覆铜层压板及其形成方法与流程

1.本公开涉及一种覆铜层压板及其形成方法。具体地，本公开涉及一种具有介电涂层的覆铜层压板及其形成方法。


背景技术：

2.覆铜层压板(ccl)包括层压在两层导电铜箔上或之间的介电材料。随后的操作将此类ccl转变成印刷电路板(pcb)。当导电铜箔用于形成pcb时，该导电铜箔被选择性地蚀刻以形成具有通孔的电路，该通孔在层之间钻出并且被金属化(即，电镀)以在多层pcb中的层之间建立导电性。因此，ccl必须表现出优异的热机械稳定性。在制造操作(诸如焊接)期间以及在使用中，pcb通常也暴露于过高的温度。因此，它们必须在高于200℃的连续温度下起作用而不变形，并且承受剧烈的温度波动，同时抵抗水分吸收。ccl的介电层用作导电层之间的隔离物，并且可以通过阻断导电性来使电信号损失和串扰最小化。介电层的介电常数(电容率)越低，电信号通过该层的速度越高。因此，取决于温度和频率以及材料的极化性的低耗散因数对于高频应用是非常关键的。因此，需要可用于pcb和其他高频应用的改进的介电材料和介电层。


技术实现要素：

3.根据第一方面，覆铜层压板可包括铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该介电涂层可包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该介电涂层可具有不大于约20微米的平均厚度。
4.根据另一个方面，覆铜层压板可包括铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该介电涂层可包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该第一填充材料的粒度分布可具有至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d
10
、至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d
50
以及至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d
90
。
5.根据又一个方面，覆铜层压板可包括铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该介电涂层可包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该第一填充材料还可具有不大于约5微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填充材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填充材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填充材料的d
50
粒度分布测量值。
6.根据另一个方面，印刷电路板可包括覆铜层压板。该覆铜层压板可包括铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该介电涂层可包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该介电涂层可具有不大于约20微米的平均厚度。
7.根据再一个方面，印刷电路板可包括覆铜层压板。该覆铜层压板可包括铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该介电涂层可包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该第一填充材料的粒度分布可具有至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d
10
、至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d
50
以及至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d
90
。
8.根据另一个方面，印刷电路板可包括覆铜层压板。该覆铜层压板可包括铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该介电涂层可包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该第一填充材料还可具有不大于约5微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填充材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填充材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填充材料的d
50
粒度分布测量值。
9.根据另一个方面，一种形成覆铜层压板的方法可包括提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；以及将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该陶瓷填料前体组分可包含第一填料前体材料。该介电涂层可具有不大于约20微米的平均厚度。
10.根据又一个方面，一种形成覆铜层压板的方法可包括提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；以及将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该陶瓷填料前体组分可包含第一填料前体材料。该第一填充材料的粒度分布可具有至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d
10
、至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d
50
以及至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d
90
。
11.根据另一个方面，一种形成覆铜层压板的方法可包括提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；以及将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该陶瓷填料前体组分可包含第一填料前体材料。该第一填料前体材料还可具有不大于约5微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填料前体材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填料前体材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填料前体材料的d
50
粒度分布测量值。
12.根据另一个方面，一种形成印刷电路板的方法可包括提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；以及将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该陶瓷填料前体组分可包含第一填料前体材料。该介电涂层可具有不大于约20微米的平均厚度。
13.根据又一个方面，一种形成印刷电路板的方法可包括提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；以及将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该陶瓷填料前体组分可包含第一填料前体材料。该第一填充材料的粒度分布可具有至
少约0.2微米且不大于约1.6微米的d
10
、至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d
50
以及至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d
90
。
14.根据另一个方面，一种形成印刷电路板的方法可包括提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；以及将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该陶瓷填料前体组分可包含第一填料前体材料。该第一填料前体材料还可具有不大于约5微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填料前体材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填料前体材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填料前体材料的d
50
粒度分布测量值。
附图说明
15.实施方案通过示例示出，并且不限于附图。
16.图1包括示出根据本文所述的实施方案的覆铜层压板形成方法的图；
17.图2包括示出根据本文所述的实施方案形成的覆铜层压板的构型的图示；
18.图3包括示出根据本文所述的实施方案的印刷电路板形成方法的图；并且
19.图4包括示出根据本文所述的实施方案形成的印刷电路板的构型的图示。
20.技术人员应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并且不必按比例绘制。
具体实施方式
21.以下讨论将集中于教导内容的具体实施方式和实施方案。提供详细描述以帮助描述某些实施方案，并且不应将其解释为对公开内容或教导内容的范围或适用性的限制。应当理解，可以基于本文提供的公开内容和教导内容使用其他实施方案。
22.术语“包含(comprises、comprising)”、“包括(includes、including)”、“具有(has、having)”或它们的任何其他变型形式旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括一系列特征的方法、制品或装置不必仅限于那些特征，而是可包括未明确列出的或此类方法、制品或装置固有的其他特征。此外，除非明确相反地陈述，否则“或”是指包含性的或，而不是排他性的或。例如，条件a或b由以下任一项满足：a为真(或存在)且b为假(或不存在)，a为假(或不存在)且b为真(或存在)，以及a和b两者均为真(或存在)。
23.本文所述的实施方案整体涉及覆铜层压板，该覆铜层压板可包括铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。根据某些实施方案，该介电涂层可包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。
24.首先参照形成覆铜层压板的方法，图1包括示出根据本文所述的实施方案的用于形成覆铜层压板的形成方法100的图。根据具体实施方案，形成方法100可包括提供铜箔层的第一步骤110、施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层的第二步骤120、将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物的第三步骤130以及将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层的第四步骤140。
25.根据再其他实施方案，该基于含氟聚合物的粘合剂层可具有特定的平均厚度。例如，该基于含氟聚合物的粘合剂层可以为至少约0.2微米，诸如至少约0.5微米、或至少约
1.0微米、或至少约1.5微米、或至少约2.0微米、或至少约2.5微米、或甚至至少约3.0微米。根据又其他实施方案，该基于含氟聚合物的粘合剂层的平均厚度可以为不大于约7微米，诸如不大于约6.5微米、或不大于约6.0微米、或不大于约5.5微米、或不大于约5.0微米、或不大于约4.9微米、或不大于约4.8微米、或不大于约4.7微米、或不大于约4.6微米、或不大于约4.5微米、或不大于约4.4微米、或不大于约4.3微米、或不大于约4.2微米、或不大于约4.1微米、或不大于约4.1微米、或不大于约4.0微米、或不大于约3.9微米、或不大于约3.8微米、或不大于约3.7微米、或不大于约3.6微米、或甚至不大于约3.5微米。应当理解，该基于含氟聚合物的粘合剂层的平均厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该基于含氟聚合物的粘合剂层的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
26.根据再其他实施方案，该基于含氟聚合物的粘合剂层可包含特定材料。例如，该基于含氟聚合物的粘合剂层可包含含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，该基于含氟聚合物的粘合剂层可由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物组成。
27.根据具体实施方案，该陶瓷填料前体组分可包含第一填料前体材料，其可具有可以改善通过形成方法100形成的覆铜层压板的性能的特定特征。
28.根据某些实施方案，该第一填料前体材料可具有特定的尺寸分布。出于本文所述的实施方案的目的，可使用粒度分布d值d
