显示设备及阵列基板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示设备及阵列基板。


背景技术：

2.对于柔性显示产品，以中大尺寸柔性oled(organic light-emitting diode，有机发光二级体)为例，柔性多层覆盖表面式(flexible multi layer on cell，fmloc)+衬垫弯曲(pad bending)方案因为符合当下窄边框和轻薄的发展趋势，已经逐渐成为柔性显示产品的主流方案。然而对于中大尺寸产品，其衬底pad区的x向尺寸过大，从而在弯曲(bending)过程中柔性pad区域两侧发生拉扯，本压后容易导致在弯折区域出现裂纹crack。
3.目前针对中大尺寸的柔性显示产品，在产品开发项目的首次调试(en)阶段，厂内crack不良率居于10％附近。因此为了保证产品质量，在量产前需要使用大量资材和时间进行多次调试(en)来调整pad bending设备的工艺参数，从而降低crack不良率，以满足产品开发的良率需求。相应的，如何在多次en工序中准确检测出柔性显示产品是否在bending区出现了crack不良，成为提高en工序效率的重要因素之一。


技术实现要素：

4.鉴于上述问题，本公开提供了一种显示设备及阵列基板，能够准确地检测显示产品的弯折区域是否发生裂纹缺陷。
5.第一方面，本公开通过一实施例提供如下的技术方案：
6.一种阵列基板，所述阵列基板具有显示区、弯折区和绑定区，在所述弯折区处所述阵列基板包括层叠的柔性基板、走线层和导线层：所述走线层连接所述显示区和所述绑定区，所述导线层内设有导线，所述导线的延伸方向与所述走线层的延伸方向相交；所述导线设有用于测量导线电阻的连接触点。
7.在一些实施例中，所述连接触点的数量至少为两个，至少一个连接触点设置在所述导线的起始端，至少一个所述连接触点设置在所述导线的末尾端。
8.在一些实施例中，所述导线在横向上蜿蜒延伸，所述横向与所述走线层的延伸方向垂直。
9.在一些实施例中，所述导线在所述横向上以波形状或折线状延伸。
10.在一些实施例中，所述导线包括n个弯曲顶点和m个弯曲底点，所述n个弯曲顶点和所述m个弯曲底点位于所述弯折区外，n、m≥1且为整数。
11.在一些实施例中，所述连接触点位于所述弯曲顶点和/或所述弯曲顶点处。
12.在一些实施例中，在所述弯折区处所述阵列基板还包括层叠在柔性基板上的第一平坦层和间隔物层；所述导线层设置在所述柔性基板和所述第一平坦层之间，或设置在所述第一平坦层和所述间隔物层之间，或设置在所述间隔物层上。
13.在一些实施例中，在所述弯折区处所述阵列基板包括层叠在所述第一平坦层和所述间隔物层之间的第二平坦层和第三平坦层，所述走线层设置在所述第一平坦层和所述第
二平坦层之间，并与所述显示区中的第二源漏金属走线层同层设置；所述导线层设置在所述第二平坦层和所述第三平坦层之间，并与所述显示区中的第三源漏金属走线层同层设置。
14.在一些实施例中，所述弯折区包括第一凹槽；在所述第一凹槽外所述阵列基板包括依次层叠在所述柔性基板和所述第一平坦层之间的缓冲层、第一栅介质层、第二栅介质层和层间介质层，所述第一凹槽被所述第一平坦层填充；
15.在所述第一凹槽外，所述导线层设置在所述缓冲层和所述第一栅介质层之间，并与位于所述显示区的第一栅极金属走线层同层设置；或者设置在所述第一栅介质层和所述第二栅介质层之间，并与位于所述显示区的第二栅极金属走线层同层设置；在所述第一凹槽内，所述导线层位于所述第一平坦层和所述柔性基板之间。
16.在一些实施例中，在所述间隔物层上设有第二凹槽，所述导线层设置在所述第二凹槽内，所述导线层上还设有覆盖层。
17.在一些实施例中，所述连接触点设置在位于所述绑定区的所述间隔物层上。
18.第二方面，基于同一发明构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
