一种低损耗弯曲不敏感光纤及跳线的制作方法

1.本发明设计光纤技术领域，具体指一种低损耗弯曲不敏感光纤及跳线。


背景技术：

2.近些年来，随着通信技术和传输网络的发展，光纤铺设的规模在逐步增大，这就使得同一区域内光纤通道资源日益紧张，为了能够在有限的资源空间中尽可能多地设置更多光纤，减小光纤直径就成为了目前研究的主要方向之一。
3.现有光纤的外径可达到125um左右，在其表面进行涂层处理后，直径约为245um左右，但是在降低其直径的同时，现有光纤很难做到同时保证较低的宏弯损耗以及衰减损耗，尤其针对一些室内光缆、跳线等需要进行弯曲光纤长时间工作的场合，开发出具有低衰减系数的小直径弯曲不敏感光纤是十分必要的。


技术实现要素：

4.为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中小直径光纤的宏弯损耗及衰减损耗过大的问题，提供一种低损耗弯曲不敏感光纤及跳线。
5.为解决上述技术问题，本发明提供了一种低损耗弯曲不敏感光纤，由内至外依次包括：芯层、第一包层、第二包层、第三包层、第一保护层以及第二保护层，所述光纤直径不超过165um，所述芯层、所述第一包层、所述第二包层及所述第三包层的基材均为二氧化硅，其中，所述芯层掺杂锗元素，所述第二包层掺杂5%~6%的氟，所述第一保护层的杨氏模量小于50mpa，所述第二保护层的杨氏模量小于1200mpa，光线通过所述芯层的相对折射率差δn1为0.445％~0.465%，光线通过所述第一包层的相对折射率差δn2为-0.1％~ 0.1%，光线通过所述第二包层的相对折射率差δn3为-0.53％~-0.43%。
6.在本发明的一个实施例中，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.03db/圈,且衰减损耗不超过0.191db/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.100db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km。
7.在本发明的一个实施例中，当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.100db/圈,且衰减损耗不超过0.191db/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.200db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km。
8.在本发明的一个实施例中，当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.500db/圈,且衰减损耗不超过0.191db/km，当所述光纤弯曲半径7.5mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过1.000db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km。
9.在本发明的一个实施例中，所述芯层厚度为6.3-6.7um，所述第一包层厚度为22.7-23.3um，所述第二包层厚度为18-21um，所述第三包层厚度为50-51um。
10.在本发明的一个实施例中，所述第一保护层厚度为31-39um，所述第二保护层厚度为20-30um。
11.在本发明的一个实施例中，所述第一保护层为聚丙烯酸树脂层。
12.为解决上述技术问题，本发明提供了一种跳线，包括上述低损耗弯曲不敏感光纤、发光组件以及电源，其中，所述低损耗弯曲不敏感光纤连接所述发光组件，所述发光组件连接电源。
13.在本发明的一个实施例中，还包括接触装置，所述低损耗弯曲不敏感光纤一端通过所述接触装置连接所述发光组件。
14.在本发明的一个实施例中，其包括至少两条所述低损耗弯曲不敏感光纤，且任意所述低损耗弯曲不敏感光纤均独立连接所述发光组件。
15.本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：本发明所述的低损耗弯曲不敏感光纤，包覆涂层后的最大外直径能够保持在165um以下，其中，基于芯层掺杂的锗元素、第二包层掺杂的5%~6%的氟、第一保护层的杨氏模量小于50mpa以及第二保护层的杨氏模量小于1200mpa的设置，本产品能够在弯曲状态下保持良好的折射率以及性能的稳定性，在需要进行长时间弯曲作业的场合具有良好的应用前景。
附图说明
16.为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明。
17.图1是本发明优选实施例中低损耗弯曲不敏感光纤的结构示意图。
18.说明书附图标记说明：1、芯层；2、第一包层；3、第二包层；4、第三包层；5、第一保护层；6、第二保护层。
具体实施方式
19.下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