10
、d
50
和d
90
的任何组合来描述材料的粒度分布，例如第一填料前体材料的粒度分布。粒度分布的d
10
值定义为其中10％的颗粒小于该值并且90％的颗粒大于该值的粒度值。粒度分布的d
50
值定义为其中50％的颗粒小于该值并且50％的颗粒大于该值的粒度值。粒度分布的d
90
值定义为其中90％的颗粒小于该值并且10％的颗粒大于该值的粒度值。出于本文所述的实施方案的目的，使用激光衍射光谱法进行特定材料的粒度测量。
29.根据某些实施方案，该第一填料前体材料可具有特定的尺寸分布d
10
值。例如，该第一填料前体材料的d
10
可以为至少约0.2微米，诸如至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或至少约1.0微米、或至少约1.1微米、或甚至至少约1.2微米。根据再其他实施方案，该第一填充材料的d
10
可以为不大于约1.6微米，诸如不大于约1.5微米、或甚至不大于约1.4微米。应当理解，该第一填料前体材料的d
10
可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填料前体材料的d
10
可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
30.根据其他实施方案，该第一填料前体材料可具有特定的尺寸分布d
50
值。例如，该第一填料前体材料的d
50
可以为至少约0.5微米，诸如至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或至少约1.0微米、或至少约1.1微米、或至少约1.2微米、
或至少约1.3微米、或至少约1.4微米、或至少约1.5微米、或至少约1.6微米、或至少约1.7微米、或至少约1.8微米、或至少约1.9微米、或至少约2.0微米、或至少约2.1微米、或甚至至少约2.2微米。根据再其他实施方案，该第一填充材料的d
50
可以为不大于约2.7微米，诸如不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或甚至不大于约2.4微米。应当理解，该第一填料前体材料的d
50
可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填料前体材料的d
50
可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
31.根据其他实施方案，该第一填料前体材料可具有特定的尺寸分布d
90
值。例如，该第一填料前体材料的d
90
可以为至少约0.8微米，诸如至少约0.9微米、或至少约1.0微米、或至少约1.1微米、或至少约1.2微米、或至少约1.3微米、或至少约1.4微米、或至少约1.5微米、或至少约1.6微米、或至少约1.7微米、或至少约1.8微米、或至少约1.9微米、或至少约2.0微米、或至少约2.1微米、或至少约2.2微米、或至少约2.3微米、或至少约2.4微米、或至少约2.5微米、或至少约2.6微米、或甚至至少约2.7微米。根据再其他实施方案，该第一填充材料的d
90
可以为不大于约8.0微米，诸如不大于约7.5微米、或不大于约7.0微米、或不大于约6.5微米、或不大于约6.0微米、或不大于约5.5微米、或不大于约5.4微米、或不大于约5.3微米、或不大于约5.2微米、或甚至不大于约5.1微米。应当理解，该第一填料前体材料的d
90
可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填料前体材料的d
90
可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
32.根据再其他实施方案，该第一填料前体材料可具有使用激光衍射光谱法测量的特定平均粒度。例如，该第一填料前体材料的平均粒度可以为不大于约10微米，诸如不大于约9微米、或不大于约8微米、或不大于约7微米、或不大于约6微米、或不大于约5微米、或不大于约4微米、或不大于约3微米、或甚至不大于约2微米。应当理解，该第一填料前体材料的平均粒度可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，该第一填料前体材料的平均粒度可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
33.根据再其他实施方案，该第一填料前体材料可被描述为具有特定粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填料前体材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填料前体材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填料前体材料的d
50
粒度分布测量值。例如，该第一填料前体材料的psds可以为不大于约5，诸如不大于约4.5、或不大于约4.0、或不大于约3.5、或不大于约3.0、或甚至不大于约2.5。应当理解，该第一填料前体材料的psds可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，该第一填料前体材料的psds可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
34.根据再其他实施方案，该第一填料前体材料可被描述为具有使用brunauer-emmett-teller(bet)表面积分析(氮吸附)测量的特定平均表面积。例如，该第一填料前体材料可具有不大于约10m2/g的平均表面积，诸如不大于约9.9m2/g、或不大于约9.5m2/g、或不大于约9.0m2/g、或不大于约8.5m2/g、或不大于约8.0m2/g、或不大于约7.5m2/g、或不大于约7.0m2/g、或不大于约6.5m2/g、或不大于约6.0m2/g、或不大于约5.5m2/g、或不大于约
5.0m2/g、或不大于约4.5m2/g、或不大于约4.0m2/g、或甚至不大于约3.5m2/g。根据再其他实施方案，该第一填料前体材料可具有至少约1.2m2/g的平均表面积诸如至少约2.2m2/g。应当理解，该第一填料前体材料的平均表面积可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填料前体材料的平均表面积可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
35.根据其他实施方案，该第一填料前体材料可包含特定材料。根据具体实施方案，该第一填料前体材料可包含基于二氧化硅的化合物。根据再其他实施方案，该第一填料前体材料可由基于二氧化硅的化合物组成。根据其他实施方案，该第一填料前体材料可包含二氧化硅。根据再其他实施方案，该第一填料前体材料可由二氧化硅组成。
36.根据又其他实施方案，该成形混合物可包含特定含量的陶瓷填料前体组分。例如，相对于第一成形混合物的总体积，该陶瓷填料前体组分的含量可以为至少约30体积％，诸如至少约31体积％、或至少约32体积％、或至少约33体积％、或至少约34体积％、或至少约35体积％、或至少约36体积％、或至少约37体积％、或至少约38体积％、或至少约39体积％、或至少约40体积％、或至少约41体积％、或至少约42体积％、或至少约43体积％、或至少约44体积％、或至少约45体积％、或至少约46体积％、或至少约47体积％、或至少约48体积％、或至少约49体积％、或至少约50体积％、或至少约51体积％、或至少约52体积％、或至少约53体积％、或甚至至少约54体积％。根据再其他实施方案，相对于该成形混合物的总体积，该陶瓷填料前体组分的含量可以为不大于约57体积％，诸如不大于约56体积％、或甚至不大于约55体积％。应当理解，该陶瓷填料前体组分的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该陶瓷填料前体组分的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
37.根据再其他实施方案，该陶瓷填料前体组分可包含特定含量的第一填料前体材料。例如，相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第一填料前体材料的含量可以为至少约80体积％，诸如至少约81体积％、或至少约82体积％、或至少约83体积％、或至少约84体积％、或至少约85体积％、或至少约86体积％、或至少约87体积％、或至少约88体积％、或至少约89体积％、或甚至至少约90体积％。根据再其他实施方案，相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第一填料前体材料的含量可以为不大于约100体积％，诸如不大于约99体积％、或不大于约98体积％、或不大于约97体积％、或不大于约96体积％、或不大于约95体积％、或不大于约94体积％、或不大于约93体积％、或甚至不大于约92体积％。应当理解，该第一填料前体材料的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填料前体材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
38.根据再其他实施方案，该陶瓷填料前体组分可包含第二填料前体材料。
39.根据又其他实施方案，该第二填料前体材料可包含特定材料。例如，该第二填料前体材料可包含高介电常数陶瓷材料，诸如具有至少约14的介电常数的陶瓷材料。根据具体实施方案，该第二填料前体材料可包含任何高介电常数陶瓷材料，诸如tio2、srtio3、zrti2o6、mgtio3、catio3、batio4或它们的任何组合。
40.根据又其他实施方案，该第二填料前体材料可包含tio2。根据再其他实施方案，该第二填料前体材料可由tio2组成。
41.根据再其他实施方案，该陶瓷填料前体组分可包含特定含量的第二填料前体材料。例如，相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第二填料前体材料的含量可以为至少约1体积％，诸如至少约2体积％、或至少约3体积％、或至少约4体积％、或至少约5体积％、或至少约6体积％、或至少约7体积％、或至少约8体积％、或至少约9体积％、或至少约10体积％。根据再其他实施方案，相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第二填料前体材料的含量可以为不大于约20体积％，诸如不大于约19体积％、或不大于约18体积％、或不大于约17体积％、或不大于约16体积％、或不大于约15体积％、或不大于约14体积％、或不大于约13体积％、或不大于约12体积％。应当理解，该第二填料前体材料的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第二填料前体材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
42.根据又其他实施方案，该陶瓷填料前体组分可包含特定含量的无定形材料。例如，该陶瓷填料前体组分可包含至少约97％的无定形材料，诸如至少约98％、或甚至至少约99％。应当理解，无定形材料的含量可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，无定形材料的含量可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
43.根据其他实施方案，该树脂基质前体组分可包含特定材料。例如，该树脂基质前体组分可包含全氟聚合物。根据再其他实施方案，该树脂基质前体组分可由全氟聚合物组成。
44.根据又其他实施方案，该树脂基质前体组分的该全氟聚合物可包括四氟乙烯(tfe)的共聚物；六氟丙烯(hfp)的共聚物；四氟乙烯(tfe)的三元共聚物；或它们的任何组合。根据其他实施方案，该树脂基质前体组分的该全氟聚合物可由以下项组成：四氟乙烯(tfe)的共聚物；六氟丙烯(hfp)的共聚物；四氟乙烯(tfe)的三元共聚物；或它们的任何组合。
45.根据又其他实施方案，该树脂基质前体组分的该全氟聚合物可包括聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合。根据再其他实施方案，该树脂基质前体组分的该全氟聚合物可由聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合组成。
46.根据又其他实施方案，该成形混合物可包含特定含量的树脂基质前体组分。例如，相对于该成形混合物的总体积，该树脂基质前体组分的含量可以为至少约45体积％，诸如至少约46体积％、或至少约47体积％、或至少约48体积％、或至少约49体积％、或至少约50体积％、或至少约51体积％、或至少约52体积％、或至少约53体积％、或至少约54体积％、或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，相对于该成形混合物的总体积，该树脂基质前体组分的含量不大于约63体积％、或不大于约62体积％、或不大于约61体积％、或不大于约60体积％、或不大于约59体积％、或不大于约58体积％、或甚至不大于约57体积％。应当理解，该树脂基质前体组分的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该树脂基质前体组分的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