19.一种显示设备，包括第一方面实施例提供的阵列基板。
20.通过本公开的一个或者多个技术方案，本公开具有以下有益效果或者优点：
21.本公开提供了一种阵列基板，通过在弯折区处设置额外的导线层，导线层内设有延伸方向与走线层的延伸方向相交的导线，并在导线上设置用于测量导线电阻的连接触点。如此在弯折区产生裂纹crack时，导线层中的导线会因为形变或断裂产生电阻变化，因此通过连接触点检测出导线的电阻值，可以快速并精准地判断当前的弯折区中是否发生crack不良，从而有利于优化设备工艺参数，以及在量产过程中便于产线筛选crack不良，避免crack不良品进入后续工艺引起的资材浪费或crack不良品流入客户端的风险。
22.上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。
附图说明
23.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本公开的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。
24.在附图中：
25.图1示出了一种柔性oled显示面板的弯折区处于理论状态的示意图；
26.图2示出了一种柔性oled显示面板的弯折区处于因扭曲产生裂纹的实际状态的示意图；
27.图3示出了本公开实施例的柔性基板的横向和延伸方向的示意图；
28.图4示出了本公开实施例的导线呈波形状延伸的示意图；
29.图5示出了本公开实施例的导线呈折线状延伸的示意图；
30.图6示出了本公开实施例的连接触点的设置位置示意图；
31.图7示出了本公开实施例在第一平坦层和间隔物层之间设置第三源漏金属走线层
作为导线层的阵列基板弯折区的剖视图；
32.图8示出了本公开实施例在第一平坦层和柔性基板之间设置第一栅极金属走线层作为导线层的阵列基板弯折区的剖视图；
33.图9示出了本公开实施例在第一平坦层和柔性基板之间设置第二栅极金属走线层作为导线层的阵列基板弯折区的剖视图；
34.图10示出了没有设置第三源漏金属走线层和第三平坦层时，阵列基板在弯折区的走线堆叠结构示意图；
35.图11示出了本公开实施例的在间隔物层上设置导线层的阵列基板的剖视图；
36.图12示出了本公开实施例的阵列基板的制造方法流程示意图；
37.图13示出了本公开实施例的显示设备示意图；
38.图14示出了显示设备弯折区处的裂纹位置示意图；
39.附图标记说明：
40.100、阵列基板；111、第一凹槽；112、第二凹槽；aa、显示区；wa、弯折区；ba、绑定区；pi、柔性基板；sd2、走线层；(cwl，sd3，gate1，gate2)、导线层；cw、导线；cp、连接触点；pln1、第一平坦层；pln2、第二平坦层；pln3、第三平坦层；gate1、第一栅极金属走线层；gate2、第二栅极金属走线层；sd2、第二源漏金属走线层；sd3、第三源漏金属走线层；gi1、第一栅介质层、gi2、第二栅介质层；ild、层间介质层；ps、间隔物层；cov、覆盖层。
具体实施方式
41.以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
42.在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
43.在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
44.在本公开的上下文中，如无特别说明，以显示面板的出光侧为“顶侧”或“上侧”，其相反侧为“底侧”或“下侧”，以便于描述相对方向。相应地，与底侧到顶侧的方向为显示面板的厚度方向，与厚度方向垂直的方向则是显示面板的“平面方向”。应当理解，这些方向都是相对方向而非绝对方向。