20.参见图1所示，本实施例中的低损耗弯曲不敏感光纤，由内至外依次包括：芯层1、第一包层2、第二包层3、第三包层4、第一保护层5以及第二保护层6，光纤直径不超过165um，其中，光线通过芯层1的相对折射率差δn1为0.445％~0.465%，光线通过第一包层2的相对折射率差δn2为-0.1％~ 0.1%，光线通过第三包层4的相对折射率差δn3为-0.53％~-0.43%，当光纤弯曲半径在15.0mm时，光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.03db/圈,且衰减不超过0.191db/km，当光纤弯曲半径在15.0mm时，光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.100db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km;当光纤弯曲半径在10.0mm时，光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.100db/圈,且衰减不超过0.191db/km，当光纤弯曲半径10.0mm时，光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.200db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km;当光纤弯曲半径在7.5mm时，光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.500db/圈,且衰减不超过0.191db/km，当光纤弯曲半径7.5mm时，光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过1.000db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km。本发明的低损耗弯曲不敏感光纤，包覆
涂层后的最大外直径能够保持在165um以下，并且在此基础上于常用特定波长下能够维持低宏弯损耗以及低衰减损耗，此外，本产品还能够通过对芯层1、第一包层2以及第二包层3折射率的控制确保其在使用过程中的性能始终稳定，在需要进行长时间弯曲作业的场合具有良好的应用前景。
实施例一
21.本实施例中光纤的直径为164.5um，进一步地，本实施例中芯层1厚度为6.63um，其基材为二氧化硅，掺杂锗元素，光线通过芯层1的相对折射率差δn1为0.445％；第一包层2厚度为22.87um，其基材为二氧化硅，光线通过第一包层2的相对折射率差δn2为0.03%，第二包层3厚度为19.86um，其基材为二氧化硅，掺杂以质量计为5%的氟元素，光线通过第二包层3的相对折射率差δn3为-0.47%；第三包层4厚度为50.63um，其基材为二氧化硅。
22.本实施例中，光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.02db/圈,且衰减损耗为0.191db/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.045db/圈，且衰减损耗为0.201db/km;当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.026db/圈,且衰减损耗为0.191db/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.056db/圈，且衰减损耗为0.201db/km;当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.186db/圈,且衰减损耗为0.191db/km，当所述光纤弯曲半径7.5mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.242db/圈，且衰减损耗为0.201db/km。基于此，本光线能够在小直径的前提下维持良好的光纤性能，并且适用于弯曲环境，且低宏弯损耗及衰减损耗，实际使用能够达到预期标准。
23.本实施例的低损耗弯曲不敏感光纤与常规光纤参数对比如表1所示：表1、实施例一低损耗弯曲不敏感光纤与常规光纤参数对比实施例一常规光纤弯曲半径15mm、1550nm波长下的宏弯损耗(db/圈)0.0200.030弯曲半径15mm、1550nm波长下的衰减损耗(db/km)0.1910.201弯曲半径15mm、1625nm波长下的宏弯损耗(db/圈)0.0450.080弯曲半径15mm、1625nm波长下的衰减损耗(db/km)0.2010.218弯曲半径10mm、1550nm波长下的宏弯损耗(db/圈)0.0260.065弯曲半径10mm、1550nm波长下的衰减损耗(db/km)0.1910.205弯曲半径10mm、1625nm波长下的宏弯损耗(db/圈)0.0560.160弯曲半径10mm、1625nm波长下的衰减损耗(db/km)0.2010.212弯曲半径7.5mm、1550nm波长下的宏弯损耗(db/圈)0.1860.368弯曲半径7.5mm、1550nm波长下的衰减损耗(db/km)0.1910.198弯曲半径7.5mm、1625nm波长下的宏弯损耗(db/圈)0.2420.800弯曲半径7.5mm、1625nm波长下的衰减损耗(db/km)0.2010.210直径（um)164.5245.0由上表可以看出，相同弯曲半径的本产品与常规光纤相比，常规光纤在相同波长下的宏弯损耗及衰减损耗均不小于本产品，最为重要的是，在上述前提下，本光纤的直径远
小于普通光纤产品，具体地，本实施例中仅为普通光纤直径的67.14%，这对于在有限资源空间内尽可能多地设置光纤具有极大意义。
