阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

1.本技术属于显示面板技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。


背景技术：

2.薄膜晶体管（thin film transistor，tft ）是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置应用在如液晶显示装置（liquid crystal display，lcd）、有机电激光显示装置（organic light emitting display，oled)）等显示装置中。
3.其中，在玻璃基板或塑料基板上制作薄膜晶体管时，通常采用栅极作为有源层的导体化掩膜形成对应的沟道区，但是，由于不同的导体化工艺均存在扩散现象，导致实际的沟道区的宽度比栅极的宽度小，由于显示面板的清晰度要求，需要尽可能压缩薄膜晶体管的尺寸，如果沟道区的宽度与栅极的宽度之间的差值过大，将导致短沟道的薄膜晶体管失去开关特性，因此，差值需要尽量小，但由于扩散效应，差值大小无法保证，最终无法兼顾开关特性要求。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种阵列基板，旨在解决传统的阵列基板在满足清晰度要求时无法兼顾开关特性要求的问题。
5.本技术实施例的第一方面提出了一种阵列基板，包括：衬底基板；沿第一方向在所述衬底基板依次层叠的缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极，所述有源层包括第一有源层和分别位于所述第一有源层两侧的第二有源层；沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠，所述第一有源层形成沟道区，所述第二有源层形成导体部，沿第二方向上，所述第一有源层的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度，所述第一方向与所述第二方向交叉；在所述缓冲层上设置的层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一栅极、所述第二有源层和所述栅极绝缘层，所述层间绝缘层上设置有分别对应于两个所述第二有源层上方的两个通孔；在所述层间绝缘层上设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极通过两个所述通孔分别连接至对应的所述第二有源层的导体部。
6.可选地，沿所述第一方向上，所述第一栅极的两侧分别与两个所述第二有源层的一侧重合，与所述第一栅极重合的部分所述第二有源层和所述第一有源层形成所述沟道区，与所述第一栅极未重合的部分所述第二有源层形成所述导体部。
7.可选地，沿所述第二方向上，所述第一栅极的延伸宽度小于所述栅极绝缘层的延伸宽度；所述第一有源层的延伸宽度大于所述栅极绝缘层的延伸宽度。
8.可选地，所述阵列基板还包括：第二栅极，所述第二栅极位于所述衬底基板和所述缓冲层之间，所述缓冲层覆盖所述第二栅极，沿所述第二方向上，所述第二栅极的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度。
9.可选地，所述阵列基板还包括：钝化层，所述钝化层覆盖所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极。
10.本技术实施例的第二方面提出了一种阵列基板的制备方法，包括：沿第一方向在衬底基板上依次沉积形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极，所述有源层包括第一有源层和分别位于所述第一有源层两侧的第二有源层，沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠，沿第二方向上，所述第一有源层的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度，所述第一方向与所述第二方向交叉；以所述第一栅极为掩膜对所述第二有源层进行导体化，所述第一有源层形成沟道区，所述第二有源层形成导体部；沉积层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述缓冲层、所述第一栅极、所述第二有源层和所述栅极绝缘层，在所述层间绝缘层上曝光显影形成直达至对应的所述第二有源层的导体部的两个通孔；在所述层间绝缘层上和两个所述通孔内沉积源极和漏极。
11.可选地，沿所述第一方向上，所述第一栅极的两侧分别与两个所述第二有源层的一侧重合；与所述第一栅极重合的部分所述第二有源层和所述第一有源层形成所述沟道区，与所述第一栅极未重合的部分所述第二有源层形成所述导体部。