45.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似
的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
46.以中大尺寸oled显示产品的阵列基板为例，其产生裂纹(crack)不良的原理可结合图1～图4进行说明。图1示出了一种柔性oled显示面板弯折区的理论状态示意图，显示面板(panel)具有显示区aa和弯折区(pad bending)，显示区是显示面板上的像素区域，在显示面板工作时用于显示画面，简称aa区。弯折区则是显示面板发生弯折或弯曲的区域，称之为pad bending区，图1中的pad bending区位于衬垫区(pad area，又称之为绑定区bonding area)靠上侧。对于中大尺寸的oled产品，其弯折区的弯折半径bending r在目前产品开发设计中最低已达到0.30mm。图1～2中的d-ic为驱动芯片。
47.目前一种pad bending的工艺方式为治具内部两处吸嘴吸附面板panel左右两侧以一定圆弧轨迹完成弯折。但实际bending工艺两处吸嘴的运动轨迹不完全一致，且无法保证完全水平。结合产品的柔性特性，必然会出现拉扯，在本压后产生应力集中。由于中大尺寸产品因衬垫区过大，pad bending工艺非常容易造成panel扭曲，本压后极易产生crack不良，如图2所示。
48.为了能够更快、更准确检测出柔性显示产品是否在bending区产生了crack不良，本公开实施例提供了一种阵列基板，请参阅图3～图11，其整体结构如下：
49.阵列基板100具有显示区aa、弯折区wa和绑定区ba，在弯折区wa处阵列基板100包括层叠的柔性基板pi、走线层和导线层：走线层连接显示区aa和绑定区ba，导线层内设有导线cw，导线cw的延伸方向与走线层的延伸方向相交；导线cw设有用于测量导线电阻的连接触点cp。
50.其中，走线层是指阵列基板100中设置的信号线层，对于具有显示区aa、弯折区wa和绑定区ba的柔性的阵列基板100，走线层穿过弯折区wa以连接绑定区ba和显示区aa，实现绑定区ba和显示区aa之间的信号传递。因此延伸方向是指走线层从显示区aa到绑定区ba的延展方向，如图3所示，它与阵列基板100的长度方向或延展方向相同，简称y向或纵向。导线cw的延伸方向与走线层的延伸方向相交，指的是导线cw的延伸方向与走线层的延伸方向不平行，一种可选的方式如图3所示，导线cw沿垂直于y向的横向方向布置，横向可以视为阵列基板100的宽度方向，简称x向，它与走线层的延伸方向垂直。
51.可选的，导线cw的长度不低于柔性基板pi的横向宽度。导线cw的材质可以是导电金属、导电无机物或导电有机物等。为了节省工艺成本，导线层可以基于导线层的设置位置，采用制造阵列基板所使用的导电材料沉积形成，如由源漏金属材料形成导线层，或者由栅极金属材料形成导线层，等等。
52.可以理解，当弯折区wa产生裂纹时，导线cw受到裂纹区域的应力影响，会对应出现断裂或变形的问题，使裂纹区域两侧的导线电阻发生变化。因此导线cw上设有用于测量电阻的连接触点cp，通过连接触点cp外接电学测量仪或电阻测量仪，可以检测出导线cw的电阻值，通过电阻值是否处于正常范围内来判断是否出现crack不良。为了方便布线和引出，连接触点cp可通过另设导线延长。
53.故而，本公开提供的阵列基板，通过在弯折区wa处设置额外的导线层，导线层内设有延伸方向与走线层的延伸方向相交的导线cw，并在导线上设置用于测量导线电阻的连接触点cp。如此在弯折区wa产生裂纹crack时，导线层中的导线cw会因为形变或断裂产生电阻变化，因此通过连接触点cp检测出导线cw的电阻值，可以快速并精准地判断当前的弯折区wa中是否发生crack不良，从而有利于优化设备工艺参数，以及在量产过程中便于产线筛选crack不良，避免crack不良品进入后续工艺引起的资材浪费或crack不良品流入客户端的风险。