47.根据又其他实施方案，该成形混合物可包含特定含量的全氟聚合物。例如，相对于该成形混合物的总体积，该全氟聚合物的含量可以为至少约45体积％，诸如至少约46体积％、或至少约47体积％、或至少约48体积％、或至少约49体积％、或至少约50体积％、或至少约51体积％、或至少约52体积％、或至少约53体积％、或至少约54体积％、或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，相对于该成形混合物的总体积，该全氟聚合物的含量可以为不大于约63体积％，诸如不大于约62体积％、或不大于约61体积％、或不大于约60体积％、或不大于约59体积％、或不大于约58体积％、或甚至不大于约57体积％。应当理解，该全氟聚合物的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该全氟聚合物的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
48.现在参考根据形成方法100形成的覆铜层压板的实施方案，图2包括覆铜层压板200的图。如图2所示，覆铜层压板200可包括铜箔层202；覆盖铜箔层202的基于含氟聚合物的粘合剂层203；和覆盖基于含氟聚合物的粘合剂层203表面的介电涂层205。根据某些实施方案，介电涂层205可包含树脂基质组分210和陶瓷填料组分220。
49.根据再其他实施方案，基于含氟聚合物的粘合剂层203可具有特定的平均厚度。例如，基于含氟聚合物的粘合剂层203可以为至少约0.2微米，诸如至少约0.5微米、或至少约1.0微米、或至少约1.5微米、或至少约2.0微米、或至少约2.5微米、或甚至至少约3.0微米。根据又其他实施方案，基于含氟聚合物的粘合剂层203的平均厚度可以为不大于约7微米，诸如不大于约6.5微米、或不大于约6.0微米、或不大于约5.5微米、或不大于约5.0微米、或不大于约4.9微米、或不大于约4.8微米、或不大于约4.7微米、或不大于约4.6微米、或不大于约4.5微米、或不大于约4.4微米、或不大于约4.3微米、或不大于约4.2微米、或不大于约4.1微米、或不大于约4.1微米、或不大于约4.0微米、或不大于约3.9微米、或不大于约3.8微米、或不大于约3.7微米、或不大于约3.6微米、或甚至不大于约3.5微米。应当理解，基于含氟聚合物的粘合剂层203的平均厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，基于含氟聚合物的粘合剂层203的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
50.根据再其他实施方案，基于含氟聚合物的粘合剂层203可包含特定材料。例如，基于含氟聚合物的粘合剂层203可包含含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物。根据再其他实施方案，该基于含氟聚合物的粘合剂层可由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物组成。
51.根据具体实施方案，陶瓷填料组分220可包含第一填充材料，其可具有可以改善覆铜层压板200的性能的特定特征。
52.根据某些实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可具有特定的尺寸分布。出于本文所述的实施方案的目的，可使用粒度分布d值d
10
、d
50
和d
90
的任何组合来描述材料的
粒度分布，例如第一填充材料的粒度分布。粒度分布的d
10
值定义为其中10％的颗粒小于该值并且90％的颗粒大于该值的粒度值。粒度分布的d
50
值定义为其中50％的颗粒小于该值并且50％的颗粒大于该值的粒度值。粒度分布的d
90
值定义为其中90％的颗粒小于该值并且10％的颗粒大于该值的粒度值。出于本文所述的实施方案的目的，使用激光衍射光谱法进行特定材料的粒度测量。
53.根据某些实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可具有特定的尺寸分布d
10
值。例如，该第一填充材料的d
10
可以为至少约0.2微米，诸如至少约0.3微米、或至少约0.4微米、或至少约0.5微米、或至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或至少约1.0微米、或至少约1.1微米、或甚至至少约1.2微米。根据再其他实施方案，该第一填充材料的d10可以为不大于约1.6微米，诸如不大于约1.5微米、或甚至不大于约1.4微米。应当理解，该第一填充材料的d
10
可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填充材料的d
10
可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
54.根据其他实施方案，陶瓷填料组分420的第一填充材料可具有特定的尺寸分布d
50
值。例如，该第一填充材料的d
50
可以为至少约0.5微米，诸如至少约0.6微米、或至少约0.7微米、或至少约0.8微米、或至少约0.9微米、或至少约1.0微米、或至少约1.1微米、或至少约1.2微米、或至少约1.3微米、或至少约1.4微米、或至少约1.5微米、或至少约1.6微米、或至少约1.7微米、或至少约1.8微米、或至少约1.9微米、或至少约2.0微米、或至少约2.1微米、或甚至至少约2.2微米。根据再其他实施方案，该第一填充材料的d
50
可以为不大于约2.7微米，诸如不大于约2.6微米、或不大于约2.5微米、或甚至不大于约2.4微米。应当理解，该第一填充材料的d
50
可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填充材料的d
50
可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
55.根据其他实施方案，陶瓷填料组分220的第一填充材料可具有特定的尺寸分布d
90
值。例如，该第一填充材料的d
90
可以为至少约0.8微米，诸如至少约0.9微米、或至少约1.0微米、或至少约1.1微米、或至少约1.2微米、或至少约1.3微米、或至少约1.4微米、或至少约1.5微米、或至少约1.6微米、或至少约1.7微米、或至少约1.8微米、或至少约1.9微米、或至少约2.0微米、或至少约2.1微米、或至少约2.2微米、或至少约2.3微米、或至少约2.4微米、或至少约2.5微米、或至少约2.6微米、或甚至至少约2.7微米。根据再其他实施方案，该第一填充材料的d
90
可以为不大于约8.0微米，诸如不大于约7.5微米、或不大于约7.0微米、或不大于约6.5微米、或不大于约6.0微米、或不大于约5.5微米、或不大于约5.4微米、或不大于约5.3微米、或不大于约5.2微米、或甚至不大于约5.1微米。应当理解，该第一填充材料的d
90
可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填充材料的d
90
可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
56.根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220的该第一填充材料可具有使用激光衍射光谱法测量的特定平均粒度。例如，该第一填充材料的平均粒度可以为不大于约10微米，诸如不大于约9微米、或不大于约8微米、或不大于约7微米、或不大于约6微米、或不大于约5微
米、或不大于约4微米、或不大于约3微米、或甚至不大于约2微米。应当理解，该第一填充材料的平均粒度可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，该第一填充材料的平均粒度可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
57.根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220的该第一填充材料可被描述为具有特定粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填充材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填充材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填充材料的d
50
粒度分布测量值。例如，该第一填充材料的psds可以为不大于约5，诸如不大于约4.5、或不大于约4.0、或不大于约3.5、或不大于约3.0、或甚至不大于约2.5。应当理解，该第一填充材料的psds可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，该第一填充材料的psds可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
58.根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220的该第一填充材料可被描述为具有使用brunauer-emmett-teller(bet)表面积分析(氮吸附)测量的特定平均表面积。例如，该第一填充材料可具有不大于约10m2/g的平均表面积，诸如不大于约9.9m2/g、或不大于约9.5m2/g、或不大于约9.0m2/g、或不大于约8.5m2/g、或不大于约8.0m2/g m2/g、或不大于约7.5m2/g、或不大于约7.0m2/g、或不大于约6.5m2/g、或不大于约6.0m2/g、或不大于约5.5m2/g、或不大于约5.0m2/g、或不大于约4.5m2/g、或不大于约4.0m2/g、或甚至不大于约3.5m2/g。根据再其他实施方案，该第一填充材料可具有至少约1.2m2/g的平均表面积诸如至少约2.2m2/g。应当理解，该第一填充材料的平均表面积可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填充材料的平均表面积可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
59.根据其他实施方案，陶瓷填料组分220的该第一填充材料可包含特定材料。根据具体实施方案，该第一填充材料可包含基于二氧化硅的化合物。根据再其他实施方案，该第一填充材料可由基于二氧化硅的化合物组成。根据其他实施方案，该第一填充材料可包含二氧化硅。根据再其他实施方案，该第一填充材料可由二氧化硅组成。
60.根据又其他实施方案，介电涂层205可包含特定含量的陶瓷填料组分220。例如，相对于介电涂层205的总体积，陶瓷填料组分220的含量可以为至少约30体积％，诸如至少约31体积％、或至少约32体积％、或至少约33体积％、或至少约34体积％、或至少约35体积％、或至少约36体积％、或至少约37体积％、或至少约38体积％、或至少约39体积％、或至少约40体积％、或至少约41体积％、或至少约42体积％、或至少约43体积％、或至少约44体积％、或至少约45体积％、或至少约46体积％、或至少约47体积％、或至少约48体积％、或至少约49体积％、或至少约50体积％、或至少约51体积％、或至少约52体积％、或至少约53体积％、或甚至至少约54体积％。根据再其他实施方案，相对于介电涂层400的总体积，陶瓷填料组分220的含量可以为不大于约57体积％，诸如不大于约56体积％、或甚至不大于约55体积％。应当理解，陶瓷填料组分220的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，陶瓷填料组分220的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一
者。
61.根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220可包含特定含量的第一填充材料。例如，相对于陶瓷填料组分220的总体积，该第一填充材料的含量可以为至少约80体积％，诸如至少约81体积％、或至少约82体积％、或至少约83体积％、或至少约84体积％、或至少约85体积％、或至少约86体积％、或至少约87体积％、或至少约88体积％、或至少约89体积％、或甚至至少约90体积％。根据再其他实施方案，相对于陶瓷填料组分220的总体积，该第一填充材料的含量可以为不大于约100体积％，诸如不大于约99体积％、或不大于约98体积％、或不大于约97体积％、或不大于约96体积％、或不大于约95体积％、或不大于约94体积％、或不大于约93体积％、或甚至不大于约92体积％。应当理解，该第一填充材料的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第一填充材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
62.根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220可包含第二填充材料。
