射配合电镀的方式在绝缘基板和绝缘基座上分别成型有第一导体层和第二导体层，以取
代了传统之金属端子和emi套壳，使得本产品的零部件数量减少，有利于降低成本，同时生产效率也得到了有效的提高，并且也避免了金属端子之间出现高频干扰，更有利于高频信号的传输，产品使用性能更佳。
32.为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明。
附图说明
33.图1是本发明之较佳实施例的组装立体示意图；
34.图2是本发明之较佳实施例另一角度的组装立体示意图；
35.图3是本发明之较佳实施例的分解图；
36.图4是本发明之较佳实施例的局部组装图；
37.图5是本发明之较佳实施例的截面图；
38.图6是本发明之较佳实施例制作过程的第一状态示意图；
39.图7是本发明之较佳实施例制作过程的第二状态示意图；
40.图8是本发明之较佳实施例制作过程的第三状态示意图；
41.图9是本发明之较佳实施例制作过程的第四状态示意图。
42.附图标识说明：
43.10、绝缘基板 11、第一导体层
44.111、接触区 112、焊接区
45.12、限位台 20、卡勾件
46.21、焊脚 22、固定孔
47.30、绝缘基座 31、第二导体层
48.311、前连接区 312、后连接区
49.32、限位槽 33、扣槽
50.40、屏蔽壳 41、弹片
51.42、限位部 43、扣片
52.50、激光器 101、第一金属膜层。
具体实施方式
53.请参照图1至图9所示，其显示出了本发明之较佳实施例一种type-c连接器的具体结构，包括有绝缘基板10、卡勾件20、绝缘基座30以及屏蔽壳40。
54.该绝缘基板10为镶嵌有金属氧化物的塑胶材质，该绝缘基板10的上下表面均通过激光照射配合电镀成型有多个第一导体层11，多个第一导体层11横向间隔排布，每一第一导体层11均纵向延伸，每一第一导体层11的前端均具有接触区111，每一第一导体层11的后端均具有焊接区112，多个接触区111横向间隔并排外露于绝缘基板10的上下表面，多个焊接区112横向间隔并排外露于绝缘基板10的上下表面。该镶嵌有金属氧化物的塑胶材质为现有已知材料，在本实施例中，该镶嵌有金属氧化物的塑胶材质包括有铜氧化物和镍氧化物，其中铜氧化物的质量占比为3％，镍氧化物的质量占比为11％，其余为塑胶材质，铜氧化物和镍氧化物均匀镶嵌分布在塑胶材质中，以保证绝缘基板10整体的绝缘性，同时形成的
第一导体层11具有更好的导电性能。
55.该卡勾件20为金属材质，卡勾件20镶嵌成型固定在绝缘基板10内，卡勾件20的前端两侧分别外露于绝缘基板10的前端两侧，卡勾件20的后端延伸出有焊脚21，该焊脚21外露于绝缘基板10的后端。在本实施例中，该焊脚21为左右设置的两个，以便与外部电路焊接导通，并且，该卡勾件20的前端两侧均开设有固定孔22，该固定孔22埋于绝缘基板10内，以使得卡勾件20与绝缘基板10结合更加的稳固。
56.该绝缘基座30固定于绝缘基板10上并位于接触区111和焊接区112之间，该绝缘基座30亦为镶嵌有金属氧化物的塑胶材质，绝缘基座30的材质与绝缘基板10的材质相同，绝缘基座30的外表面通过激光照射配合电镀成型有第二导体层31，该第二导体层31包括有彼此前后设置并导通连接的前连接区311和后连接区312，该前连接区311用于供插入之连接器的emi弹片接触导通。在本实施例中，该镶嵌有金属氧化物的塑胶材质包括有铜氧化物和镍氧化物，其中铜氧化物的质量占比为3％，镍氧化物的质量占比为11％，其余为塑胶材质，铜氧化物和镍氧化物均匀镶嵌分布在塑胶材质中，以保证绝缘基座30整体的绝缘性，同时形成的第二导体层31具有更好的导电性能。以及，该绝缘基座30与绝缘基板10镶嵌成型或组合装配固定在一起，绝缘基座30与绝缘基板10之间的结合方式不限。另外，该绝缘基座30的上下外表面均成型有前述第二导体层31，且后连接区312与前连接区311上下错位设置。此外，该绝缘基板10的后端两侧均向外延伸出有限位台12，该限位台12埋于绝缘基座30内，以使得绝缘基座30与绝缘基板10结合更加的稳固。
