一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法及相关设备与流程

1.本发明涉及图像处理技术领域，尤其涉及一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法及相关设备。


背景技术：

2.在mpcvd（microwave plasma chemical vapordeposition，微波等离子体化学气相沉积法）单晶金刚石外延生长过程中，为了进一步确保金刚石生长面的洁净和减少生长面的缺陷，因此在生长开始之前，必须进行相应的等离子体刻蚀处理，其中，添加氢等离子体，或添加少量氧都可用来对籽晶表面进行刻蚀处理。
3.刻蚀主要目的是暴露金刚石中的缺陷，缺陷被暴露的话，在金刚石生长的时候会填补这些缺陷甚至有可能被修复，但是在刻蚀过程中，会产生不同数量以及不同深浅的刻蚀坑，当刻蚀坑的数量过多或刻蚀坑过深时，则不再符合金刚石的生长，但是，现有技术却无法获取金刚石刻蚀后表面的刻蚀坑数量以及刻蚀坑的深浅，也就无法进一步判断待检测的金刚石是否适合进行进一步地生长。
4.因此，现有技术还有待于改进和发展。


技术实现要素：

5.本发明的主要目的在于提供一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法、系统、终端及计算机可读存储介质，旨在解决现有技术中无法检测金刚石刻蚀后表面刻蚀坑的数量以及深浅，而导致无法判断待检测金刚石是否合格的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法包括如下步骤：获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值；若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。
7.可选地，所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其中，所述获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像，具体包括：获取所述检测金刚石的表面图像，所述表面图像由电子显微镜对所述待检测金刚石进行拍照得到；在所述表面图像中进行预设范围内的圈定，得到圈定表面图像；获取所述圈定表面图像中出现的轮廓，并将相邻出现的轮廓标识为刻蚀坑，得到所述圈定表面图像标识后的刻蚀坑图像。
8.可选地，所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其中，所述获取待检测金刚石
的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像，之后还包括：将所述刻蚀坑图像进行均分，得到预设数量的均分刻蚀坑图像。
9.可选地，所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其中，所述根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值，具体包括：获取所述均分刻蚀坑图像中刻蚀坑对应的第一像素面积以及所述圈定表面图像对应的第二像素面积；根据所述第一像素面积和所述第二像素面积得到所述刻蚀坑的密度比，其中，所述刻蚀坑的密度比=所述第一像素面积/所述第二像素面积；根据所述刻蚀坑的密度比对所述刻蚀坑进行渲染，得到所述刻蚀坑的分布热力图，并通过所述分布热力图获取所述均分刻蚀坑图像中所述刻蚀坑的分布状态；获取所述均分刻蚀坑图像中刻蚀坑对应的第一色度值以及所述圈定表面图像对应的第二色度值；根据所述第一色度值和所述第二色度值得到所述刻蚀坑的色度差值，其中，所述刻蚀坑的色度差值=所述第一色度值-所述第二色度值。
10.可选地，所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其中，所述若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格，具体包括：将所述密度比与预设密度比进行比较，当所述密度比小于所述预设密度比时，判定所述待检测金刚石的刻蚀坑的密度比检测合格；将所述色度差值与预设色度差值进行比较，当所述色度差值小于所述预设色度差值时，判定所述待检测金刚石的色度差值检测合格。
11.可选地，所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其中，所述若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格，之后还包括：当所述密度比和所述色度差值均检测合格时，控制所述待检测金刚石的继续生长。
12.可选地，所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其中，所述预设范围的尺寸为：10mm*10mm。
13.此外，为实现上述目的，本发明还提供一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测系统，其中，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测系统包括：刻蚀坑识别模块，用于获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；刻蚀坑图像判断模块，用于根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值；金刚石合格判断模块，用于若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。
14.此外，为实现上述目的，本发明还提供一种终端，其中，所述终端包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序被所述处理器执行时实现如上所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的步骤。