54.在一些实施例中，导线层中的导线cw在横向上蜿蜒延伸。蜿蜒延伸是指导线cw在横向上并不是呈直线状延伸，而是类似河流或山脉的弯曲延伸。蜿蜒延伸的导线cw相比直线设置的导线cw，能够覆盖更多的弯折区wa，如此使裂纹无论发生在弯折区wa的何处，均能够影响导线cw的形状并改变导线cw的电阻，从而提高crack不良的检测精度。
55.对于导线cw蜿蜒延伸的解释，请参阅图4，提供了一种导线cw在横向上呈波形状延伸的示例。波形是类似电磁波或声波的平滑曲线，导线cw的延伸方向可以视为波形的传播方向，为阵列基板的横向。图5示出了另一种导线cw在横向上呈折线状延伸的示例，折线的特点是曲线的转折点或极值点并不是平滑的。上述两种导线cw的布置方案，均可以使导线cw环绕弯折区wa设置，提高了crack不良的检测精度。
56.在一些实施例中，导线cw包括n个弯曲顶点和m个弯曲底点，n个弯曲顶点和m个弯曲底点位于弯折区wa外，n，m≥1且为整数。对于弯曲顶点和弯曲底点，若将导线cw绘制在xy坐标系中，则弯曲顶点可视为导线cw曲线的极大值点，弯曲底点可视为导线cw曲线的极小值点。所有的弯曲顶点和弯曲底点位于弯折区wa外，是指导线cw的最高点和最低点均位于弯折区wa以外，以保证导线cw能够完整的覆盖弯折区wa，进一步提高了crack不良的检测精度。
57.可选的，弯曲顶点与弯曲底点与弯折区wa的距离可基于设备公差确定，以确保在考虑了设备的弯曲误差后，导线cw仍然能够完整的覆盖弯折区wa。例如，以目前的设备公差，要求弯曲顶点与弯曲底点与弯折区wa的距离至少在0.10mm以上。若设备能够达到无任何公差的理想状态，则弯曲顶点与弯曲底点与弯折区wa的距离可以是0，即弯曲顶点与弯曲底点可分别位于弯折区wa的上边界和下边界。
58.在一些实施例中，导线cw的连接触点cp的数量至少为两个，至少一个连接触点cp设置在导线cw的起始端，至少一个连接触点cp设置在导线cw的末尾端，可检测出整条导线cw的电阻值。另外，也可在导线cw的非端部位置设置更多的连接触点cp，通过连接不同位置的连接触点cp，可以检测指定位置的导线电阻，从而确定断裂发生的具体位置。
59.例如，请参阅图4和图5，可在导线cw的靠近起点、中间点和靠近终点处分别设置三个连接触点a、b、c，通过选择任意两个连接触点连接阵列基板外部的电阻测量仪检测出的电阻值，可以判断指定区域是否存在crack不良。例如，若检测出a、c两点之间的电阻值处于正常范围内，可知整条导线cw导通，未发生crack现象，该阵列基板可正常进行后续工艺；若a、c电阻值不在正常范围内，a、b电阻值在正常范围内，可知处于连接触点b与c之间的弯折区wa存在过拉导致的crack不良，需调整对应侧吸嘴等设备的运动轨迹；若a、c电阻值不在正常范围内，b、c电阻值在正常范围内，可知处于连接触点a与c之间的弯折区wa存在过拉导致的crack不良，需调整对应侧的吸嘴等设备的运动轨迹。通过上述的电阻测试和分析，产
线设备可自动将pad bending工艺产生的crack不良进行分类，避免后续资材的浪费。
60.图4和图5中的连接触点a、b、c的设置位置和设置数量仅为示例性说明，并不作为具体限定。实际上，可以根据实际需求在不同位置设置连接触点，例如在导线cw的起点，1/4点、中点、3/4点和终点处设置五个连接触点，可选择任意两个连接触点cp测量导线电阻来判断crack不良的位置。
61.请参阅图6，连接触点cp的设置位置可以是在如图4和图5中的弯曲顶点和/或弯曲底点处，或者靠近弯曲顶点或弯曲顶点的位置，如此不会影响弯折区wa的弯曲性能。连接触点cp与外部电阻测量仪或电学测量仪连接的开口处可设置在弯折区wa以外的平坦区，如图6所示的在绑定区ba处开窗设置连接触点cp。
62.为了更直观的说明上述方案，接下来以柔性oled显示产品为例，结合具体实施方式对上述方案进行进一步的说明。