12.可选地，所述在衬底基板上依次沉积形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极的步骤具体包括：在所述衬底基板上依次沉积所述缓冲层和所述第一有源层；在所述第一有源层两侧分别沉积形成一个所述第二有源层，沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠；沿所述第二方向上，对所述第二有源层进行刻蚀，使得与所述第二有源层未交叠的部分所述第一有源层和两个所述第二有源层的边缘形成容置所述栅极绝缘层的沟槽；在所述沟槽内沉积所述栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上沉积所述第一栅极。
13.可选地，所述阵列基板的制备方法还包括：在所述衬底基板上沉积第二栅极，所述第二栅极位于所述衬底基板和所述缓冲层之间，所述缓冲层覆盖所述第二栅极，沿所述第二方向上，所述第二栅极的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度；在所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极上沉积钝化层。
14.本技术实施例的第三方面提出了一种显示面板，包括oled器件和阵列基板，所述oled器件叠设于所述阵列基板的上方，所述阵列基板为本技术实施例的第一方面提供的阵列基板或者基于本技术实施例的第二方面提供的制备方法制备的阵列基板。
15.本技术实施例的第一方面提供一种阵列基板，包括层叠设置的衬底基板、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第一栅极、层间绝缘层、源极和漏极，其中，有源层包括第一有源层和
第二有源层，第一有源层构成沟道区，通过将第一栅极作为有源层的导体化掩膜，对第二有源层进行导体化，不会影响第一有源层的沟道区的延伸宽度，使得沟道区与第一栅极的宽度差值在预设范围内，减少沟道区的扩散现象引起的宽度差值过大的问题，能够同时满足薄膜晶体管的开关特性要求和显示面板的清晰度要求。
16.可以理解的是，上述第二方面和第三方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
18.图1为本技术实施例一提供的阵列基板的第一种结构示意图；图2为本技术实施例一提供的阵列基板的第二种结构示意图；图3为本技术实施例一提供的阵列基板的第三种结构示意图；图4为本技术实施例一提供的阵列基板的第四种结构示意图；图5为本技术实施例二提供的阵列基板的制备方法的第一种流程示意图；图6为本技术实施例二提供的步骤s10具体流程示意图；图7为本技术实施例二提供的步骤s11对应的结构示意图；图8为本技术实施例二提供的步骤s12对应的结构示意图；图9为本技术实施例二提供的步骤s14对应的结构示意图；图10为本技术实施例二提供的步骤s30对应的结构示意图；图11为本技术实施例二提供的阵列基板的制备方法的第二种流程示意图；图12为本技术实施例三提供的显示面板的结构示意图。
19.其中，图中各附图标记为：1、第二基板；2、oled器件；3、第一基板；10、阵列基板；11、衬底基板；12、缓冲层；13、有源层；14、栅极绝缘层；15、第一栅极；16、层间绝缘层；17、通孔；18、源极；19、漏极；20、第二栅极；21、钝化层；131、第一有源层；132、第二有源层，101、沟道区；102、导体部。
具体实施方式
20.为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
21.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
22.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有
特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
23.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
24.实施例一如图1所示，本技术实施例的第一方面提出了一种阵列基板10，包括：衬底基板11；沿第一方向在衬底基板11依次层叠的缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14和第一栅极15，有源层13包括第一有源层131和分别位于第一有源层131两侧的第二有源层132；沿第一方向上，两个第二有源层132分别与第一有源层131的两侧交叠，第一有源层131形成沟道区101，第二有源层132形成导体部102，沿第二方向上，第一有源层131的延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度，第一方向与第二方向交叉；在缓冲层12上设置的层间绝缘层16，层间绝缘层16覆盖第一栅极15、第二有源层132和栅极绝缘层14，层间绝缘层16上设置有分别对应于两个第二有源层132上方的两个通孔17；在层间绝缘层16上设置的源极18和漏极19，源极18和漏极19通过两个通孔17分别连接至对应的两个第二有源层132的导体部102。
