一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液和制备方法及应用与流程

1.本技术涉及预电镀引线框架技术领域，更具体地说，它涉及一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液和制备方法及应用。


背景技术：

2.引线框架是集成电路中形成电气回路的关键组成部分，是一种借助键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，也是形成电气回路的关键结构件，起到和外部导线连接桥梁作用，被应用于半导体集成电路、电子信息产业中。预电镀引线框架为引线框架表面设置镍层、钯层、金层，其免去了封装芯片后的镀锡或镀锡铅工艺，具有绿色环保的优点，受到广泛的关注和研究。
3.预电镀引线框架表面的镍层是焊接过程中形成金属间化物的主要结构，也是影响焊接性能的主要体现。由于焊接时，金层会溶解到焊料中，因此，金层对焊接性能的影响较小，且主要起到保护镍层不被氧化或腐蚀的作用。钯层位于镍层和金层之间，不仅能够防止镍和金接触发生噬金而导致金层疏孔的情况，而且还具有辅助焊接功能。然而现有的预电镀引线框架，其湿气敏感性测试等级最高达到msl-3，无法满足更高要求的需求。


技术实现要素：

4.为了提高预电镀引线框架湿气敏感性测试等级，且使预电镀引线框架达到msl-1，本技术提供一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液和制备方法及应用。
5.第一方面，本技术提供一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，采用如下的技术方案：一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其由溶剂和溶质组成，所述溶剂为水，所述溶质主要包括以下质量浓度的原料：开缸组合物355-665g/l、稳定剂15-37.5g/l、分散剂50.1-59.3g/l；所述开缸组合物主要包括以下原料：氨基磺酸镍和/或硫酸镍，还包括硼酸、氢氧化铵、磷酸二氢铵中的至少两种；所述稳定剂主要包括以下原料：硼酸钾、氨基磺酸或氨基磺酸聚合物；所述分散剂主要包括以下原料：聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基-1-丙烷磺酸钠、丙烷磺酸钠及丙烷磺酸聚合物。
6.采用本技术的电化学沉积液，其能够在引线框架表面形成凹凸镍微结构层，凹凸镍微结构层呈粗化球状结构，且加工获得的预电镀引线框架，不仅可以有效的增加其与环氧树脂的结合力，使密着性＞9mpa，而且湿气敏感性测试等级达到msl-1，提升预电镀引线框架可靠性能力，能够满足航天、车载级集成电路需求。
7.在溶剂中添加开缸组合物，并通过氨基磺酸镍、硫酸镍、硼酸、氢氧化铵、磷酸二氢铵之间的相互配合，能够使电化学沉积液在引线框架表面形成凹凸镍微结构层。在溶剂中
添加稳定剂，并通过硼酸钾、氨基磺酸或氨基磺酸聚合物之间的相互配合，能够稳定电化学沉积液ph值，缩小电化学沉积液ph变化范围，增强电化学沉积液使用稳定性。在溶剂中添加分散剂，并通过聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基-1-丙烷磺酸钠、丙烷磺酸钠及丙烷磺酸聚合物之间的相互配合，增加电化学沉积液的分散性，提高凹凸镍微结构层的粗化程度。本技术的电化学沉积液，通过开缸组合物、稳定剂、分散剂之间的相互配合，能够在电化学沉积液中形成快速稳定的离子传送通道，加速离子移动，提高离子稳定性、导电性，增加使用稳定性，并在引线框架表面形成凹凸镍微结构层，提升预电镀引线框架的密着性、焊接性以及可靠性，提升产品的综合性能，满足更高要求的需求，扩大应用范围。
8.可选的，所述开缸组合物主要包括以下重量份的原料：氨基磺酸镍0-280份、硫酸镍0-200份、硼酸0-35份、氢氧化铵0-70份、磷酸二氢铵0-80份。
9.可选的，所述稳定剂主要包括以下重量份的原料：硼酸钾10-25份、氨基磺酸或氨基磺酸聚合物5-12.5份；所述分散剂主要包括以下重量份的原料：聚二硫二丙烷磺酸钠26-30份、3-巯基-1-丙烷磺酸钠22-27份、丙烷磺酸钠或丙烷磺酸聚合物2-2.3份。