63.对于柔性oled，可选的，请参阅图7～图9，在弯折区wa处阵列基板还包括层叠在柔性基板pi上的第一平坦层pln1和间隔物层(photo spacer，ps)。其中，柔性基板pi为oled的柔性衬底，可采用聚合物衬底、金属衬底或超薄玻璃及纸衬底。其中聚合物衬底为目前柔性oled产品的常用的衬底，可以是聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate、pen)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)等材料。若无特别说明，本公开实施例以pi材料作为柔性基板pi的衬底材料。
64.第一平坦层pln1位于柔性基板pi和间隔物层ps之间。可选的，请参阅图7～图9，弯折区wa包括第一凹槽111；在第一凹槽111外阵列基板包括依次层叠在柔性基板pi和第一平坦层pln1之间的、距柔性基板pi由近至远的缓冲层buffer、第一栅介质层gi1、第二栅介质层gi2和层间介质层ild，第一凹槽111被第一平坦层pln1填充。
65.可采用第一掩膜版(etch bending a mask，简称eba mask)和第二掩膜版(etch bending b mask，简称ebb mask)的工艺形成上述弯折区wa图案。具体是先采用第一掩膜版(eba)的图案化工艺去除第一凹槽111所在区域的层间介质层ild、第一栅介质层gi1和第二栅介质层gi2，通过刻蚀暴露出缓冲层buffer的表面，然后再通过第二次掩膜版(ebb)的图案化工艺去除缓冲层buffer，通过刻蚀暴露出柔性基板pi的表面，从而形成了第一凹槽111。然后再沉积平坦层材料，获得如图7所示形状的第一平坦层pln1。
66.需要说明的是，eba mask和ebb mask工艺是对弯折区wa进行挖槽的图案化工艺，能够减少弯折区wa的厚度。通过在弯折区wa形成如图7所示的裂缝坝形状的第一凹槽111，可以避免在切割过程中影响显示区aa域和走线区的膜层结构。第一凹槽111不仅能够减小显示区aa和走线区的受力，还能够在因为弯折产生裂纹crack时，截断crack向显示区aa和走线区方向的扩展。
67.导线层可设置在柔性基板pi与第一平坦层pln1之间，和/或设置在第一平坦层pln1和间隔物层ps之间。设置在不同位置处的导线层，可检测到不同厚度处的crack不良，有利于提高crack检测的精准度。接下来结合附图对上述情况进行描述。
68.方案1：导线层设置在第一平坦层pln1和间隔物层ps之间。
69.请参阅图7所示的阵列基板，在弯折区wa处阵列基板100包括层叠在第一平坦层pln1和间隔物层ps之间的第二平坦层pln2和第三平坦层pln3，走线层设置在第一平坦层
pln1和第二平坦层pln2之间，并与显示区aa中的第二源漏金属走线层同层设置，故而将走线层标识为sd2；导线层设置在第二平坦层pln2和第三平坦层pln3之间，并与显示区aa中的第三源漏金属走线层同层设置，故而将导线层标识为sd3。
70.具体的，阵列基板的显示区aa设有第一源漏金属走线层和第二源漏金属走线层，其中第一源漏金属走线层位于第一平坦层pln1的下侧，第二源漏金属走线层位于第一平坦层pln1和第二平坦层pln2之间。在弯折区wa处仅有第二源漏金属走线层延伸至此作为连接显示区aa和绑定区ba进行信号传输的走线层，因此将弯折区处的走线层标识为sd2。本实施例在弯折区wa的第二平坦层pln2上新增导线层sd3和第三平坦层pln3。其中的导线层sd3采用源漏金属制造，可与显示区的第三源漏金属走线层在同一道mask工艺中形成。设置在导线层sd3和间隔物层ps之间的第三平坦层pln3起到绝缘的作用，能够隔离外界对导线层sd3产生的干扰信号，保证crack检测的精准度。而第二平坦层pln2作为绝缘层的存在，使导线层sd3中导线cw不会对第二源漏金属走线内的显示以及tx信号线(触控发射信号线路)和tr信号线(触控接收信号线路)造成干扰，以保证产品的显示效果不受到新增导线层的影响。