25.本实施例中，在制造薄膜晶体管时，先在衬底基板11上沿第一方向层叠设置缓冲层12、第一有源层131、第二有源层132，其中，第二有源层132设置在第一有源层131的两侧，此时，第一有源层131和第二有源层132为氧化半导体，且第一有源层131的两侧的边缘分别与两个第二有源层132的边缘部分交叠，即两个第二有源层132分别覆盖部分第一有源层131，第一有源层131的中间位置未被第二有源层132覆盖，在未被第二有源层132覆盖的部分第一有源层131上设置栅极绝缘层14以及在栅极绝缘层14上叠设第一栅极15，再在第一栅极15正上方以预设尺寸的掩膜版进行曝光显影，形成相同尺寸的栅极绝缘层14和第一栅极15，并对栅极绝缘层14和第一栅极15进行刻蚀，形成预设延伸宽度的栅极绝缘层14和预设延伸宽度的第一栅极15，使得栅极绝缘层14和第一栅极15的宽度的距离在预设范围内。
26.再以第一栅极15作为导体化的掩膜，对第二有源层132进行导体化，由于第一栅极15分别与两个第二有源层132存在交叠部分，且第一有源层131分别被栅极绝缘层14和第二有源层132覆盖，栅极绝缘层14和第二有源层132可以对第一有源层131进行保护，避免第一有源层131受到等离子体的轰击而导致第一有源层131沟道区101的宽度缩短，进而可以进一步避免薄膜晶体管短沟道效应的产生，因此，如图2所示，第二有源层132形成导体材料，构成第二有源层132的导体部102，而第一有源层131仍保持为氧化半导体且构成薄膜晶体管的沟道区101，再在第一栅极15、栅极绝缘层14和第二有源层132上方叠设层间绝缘层16，并在层间绝缘层16上形成对应的通孔17，以及在通孔17以及层间绝缘层16上沉积形成源极18和漏极19，源极18和漏极19分别通过两个通孔17连接至两个第二有源层132，漏极19、第二有源层132、第一有源层131、第一栅极15和源极18形成薄膜晶体管的电流回路。
27.通过调整第一有源层131的延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度，以及将第一有源层131被第二有源层132和栅极绝缘层14覆盖，在导体化工艺不变情况下，不会影响到第
一有源层131的有效沟道区101的长度，在有限的扩散效应下，有效的沟道区101的延伸宽度与第一栅极15的延伸宽度之间的距离仍可在预设范围内，在薄膜晶体管尺寸小满足显示面板的清晰度的前提下，使得沟道区101的延伸宽度接近第一栅极15的延伸宽度，避免因出现短沟道造成薄膜晶体管失去开关特性，能够同时满足薄膜晶体管的开关特性要求和显示面板的清晰度要求。
28.其中，沿第一方向上，第一栅极15的两侧可与两个第二有源层132的部分交叠，或者无交叠部分，为了保证第一有源层131的有效沟道区101的长度，避免导体化过程中由于第二有源层132与第一栅极15之间存在间隙，导致等离子体通过间隙部分轰击至第一有源层131，可选地，如图2所示，沿第一方向上，第一栅极15的两侧分别与两个第二有源层132的一侧重合，在对第二有源层132进行导体化时，等离子体无法轰击与第一栅极15重合的部分第二有源层132，与第一栅极15重合的部分第二有源层132保持为氧化半导体，与第一栅极15重合的部分第二有源层132和第一有源层131形成沟道区101，而与第一栅极15未重合的部分第二有源层132被导体化，形成导体材料，构成第二有源层132的导体部102。
29.其中，为了实现对第一有源层131的有效覆盖，可选地，沿第二方向上，与第二有源层132未交叠的部分第一有源层131和两个第二有源层132的边缘部分形成容置栅极绝缘层14的沟槽，第二有源层132的边缘部分构成沟槽的侧边，第一有源层131的中间部分构成沟槽的底部。
30.对应地，沿第二方向上，第一有源层131的延伸宽度大于栅极绝缘层14的延伸宽度，栅极绝缘层14和第二有源层132完全覆盖第一有源层131，可避免在导体化下对第一有源层131进行导体化，使得第一有源层131的有效沟道区101的延伸宽度与第一栅极15的延伸宽度的距离在预设范围内，能够同时满足薄膜晶体管的开关特性和显示面板的清晰度要求，同时，为了提高第二有源层132和第一栅极15之间的绝缘效果，提升薄膜晶体管的电气特性，栅极绝缘层14的延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度，对应地，栅极绝缘层14的边缘部分同样分别与两个第二有源层132的边缘部分存在交叠部分。