10.通过采用上述技术方案，对开缸组合物、稳定剂、分散剂的原料配比进行优化，有助于各组分更好的协同配合，使电化学沉积液在引线框架表面形成凹凸镍微结构层。
11.可选的，所述开缸组合物主要包括以下重量份的原料：氨基磺酸镍200-280份、硫酸镍150-200份、硼酸10-35份、氢氧化铵10-70份、磷酸二氢铵10-80份。
12.通过氨基磺酸镍、硫酸镍、硼酸盐、氢氧化铵、磷酸二氢铵之间的相互配合，增加了电化学沉积液中的离子浓度，有助于增强凹凸镍微结构层的焊接功能，提升预电镀引线框架的可靠性能力。
13.可选的，所述开缸组合物主要包括以下重量份的原料：氨基磺酸镍220-260份、硫酸镍165-180份、硼酸20-23份、氢氧化铵35-65份、磷酸二氢铵35-75份。
14.通过采用上述技术方案，对开缸组合物的原料配比进行优化，增加凹凸镍微结构层的粗化程度，进一步提升预电镀引线框架的可靠性能力。
15.第二方面，本技术提供一种上述所述的预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液的制备方法，采用如下的技术方案：一种上述所述的预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液的制备方法，包括如下步骤：s1、在溶剂中加入开缸组合物混合，获得基础液；s2、在基础液中加入稳定剂混合，获得混合液；s3、在混合液中加入分散剂混合，获得电化学沉积液。
16.通过采用上述技术方案，在溶剂中分步骤加入开缸组合物、稳定剂、分散剂，不仅便于电化学沉积液的制备，而且使原料混料均匀，便于凹凸镍微结构层的形成。
17.第三方面，本技术提供一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层的加工工艺，采用如下的技术方案：一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层的加工工艺，包括如下步骤：t1、对引线框架进行除油，获得预处理引线框架；t2、将电化学沉积液升温至50-70℃，然后浸入预处理引线框架进行电化学沉积，
待沉积完毕，取出，烘干；步骤t2中，电化学沉积液在引线框架表面沉积且形成凹凸镍微结构层，电化学沉积液为权利要求1-5中任意一项所述的预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液。
18.优选的，电化学沉积液的温度为55-65℃。再优选的，电化学沉积液的温度为60-65℃。更优选的，电化学沉积液的温度为60℃。
19.可选的，步骤t2中，电化学沉积的电流密度为5-25a/dm2，电流输出占空比为60-100％，电化学沉积时间为15-120s。
20.通过采用上述技术方案，便于凹凸镍微结构层的加工。
21.可选的，步骤t2中，电化学沉积的电流密度为12-23a/dm2，电流输出占空比为60-80％，电化学沉积时间为15-120s。
22.通过采用上述技术方案，对电流密度、电流输出占空比、电镀时间进行优化，使打线植球边缘以及中间部位能够和预电镀引线框架紧密接触，提高焊接稳定性以及焊接效果。
23.优选的，电镀的电流密度为15-23a/dm2，电流输出占空比为60-80％，电镀时间为15-65s。再优选的，电镀的电流密度为20-23a/dm2，电流输出占空比为60-80％，电镀时间为45-65s。更优选的，电镀的电流密度为23a/dm2，电流输出占空比为80％，电镀时间为60s。
24.第四方面，本技术提供一种预电镀引线框架，采用如下的技术方案：一种预电镀引线框架，包括引线框架，所述引线框架的表面依次设置有镍层、钯层、金层；所述镍层为凹凸镍微结构层，所述凹凸镍微结构层采用上述所述的预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液电化学沉积而成。
25.通过采用上述技术方案，使预电镀引线框架的可靠性测试中，达到msl-1的效果，增加预电镀引线框架使用稳定性和寿命，扩大预电镀引线框架应用范围。
26.综上所述，本技术至少具有以下有益效果：1、本技术的预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，能够在引线框架表面形成凹凸镍微结构层，且使预电镀引线框架的密着性＞9mpa，湿气敏感性测试等级达到msl-1，提升预电镀引线框架可靠性能力，能够满足航天、车载级集成电路需求。