15.此外，为实现上述目的，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其中，所述计算机可读存储介质存储有金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序被处理器执行时实现如上所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的步骤。
16.本发明中，获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值；若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。本发明通过获取待检测金刚石表面的刻蚀坑图像，计算得出所述待检测金刚石表面的刻蚀坑密度值和色差值，并通过所述刻蚀坑密度值和所述色差值来判断所述待检测金刚石是否生长合格，有利于相关技术人员能够及时的了解所述待检测金刚石的生长状况，并根据生长状况判断是否继续进行下一阶段的生长。
附图说明
17.图1是本发明金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的较佳实施例的流程图；图2是本发明金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的较佳实施例的金刚石刻蚀前的示意图；图3是本发明金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的较佳实施例的氢氧等离子体刻蚀0.5h之后的籽晶表面形貌的示意图；图4是本发明金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的较佳实施例的氢氧等离子体刻蚀1h之后的籽晶表面形貌的示意图；图5是本发明金刚石表面刻蚀坑的合格检测系统的较佳实施例的结构图；图6为本发明终端的较佳实施例的结构图。
具体实施方式
18.为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
19.在天然以及合成金刚石单晶中，线位错或堆垛位错等缺陷普遍存在，对于iia型天然金刚石，缺陷密度达10/cm2。 hthp（high pressure high temperature，高温高压法）单晶金刚石缺陷密度远小于天然金刚石单晶，但是合成过程中添加的催化剂容易使晶体中包含大量氮以及金属物质，这样大大影响了金刚石单晶的应用。
20.h2/o2等离子体刻蚀处理可以有效改善以及减少单晶表面由于机械抛光引起的缺陷，改善mpcvd（microwave plasma chemical vapordeposition，微波等离子体化学气相沉积法）外延单晶金刚石的形貌，限制晶体内应力的产生，防止生长过程中结晶断裂，显著提高mpcvd单晶金刚石的生长质量。等离子体刻蚀表面缺陷的同时，能使晶体内缺陷显现，出现不同类型刻蚀坑。由此可以区分晶体内缺陷和表面缺陷，同时可以通过比较刻蚀坑的数量来判断单晶质量的好坏。
21.本发明较佳实施例所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，如图1所示，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法包括以下步骤：步骤s10、获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻
蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像。
22.金刚石生产过程中会产生杂质（缺陷），为将其中的杂质去除，会采用刻蚀的方式对所述金刚石进行刻蚀处理，金刚石在进行刻蚀后，所述金刚石的表面会产生刻蚀坑，其中，刻蚀坑的数量代表了金刚石的质量，当所述金刚石的表面的刻蚀坑的数量或深度超过一定阈值时，所述金刚石质量是不符合生产要求的，无法选择继续进行生长。
23.同时，金刚石上的刻蚀坑越多，也代表当前检测的金刚石的表面平整度越差，为了进一步确保金刚石生长面的洁净和减少生长面的缺陷，因此在生长开始之前，必须进行相应的等离子体刻蚀处理，氢等离子体，或添加少量氧都可用来对籽晶表面进行刻蚀处理。
24.如图2所示，图2为刻蚀之前的形貌照片图，从图2中可以看出未经过刻蚀的籽晶表面比较平整，局部区域有因机械抛光所产生的划痕损伤和籽晶表面的固有缺陷等。在同质外延单晶金刚石生长过程中，这些损伤和缺陷往往会导致非外延结晶的生长，严重影响单晶金刚石的生长质量。
25.如图3所示，图3为采用刻蚀条件充入的氢氧比值为h2：o
2 = 500 :2 ，温度为750℃，功率为4500w-5000w，预处理 0.5h 之后的籽晶表面形貌图，从图3中可以看出，抛光产生的划痕依旧清晰可见，经过氢氧等离子体刻蚀作用后，籽晶表面的缺陷位错区域已经显露出来，并在这些位置产生了相应的刻蚀坑。
26.如图4所示，图4为采用刻蚀条件充入的氢氧比值为h2：o
2 = 500 :2 ，温度为750℃，功率为4500w-5000w，预处理 1h 之后的籽晶表面形貌图，可见相较于图2和图3，图4中刻蚀坑的分布区域更为密集。
27.其中，当获取所述待检测金刚石的表面图像后，将所述待检测金刚石表面图像导入到刻蚀坑分析工具中进行所述待检测金刚石表面上刻蚀坑密度和深浅的分析，分析的大致过程为：1：加载待检测金刚石（或籽晶）的表面图像；2：在表面图像的指定区域或整个籽晶区域寻找刻蚀坑；3：对于整个籽晶区域的分析，同步给出刻蚀坑的密度比和色差值；4：给出待检测金刚石刻蚀后的判定结果。
28.具体地，获取所述检测金刚石的表面图像，所述表面图像由电子显微镜对所述待检测金刚石进行拍照得到。
29.当待检测金刚石需要进行质检时，采用光学电子显微镜对所述待检测金刚石进行拍摄，拍摄的张数视实际情况而定，照片能达到表征条件即可，其中，在拍摄前，先使用去离子水超声震荡清洗金刚石或籽晶，去除金刚石或籽晶表面的杂质，防止其影响观察结果。