24.本实施例中，第一保护层5为聚丙烯酸树脂层，其杨氏模量为45mpa，第二保护层6的杨氏模量为1190mpa。本实施例中，第一保护层5为弹性保护层，其与第三包层4直接接触，故具有较低的杨氏模量，第二保护层6为达到良好的保护效果，可选用杨氏模量较高的材料，诸如橡胶、弹性塑料等，本发明不作具体限制。进一步地，本实施例中，第一保护层5厚度为35.21um，第二保护层6厚度为29.30um。
实施例二
25.本实施例中光纤的直径为158.7um，进一步地，本实施例中芯层1厚度为6.44um，其基材为二氧化硅，掺杂锗元素，光线通过芯层1的相对折射率差δn1为0.465％；第一包层2厚度为23.09um，其基材为二氧化硅，光线通过第一包层2的相对折射率差δn2为0.1%，第二包层3厚度为20.32um，其基材为二氧化硅，掺杂以质量计为6%的氟元素，光线通过第二包层3的相对折射率差δn3为-0.43%；第三包层4厚度为50.13um，其基材为二氧化硅。
26.本实施例中，光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.022db/圈,且衰减损耗为0.175db/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.092db/圈，且衰减损耗为0.199db/km;当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.085db/圈,且衰减损耗为0.190db/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.185db/圈，且衰减损耗为0.198db/km;当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.495db/圈,且衰减损耗为0.189db/km，当所述光纤弯曲半径7.5mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.960db/圈，且衰减损耗为0.195db/km。基于此，本光线能够在小直径的前提下维持良好的光纤性能，并且适用于弯曲环境，且低宏弯损耗及衰减损耗，实际使用能够达到预期标准。基于此，本光线能够在小直径的前提下维持良好的光纤性能，并且适用于弯曲环境，且低宏弯损耗及衰减损耗，实际使用能够达到预期标准。
27.本实施例中，第一保护层5为聚丙烯酸树脂层，其杨氏模量为48mpa，第二保护层6的杨氏模量为1100mpa。本实施例中，第一保护层5为弹性保护层，其与第三包层4直接接触，故具有较低的杨氏模量，进一步地，本实施例中，第一保护层5厚度为37.02um，第二保护层6厚度为21.70um。
实施例三
28.本实施例中光纤的直径为158.2um，进一步地，本实施例中芯层1厚度为6.53um，其基材为二氧化硅，掺杂锗元素，光线通过芯层1的相对折射率差δn1为0.457％；第一包层2厚度为23.07um，其基材为二氧化硅，光线通过第一包层2的相对折射率差δn2为0.09%，第二包层3厚度为19.87um，其基材为二氧化硅，掺杂以质量计为5.2%的氟元素，光线通过第二包层3的相对折射率差δn3为-0.50%；第三包层4厚度为50.54um，其基材为二氧化硅。
29.本实施例中，光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.025db/圈,且衰减损耗为0.188db/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.095db/圈，且衰减损耗为0.200db/km;当所述光纤弯曲半径
在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.097db/圈,且衰减损耗为0.185db/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.198db/圈，且衰减损耗为0.195db/km;当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.492db/圈,且衰减损耗为0.185db/km，当所述光纤弯曲半径7.5mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.988db/圈，且衰减损耗为0.199db/km。基于此，本光线能够在小直径的前提下维持良好的光纤性能，并且适用于弯曲环境，且低宏弯损耗及衰减损耗，实际使用能够达到预期标准。
30.第一保护层5为聚丙烯酸树脂层，其杨氏模量为40mpa，第二保护层6的杨氏模量为1000mpa。本实施例中，第一保护层5为弹性保护层，其与第三包层4直接接触，故具有较低的杨氏模量，第二保护层6为达到良好的保护效果，可选用杨氏模量较高的材料，进一步地，本实施例中，第一保护层5厚度为33.1um，第二保护层6厚度为25.00um。
实施例四
31.本实施例中光纤的直径为163.9um，弯曲半径为10.0mm，进一步地，本实施例中芯层1厚度为6.53um，其基材为二氧化硅，掺杂锗元素，光线通过芯层1的相对折射率差δn1为0.460％；第一包层2厚度为23.14um，其基材为二氧化硅，光线通过第一包层2的相对折射率差δn2为0.03%，第二包层3厚度为19.74um，其基材为二氧化硅，掺杂以质量计为5.5%的氟元素，光线通过第二包层3的相对折射率差δn3为-0.43%；第三包层4厚度为50.70um，其基材为二氧化硅。