27.2、本技术的开缸组合物，通过氨基磺酸镍、硫酸镍、硼酸、氢氧化铵、磷酸二氢铵之间的组合复配，能够形成粗化球状结构。本技术的稳定剂，通过硼酸钾、氨基磺酸或氨基磺酸聚合物之间的组合复配，能够增加使用稳定性。本技术的分散剂，通过聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基-1-丙烷磺酸钠、丙烷磺酸钠及丙烷磺酸聚合物之间的组合复配，不仅减缓不同镍之间分散抑制作用，提升组分稳定性，而且增加凹凸镍微结构层的粗化程度。本技术的电化学沉积液，通过开缸组合物、稳定剂的组合复配，再加以分散剂的辅助，充分发挥协同增效作用，增加电化学沉积液的稳定性、导电性、分散性，增加凹凸镍微结构层的均匀性以及致密性，提高凹凸镍微结构层的性能，也提升预电镀引线框架的可靠性能力，满足更高要求的需求。
附图说明
28.图1是本技术应用例1中镍层放大1000倍的电子显微图；
图2是本技术应用例1中镍层放大5000倍的电子显微图；图3是本技术对比应用例1中镍层放大1000倍的电子显微图；图4是本技术对比应用例1中镍层放大5000倍的电子显微图；图5是本技术应用例2中镍层放大3000倍的电子显微图；图6是本技术应用例3中镍层放大3000倍的电子显微图；图7是本技术应用例4中镍层放大3000倍的电子显微图；图8是本技术应用例5中镍层放大3000倍的电子显微图；图9是本技术应用例6中镍层放大5000倍的电子显微图；图10是本技术应用例7中镍层放大5000倍的电子显微图；图11是本技术应用例8中镍层放大1000倍的电子显微图；图12是本技术应用例9中镍层放大1000倍的电子显微图；图13是本技术应用例10中镍层放大1000倍的电子显微图；图14是本技术应用例11中镍层放大1000倍的电子显微图；图15是本技术应用例12中镍层放大1000倍的电子显微图；图16是本技术应用例13中镍层放大5000倍的电子显微图；图17是本技术应用例14中镍层放大5000倍的电子显微图；图18是本技术应用例15中镍层放大5000倍的电子显微图；图19是本技术应用例16中镍层放大5000倍的电子显微图；图20是本技术应用例13中打线植球放大1000倍的电子显微图；图21是本技术应用例13中打线植球放大7500倍的电子显微图；图22是本技术应用例14中打线植球放大7500倍的电子显微图；图23是本技术应用例15中打线植球放大7500倍的电子显微图；图24是本技术应用例16中打线植球放大7500倍的电子显微图。
具体实施方式
29.为使本技术更加容易理解，下面将结合实施例来进一步详细说明本技术，这些实施例仅起说明性作用，并不局限于本技术的应用范围。本技术中所使用的原料或组分若无特殊说明均可以通过商业途径或常规方法制得。实施例
30.表1实施例1-7电化学沉积液的原料
实施例1一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其原料配比见表1所示。
31.一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液的制备方法，包括如下步骤：s1、在溶剂中加入开缸组合物，搅拌处理10min，获得基础液。
32.s2、在步骤s1获得的基础液中加入稳定剂，搅拌处理10min，获得混合液。
33.s3、在步骤s2获得的混合液中加入分散剂，搅拌处理10min，获得电化学沉积液。
34.实施例2-7一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其和实施例1的区别之处在于，电化学沉积液的原料配比不同，且电化学沉积液的原料配比见表1所示。
35.表2实施例8-12、对比例1电化学沉积液的原料12、对比例1电化学沉积液的原料实施例8-12一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其和实施例1的区别之处在于，电化学沉积液的原料配比不同，且电化学沉积液的原料配比见表2所示。
36.对比例