30.光学电子显微镜主要是利用光反射的原理，对样品表面进行一定倍数的放大成像，以实现对金刚石膜表面形貌进行初期观察。由于光学显微镜使用方便快捷且成本较低，目前已成为研究样品表面形貌的主要手段之一。普通光学显微镜的放大倍数一般在 100~800 倍左右，可以对单晶金刚石的同质外延生长的表面状态进行表征。本发明中优选所使用的光学显微镜是型号为mr2000的双目金相显微镜，其放大倍数为100~1250 倍。
31.在所述表面图像中进行预设范围内的圈定，得到圈定表面图像；所述预设范围的尺寸为：10mm*10mm；获取所述圈定表面图像中出现的轮廓，并将相邻出现的轮廓标识为刻蚀坑，得到所述圈定表面图像标识后的刻蚀坑图像。
32.寻找刻蚀坑主要通过查找待检测金刚石的表面图像里面的轮廓实现，表面图像里面的会存在许多轮廓，相邻的轮廓围闭的区域即为刻蚀坑，可以表面图像中通过手动圈定
查找图像区域，在这个既定区域内查找所有轮廓，相邻的轮廓围闭的区域为刻蚀坑。
33.步骤s20、根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值。
34.具体地，将所述刻蚀坑图像进行均分，得到预设数量的均分刻蚀坑图像；其中均分刻蚀坑图像是将一个10mm x 10mm的籽晶图像平均分成100份，计算出每一份里面刻蚀坑的密度值，再根据这100个密度值，渲染出基于刻蚀坑密度值的热力图。
35.刻蚀主要目的是暴露金刚石中的缺陷，然后在生长的时候会对这些缺陷进行适当地填补，甚至还有可能修复这些缺陷，但是如果刻蚀过度，那也就是缺陷会暴露过头，或者说有些缺陷明明不用被暴露出来，但是却暴露出来了，这个时候刻蚀坑就比较深，那么生长过程中刻蚀坑被修复的可能性就比较低。金刚石表面的刻蚀坑呈倒置椎体状，并且随着刻蚀强度的增加，刻蚀坑深度和大小都有较大的增加。
36.对金刚石拍摄照片的时候，需要进行打光，光在较浅的刻蚀坑和较深的刻蚀坑反射率不一样，在图像成像结果上有颜色的差别，通过打光的处理可以获得所述刻蚀坑的色差值。
37.获取所述均分刻蚀坑图像中刻蚀坑对应的第一像素面积以及所述圈定表面图像对应的第二像素面积；根据所述第一像素面积和所述第二像素面积得到所述刻蚀坑的密度比，其中，所述刻蚀坑的密度比=所述第一像素面积/所述第二像素面积。
38.根据所述刻蚀坑的密度比对所述刻蚀坑进行渲染，得到所述刻蚀坑的分布热力图，并通过所述分布热力图获取所述均分刻蚀坑图像中所述刻蚀坑的分布状态。
39.其中，获取每一个刻蚀坑在圈定表面图像里面对应于表面图像上的像素面积，以及所圈定的区域对应于表面图像上的像素面积，可以得到在业务场景中需求金刚石密度数据等。
40.获取所述均分刻蚀坑图像中刻蚀坑对应的第一色度值以及所述圈定表面图像对应的第二色度值；根据所述第一色度值和所述第二色度值得到所述刻蚀坑的色度差值，其中，所述刻蚀坑的色度差值=所述第一色度值-所述第二色度值。
41.其中，区分深浅刻蚀坑的大致原理为：计算刻蚀坑合围区域及roi（圈定）区域的色度值，所述色度值可以为最大值、最小值以及平均值，通过二者之间的色度各个维度的属性之间的差值，判断刻蚀坑深浅及归类。
42.步骤s30、若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。
43.具体地，将所述密度比与预设密度比进行比较，当所述密度比小于所述预设密度比时，判定所述待检测金刚石的刻蚀坑的密度比检测合格。
44.将所述色度差值与预设色度差值进行比较，当所述色度差值小于所述预设色度差值时，判定所述待检测金刚石的色度差值检测合格；当所述密度比和所述色度差值均检测合格时，控制所述待检测金刚石的继续生长。
45.当所述待检测金刚石上的刻蚀坑的密度比和色度差值均检测合格时，对所述待检测金刚石进行其表面刻蚀坑的填补。
46.刻蚀坑的填补过程其实就是金刚石生长过程，就是将反应气体（如甲烷和氢气等）
在微波的激励下在金刚石上面形成等离子体。其中，等离子体是部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质，整体呈电中性。等离子体为球状形成于金刚石衬底上，利用等离子体的高温让衬底可以加热到一定的温度，离子化的气体就会在籽晶上面不断地进行一系列的物理化学反应并逐渐在籽晶表面发生吸附、脱附、迁移、扩散和沉积，最终实现刻蚀坑的填补。
47.进一步地，如图5所示，基于上述金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，本发明还相应提供了一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测系统，其中，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测系统包括：刻蚀坑识别模块51，用于获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；刻蚀坑图像判断模块52，用于根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值；金刚石合格判断模块53，用于若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。
48.进一步地，如图6所示，基于上述金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法和系统，本发明还相应提供了一种终端，所述终端包括处理器10、存储器20及显示器30。图6仅示出了终端的部分组件，但是应理解的是，并不要求实施所有示出的组件，可以替代的实施更多或者更少的组件。