32.本实施例中，光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.026db/圈,且衰减损耗为0.170db/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.090db/圈，且衰减损耗为0.188db/km；当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.097db/圈,且衰减损耗为0.185db/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.195db/圈，且衰减损耗为0.189db/km;当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.450db/圈,且衰减损耗为0.174db/km，当所述光纤弯曲半径7.50mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.952db/圈，且衰减损耗为0.195db/km。基于此，本光线能够在小直径的前提下维持良好的光纤性能，并且适用于弯曲环境，且低宏弯损耗及衰减损耗，实际使用能够达到预期标准。
33.第一保护层5为聚丙烯酸树脂层，其杨氏模量为42mpa，第二保护层6的杨氏模量为1050mpa。本实施例中，第一保护层5为弹性保护层，其与第三包层4直接接触，故具有较低的杨氏模量，进一步地，本实施例中，第一保护层5厚度为36.69um，第二保护层6厚度为27.10um。
实施例五
34.本实施例中光纤的直径为159.7um，弯曲半径为15.0mm，进一步地，本实施例中芯层1厚度为6.58um，其基材为二氧化硅，掺杂锗元素，光线通过芯层1的相对折射率差δn1为0.465％；第一包层2厚度为23.08um，其基材为二氧化硅，光线通过第一包层2的相对折射率差δn2为-0.05%，第二包层3厚度为19.72um，其基材为二氧化硅，掺杂以质量计为5.7%的氟
元素，光线通过第二包层3的相对折射率差δn3为-0.53%；第三包层4厚度为50.65um，其基材为二氧化硅。
35.本实施例中，光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.022db/圈,且衰减损耗为0.175db/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.088db/圈，且衰减损耗为0.185db/km；当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.091db/圈,且衰减损耗为0.188db/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.188db/圈，且衰减损耗为0.200db/km;当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.480db/圈,且衰减损耗为0.189db/km，当所述光纤弯曲半径7.50mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.955db/圈，且衰减损耗为0.182db/km。基于此，本光线能够在小直径的前提下维持良好的光纤性能，并且适用于弯曲环境，且低宏弯损耗及衰减损耗，实际使用能够达到预期标准。
36.本实施例中，第一保护层5为聚丙烯酸树脂层，其杨氏模量为40mpa，第二保护层6的杨氏模量为1000mpa。本实施例中，第一保护层5为弹性保护层，其与第三包层4直接接触，故具有较低的杨氏模量，第二保护层6为达到良好的保护效果，可选用杨氏模量较高的材料，进一步地，本实施例中，第一保护层5厚度为33.17um，第二保护层6厚度为26.50um。
实施例六
37.本实施例中光纤的直径为161.1um，弯曲半径为10.0mm，进一步地，本实施例中芯层1厚度为6.59um，其基材为二氧化硅，掺杂锗元素，光线通过芯层1的相对折射率差δn1为0.464％；第一包层2厚度为22.73um，其基材为二氧化硅，光线通过第一包层2的相对折射率差δn2为0.10%，第二包层3厚度为19.93um，其基材为二氧化硅，掺杂以质量计为5.8%的氟元素，光线通过第二包层3的相对折射率差δn3为-0.51%；第三包层4厚度为50.72um，其基材为二氧化硅。
38.本实施例中，光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.019db/圈,且衰减损耗为0.179db/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.094db/圈，且衰减损耗为0.169db/km；当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.092db/圈,且衰减损耗为0.185db/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.198db/圈，且衰减损耗为0.196db/km;当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗为0.472db/圈,且衰减损耗为0.180db/km，当所述光纤弯曲半径7.50mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗为0.891db/圈，且衰减损耗为0.189db/km。基于此，本光线能够在小直径的前提下维持良好的光纤性能，并且适用于弯曲环境，且低宏弯损耗及衰减损耗，实际使用能够达到预期标准。