31.其中，第一有源层131的延伸宽度可根据开关特性和薄膜晶体管的大小对应设置，满足大于第一栅极15的延伸宽度的前提下，第一有源层131的延伸宽度与第一栅极15的延伸宽度的差值大小可根据扩散效应和薄膜晶体管的开关特性要求具体设定。
32.进一步地，为了提高薄膜晶体管的多样性，如图3所示，可选地，阵列基板10还包括：第二栅极20，第二栅极20位于衬底基板11和缓冲层12之间，缓冲层12覆盖第二栅极20，沿第二方向上，第二栅极20的延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度。
33.本实施例中，源极18、漏极19、有源层13和第二栅极20构成底栅结构的薄膜晶体管，以及源极18、漏极19、有源层13和第一栅极15构成顶栅结构的薄膜晶体管，通过设置第一栅极15和第二栅极20，形成双栅结构的薄膜晶体管，在不同的电气连接要求下，可选择对应一种栅极结构进行薄膜晶体管的连接设置，提高薄膜晶体管的多样性。
34.进一步地，为了提高薄膜晶体管的整体电气特性，如图4所示，可选地，阵列基板10还包括钝化层21，其中，钝化层21覆盖层间绝缘层16、源极18和漏极19，实现对薄膜晶体管的整体绝缘，提高薄膜晶体管的电气绝缘特性，在连接时，通过在钝化层21上设置过孔并通过引线连接至对应模块，实现薄膜晶体管的开关控制。
35.本技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的阵列基板10包括层叠设置的衬底基板11、缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14、第一栅极15、层间绝缘层16、源极18和漏极19，其中，有源层13包括第一有源层131和第二有源层132，第一有源层131构成沟道区101，通过将第一栅极15作为有源层13的导体化掩膜，对第二有源层132进行导体化，而不会影响第一有源层131的沟道区101的延伸宽度，使得沟道区101与第一栅极15的宽度差值在预设范围内，减少沟道区101的扩散现象引起的宽度差值过大的问题，能够同时满足薄膜晶体管的开关特性要求和显示面板的清晰度要求。
36.实施例二本技术实施例的第二方面提出了一种阵列基板10的制备方法，如图5所示，制备方法包括：步骤s10、沿第一方向在衬底基板11上依次沉积形成缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14和第一栅极15，有源层13包括第一有源层131和分别位于第一有源层131两侧的第二有源层132，沿第一方向上，两个第二有源层132分别与第一有源层131的两侧交叠，沿第二方向上，第一有源层131的延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度，第一方向与第二方向交叉；本实施例中，在制造薄膜晶体管时，先在衬底基板11上沿第一方向层叠沉积缓冲层12、第一有源层131和第二有源层132，其中，第二有源层132设置在第一有源层131的两侧，此时，第一有源层131和第二有源层132为氧化半导体，且第一有源层131的两侧的边缘分别与两个第二有源层132的边缘部分交叠，即两个第二有源层132分别覆盖部分第一有源层131，第一有源层131的中间位置未被第二有源层132覆盖，在未被第二有源层132覆盖的部分第一有源层131上设置栅极绝缘层14以及在栅极绝缘层14上叠设第一栅极15，再在第一栅极15正上方以预设尺寸的掩膜版进行曝光显影，形成相同尺寸的栅极绝缘层14和第一栅极15，并对栅极绝缘层14和第一栅极15进行刻蚀，形成预设延伸宽度的栅极绝缘层14和预设延伸宽度的第一栅极15，使得栅极绝缘层14和第一栅极15的宽度的距离在预设范围内。
37.其中，为了实现第一有源层131和第二有源层132的设置方式，可选地，如图6所示，可选地，步骤s10具体包括：步骤s11、如图7所示，在衬底基板11上依次沉积缓冲层12和第一有源层131，缓冲层12、第一有源层131可通过化学气相沉积或者物理气相沉积方式形成，初始形成时，第一有源层131与缓冲层12的延伸宽度相同，为了形成对应尺寸和形状的第一有源层131，对初始沉积的第一有源层131进行刻蚀、曝光显影方式，从而形成延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度的第一有源层131。
38.步骤s12、如图8所示，在第一有源层131两侧分别沉积一个第二有源层132，沿第一方向上，两个第二有源层132分别与第一有源层131的两侧交叠，其中，第二有源层132可采用多种方式沉积，例如分别在第一有源层131的两侧沉积第二有源层132，然后再对两侧的第二有源层132进行刻蚀、曝光显影的方式形成对应形状的第二有源层132，或者，在缓冲层12和第一有源层131上沉积第二有源层132，第二有源层132整体覆盖第一有源层131，然后通过刻蚀、曝光显影的方式祛除位于第一有源层131上方的第二有源层132，从而形成位于第一有源层131两侧的第二有源层132。