49.所述存储器20在一些实施例中可以是所述终端的内部存储单元，例如终端的硬盘或内存。所述存储器20在另一些实施例中也可以是所述终端的外部存储设备，例如所述终端上配备的插接式硬盘，智能存储卡（smart media card， smc），安全数字（secure digital， sd）卡，闪存卡（flash card）等。进一步地，所述存储器20还可以既包括所述终端的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器20用于存储安装于所述终端的应用软件及各类数据，例如所述安装终端的程序代码等。所述存储器20还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。在一实施例中，存储器20上存储有金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序40，该金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序40可被处理器10所执行，从而实现本技术中金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法。
50.所述处理器10在一些实施例中可以是一中央处理器（central processing unit， cpu），微处理器或其他数据处理芯片，用于运行所述存储器20中存储的程序代码或处理数据，例如执行所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法等。
51.所述显示器30在一些实施例中可以是led显示器、液晶显示器、触控式液晶显示器以及oled（organic light-emitting diode，有机发光二极管）触摸器等。所述显示器30用于显示在所述终端的信息以及用于显示可视化的用户界面。所述终端的部件10-30通过系统总线相互通信。
52.在一实施例中，当处理器10执行所述存储器20中金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序40时实现以下步骤：获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻
蚀坑的色差值；若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。
53.其中，所述获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像，具体包括：获取所述检测金刚石的表面图像，所述表面图像由电子显微镜对所述待检测金刚石进行拍照得到；在所述表面图像中进行预设范围内的圈定，得到圈定表面图像；获取所述圈定表面图像中出现的轮廓，并将相邻出现的轮廓标识为刻蚀坑，得到所述圈定表面图像标识后的刻蚀坑图像。
54.其中，所述获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像，之后还包括：将所述刻蚀坑图像进行均分，得到预设数量的均分刻蚀坑图像。
55.其中，所述根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值，具体包括：获取所述均分刻蚀坑图像中刻蚀坑对应的第一像素面积以及所述圈定表面图像对应的第二像素面积；根据所述第一像素面积和所述第二像素面积得到所述刻蚀坑的密度比，其中，所述刻蚀坑的密度比=所述第一像素面积/所述第二像素面积；根据所述刻蚀坑的密度比对所述刻蚀坑进行渲染，得到所述刻蚀坑的分布热力图，并通过所述分布热力图获取所述均分刻蚀坑图像中所述刻蚀坑的分布状态；获取所述均分刻蚀坑图像中刻蚀坑对应的第一色度值以及所述圈定表面图像对应的第二色度值；根据所述第一色度值和所述第二色度值得到所述刻蚀坑的色度差值，其中，所述刻蚀坑的色度差值=所述第一色度值-所述第二色度值。
56.其中，所述若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格，具体包括：将所述密度比与预设密度比进行比较，当所述密度比小于所述预设密度比时，判定所述待检测金刚石的刻蚀坑的密度比检测合格；将所述色度差值与预设色度差值进行比较，当所述色度差值小于所述预设色度差值时，判定所述待检测金刚石的色度差值检测合格。
57.其中，所述若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格，之后还包括：当所述密度比和所述色度差值均检测合格时，控制所述待检测金刚石的继续生长。
58.其中，所述预设范围的尺寸为：10mm*10mm。
59.本发明还提供一种计算机可读存储介质，其中，所述计算机可读存储介质存储有金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序被处理器执行时实现如上所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的步骤。
60.综上所述，本发明提供一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法及相关设备，所述
方法包括：获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值；若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。本发明通过获取待检测金刚石表面的刻蚀坑图像，计算得出所述待检测金刚石表面的刻蚀坑密度值和色差值，并通过所述刻蚀坑密度值和所述色差值来判断所述待检测金刚石是否生长合格，有利于相关技术人员能够及时的了解所述待检测金刚石的生长状况，并根据生长状况判断是否继续进行下一阶段的生长。
61.需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者终端中还存在另外的相同要素。
62.当然，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关硬件（如处理器，控制器等）来完成，所述的程序可存储于计算机可读取的存储介质中，所述程序在执行时可包括如上述各方法实施例的流程。其中所述的计算机可读存储介质可为存储器、磁碟、光盘等。
63.应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