71.导线层sd3中可设置如图4或图5所示的环绕弯折区wa的导线cw，导线cw末端延伸至阵列基板下方的平坦区两侧设置连接触点cp，或者在柔性电路板fpc上开窗设置连接触点cp，通过测量这些连接触点cp的电阻可以快速精准地判定阵列基板是否发生crack不良。
72.作为对比性示例，图10给出了一种在无导线层sd3时，阵列基板在弯折区wa处的走线堆叠结构示意图，此时在第一平坦层pln1上仅有从显示区延伸过来的走线层sd2，无法快速、精准的检测出第一平坦层pln1上产生的crack不良。
73.方案2：导线层gate1设置在柔性基板pi和第一平坦层pln1之间。
74.请参阅图8所示的阵列基板，在第一凹槽111外，导线层设置在缓冲层buffer和第一栅介质层gi1之间，并与位于显示区aa的第一栅极金属走线层同层设置，故而将导线层标识为gate1；在第一凹槽111内，导线层gate1位于第一平坦层pln1和柔性基板pi之间，并覆盖缓冲层buffer在第一凹槽111内的侧壁。
75.方案3：导线层gate2设置在柔性基板pi和第一平坦层pln1之间。
76.请参阅图9所示的阵列基板，在第一凹槽111外，导线层设置在第一栅介质层gi1和第二栅介质层gi2之间，并与位于显示区aa的第二栅极金属走线层同层设置，故而将导线层标识为gate2；在第一凹槽111内，导线层gate2位于第一平坦层pln1和柔性基板pi之间，并覆盖第一栅介质层gi1和缓冲层buffer在第一凹槽111内的侧壁。
77.方案2和方案3中的导线cw的材质为栅极金属，可良好的检测出在第一平坦层pln1下方产生的crack不良。方案2和方案3中的走线层sd2与方案1相同，即与显示区aa的第二源漏金属走线层同层设置。与方案1同理，方案2和方案3可将导线cw延伸至阵列基板100下方的平坦区两侧设置连接触点cp，或者在柔性电路板fpc上开窗设置连接触点cp。
78.方案1～方案3中的各层可选材质为：
79.缓冲层buffer，可以是sinx和siox等绝缘材料；
80.第一栅介质层gi1，位于薄膜晶体管(tft)的栅极与半导体沟道层之间的介质层，可采用siox绝缘材料；
81.第二栅介质层gi2，位于第一栅介质层gi1和层间介质层ild之间的绝缘层，或者第二栅极金属走线层和层间介质层ild之间的绝缘层，可选材质为sinx绝缘材料；
82.层间介质层ild，可选sinx和siox等绝缘材料；
83.走线层sd2，连接显示区aa的tft源漏极，材质可以是金属导电材料；
84.第一平坦层pln1、第二平坦层pln2和第三平坦层pln3，可以是聚酰亚胺有机绝缘材料；
85.间隔物层ps可使用感光型间隙控制材料形成。
86.另外，导线层也可以设置在间隔物层ps之上，具体如下：
87.方案4：请参阅图11所示的阵列基板，在间隔物层ps上设有第二凹槽112，导线层cwl设置在第二凹槽112内，导线层cwl上还设有覆盖层cov。
88.其中，导线层cwl中的导线cw可以是cu线，覆盖层cov可以采用平坦层材料，实现对cu线进行绝缘。可在覆盖层cov上开窗设置cu线的连接触点cp。由于是在阵列基板的外部新增导线层cwl和覆盖层cov，因此在覆盖层cov上涂覆保护胶层(metal coating layer，mcl，用于降低弯折区产生裂纹的概率)时，需要考虑阵列基板的中心线受力情况，在涂胶时需保证新增导线层cwl和覆盖层cov附近的mcl胶层与其它区域的mcl胶层保持在相同高度。
89.考虑到导线层cwl设置在间隔物层ps上，可在覆盖层cov膜层处开窗设置连接导线cw的外露连接触点cp；或者采用如图11所示的方式，在第二凹槽112外的间隔物层ps中设置连接触点cp，并通过连接线连接至导线层cwl中的导线cw。可选的，连接触点cp位于绑定区ba的平坦区域。