63.根据又其他实施方案，陶瓷填料组分220的该第二填充材料可包含特定材料。例如，该第二填充材料可包含高介电常数陶瓷材料，诸如具有至少约14的介电常数的陶瓷材料。根据具体实施方案，陶瓷填料组分220的该第二填充材料可包含任何高介电常数陶瓷材料，诸如tio2、srtio3、zrti2o6、mgtio3、catio3、batio4或它们的任何组合。
64.根据又其他实施方案，陶瓷填料组分220的该第二填充材料可包含tio2。根据再其他实施方案，该第二填充材料可由tio2组成。
65.根据再其他实施方案，陶瓷填料组分220可包含特定含量的第二填充材料。例如，相对于陶瓷填料组分220的总体积，该第二填充材料的含量可以为至少约1体积％，诸如至少约2体积％、或至少约3体积％、或至少约4体积％、或至少约5体积％、或至少约6体积％、或至少约7体积％、或至少约8体积％、或至少约9体积％、或至少约10体积％。根据再其他实施方案，相对于陶瓷填料组分220的总体积，该第二填充材料的含量可以为不大于约20体积％，诸如不大于约19体积％、或不大于约18体积％、或不大于约17体积％、或不大于约16体积％、或不大于约15体积％、或不大于约14体积％、或不大于约13体积％、或不大于约12体积％。应当理解，该第二填充材料的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该第二填充材料的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
66.根据又其他实施方案，陶瓷填料组分220可包含特定含量的无定形材料。例如，陶瓷填料组分220可包含至少约97％的无定形材料，诸如至少约98％、或甚至至少约99％。应当理解，无定形材料的含量可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，无定形材料的含量可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
67.根据其他实施方案，树脂基质组分210可包含特定材料。例如，树脂基质组分210可包含全氟聚合物。根据再其他实施方案，树脂基质组分210可由全氟聚合物组成。
68.根据又其他实施方案，树脂基质组分210的该全氟聚合物可包括四氟乙烯(tfe)的共聚物；六氟丙烯(hfp)的共聚物；四氟乙烯(tfe)的三元共聚物；或它们的任何组合。根据
其他实施方案，树脂基质组分210的该全氟聚合物可由以下项组成：四氟乙烯(tfe)的共聚物；六氟丙烯(hfp)的共聚物；四氟乙烯(tfe)的三元共聚物；或它们的任何组合。
69.根据又其他实施方案，树脂基质组分210的该全氟聚合物可包括聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合。根据再其他实施方案，树脂基质组分210的该全氟聚合物可由聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合组成。
70.根据又其他实施方案，介电涂层200可包含特定含量的树脂基质组分210。例如，相对于介电涂层200的总体积，树脂基质组分210的含量可以为至少约50体积％，诸如至少约51体积％、或至少约52体积％、或至少约53体积％、或至少约54体积％、或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，相对于介电涂层200的总体积，树脂基质组分210的含量不大于约63体积％、或不大于约62体积％、或不大于约61体积％、或不大于约60体积％、或不大于约59体积％、或不大于约58体积％、或甚至不大于约57体积％。应当理解，树脂基质组分210的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，树脂基质组分210的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
71.根据又其他实施方案，介电涂层205可包含特定含量的全氟聚合物。例如，相对于介电涂层205的总体积，该全氟聚合物的含量可以为至少约50体积％，诸如至少约51体积％、或至少约52体积％、或至少约53体积％、或至少约54体积％、或甚至至少约55体积％。根据再其他实施方案，相对于介电涂层205的总体积，该全氟聚合物的含量可以为不大于约63体积％，诸如不大于约62体积％、或不大于约61体积％、或不大于约60体积％、或不大于约59体积％、或不大于约58体积％、或甚至不大于约57体积％。应当理解，该全氟聚合物的含量可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，该全氟聚合物的含量可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
72.根据再其他实施方案，介电涂层205可包含使用x射线衍射测量的特定孔隙率。例如，基底205的孔隙率可以为不大于约10体积％，诸如不大于约9体积％、或不大于约8体积％、或不大于约7体积％、或不大于约6体积％、或甚至不大于约5体积％。应当理解，介电涂层205的孔隙率可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的孔隙率可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
73.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有特定的平均厚度。例如，介电涂层205的平均厚度可以为至少约0.1微米，诸如至少约0.5微米、或至少约1微米、或至少约2微米、或至少约3微米、或至少约4微米、或甚至至少约5微米。根据又其他实施方案，介电涂层205的平均厚度可以为不大于约20微米，诸如不大于约18微米、或不大于约16微米、或不大于约14微米、或不大于约12微米、或甚至不大于约10微米。应当理解，介电涂层205的平均厚度可以为上述最小值和最大值中的任一者之间的任何值并且包括上述最小值和最大值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的平均厚度可以在上述最小值和最大值中的任一者之间的范围内并且包括上述最小值和最大值中的任一者。
74.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在5ghz、20％rh之间的范围内测量的特
定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
75.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在5ghz、80％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
76.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在10ghz、20％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
77.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在10ghz、80％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
78.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在28ghz、20％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
79.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在28ghz、80％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。
还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
80.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在39ghz、20％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
81.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在39ghz、80％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
82.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在76ghz至81ghz、20％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。
83.根据又其他实施方案，介电涂层205可具有在76ghz至81ghz、80％rh之间的范围内测量的特定耗散因数(df)。例如，介电涂层205可具有不大于约0.005的耗散因数，诸如不大于约0.004、或不大于约0.003、或不大于约0.002、或不大于约0.0019、或不大于约0.0018、或不大于约0.0017、或不大于约0.0016、或不大于约0.0015、或不大于约0.0014。应当理解，介电涂层205的耗散因数可以为上述值中的任一者之间的任何值并且包括上述值中的任一者。还应当理解，介电涂层205的耗散因数可以在上述值中的任一者之间的范围内并且包括上述值中的任一者。根据又其他实施方案，介电涂层205可具有根据ipc-tm-650 2.4.24修订版c玻璃化转变温度和tma的z轴热膨胀测量的特定热膨胀系数。例如，介电涂层205可具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数。
84.根据又其他实施方案，覆铜层压板201可具有根据ipc-tm-650 2.4.24修订版c玻璃化转变温度和tma的z轴热膨胀测量的特定热膨胀系数。例如，覆铜层压板201可具有不大于约45ppm/℃的热膨胀系数。
85.应当理解，本文所述的任何覆铜层压板可包括位于覆铜层压板的涂层与任何铜箔层之间的附加的基于聚合物的层。还如本文所述，附加的基于聚合物的层可包括如本文所述的填料(即，填充的聚合物层)或可不包括填料(即，未填充的聚合物层)。
86.接下来参照形成印刷电路板的方法，图3包括示出根据本文所述的实施方案的用
于形成印刷电路板的形成方法300的图。根据具体实施方案，形成方法300可包括提供铜箔层的第一步骤310、施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层的第二步骤320、将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物的第三步骤330、将成形混合物形成为覆盖该铜箔层的介电涂层以形成覆铜层压板的第四步骤340以及将该覆铜层压板形成为印刷电路板的第五步骤350。
87.应当理解，本文提供的关于形成方法100的所有描述、细节和特征可进一步适用于或描述形成方法300的相应方面。
88.现在参考根据形成方法300形成的印刷电路板的实施方案，图4包括印刷电路板400的图。如图4所示，印刷电路板400可包括覆铜层压板401，该覆铜层压板可包括铜箔层402；覆盖铜箔层402的基于含氟聚合物的粘合剂层403；和覆盖基于含氟聚合物的粘合剂层403表面的介电涂层405。根据某些实施方案，介电涂层405可包含树脂基质组分410和陶瓷填料组分420。
89.再次，应当理解，本文提供的关于介电涂层205和/或覆铜层压板200的所有描述可进一步应用于校正印刷电路板200的方面，包括印刷电路板400的所有部件。
90.许多不同方面和实施方案都是可能的。本文描述了那些方面和实施方案中的一些。在阅读本说明书之后，技术人员将理解，那些方面和实施方案仅是示例性的并且不限制本发明的范围。实施方案可以根据如下列出的实施方案中的任一个或多个实施方案。
91.实施方案1.一种覆铜层压板，包括：铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该介电涂层包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。
92.实施方案2.一种覆铜层压板，包括：铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该介电涂层包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料的粒度分布包括：至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d10、至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d50以及至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d90。
93.实施方案3.一种覆铜层压板，包括：铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该介电涂层包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料还具有不大于约5微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填充材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填充材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填充材料的d