57.该屏蔽壳40套设于绝缘基板10和绝缘基座30外并与后连接区312接触导通。在本实施例中，该屏蔽壳40上由外往内冲切形成有弹片41，该弹片41抵于后连接区312上接触导通。另外，该绝缘基座30的前侧凹设有限位槽32，该屏蔽壳40上由外往内冲切形成有限位部42，该限位部42由前往后嵌入限位槽32中，以限制屏蔽壳40向后移动。该绝缘基座30的后侧凹设有扣槽33，该屏蔽壳40上由外往内冲切形成有扣片43，该扣片43卡扣于扣槽33中固定，以限制屏蔽壳40向前移动。
58.本发明还公开前述一种type-c连接器的制作方法，包括有以下步骤：
59.(1)冲压成型出卡勾件20。
60.(2)将卡勾件20放入模具中并采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质注塑成型出绝缘基板10。
61.(3)采用激光器50对绝缘基板10设定的区域进行激光照射，在激光照射下，塑胶材质内的部分金属氧化物被激活而释放出金属离子，以形成多个由金属颗粒组成的第一金属膜层101，激光的光斑直径为0.08mm，光斑重叠55％，以更好地形成第一金属膜层101。
62.(4)对多个第一金属膜层101进行电镀加厚以形成多个第一导体层11。
63.(5)采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质注塑成型出绝缘基座30，并使绝缘基座30固定于绝缘基板10上，以将接触区111和焊接区112隔离分开。
64.(6)采用激光器对绝缘基座30设定的区域进行激光照射，在激光照射下，塑胶材质内的部分金属氧化物被激活而释放出金属离子，以形成多个由金属颗粒组成的第二金属膜层，激光的光斑直径为0.08mm，光斑重叠55％，以更好地形成第二金属膜层。
65.(7)对多个第二金属膜层进行电镀加厚以形成多个第二导体层31。
66.(8)将成型好的屏蔽壳40套设于绝缘基板10和绝缘基座30外并与后连接区312接
触导通。
67.本发明的设计重点在于：通过采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质制作绝缘基板和绝缘基座，以及通过激光照射配合电镀的方式在绝缘基板和绝缘基座上分别成型有第一导体层和第二导体层，以取代了传统之金属端子和emi套壳，使得本产品的零部件数量减少，有利于降低成本，同时生产效率也得到了有效的提高，并且也避免了金属端子之间出现高频干扰，更有利于高频信号的传输，产品使用性能更佳。
68.以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

技术特征：
1.一种type-c连接器，其特征在于：包括有绝缘基板、卡勾件、绝缘基座以及屏蔽壳；该绝缘基板为镶嵌有金属氧化物的塑胶材质，该绝缘基板的上下表面均通过激光照射配合电镀成型有多个第一导体层，多个第一导体层横向间隔排布，每一第一导体层均纵向延伸，每一第一导体层的前端均具有接触区，每一第一导体层的后端均具有焊接区，多个接触区横向间隔并排外露于绝缘基板的上下表面，多个焊接区横向间隔并排外露于绝缘基板的上下表面；该卡勾件为金属材质，卡勾件镶嵌成型固定在绝缘基板内，卡勾件的前端两侧分别外露于绝缘基板的前端两侧，卡勾件的后端延伸出有焊脚，该焊脚外露于绝缘基板的后端；该绝缘基座固定于绝缘基板上并位于接触区和焊接区之间，该绝缘基座亦为镶嵌有金属氧化物的塑胶材质，绝缘基座的外表面通过激光照射配合电镀成型有第二导体层，该第二导体层包括有彼此前后设置并导通连接的前连接区和后连接区；该屏蔽壳套设于绝缘基板和绝缘基座外并与后连接区接触导通；所述镶嵌有金属氧化物的塑胶材质包括有铜氧化物和镍氧化物，其中铜氧化物的质量占比为3％，镍氧化物的质量占比为11％，其余为塑胶材质，铜氧化物和镍氧化物均匀镶嵌分布在塑胶材质中。