对比例1一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其和实施例1的区别之处在于，电化学沉积液的原料配比不同，且电化学沉积液的原料配比见表2所示。
37.性能检测(一)取实施例1-12获得的电化学沉积液作为试样，并采用电镀液检测仪对试样中的金属含量进行检测，金属含量检测结果如表3所示。
38.表3实施例1-12金属含量检测结果检测元素含量/(ppm)检测元素含量/(ppm)cu≤0.05mn≤0.05fe≤0.50zn≤0.02cr≤0.01mg≤0.02cd≤0.01ca≤0.03co≤0.05pb≤0.02te≤0.01as≤0.01从表3中可以看出，本技术的电化学沉积液杂质金属含量很少，具有纯度高的优点，满足ic及半导体制作要求。
39.应用例应用例1一种预电镀引线框架的加工工艺，包括如下步骤：t1、对引线框架进行除油，获得预处理引线框架。
40.t2、将电化学沉积液升温至60℃，然后浸入步骤t1处理后的预处理引线框架，之后在电流密度为8a/dm2、电流输出占空比为80％下，电化学沉积处理100s。待沉积完毕，取出，烘干，电化学沉积液在引线框架表面沉积且形成镍层，镍层为凹凸镍微结构层，完成电化学沉积镍。
41.其中，引线框架为紫铜片，引线框架的尺寸为40mm
×
50mm
×
0.3mm。电化学沉积液采用实施例1制备获得。
42.t3、将步骤t2处理后的引线框架进行镀钯且形成钯层，然后进行镀金且形成金层，从而获得预电镀引线框架。
43.其中，钯层厚度为0.043μm；金层厚度为0.025μm。
44.应用例2-12一种预电镀引线框架的加工工艺，其和应用例1的区别之处在于，步骤t2中，电化学沉积液的来源不同，应用例2-12的电化学沉积液依次分别采用实施例2-12制备获得。
45.应用例13一种预电镀引线框架的加工工艺，其和应用例1的区别之处在于，步骤t2中，电流密度为12a/dm2，电流输出占空比为60％，电化学沉积时间为120s。
46.应用例14一种预电镀引线框架的加工工艺，其和应用例1的区别之处在于，步骤t2中，电流密度为23a/dm2，电流输出占空比为60％，电化学沉积时间为15s。
47.应用例15
一种预电镀引线框架的加工工艺，其和应用例1的区别之处在于，步骤t2中，电流密度为23a/dm2，电流输出占空比为80％，电化学沉积时间为60s。
48.应用例16一种预电镀引线框架的加工工艺，其和应用例1的区别之处在于，步骤t2中，电流密度为23a/dm2，电流输出占空比为100％，电化学沉积时间为30s。
49.对比应用例对比应用例1一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层加工工艺，其和应用例1的区别之处在于，电化学沉积液的来源不同，对比应用例1的电化学沉积液采用对比例1制备获得。
50.性能检测(二)(1)分别取应用例1、对比应用例1步骤t2电化学沉积镍处理后的引线框架作为试样，并采用电子显微镜对试样镍层的外观进行观察，应用例1的检测结果如图1、图2所示，对比应用例1的检测结果如图3、图4所示。
51.从图1、图2中可以看出，采用本技术开缸组合物、稳定剂、分散剂复配获得的电化学沉积液，能够在引线框架表面形成粗化球状结构，增强镍层的焊接性能，进一步增强预电镀引线框架的可靠性。
52.从图3、图4中可以看出，对比应用例1的电化学沉积液，在引线框架表面形成光滑平面结构，降低焊接性能以及可靠性。
53.(2)分别取应用例2-12步骤t2镀镍处理后的引线框架作为试样，并采用电子显微镜对试样镍层的外观进行观察，应用例2-12的检测结果如图5-15所示。
54.实施例2-5相较于实施例1而言，电化学沉积液中开缸组合物配比、稳定剂配比、分散剂配比均进行了调整。从图5-8中可以看出，采用实施例2-5，能够获得凹凸镍微结构层。再结合图2，由此可以看出，实施例1、实施例2、实施例5的凹凸镍微结构层的粗化程度更优。
55.实施例6-7相较于实施例5而言，电化学沉积液中分散剂配比、开缸组合物配比进行了调整。从图9-10中可以看出，对电化学沉积液中的分散剂配比或开缸组合物配比进行调整，也能够获得凹凸镍微结构层。
56.实施例8-12的电化学沉积液的开缸组合物中，其原料未添加某一种成分，即其原料含有氨基磺酸镍、硫酸镍、硼酸、氢氧化铵、磷酸二氢铵中的至少四种。从图11-15中可以看出，开缸组合物原料含有氨基磺酸镍、硫酸镍、硼酸、氢氧化铵、磷酸二氢铵中的至少四种，且通过其之间的相互配合，也能够获得凹凸镍微结构层，达到提高焊接性以及可靠性的效果。