90.相对于方案1～方案3，方案4在阵列基板的外部形成导线层cwl，不会影响在制造阵列基板时的掩膜版mask工艺，因此具有显著的成本优势。
91.总的来说，第一方面实施例提供的阵列基板，通过设置环绕弯折区wa的导线层(sd3、gate1、gate2、cwl)，并在绑定区ba的平坦区域开窗设置连接触点cp或检测点，通过测量这些连接触点cp的电阻可以快速精准地判定产品是否发生crack不良，根据产生电阻异常的位置，可以对产品的crack类型进行自动分类，有利于设备工艺参数优化，以及在量产过程中便于产线筛选crack不良，避免后续不良品进行后续工艺引起资材浪费，降低crack不良品流传到客户端的风险。
92.第二方面，基于相同的发明构思，在另一个可选的实施例中，请参阅图12，提供了一种阵列基板的制造方法，包括：
93.s121：提供柔性基板pi，柔性基板pi具有显示区aa、弯折区wa和绑定区ba；
94.s122：在柔性基板pi的弯折区wa上形成层叠的走线层和导线层；走线层连接显示区aa和绑定区ba，导线层内设有导线cw，导线cw的延伸方向与走线层的延伸方向相交；导线cw设有用于测量导线电阻的连接触点。
95.基于相同的发明构思，第三方面，在另一个可选的实施例中，提供了一种显示设备，包括第一方面实施例提供的阵列基板。
96.本实施例中的显示设备，可以是oled柔性显示设备，也可以是led柔性显示设备、qled(quantum dot light emitting diodes，量子点发光二极管)柔性显示设备和mled柔性显示设备(包括micro-led微发光二极体和mini-led次毫米发光二极体)等。
97.图13提供了一种与第一方面实施例中的方案4对应的oled显示设备的叠层结构示意图。柔性显示设备具有显示区aa、弯折区wa和绑定区ba；在显示区aa处的显示设备包括在厚度方向上依次层叠的散热层(材质可以是超净泡沫，super clean foam，scf)、u型膜层
(u-film)、阵列基板100、偏光层(polarizer，pol)、光学胶层(optical clear adhesive，oca)和盖板玻璃层(coverglass，cg)；在弯折区wa处的显示设备包括依次层叠的阵列基板100和保护胶层(metal coating layer，mcl)，其中阵列基板100内设有导线层；在绑定区ba处的显示设备包括设置在一侧的、在厚度方向上依次层叠的组件层conponent、控制电路板pcb和黏着剂层ad，以及设置在另一侧的、在厚度方向上依次层叠的驱动芯片ic、阵列基板100、背膜层(bottom film，bf)和隔垫物层spacer；其中，黏着剂层ad位于控制电路板pcb和散热层scf层之间，隔垫物层spacer位于背膜层bf和散热层scf层之间，控制电路板pcb和阵列基板100之间通过柔性电路板fpc相连。
98.本实施例提供的显示设备，通过在弯折区wa处的阵列基板100中设置导线层，通过导线cw上设置的连接触点cp检测导线cw的电阻值，能够准确的判断导线层所在的位置是否存在裂纹缺陷。而图14所示的显示设备并没有设置导线层，因此无法第一时间判断出弯折区wa处产生的裂纹缺陷。
99.本实施例提供的显示设备可以是搭载柔性屏的电子设备，如智能手机、平板电脑和车载电视等。
100.尽管已描述了本技术的优选实施例，但本领域内的普通技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本技术范围的所有变更和修改。