2.根据权利要求1所述的type-c连接器，其特征在于：所述绝缘基座与绝缘基板镶嵌成型或组合装配固定在一起。3.根据权利要求1所述的type-c连接器，其特征在于：所述绝缘基座的上下外表面均成型有前述第二导体层，且后连接区与前连接区上下错位设置。4.根据权利要求1所述的type-c连接器，其特征在于：所述卡勾件的前端两侧均开设有固定孔，该固定孔埋于绝缘基板内。5.根据权利要求1所述的type-c连接器，其特征在于：所述绝缘基座的前侧凹设有限位槽，该屏蔽壳上由外往内冲切形成有限位部，该限位部由前往后嵌入限位槽中。6.根据权利要求1所述的type-c连接器，其特征在于：所述绝缘基座的后侧凹设有扣槽，该屏蔽壳上由外往内冲切形成有扣片，该扣片卡扣于扣槽中固定。7.根据权利要求1所述的type-c连接器，其特征在于：所述屏蔽壳上由外往内冲切形成有弹片，该弹片抵于后连接区上接触导通。8.根据权利要求1所述的type-c连接器，其特征在于：所述绝缘基板的后端两侧均向外延伸出有限位台，该限位台埋于绝缘基座内。9.一种如权利要求1-8任一项所述的type-c连接器的制作方法，其特征在于：包括有以下步骤：(1)冲压成型出卡勾件；(2)将卡勾件放入模具中并采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质注塑成型出绝缘基板；(3)采用激光器对绝缘基板设定的区域进行激光照射，在激光照射下，塑胶材质内的部分金属氧化物被激活而释放出金属离子，以形成多个由金属颗粒组成的第一金属膜层；(4)对多个第一金属膜层进行电镀加厚以形成多个第一导体层；(5)采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质注塑成型出绝缘基座，并使绝缘基座固定于绝缘基板上，以将接触区和焊接区隔离分开；(6)采用激光器对绝缘基座设定的区域进行激光照射，在激光照射下，塑胶材质内的部
分金属氧化物被激活而释放出金属离子，以形成多个由金属颗粒组成的第二金属膜层；(7)对多个第二金属膜层进行电镀加厚以形成多个第二导体层；(8)将成型好的屏蔽壳套设于绝缘基板和绝缘基座外并与后连接区接触导通。10.根据权利要求9所述的type-c连接器的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)和步骤(6)中激光的光斑直径为0.08mm，光斑重叠55％。

技术总结
本发明公开一种Type-C连接器及其制作方法，包括有绝缘基板、卡勾件、绝缘基座以及屏蔽壳；该绝缘基板为镶嵌有金属氧化物的塑胶材质，该绝缘基板的上下表面均通过激光照射配合电镀成型有多个第一导体层；该卡勾件为金属材质；该绝缘基座亦为镶嵌有金属氧化物的塑胶材质；通过采用镶嵌有金属氧化物的塑胶材质制作绝缘基板和绝缘基座，以及通过激光照射配合电镀的方式在绝缘基板和绝缘基座上分别成型有第一导体层和第二导体层，以取代了传统之金属端子和EMI套壳，使得本产品的零部件数量减少，有利于降低成本，同时生产效率也得到了有效的提高，并且也避免了金属端子之间出现高频干扰，更有利于高频信号的传输，产品使用性能更佳。佳。佳。


技术研发人员：郄建华 周贤臣
受保护的技术使用者：广东华旃电子有限公司
技术研发日：2023.04.23
技术公布日：2023/8/13