57.(3)分别取应用例1-12、对比应用例1步骤t3处理后的预电镀引线框架作为试样，并在试样表面键合芯片及封装环氧树脂，且依据em50104 j-std-020c对试样的湿气敏感性msl等级进行检测，湿气敏感性msl等级标准如表4所示，msl等级检测结果如表5所示。
58.(4)分别取应用例1-12、对比应用例1步骤t3处理后的预电镀引线框架作为试样，并在试样表面封装环氧树脂，且采用粘结强度检测仪对试样的密着性进行检测，密着性检测结果如表5所示。
59.表4湿气敏感性msl等级标准
表5 msl等级和密着性检测结果检测项目msl等级密着性/(mpa)检测项目msl等级密着性/(mpa)应用例1msl-110.51应用例8msl-19.85应用例2msl-110.85应用例9msl-19.23应用例3msl-110.26应用例10msl-19.45应用例4msl-110.11应用例11msl-19.56应用例5msl-110.49应用例12msl-19.59应用例6msl-110.28对比应用例1msl-34.27应用例7msl-110.38///从表5中可以看出，本技术的电化学沉积液获得的预电镀引线框架，湿气敏感性msl等级达到msl-1，而且密着性达到9-11mpa，表现出更优的综合性能，满足更高要求的需求。
60.(5)分别取应用例13-16的步骤t2电化学沉积镍处理后的引线框架作为试样，并采用电子显微镜对试样镍层的外观进行观察，应用例13-16的检测结果如图16-19所示。
61.从图16-19中可以看出，引线框架表面形成凹凸镍微结构层。且应用例16-18的凹凸镍微结构层表现出更优的效果。
62.(6)分别取应用例13-16的步骤t2镀镍处理后的引线框架作为试样，并对试样镍层厚度进行检测，镍层厚度检测结果如表6所示。
63.表6镍层厚度检测结果检测项目镍层厚度/(μm)检测项目镍层厚度/(μm)应用例131.425应用例151.350应用例140.438应用例160.875从表6中可以看出，本技术获得的镍层具有良好的厚度，且厚度为0.4-1.4μm。
64.(7)取应用例13步骤t3处理后的预电镀引线框架作为试样，并在试样表面进行打线植球，然后采用电子显微镜对焊接面的外观进行观察，应用例13的检测结果如图20、图21。
65.从图20、图21中可以看出，打线植球和预电镀引线框架紧密接触，焊接良好。
66.(8)分别取应用例14-16步骤t3处理后的预电镀引线框架作为试样，并在试样表面进行打线植球，然后采用电子显微镜对焊接面的外观进行观察，应用例14-16的检测结果如图22-24。
67.从图22-24中可以看出，打线植球和预电镀引线框架紧密接触，焊接良好。在结合图21，由此可以看出，应用例13-15，打线植球边缘也能够和预电镀引线框架紧密接触，表现出更优的焊接效果。
68.应当注意的是，以上所述的实施例仅用于解释本技术，并不构成对本技术的任何限制。通过参照典型实施例对本技术进行了描述，但应当理解为其中所用的词语为描述性和解释性词汇，而不是限定性词汇。可以按规定在本技术权利要求的范围内对本技术作出修改，以及在不背离本技术的范围和精神内对本发明进行修订。尽管其中描述的本技术涉及特定的方法、材料和实施例，但是并不意味着本技术限于其中公开的特定例，相反，本技术可扩展至其他所有具有相同功能的方法和应用。

技术特征：
1.一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其特征在于：其由溶剂和溶质组成，所述溶剂为水，所述溶质主要包括以下质量浓度的原料：开缸组合物355-665g/l、稳定剂15-37.5g/l、分散剂50.1-59.3g/l；所述开缸组合物主要包括以下原料：氨基磺酸镍和/或硫酸镍，还包括硼酸、氢氧化铵、磷酸二氢铵中的至少两种；所述稳定剂主要包括以下原料：硼酸钾、氨基磺酸或氨基磺酸聚合物；所述分散剂主要包括以下原料：聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基-1-丙烷磺酸钠、丙烷磺酸钠及丙烷磺酸聚合物。2.