101.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有显示区、弯折区和绑定区，在所述弯折区处所述阵列基板包括层叠的柔性基板、走线层和导线层：所述走线层连接所述显示区和所述绑定区，所述导线层内设有导线，所述导线的延伸方向与所述走线层的延伸方向相交；所述导线设有用于测量导线电阻的连接触点。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接触点的数量至少为两个，至少一个连接触点设置在所述导线的起始端，至少一个所述连接触点设置在所述导线的末尾端。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导线在横向上蜿蜒延伸，所述横向与所述走线层的延伸方向垂直。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导线在所述横向上以波形状或折线状延伸。5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导线包括n个弯曲顶点和m个弯曲底点，所述n个弯曲顶点和所述m个弯曲底点位于所述弯折区外，n、m≥1且为整数。6.如权利要求5所述的阵列基板，所述连接触点位于所述弯曲顶点和/或所述弯曲顶点处。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述弯折区处所述阵列基板还包括层叠在柔性基板上的第一平坦层和间隔物层；所述导线层设置在所述柔性基板和所述第一平坦层之间，或设置在所述第一平坦层和所述间隔物层之间，或设置在所述间隔物层上。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述弯折区处所述阵列基板包括层叠在所述第一平坦层和所述间隔物层之间的第二平坦层和第三平坦层，所述走线层设置在所述第一平坦层和所述第二平坦层之间，并与所述显示区中的第二源漏金属走线层同层设置；所述导线层设置在所述第二平坦层和所述第三平坦层之间，并与所述显示区中的第三源漏金属走线层同层设置。9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述弯折区包括第一凹槽；在所述第一凹槽外所述阵列基板包括依次层叠在所述柔性基板和所述第一平坦层之间的缓冲层、第一栅介质层、第二栅介质层和层间介质层，所述第一凹槽被所述第一平坦层填充；在所述第一凹槽外，所述导线层设置在所述缓冲层和所述第一栅介质层之间，并与位于所述显示区的第一栅极金属走线层同层设置；或者设置在所述第一栅介质层和所述第二栅介质层之间，并与位于所述显示区的第二栅极金属走线层同层设置；在所述第一凹槽内，所述导线层位于所述第一平坦层和所述柔性基板之间。10.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述间隔物层上设有第二凹槽，所述导线层设置在所述第二凹槽内，所述导线层上还设有覆盖层。11.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述连接触点设置在位于所述绑定区的所述间隔物层上。12.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。

技术总结
本公开提供了一种显示设备及阵列基板，其中的阵列基板具有显示区、弯折区和绑定区，在所述弯折区处所述阵列基板包括层叠的柔性基板、走线层和导线层：所述走线层连接所述显示区和所述绑定区，所述导线层内设有导线，所述导线的延伸方向与所述走线层的延伸方向相交；所述导线设有用于测量导线电阻的连接触点。本公开提供的阵列基板，能够准确地检测显示产品的弯折区域是否发生裂纹缺陷。的弯折区域是否发生裂纹缺陷。的弯折区域是否发生裂纹缺陷。


技术研发人员：曾国栋 黄小霞 都阿娟 杨恩建 曾乙伦 陈伟 黄允晖 孙浩 王永乐 吴易谦 杨虎飞 姚孟亮 牟仕浩
受保护的技术使用者：重庆京东方显示技术有限公司
技术研发日：2023.06.21
技术公布日：2023/8/13