环形光电探测器及其制备方法、光收发系统与流程

1.本发明涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种环形光电探测器及其制备方法、光收发系统。


背景技术：

2.随着光电集成的不断发展，光互连由于具有传输速率高、高带宽、低功耗等优点，逐渐取代传统的电互连，成为提升集成电路性能的主要方式。在各种光电子集成平台中，硅基光电子器件因具有低成本、小尺寸、与cmos工艺兼容等优点，在光电集成发展进程中发挥着越来越重要的作用。光电探测器是一种将光信号转化为电信号的光电器件，是光通讯模块中一种必不可少的基本元器件。
3.目前的光电探测器大多都是采用方形直波导结构，光从一端入射，经过条形波导单次吸收后，进行光电转换。现有技术通过增加方形光电吸收层的长度，来提高响应度，然而增加方形光电吸收层的长度会增加器件尺寸和器件的寄生参数，使器件的光电带宽下降。另一方面，在光收发系统的接收端，一般要同时集成波分器件和光电探测器。例如，参见图1，激光器(ld)20发出三个波长的光，经过多路复用器(mux)30将三路光合成一路光在光纤中传播，再经过解复用器(demux)40将光纤中的光分为三路不同波长的光，并分别被三个方形探测器(pd)50探测，该种设置增加了系统集成的复杂度。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种环形光电探测器及其制备方法、光收发系统，旨在提高光电探测器的响应度，简化光收发系统的集成度。
5.为达此目的，本发明采用以下技术方案：
6.环形光电探测器，包括：
7.硅衬底；
8.硅波导层，设于所述硅衬底上，所述硅波导层包括第一硅波导结构和第二硅波导结构，所述第一硅波导结构设置为环形，所述第二硅波导结构设置为长方形，所述第二硅波导结构设置于所述第一硅波导结构的一侧，且所述第二硅波导结构与所述第一硅波导结构之间存在间隔，所述第二硅波导结构被配置为能将入射光耦合到所述第一硅波导结构中；
9.光电吸收层，呈环形设置于所述第一硅波导结构上；
10.电极层，设置于所述第一硅波导结构上。
11.可选地，所述第一硅波导结构和所述第二硅波导结构均包括硅平板波导层和硅脊状波导层，所述硅脊状波导层凸设于所述硅平板波导层上，所述光电吸收层设于所述第一硅波导结构的所述硅脊状波导层上，所述电极层设于所述第一硅波导结构的所述硅平板波导层上。
12.可选地，所述电极层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层间隔设于所述光电吸收层的内侧，所述第二电极层间隔设于所述光电吸收层的外侧。
13.可选地，所述第一电极层和/或所述第二电极层设有若干个缺口，部分所述缺口位于所述第一硅波导结构和所述第二硅波导结构的耦合区域内，其余所述缺口位于所述第一硅波导结构和所述第二硅波导结构的耦合区域外。
14.可选地，所述第一硅波导结构的所述硅平板波导层的一侧设置有p型重掺杂区，所述第一硅波导结构的所述硅平板波导层的另一侧设置有n型重掺杂区，所述电极层设于所述p型重掺杂区和所述n型重掺杂区上，并与所述p型重掺杂区和所述n型重掺杂区形成欧姆接触。
15.可选地，所述第一硅波导结构的所述硅脊状波导层的一侧设置有p型轻掺杂区，所述p型轻掺杂区与所述p型重掺杂区邻接，所述第一硅波导结构的所述硅脊状波导层的另一侧设置有n型轻掺杂区，所述n型轻掺杂区和所述n型重掺杂区邻接。
16.可选地，所述第一硅波导结构设置为圆环形或跑道环形。
17.可选地，所述环形光电探测器还包括二氧化硅包裹层，所述二氧化硅包裹层设于所述硅衬底上，所述硅波导层、所述光电吸收层和所述电极层均被包裹于所述二氧化硅包裹层内。
18.光收发系统，包括多个如上述任一方案所述的环形光电探测器，各所述环形光电探测器的所述第二硅波导结构和所述第一硅波导结构之间的间隔距离d不同，和/或，各所述环形光电探测器的环形半径r不同。
19.环形光电探测器的制备方法，包括：
20.提供一硅衬底；