技术特征：
1.一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其特征在于，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法包括：获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色度差值；若所述密度比和所述色度差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。2.根据权利要求1所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其特征在于，所述获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像，具体包括：获取所述检测金刚石的表面图像，所述表面图像由电子显微镜对所述待检测金刚石进行拍照得到；在所述表面图像中进行预设范围内的圈定，得到圈定表面图像；获取所述圈定表面图像中出现的轮廓，并将相邻出现的轮廓标识为刻蚀坑，得到所述圈定表面图像标识后的刻蚀坑图像。3.根据权利要求1所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其特征在于，所述获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像，之后还包括：将所述刻蚀坑图像进行均分，得到预设数量的均分刻蚀坑图像。4.根据权利要求3所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其特征在于，所述根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色度差值，具体包括：获取所述均分刻蚀坑图像中刻蚀坑对应的第一像素面积以及所述圈定表面图像对应的第二像素面积；根据所述第一像素面积和所述第二像素面积得到所述刻蚀坑的密度比，其中，所述刻蚀坑的密度比=所述第一像素面积/所述第二像素面积；根据所述刻蚀坑的密度比对所述刻蚀坑进行渲染，得到所述刻蚀坑的分布热力图，并通过所述分布热力图获取所述均分刻蚀坑图像中所述刻蚀坑的分布状态；获取所述均分刻蚀坑图像中刻蚀坑对应的第一色度值以及所述圈定表面图像对应的第二色度值；根据所述第一色度值和所述第二色度值得到所述刻蚀坑的色度差值，其中，所述刻蚀坑的色度差值=所述第一色度值-所述第二色度值。5.根据权利要求1所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其特征在于，所述若所述密度比和所述色度差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格，具体包括：将所述密度比与预设密度比进行比较，当所述密度比小于所述预设密度比时，判定所述待检测金刚石的刻蚀坑的密度比检测合格；将所述色度差值与预设色度差值进行比较，当所述色度差值小于所述预设色度差值时，判定所述待检测金刚石的色度差值检测合格。6.根据权利要求1所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其特征在于，所述若所述
密度比和所述色度差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格，之后还包括：当所述密度比和所述色度差值均检测合格时，控制所述待检测金刚石的继续生长。7.根据权利要求1所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法，其特征在于，所述预设范围的尺寸为：10mm*10mm。8.一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测系统，其特征在于，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测系统包括：刻蚀坑识别模块，用于获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；刻蚀坑图像判断模块，用于根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色度差值；金刚石合格判断模块，用于若所述密度比和所述色度差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。9.一种终端，其特征在于，所述终端包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的步骤。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序，所述金刚石表面刻蚀坑的合格检测程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任一项所述的金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法的步骤。

技术总结
本发明公开了一种金刚石表面刻蚀坑的合格检测方法及相关设备，所述方法包括：获取待检测金刚石的表面图像，并在所述表面图像的预设范围内进行刻蚀坑的识别，得到识别后的刻蚀坑图像；根据所述刻蚀坑图像计算所述待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度比以及所述刻蚀坑的色差值；若所述密度比和所述色差值均满足预设要求，则所述待检测金刚石检测合格。本发明通过对待检测金刚石表面的刻蚀坑的密度和深浅进行检测，能够有效判断待检测金刚石生长是否合格，以便于判断待检测金刚石是否适合继续进行下一阶段的生长。行下一阶段的生长。行下一阶段的生长。


技术研发人员：顾亚骏 蒋礼 全峰
受保护的技术使用者：深圳优普莱等离子体技术有限公司
技术研发日：2023.07.07
技术公布日：2023/8/13