39.步骤s13、沿第二方向上，对第二有源层132进行刻蚀，使得与第二有源层132未交叠的部分第一有源层131和两个第二有源层132的边缘部分形成容置栅极绝缘层14的沟槽；步骤s14、如图9所示，在沟槽内沉积栅极绝缘层14，并在栅极绝缘层14上沉积第一栅极15。
40.在形成第一有源层131和第二有源层132后，对第二有源层132进行刻蚀或者曝光显影，形成沟槽，第二有源层132的边缘部分构成沟槽的侧边，第一有源层131的中间部分构成沟槽的底部，然后，在沟槽上沉积形成栅极绝缘层14，以及在栅极绝缘层14上沉积第一栅极15，初始沉积时，栅极绝缘层14和第一栅极15的尺寸与有源层13尺寸相同，为了形成对应形状和尺寸的栅极绝缘层14和第一栅极15，在第一栅极15上方设置对应尺寸掩膜，通过曝光显影方式形成相同尺寸的栅极绝缘层14和第一栅极15，进一步地，通过改善刻蚀工艺，形成沿第二方向上，预设延伸宽度的栅极绝缘层14和预设延伸宽度的第一栅极15。
41.步骤s20、如图2所示，以第一栅极15为掩膜对第二有源层132进行导体化，第一有源层131形成沟道区101，第二有源层132形成导体部102；步骤s30、如图10所示，沉积层间绝缘层16，层间绝缘层16覆盖缓冲层12、第一栅极15、第二有源层132和栅极绝缘层14，在层间绝缘层16上曝光显影形成直达至对应的第二有源层132的导体部102的两个通孔17；步骤s40、如图1所示，在层间绝缘层16上和两个通孔17内沉积源极18和漏极19。
42.以第一栅极15作为导体化的掩膜对第二有源层132进行导体化，由于第一栅极15分别与两个第二有源层132存在交叠部分，且第一有源层131分别被栅极绝缘层14和第二有源层132覆盖，栅极绝缘层14和第二有源层132可以对第一有源层131进行保护，避免第一有源层131受到等离子体的轰击而导致第一有源层131沟道区101的宽度缩短，进而可以进一步避免薄膜晶体管短沟道效应的产生，因此，如图2所示，第二有源层132形成导体材料，构成第二有源层132的导体部102，而第一有源层131仍保持为氧化半导体且构成薄膜晶体管的沟道区101。
43.再在第一栅极15、栅极绝缘层14和第二有源层132上方沉积形成层间绝缘层16，并在层间绝缘层16上形成对应的通孔17，通孔17直达至第二有源层132的导体部102，以及在通孔17以及层间绝缘层16上沉积形成源极18和漏极19，源极18和漏极19分别通过两个通孔17连接至两个第二有源层132，漏极19、第二有源层132、第一有源层131、第一栅极15和源极18形成薄膜晶体管的电流回路。
44.通过调整第一有源层131的延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度，以及将第一有源层131被第二有源层132和栅极绝缘层14覆盖，在导体化工艺不变情况下，不会影响第一有源层131的有效沟道区101的长度，在有限的扩散效应下，有效的沟道区101的延伸宽度与第一栅极15的延伸宽度之间的距离仍可在预设范围内，在薄膜晶体管尺寸小满足显示面板的清晰度的前提下，使得沟道区101的延伸宽度接近第一栅极15的延伸宽度，避免因出现短沟道造成薄膜晶体管失去开关特性，能够同时满足薄膜晶体管的开关特性要求和显示面板的清晰度要求。
45.其中，沿第一方向上，第一栅极15的两侧可与两个第二有源层132的部分交叠，或者无交叠部分，为了保证第一有源层131的有效沟道区101的长度，避免导体化过程中由于第二有源层132与第一栅极15之间存在间隙，导致等离子体通过间隙部分轰击至第一有源
层131，可选地，如图2所示，沿第一方向上，第一栅极15的两侧分别与两个第二有源层132的一侧重合；与第一栅极15重合的部分第二有源层132和第一有源层131形成沟道区101，与第一栅极15未重合的部分第二有源层132形成导体部102。
46.在对第二有源层132进行导体化时，等离子体无法轰击与第一栅极15重合的部分第二有源层132，与第一栅极15重合的部分第二有源层132保持为氧化半导体，与第一栅极15重合的部分第二有源层132和第一有源层131形成沟道区101，而与第一栅极15未重合的部分第二有源层132被导体化，形成导体材料，构成第二有源层132的导体部102。
47.栅极绝缘层14和第二有源层132完全覆盖第一有源层131，可避免在导体化下对第一有源层131进行导体化，使得第一有源层131的有效沟道区101的延伸宽度与第一栅极15的延伸宽度的距离在预设范围内，满足薄膜晶体管的开关特性和显示面板的清晰度要求，同时，为了提高第二有源层132和第一栅极15之间的绝缘效果，提升薄膜晶体管的电气特性，栅极绝缘层14的延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度，对应地，栅极绝缘层14的边缘部分同样分别与两个第二有源层132的边缘部分存在交叠部分。