50
粒度分布测量值。
94.实施方案4.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
95.实施方案5.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层具有不大于约7微米的平均厚度。
96.实施方案6.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层包含含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和
改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物。
97.实施方案7.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物组成。
98.实施方案8.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层为pfa层。
99.实施方案9.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d10。
100.实施方案10.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d50。
101.实施方案11.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d90。
102.实施方案12.根据实施方案1所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料还具有不大于约10微米的平均粒度。
103.实施方案13.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料具有不大于约10微米的平均粒度。
104.实施方案14.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料具有不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填充材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填充材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填充材料的d
50
粒度分布测量值。
105.实施方案15.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料还具有不大于约10m2/g的平均表面积。
106.实施方案16.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料包含基于二氧化硅的化合物。
107.实施方案17.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该第一填充材料包含二氧化硅。
108.实施方案18.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该树脂基质包含全氟聚合物。
109.实施方案19.根据实施方案18所述的覆铜层压板，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(tfe)的共聚物；六氟丙烯(hfp)的共聚物；四氟乙烯(tfe)的三元共聚物；或它们的任何组合。
110.实施方案20.根据实施方案18所述的覆铜层压板，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合。
111.实施方案21.根据实施方案18所述的覆铜层压板，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合组成。
112.实施方案22.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中相对于该介电涂层的总体积，该树脂基质组分的含量为至少约50体积％。
113.实施方案23.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中相对于该介
电涂层的总体积，该树脂基质组分的含量为不大于约63体积％。
114.实施方案24.根据实施方案18所述的覆铜层压板，其中相对于该介电涂层的总体积，该全氟聚合物的含量为至少约50体积％。
115.实施方案25.根据实施方案18所述的覆铜层压板，其中相对于该介电涂层的总体积，该全氟聚合物的含量为不大于约63体积％。
116.实施方案26.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中相对于该介电涂层的总体积，该陶瓷填料组分的含量为至少约30体积％。
117.实施方案27.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中相对于该介电涂层的总体积，该陶瓷填料组分的含量为不大于约57体积％。
118.实施方案28.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中相对于该陶瓷填料组分的总体积，该第一填充材料的含量为至少约80体积％。
119.实施方案29.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中相对于该陶瓷填料组分的总体积，该第一填充材料的含量为不大于约100体积％。
120.实施方案30.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该陶瓷填料组分还包含第二填充材料。
121.实施方案31.根据实施方案30所述的覆铜层压板，其中该第二填充材料包含高介电常数陶瓷材料。
122.实施方案32.根据实施方案31所述的覆铜层压板，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
123.实施方案33.根据实施方案31所述的覆铜层压板，其中该陶瓷填料组分还包含tio2、srtio3、zrti2o6、mgtio3、catio3、batio4或它们的任何组合。
124.实施方案34.根据实施方案30所述的覆铜层压板，其中相对于该陶瓷填料组分的总体积，该第二填充材料的含量为至少约1体积％。
125.实施方案35.根据实施方案30所述的覆铜层压板，其中相对于该陶瓷填料组分的总体积，该第二填充材料的含量为不大于约20体积％。
126.实施方案36.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该陶瓷填料组分至少约97％为无定形的。
127.实施方案37.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该介电涂层具有不大于约10体积％的孔隙率。
128.实施方案38.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该覆铜层压板具有不大于约10体积％的孔隙率。
129.实施方案39.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该介电涂层具有至少约1微米的平均厚度。
130.实施方案40.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。
131.实施方案41.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该介电涂层具有不大于约3.5的耗散因数(5ghz、20％rh)。
132.实施方案42.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该介电涂层具有不大于约0.001的耗散因数(5ghz、20％rh)。
133.实施方案43.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该介电涂层具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数(所有轴)。
134.实施方案44.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该覆铜层压板具有至少约6lb/in的该铜箔层与该介电涂层之间的剥离强度。
135.实施方案45.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该介电涂层具有不大于约0.05％的水分吸收。
136.实施方案46.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该铜箔层具有至少约6微米的平均厚度。
137.实施方案47.根据实施方案1、2和3中任一项所述的覆铜层压板，其中该铜箔层具有不大于约36微米的平均厚度。
138.实施方案48.一种包括覆铜层压板的印刷电路板，其中该覆铜层压板包括：铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该介电涂层包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该介电涂层具有不大于20微米的平均厚度。
139.实施方案49.一种包括覆铜层压板的印刷电路板，其中该覆铜层压板包括：铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该介电涂层包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料的粒度分布包括：至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d10、至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d50以及至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d90。
140.实施方案50.一种包括覆铜层压板的印刷电路板，其中该覆铜层压板包括：铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该介电涂层包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中该陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中该第一填充材料还具有不大于约5微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填充材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填充材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填充材料的d
50
粒度分布测量值。
141.实施方案51.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
142.实施方案52.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层具有不大于约7微米的平均厚度。
143.实施方案53.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层包含含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物。
144.实施方案54.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物组成。
145.实施方案55.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层为pfa层。
146.实施方案56.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d10。
147.实施方案57.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d50。
148.实施方案58.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料的粒度分布包括至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d90。
149.实施方案59.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料还具有不大于约10微米的平均粒度。
150.实施方案60.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料具有不大于约10微米的平均粒度。