根据权利要求1所述的一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其特征在于：所述开缸组合物主要包括以下重量份的原料：氨基磺酸镍0-280份、硫酸镍0-200份、硼酸0-35份、氢氧化铵0-70份、磷酸二氢铵0-80份。3.根据权利要求1所述的一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其特征在于：所述稳定剂主要包括以下重量份的原料：硼酸钾10-25份、氨基磺酸或氨基磺酸聚合物5-12.5份；所述分散剂主要包括以下重量份的原料：聚二硫二丙烷磺酸钠26-30份、3-巯基-1-丙烷磺酸钠22-27份、丙烷磺酸钠或丙烷磺酸聚合物2-2.3份。4.根据权利要求1所述的一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其特征在于：所述开缸组合物主要包括以下重量份的原料：氨基磺酸镍200-280份、硫酸镍150-200份、硼酸10-35份、氢氧化铵10-70份、磷酸二氢铵10-80份。5.根据权利要求1所述的一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液，其特征在于：所述开缸组合物主要包括以下重量份的原料：氨基磺酸镍220-260份、硫酸镍165-180份、硼酸20-23份、氢氧化铵35-65份、磷酸二氢铵35-75份。6.一种如权利要求1-5中任意一项所述的预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：s1、在溶剂中加入开缸组合物混合，获得基础液；s2、在基础液中加入稳定剂混合，获得混合液；s3、在混合液中加入分散剂混合，获得电化学沉积液。7.一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层的加工工艺，其特征在于：包括如下步骤：t1、对引线框架进行除油，获得预处理引线框架；t2、将电化学沉积液升温至50-70℃，然后浸入预处理引线框架进行电化学沉积，待沉积完毕，取出，烘干；步骤t2中，电化学沉积液在引线框架表面沉积且形成凹凸镍微结构层，电化学沉积液为权利要求1-5中任意一项所述的预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液。8.根据权利要求7所述的一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层的加工工艺，其特征在于：步骤t2中，电化学沉积的电流密度为5-25a/dm2，电流输出占空比为60-100%，电化学沉积时间为15-120s。9.根据权利要求7所述的一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层的加工工艺，其特征在于：步骤t2中，电化学沉积的电流密度为12-23a/dm2，电流输出占空比为60-80%，电化学沉积时间为15-120s。
10.一种预电镀引线框架，其特征在于：包括引线框架，所述引线框架的表面依次设置有镍层、钯层、金层；所述镍层为凹凸镍微结构层，所述凹凸镍微结构层采用如权利要求1-5中任意一项所述的预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液电化学沉积而成。

技术总结
本申请涉及预电镀引线框架技术领域，具体公开了一种预电镀引线框架的凹凸镍微结构层用电化学沉积液和制备方法及应用。电化学沉积液由溶剂和溶质组成，溶质主要包括以下原料：开缸组合物、稳定剂、分散剂；开缸组合物主要包括以下原料：氨基磺酸镍和/或硫酸镍，还包括硼酸、氢氧化铵、磷酸二氢铵中的至少两种；稳定剂主要包括以下原料：硼酸钾、氨基磺酸或氨基磺酸聚合物；分散剂主要包括以下原料：聚二硫二丙烷磺酸钠、3-巯基-1-丙烷磺酸钠、丙烷磺酸钠及丙烷磺酸聚合物。该电化学沉积液，能够在引线框架表面形成粗化球状结构，获得的预电镀引线框架湿气敏感性测试等级达到MSL-1，提升可靠性能力，能够满足更高要求的需求。能够满足更高要求的需求。能够满足更高要求的需求。


技术研发人员：邓麒俊 吴家麟
受保护的技术使用者：江门市优彼思半导体材料有限公司
技术研发日：2023.06.13
技术公布日：2023/8/14