48.其中，第一有源层131的延伸宽度可根据开关特性和薄膜晶体管的大小对应设置，满足大于第一栅极15的延伸宽度的前提下，第一有源层131的延伸宽度与第一栅极15的延伸宽度的差值大小可根据扩散效应和薄膜晶体管的开关特性要求具体设定。
49.进一步地，为了提高薄膜晶体管的多样性，如图3和图11所示，可选地，阵列基板10的制备方法还包括：步骤s50、在衬底基板11上沉积第二栅极20，第二栅极20位于衬底基板11和缓冲层12之间，缓冲层12覆盖第二栅极20，沿第二方向上，第二栅极20的延伸宽度大于第一栅极15的延伸宽度。
50.本实施例中，源极18、漏极19、有源层13和第二栅极20构成底栅结构的薄膜晶体管，以及源极18、漏极19、有源层13和第一栅极15构成顶栅结构的薄膜晶体管，通过设置第一栅极15和第二栅极20，形成双栅结构的薄膜晶体管，在不同的电气连接要求下，可选择对应一种栅极结构进行薄膜晶体管的连接设置，提高薄膜晶体管的多样性。
51.其中，沉积第二栅极20的步骤在步骤s10前，即在沉积第二栅极20后，再沉积缓冲层12，缓冲层12覆盖第二栅极20，然后再依次沉积第一有源层131、第二有源层132、栅极绝缘层14、第一栅极15、层间绝缘层16、源极18和漏极19。
52.进一步地，为了提高薄膜晶体管的整体电气特性，如图4和图11所示，可选地，可选地，阵列基板10的制备方法还包括：步骤s60、在层间绝缘层16、源极18和漏极19上沉积钝化层21。
53.其中，钝化层21覆盖层间绝缘层16、源极18和漏极19，实现对薄膜晶体管的整体绝缘，提高薄膜晶体管的电气绝缘特性，在连接时，通过在钝化层21上设置过孔并通过引线连接至对应模块，实现薄膜晶体管的开关控制。
54.应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。
55.实施例三
如图12所示，本技术实施例的第三方面提出了一种显示面板，该显示面板包括oled器件2和阵列基板10，该阵列基板10的具体结构和制备方法参照上述实施例，由于本显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，oled器件叠设于阵列基板10的上方。
56.阵列基板10包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管组成对应的单元驱动电路，单元驱动电路与oled器件2连接组成单个子像素，oled器件2根据单元驱动电路输出的驱动信号对应点亮，最终组合显示对应的图像信息。
57.可选地，如图3所示的oled显示面板的简化示意图，显示面板还包括第一基板3和第二基板1；第一基板3、oled器件2、阵列基板10和第二基板1层叠设置，阵列基板10内包括多个薄膜晶体管，第一基板3和第二基板1起到固定作用，第一基板3和第二基板1可选择采用对应材料的透明材料，可选地，为了保证透光性，可选地，第一基板3和第二基板1为玻璃基板。
58.以上所述实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；沿第一方向在所述衬底基板依次层叠的缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极，所述有源层包括第一有源层和分别位于所述第一有源层两侧的第二有源层；沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠，所述第一有源层形成沟道区，所述第二有源层形成导体部，沿第二方向上，所述第一有源层的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度，所述第一方向与所述第二方向交叉；在所述缓冲层上设置的层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一栅极、所述第二有源层和所述栅极绝缘层，所述层间绝缘层上设置有分别对应于两个所述第二有源层上方的两个通孔；在所述层间绝缘层上设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极通过两个所述通孔分别连接至对应的所述第二有源层的导体部。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第一栅极的两侧分别与两个所述第二有源层的一侧重合，与所述第一栅极重合的部分所述第二有源层和所述第一有源层形成所述沟道区，与所述第一栅极未重合的部分所述第二有源层形成所述导体部。