151.实施方案61.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料具有不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填充材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填充材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填充材料的d
50
粒度分布测量值。
152.实施方案62.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料还具有不大于约10m2/g的平均表面积。
153.实施方案63.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料包含基于二氧化硅的化合物。
154.实施方案64.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该第一填充材料包含二氧化硅。
155.实施方案65.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该树脂基质包含全氟聚合物。
156.实施方案66.根据实施方案65所述的印刷电路板，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(tfe)的共聚物；六氟丙烯(hfp)的共聚物；四氟乙烯(tfe)的三元共聚物；或它们的任何组合。
157.实施方案67.根据实施方案65所述的印刷电路板，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合。
158.实施方案68.根据实施方案65所述的印刷电路板，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合组成。
159.实施方案69.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中相对于该介电涂层的总体积，该树脂基质组分的含量为至少约50体积％。
160.实施方案70.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中相对于该介电涂层的总体积，该树脂基质组分的含量为不大于约63体积％。
161.实施方案71.根据实施方案65所述的印刷电路板，其中相对于该介电涂层的总体积，该全氟聚合物的含量为至少约50体积％。
162.实施方案72.根据实施方案65所述的印刷电路板，其中相对于该介电涂层的总体积，该全氟聚合物的含量为不大于约63体积％。
163.实施方案73.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中相对于该介电涂层的总体积，该陶瓷填料组分的含量为至少约50体积％。
164.实施方案74.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中相对于该介电涂层的总体积，该陶瓷填料组分的含量为不大于约57体积％。
165.实施方案75.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中相对于该陶瓷填料组分的总体积，该第一填充材料的含量为至少约80体积％。
166.实施方案76.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中相对于该陶瓷填料组分的总体积，该第一填充材料的含量为不大于约100体积％。
167.实施方案77.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该陶瓷填料组分还包含第二填充材料。
168.实施方案78.根据实施方案77所述的印刷电路板，其中该第二填充材料包含高介电常数陶瓷材料。
169.实施方案79.根据实施方案78所述的印刷电路板，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
170.实施方案80.根据实施方案78所述的印刷电路板，其中该陶瓷填料组分还包含tio2、srtio3、zrti2o6、mgtio3、catio3、batio4或它们的任何组合。
171.实施方案81.根据实施方案77所述的印刷电路板，其中相对于该陶瓷填料组分的总体积，该第二填充材料的含量为至少约1体积％。
172.实施方案82.根据实施方案77所述的印刷电路板，其中相对于该陶瓷填料组分的总体积，该第二填充材料的含量为不大于约20体积％。
173.实施方案83.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该陶瓷填料组分至少约97％为无定形的。
174.实施方案84.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该介电涂层具有不大于约10体积％的孔隙率。
175.实施方案85.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该覆铜层压板具有不大于约10体积％的孔隙率。
176.实施方案86.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该介电涂层具有至少约1微米的平均厚度。
177.实施方案87.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。
178.实施方案88.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该介电涂层具有不大于约0.005的耗散因数(5ghz、20％rh)。
179.实施方案89.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该介电涂层具有不大于约0.0014的耗散因数(5ghz、20％rh)。
180.实施方案90.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该介电涂层具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数(所有轴)。
181.实施方案91.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该覆铜层压板具有至少约6lb/in的该铜箔层与该介电涂层之间的剥离强度。
182.实施方案92.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该介电涂
层具有不大于约0.05％的水分吸收。
183.实施方案93.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该铜箔层具有至少约6微米的平均厚度。
184.实施方案94.根据实施方案48、49和50中任一项所述的印刷电路板，其中该铜箔层具有不大于约36微米的平均厚度。
185.实施方案95.一种形成覆铜层压板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。
186.实施方案96.一种形成覆铜层压板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料的粒度分布包括：至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d10、至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d50以及至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d90。
187.实施方案97.一种形成覆铜层压板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料还具有不大于约5微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填料前体材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填料前体材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填料前体材料的d
50
粒度分布测量值。
188.实施方案98.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
189.实施方案99.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层具有不大于约7微米的平均厚度。
190.实施方案100.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层包含含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物。
191.实施方案101.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物组成。
192.实施方案102.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层为pfa层。
193.实施方案103.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d10。
194.实施方案104.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该第一填料前
体材料的粒度分布包括至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d50。
195.实施方案105.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d90。
196.实施方案106.根据实施方案95所述的方法，其中该第一填料前体材料还具有不大于约10微米的平均粒度。
197.实施方案107.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料具有不大于约10微米的平均粒度。
198.实施方案108.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料具有不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填料前体材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填料前体材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填料前体材料的d
50
粒度分布测量值。
199.实施方案109.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料还具有不大于约10m2/g的平均表面积。
200.实施方案110.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含基于二氧化硅的化合物。
201.实施方案111.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，该第一填料前体材料包含二氧化硅。
202.实施方案112.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分包含全氟聚合物。
203.实施方案113.根据实施方案112所述的方法，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(tfe)的共聚物；六氟丙烯(hfp)的共聚物；四氟乙烯(tfe)的三元共聚物；或它们的任何组合。
204.实施方案114.根据实施方案112所述的方法，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合。
205.实施方案115.根据实施方案112所述的方法，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合组成。
206.实施方案116.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该树脂基质前体组分的含量为至少约50体积％。
207.实施方案117.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该树脂基质前体组分的含量为不大于约63体积％。
208.实施方案118.根据实施方案112所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该全氟聚合物的含量为至少约50体积％。
209.实施方案119.根据实施方案112所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该全氟聚合物的含量为不大于约63体积％。
210.实施方案120.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该陶瓷填料前体组分的含量为至少约50体积％。