39.本实施例中，第一保护层5为聚丙烯酸树脂层，其杨氏模量为38mpa，第二保护层6的杨氏模量为900mpa。本实施例中，第一保护层5为弹性保护层，其与第三包层4直接接触，故具有较低的杨氏模量，第二保护层6为达到良好的保护效果，可选用杨氏模量较高的材料，进一步地，本实施例中，第一保护层5厚度为34.43um，第二保护层6厚度为26.70um。
实施例七
40.本实施例提供一种跳线，包括实施例一中的低损耗弯曲不敏感光纤、发光组件、接触装置以及电源，其中，低损耗弯曲不敏感光纤连接发光组件，发光组件连接电源，低损耗弯曲不敏感光纤一端通过接触装置连接发光组件。本实施例中包括两条低损耗弯曲不敏感光纤，且任意低损耗弯曲不敏感光纤均独立连接发光组件。
41.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

技术特征：
1.一种低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：由内至外依次包括：芯层、第一包层、第二包层、第三包层、第一保护层以及第二保护层，所述光纤直径不超过165um，所述芯层、所述第一包层、所述第二包层及所述第三包层的基材均为二氧化硅，其中，所述芯层掺杂锗元素，所述第二包层掺杂以质量计为5%~6%的氟，所述第一保护层的杨氏模量小于50mpa，所述第二保护层的杨氏模量小于1200mpa，光线通过所述芯层的相对折射率差δn1为0.445％~0.465%，光线通过所述第一包层的相对折射率差δn2为-0.1％~ 0.1%，光线通过所述第二包层的相对折射率差δn3为-0.53％~-0.43%。2.根据权利要求1所述的低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.03db/圈,且衰减损耗不超过0.191db/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.100db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km。3.根据权利要求1所述的低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.100db/圈,且衰减损耗不超过0.191db/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.200db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km。4.根据权利要求1所述的低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.500db/圈,且衰减损耗不超过0.191db/km，当所述光纤弯曲半径7.5mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过1.000db/圈，且衰减损耗不超过0.201db/km。5.根据权利要求1所述的低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：所述芯层厚度为6.3-6.7um，所述第一包层厚度为22.7-23.3um，所述第二包层厚度为18-21um，所述第三包层厚度为50-51um。6.根据权利要求1所述的低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：所述第一保护层厚度为31-39um，所述第二保护层厚度为20-30um。7.根据权利要求1所述的低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：所述第一保护层为聚丙烯酸树脂层。8.一种跳线，其特征在于：包括权利要求1-7中任意一项所述的低损耗弯曲不敏感光纤、发光组件以及电源，其中，所述低损耗弯曲不敏感光纤连接所述发光组件，所述发光组件连接电源。9.根据权利要求8所述的跳线，其特征在于：还包括接触装置，所述低损耗弯曲不敏感光纤一端通过所述接触装置连接所述发光组件。10.根据权利要求8所述的跳线，其特征在于：其包括至少两条所述低损耗弯曲不敏感光纤，且任意所述低损耗弯曲不敏感光纤均独立连接所述发光组件。

技术总结
本发明提供一种低损耗弯曲不敏感光纤，由内至外依次包括：芯层、第一包层、第二包层、第三包层、第一保护层以及第二保护层，光纤直径不超过165um，本发明所述的低损耗弯曲不敏感光纤，包覆涂层后的最大外直径能够保持在165um以下，并所述芯层掺杂锗元素，所述第二包层掺杂以质量计为5%~6%的氟，所述第一保护层的杨氏模量小于50Mpa，所述第二保护层的杨氏模量小于1200Mpa，本产品能够在弯曲状态下保持良好的折射率，并且通过对芯层、第一包层以及第二包层折射率的控制确保其在使用过程中的性能始终稳定，在需要进行长时间弯曲作业的场合具有良好的应用前景。场合具有良好的应用前景。场合具有良好的应用前景。


技术研发人员：唐成 刘延辉 蒋锡华 眭立洪 罗詠淋 何炳 田佳
受保护的技术使用者：江苏永鼎精密光学材料有限公司
技术研发日：2023.07.14
技术公布日：2023/8/13