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第二方向上，所述第一栅极的延伸宽度小于所述栅极绝缘层的延伸宽度；所述第一有源层的延伸宽度大于所述栅极绝缘层的延伸宽度。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第二栅极，所述第二栅极位于所述衬底基板和所述缓冲层之间，所述缓冲层覆盖所述第二栅极，沿所述第二方向上，所述第二栅极的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：钝化层，所述钝化层覆盖所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：沿第一方向在衬底基板上依次沉积形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极，所述有源层包括第一有源层和分别位于所述第一有源层两侧的第二有源层，沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠，沿第二方向上，所述第一有源层的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度，所述第一方向与所述第二方向交叉；以所述第一栅极为掩膜对所述第二有源层进行导体化，所述第一有源层形成沟道区，所述第二有源层形成导体部；沉积层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述缓冲层、所述第一栅极、所述第二有源层和所述栅极绝缘层，在所述层间绝缘层上曝光显影形成直达至对应的所述第二有源层的导体部的两个通孔；在所述层间绝缘层上和两个所述通孔内沉积源极和漏极。7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第一栅极的两侧分别与两个所述第二有源层的一侧重合；与所述第一栅极重合的部分所述第二有源层和所述第一有源层形成所述沟道区，与所述第一栅极未重合的部分所述第二有源层形成所述导体部。
8.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上依次沉积形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极的步骤具体包括：在所述衬底基板上依次沉积所述缓冲层和所述第一有源层；在所述第一有源层两侧分别沉积形成一个所述第二有源层，沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠；沿所述第二方向上，对所述第二有源层进行刻蚀，使得与所述第二有源层未交叠的部分所述第一有源层和两个所述第二有源层的边缘形成容置所述栅极绝缘层的沟槽；在所述沟槽内沉积所述栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上沉积所述第一栅极。9.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：在所述衬底基板上沉积第二栅极，所述第二栅极位于所述衬底基板和所述缓冲层之间，所述缓冲层覆盖所述第二栅极，沿所述第二方向上，所述第二栅极的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度；在所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极上沉积钝化层。10.一种显示面板，其特征在于，包括oled器件和阵列基板，所述oled器件叠设于所述阵列基板的上方，所述阵列基板为如权利要求1~5任一项所述的阵列基板或者基于权利要求6~9任一项所述的制备方法制备的阵列基板。

技术总结
本申请属于显示面板技术领域，提出一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其中，阵列基板包括层叠设置的衬底基板、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第一栅极、层间绝缘层、源极和漏极，其中，有源层包括第一有源层和第二有源层，第一有源层构成沟道区，通过将第一栅极作为有源层的导体化掩膜，对第二有源层进行导体化，不会影响第一有源层的沟道区的延伸宽度，使得沟道区与第一栅极的宽度差值在预设范围内，减少沟道区的扩散现象引起的宽度差值过大的问题，能够同时满足薄膜晶体管的开关特性要求和显示面板的清晰度要求。面板的清晰度要求。面板的清晰度要求。


技术研发人员：袁鑫 周秀峰 陈晨 叶利丹
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2023.07.10
技术公布日：2023/8/14