211.实施方案121.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该陶瓷填料前体组分的含量为不大于约57体积％。
212.实施方案122.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中相对于该陶瓷
填料前体组分的总体积，该第一填料前体材料的含量为至少约80体积％。
213.实施方案123.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第一填料前体材料的含量为不大于约100体积％。
214.实施方案124.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包含第二填料前体材料。
215.实施方案125.根据实施方案124所述的方法，其中该第二填料前体材料包含高介电常数陶瓷材料。
216.实施方案126.根据实施方案125所述的方法，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
217.实施方案127.根据实施方案125所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包含tio2、srtio3、zrti2o6、mgtio3、catio3、batio4或它们的任何组合。
218.实施方案128.根据实施方案124所述的方法，其中相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第二填料前体材料的含量为至少约1体积％。
219.实施方案129.根据实施方案124所述的方法，其中相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第二填料前体材料的含量为不大于约20体积％。
220.实施方案130.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分至少约97％为无定形的。
221.实施方案131.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约10体积％的孔隙率。
222.实施方案132.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该覆铜层压板具有不大于约10体积％的孔隙率。
223.实施方案133.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有至少约1微米的平均厚度。
224.实施方案134.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。
225.实施方案135.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约0.005的耗散因数(5ghz、20％rh)。
226.实施方案136.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约0.0014的耗散因数(5ghz、20％rh)。
227.实施方案137.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数(所有轴)。
228.实施方案138.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该覆铜层压板具有至少约6lb/in的该铜箔层与该介电涂层之间的剥离强度。
229.实施方案139.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约0.05％的水分吸收。
230.实施方案140.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该铜箔层具有至少约6微米的平均厚度。
231.实施方案141.根据实施方案95、96和97中任一项所述的方法，其中该铜箔层具有不大于约36微米的平均厚度。
232.实施方案142.一种形成印刷电路板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。
233.实施方案143.一种形成印刷电路板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料的粒度分布包括：至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d10、至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d50以及至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d90。
234.实施方案144.一种形成印刷电路板的方法，其中该方法包括：提供铜箔层；施加覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中该陶瓷填料前体组分包含第一填料前体材料，并且其中该第一填料前体材料还具有不大于约5微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填料前体材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填料前体材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填料前体材料的d
50
粒度分布测量值。
235.实施方案145.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层具有至少约0.2微米的平均厚度。
236.实施方案146.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层具有不大于约7微米的平均厚度。
237.实施方案147.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层包含含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物。
238.实施方案148.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层由含氟聚合物(例如，聚四氟乙烯(ptfe)、改性聚四氟乙烯(mptfe)、四氟乙烯的共聚物和三元共聚物(诸如氟化乙烯-丙烯(fep))、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)和改性全氟烷氧基聚合物树脂(mpfa)以及它们的衍生物和共混物组成。
239.实施方案149.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该基于含氟聚合物的粘合剂层为pfa层。
240.实施方案150.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.2微米且不大于约1.6微米的d10。
241.实施方案151.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.5微米且不大于约2.7微米的d50。
242.实施方案152.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料的粒度分布包括至少约0.8微米且不大于约4.7微米的d90。
243.实施方案153.根据实施方案152所述的方法，其中该第一填料前体材料还具有不大于约10微米的平均粒度。
244.实施方案154.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料具有不大于约10微米的平均粒度。
245.实施方案155.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料具有不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于该第一填料前体材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于该第一填料前体材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于该第一填料前体材料的d
50
粒度分布测量值。
246.实施方案156.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料还具有不大于约10m2/g的平均表面积。
247.实施方案157.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含基于二氧化硅的化合物。
248.实施方案158.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该第一填料前体材料包含二氧化硅。
249.实施方案159.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该树脂基质前体组分包含全氟聚合物。
250.实施方案160.根据实施方案159所述的方法，其中该全氟聚合物包括四氟乙烯(tfe)的共聚物；六氟丙烯(hfp)的共聚物；四氟乙烯(tfe)的三元共聚物；或它们的任何组合。
251.实施方案161.根据实施方案159所述的方法，其中该全氟聚合物包括聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合。
252.实施方案162.根据实施方案159所述的方法，其中该全氟聚合物由聚四氟乙烯(ptfe)、全氟烷氧基聚合物树脂(pfa)、氟化乙烯丙烯(fep)或它们的任何组合组成。
253.实施方案163.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该树脂基质前体组分的含量为至少约50体积％。
254.实施方案164.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该树脂基质前体组分的含量为不大于约63体积％。
255.实施方案165.根据实施方案159所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该全氟聚合物的含量为至少约50体积％。
256.实施方案166.根据实施方案159所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该全氟聚合物的含量为不大于约63体积％。
257.实施方案167.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该陶瓷填料前体组分的含量为至少约30体积％。
258.实施方案168.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中相对于该介电涂层的总体积，该陶瓷填料前体组分的含量为不大于约57体积％。
259.实施方案169.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第一填料前体材料的含量为至少约80体积％。
260.实施方案170.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第一填料前体材料的含量为不大于约100体积％。
261.实施方案171.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分还包含第二填料前体材料。
262.实施方案172.根据实施方案171所述的介电涂层，其中该第二填料前体材料包含高介电常数陶瓷材料。
263.实施方案173.根据实施方案172所述的介电涂层，其中该高介电常数陶瓷材料具有至少约14的介电常数。
264.实施方案174.根据实施方案172所述的介电涂层，其中该陶瓷填料前体组分还包含tio2、srtio3、zrti2o6、mgtio3、catio3、batio4或它们的任何组合。
265.实施方案175.根据实施方案171所述的方法，其中相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第二填料前体材料的含量为至少约1体积％。
266.实施方案176.根据实施方案171所述的方法，其中相对于该陶瓷填料前体组分的总体积，该第二填料前体材料的含量为不大于约20体积％。
267.实施方案177.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该陶瓷填料前体组分至少约97％为无定形的。
268.实施方案178.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约10体积％的孔隙率。
269.实施方案179.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该覆铜层压板具有不大于约10体积％的孔隙率。
270.实施方案180.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有至少约1微米的平均厚度。
271.实施方案181.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。
272.实施方案182.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约0.005的耗散因数(5ghz、20％rh)。
273.实施方案183.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约0.0014的耗散因数(5ghz、20％rh)。
274.实施方案184.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约80ppm/℃的热膨胀系数(所有轴)。
275.实施方案185.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该覆铜层压板包具有至少约6lb/in的该铜箔层与该介电涂层之间的剥离强度。
276.实施方案186.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该介电涂层具有不大于约0.05％的水分吸收。
277.实施方案187.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该铜箔层具有至少约6微米的平均厚度。
278.实施方案188.根据实施方案142、143和144中任一项所述的方法，其中该铜箔层具有不大于约36微米的平均厚度。
279.实施例
280.本文所述的概念将在以下实施例中进一步描述，这些实施例不限制权利要求中所述的本发明的范围。
281.实施例1
282.根据本文所述的某些实施方案构造并形成样品介电基底s1-s12。
283.使用流延膜工艺形成每个样品介电基底，其中使含氟聚合物预处理的聚酰亚胺载体带通过涂覆塔的基部处含有水性成形混合物(即，树脂基质组分和陶瓷填料组分的组合)的浸渍盘。经涂覆的载体带然后通过计量区，其中计量杆从经涂覆的载体带上除去过量的分散体。在计量区之后，经涂覆的载体带进入温度保持在82℃和121℃之间的干燥区以蒸发水。然后，带有干燥膜的经涂覆的载体带通过温度保持在315℃和343℃之间的烘烤区。最后，载体带通过温度保持在349℃和399℃之间的熔合区以烧结(即，凝结)树脂基质材料。经涂覆的载体带然后通过冷却室，从冷却室它可被引导至随后的浸渍盘以开始形成另一层膜或被引导至剥离设备。当达到所需的膜厚度时，将膜从载体带上剥离。
284.用于每个样品介电基底s1-s12的树脂基质组分是聚四氟乙烯(ptfe)。每个介电基底s1-s12的进一步构型和组成细节汇总在下表1中。
285.表1-样品介电基底构型和组成
[0286][0287]
用于样品介电基底s1-s12中的基于二氧化硅的组分类型的特征，包括粒度分布测量值(即，d
10
、d
50
和d
90
)、粒度分布跨度、平均粒度和bet表面积汇总在下表2中。
[0288]
表2-基于二氧化硅的组分特征
[0289][0290]
每个样品介电基底s1-s12的性能特性汇总在下表3中。汇总的性能特性包括在5ghz下测量的样品介电基底的电容率(“dk(5ghz)”)、在5ghz、20％rh下测量的基底的耗散因数(“df(5ghz、20％rh)”)、在5ghz、80％rh下测量的样品介电基底的耗散因数(“df(5ghz、80％rh)”)以及样品介电基底的热膨胀系数(“cte”)。
[0291]
表3-性能特性
[0292][0293]
实施例2
[0294]
出于比较的目的，构造并形成对比样品介电基底cs1-cs10。
[0295]
使用流延膜工艺形成每个对比样品介电基底，其中使含氟聚合物预处理的聚酰亚胺载体带通过涂覆塔的基部处含有水性成形混合物(即，树脂基质组分和陶瓷填料组分的组合)的浸渍盘。经涂覆的载体带然后通过计量区，其中计量杆从经涂覆的载体带上除去过量的分散体。在计量区之后，经涂覆的载体带进入温度保持在82℃和121℃之间的干燥区以蒸发水。然后，带有干燥膜的经涂覆的载体带通过温度保持在315℃和343℃之间的烘烤区。最后，载体带通过温度保持在349℃和399℃之间的熔合区以烧结(即，凝结)树脂基质材料。经涂覆的载体带然后通过冷却室，从冷却室它可被引导至随后的浸渍盘以开始形成另一层膜或被引导至剥离设备。当达到所需的膜厚度时，将膜从载体带上剥离。
[0296]
用于每个对比样品介电基底cs1-cs10的树脂基质组分是聚四氟乙烯(ptfe)。每个介电基底cs1-cs10的进一步构型和组成细节汇总在下表4中。
[0297]
表4-对比样品介电基底构型和组成
[0298][0299]
用于样品介电基底cs1-cs9基于二氧化硅的组分类型的特征，包括粒度分布测量值(即，d
10
、d
50
和d
90
)、粒度分布跨度、平均粒度和bet表面积汇总在下表2中。
[0300]
表5-基于二氧化硅的组分特征
[0301][0302]
每个样品介电基底cs1-s9的性能特性汇总在下表6中。汇总的性能特性包括在5ghz下测量的样品介电基底的电容率(“dk(5ghz)”)、在5ghz、20％rh下测量的基底的耗散因数(“df(5ghz、20％rh)”)、在5ghz、80％rh下测量的样品介电基底的耗散因数(“df(5ghz、80％rh)”)以及样品介电基底的热膨胀系数(“cte”)。
[0303]
表6-性能特性
[0304][0305]
实施例3
[0306]
根据本文所述的某些实施方案构造并形成样品介电基底s13-s28。
[0307]
使用流延膜工艺形成每个样品介电基底，其中使含氟聚合物预处理的聚酰亚胺载体带通过涂覆塔的基部处含有水性成形混合物(即，树脂基质组分和陶瓷填料组分的组合)的浸渍盘。经涂覆的载体带然后通过计量区，其中计量杆从经涂覆的载体带上除去过量的分散体。在计量区之后，经涂覆的载体带进入温度保持在82℃和121℃之间的干燥区以蒸发水。然后，带有干燥膜的经涂覆的载体带通过温度保持在315℃和343℃之间的烘烤区。最后，载体带通过温度保持在349℃和399℃之间的熔合区以烧结(即，凝结)树脂基质材料。经涂覆的载体带然后通过冷却室，从冷却室它可被引导至随后的浸渍盘以开始形成另一层膜或被引导至剥离设备。当达到所需的膜厚度时，将膜从载体带上剥离。
[0308]
用于每个样品介电基底s13-s28的树脂基质组分是聚四氟乙烯(ptfe)。每个介电基底s13-s28的进一步构型和组成细节，包括关于粘合层类型、厚度和百分比的细节，汇总在下表7中。
[0309]
表7-样品介电基底构型和组成
[0310][0311]
用于样品介电基底s13-s28中的基于二氧化硅的组分类型的特征，包括粒度分布测量值(即，d
10
、d
50
和d
90
)、粒度分布跨度、平均粒度和bet表面积汇总在上表2中。
[0312]
每个样品介电基底s13-s28的性能特性汇总在下表8中。汇总的性能特性包括在5ghz下测量的样品介电基底的电容率(“dk(5ghz)”)、在5ghz、20％rh下测量的基底的耗散因数(“df(5ghz、20％rh)”)、在5ghz、80％rh下测量的样品介电基底的耗散因数(“df(5ghz、80％rh)”)以及样品介电基底的热膨胀系数(“cte”)。
[0313]
表8-性能特性
[0314]
[0315]
需注意，并非需要以上在一般描述或示例中描述的所有活动，可能不需要特定活动的一部分，并且除了所描述的那些之外还可以执行一个或多个另外的活动。更进一步，列出活动的顺序不一定是执行活动的顺序。
[0316]
上文已经关于具体实施方案描述了益处、其他优点以及问题的解决方案。然而，益处、优点、问题的解决方案，以及可导致任何益处、优点或解决方案出现或变得更显著的任何特征不应被解释为任何或所有权利要求的关键、必需或必要的特征。
[0317]
本文描述的实施方案的说明书和图示旨在提供对各种实施方案的结构的一般理解。说明书和图示并不旨在用作对使用本文所述的结构或方法的装置和系统的所有元件和特征的详尽和全面的描述。也可以在单个实施方案中组合地提供单独实施方案，并且相反地，为了简洁起见在单个实施方案的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何子组合提供。此外，对范围中所述值的引用包括该范围内的每个值。仅在阅读了本说明书之后，许多其他实施方案对于技术人员而言可能是显而易见的。其他实施方案可被使用并从本公开得出，使得可以在不脱离本公开的范围的情况下进行结构替代、逻辑替代或另一改变。因此，本公开应被视为说明性的而非限制性的。

技术特征：
1.一种覆铜层压板，包括：铜箔层；覆盖所述铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖所述基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中所述介电涂层包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中所述陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中所述介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。2.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述基于含氟聚合物的粘合剂层具有至少约0.2微米且不大于约7微米的平均厚度。3.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述基于含氟聚合物的粘合剂层为pfa层。4.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料具有不大于约5的粒度分布跨度(psds)，其中psds等于(d
90-d
10
)/d
50
，其中d
90
等于所述第一填充材料的d
90
粒度分布测量值，d
10
等于所述第一填充材料的d
10
粒度分布测量值，并且d
50
等于所述第一填充材料的d
50
粒度分布测量值。5.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料包含基于二氧化硅的化合物。6.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料包含二氧化硅。7.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述树脂基质包含全氟聚合物。8.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中相对于所述介电涂层的总体积，所述树脂基质组分的含量为至少约50体积％且不大于约63体积％。9.根据权利要求8所述的覆铜层压板，其中相对于所述介电涂层的总体积，所述全氟聚合物的含量为至少约50体积％且不大于约63体积％。10.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中相对于所述介电涂层的总体积，所述陶瓷填料组分的含量为至少约30体积％且不大于约57体积％。11.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中相对于所述陶瓷填料组分的总体积，所述第一填充材料的含量为至少约80体积％且不大于约100体积％。12.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述介电涂层具有不大于约3.5的耗散因数(5ghz、20％rh)。13.一种包括覆铜层压板的印刷电路板，其中所述覆铜层压板包括：铜箔层；覆盖所述铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖所述基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中所述介电涂层包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中所述陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中所述介电涂层具有不大于20微米的平均厚度。14.根据权利要求13所述的印刷电路板，其中所述基于含氟聚合物的粘合剂层为pfa层。15.一种用于形成覆铜层压板的方法，其中所述方法包括：提供铜箔层，
施加覆盖所述铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层，将树脂基质前体组分与陶瓷填料前体组分进行组合以形成成形混合物，将所述成形混合物形成为覆盖所述基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层，其中所述介电涂层具有不大于约20微米的平均厚度。

技术总结
本公开涉及一种覆铜层压板，该覆铜层压板可包括铜箔层；覆盖该铜箔层的基于含氟聚合物的粘合剂层；和覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的介电涂层。该介电涂层可包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该介电涂层可具有不大于约20微米的平均厚度。均厚度。均厚度。


技术研发人员：J
受保护的技术使用者：美国圣戈班性能塑料公司
技术研发日：2021.12.09
技术公布日：2023/8/13