21.在所述硅衬底上制备硅波导层，作为形成第一硅波导结构和第二硅波导结构的制作基础；
22.对所述硅波导层进行刻蚀处理，以形成所述第一硅波导结构和所述第二硅波导结构，所述第一硅波导结构为环形，所述第二硅波导结构为长方形，所述第二硅波导结构设于所述第一硅波导结构的一侧，且所述第二硅波导结构与所述第一硅波导结构之间存在间隔，所述第二硅波导结构被配置为能将入射光耦合到所述第一硅波导结构中；
23.在所述第一硅波导结构上制备形成光电吸收层；
24.在所述第一硅波导结构上制备形成电极层。
25.本发明的有益效果：本发明提供的环形光电探测器，第一硅波导结构设置为环形，第二硅波导结构设置为长方形，第二硅波导结构设置于第一硅波导结构的一侧，且第二硅波导结构与第一硅波导结构之间存在间隔，入射光进入第二硅波导结构，通过间接耦合的方式进入第一硅波导结构中，光在第一硅波导结构内循环传播，并耦合到光电吸收层内，在光电吸收层内循环吸收，使光被光电吸收层充分吸收，提高了入射光的吸收效率和光电探测器的响应度。
26.本发明还提供了一种光收发系统，包括多个上述环形光电探测器，通过设置各环形光电探测器的第二硅波导结构和第一硅波导结构之间不同的间隔距离d，和/或，设置各环形光电探测器的环形半径r不同，使每个环形光电探测器可以耦合不同波长的光，以使特定波长的光能够被相应的环形光电探测器的光电吸收层吸收，将光信号转化为电信号，减少波分器件的使用，简化光收发系统的集成度。
27.本发明还提供了一种环形光电探测器的制备方法，通过刻蚀处理制备第一硅波导
结构和第二硅波导结构，工艺简单，提高了环形光电探测器的制备效率。
附图说明
28.图1是传统的光收发系统的结构示意图；
29.图2是本发明实施例提供的环形光电探测器的横截面的示意图；
30.图3是图2中a-a处的剖视图；
31.图4是图2中b-b处的剖视图；
32.图5是本发明实施例提供的光电吸收层和电极层的横截面的示意图；
33.图6是本发明实施例提供的设有缺口的第二电极层的横截面的示意图；
34.图7是本发明实施例提供的第一硅波导结构设为跑道环形的横截面的示意图；
35.图8是本发明实施例提供的光收发系统的结构示意图。
36.图中：
37.10、环形光电探测器；20、激光器；30、多路复用器；40、解复用器；50、方形探测器；100、硅衬底；210、第一硅波导结构；211、硅平板波导层；212、硅脊状波导层；220、第二硅波导结构；230、p型重掺杂区；240、n型重掺杂区；250、p型轻掺杂区；260、n型轻掺杂区；300、光电吸收层；410、第一电极层；420、第二电极层；421、缺口；500、耦合区域；600、二氧化硅包裹层；610、引线孔。
具体实施方式
38.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
39.在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
40.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
41.在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
42.本实施例提供了一种环形光电探测器10，如图2-图5所示，该环形光电探测器10包括硅衬底100、硅波导层、光电吸收层300和电极层，硅波导层设于硅衬底100上，硅波导层包
括第一硅波导结构210和第二硅波导结构220，第一硅波导结构210设置为环形，第二硅波导结构220设置为长方形，第二硅波导结构220设于第一硅波导结构210的一侧，且第二硅波导结构220与第一硅波导结构210之间存在间隔，第二硅波导结构220被配置为能将入射光耦合到第一硅波导结构210中；光电吸收层300呈环形设置于第一硅波导结构210上；电极层设置于第一硅波导结构210上。
43.本实施例提供的环形光电探测器10，第一硅波导结构210设置为环形，第二硅波导结构220设置为长方形，第二硅波导结构220设置于第一硅波导结构210的一侧，且第二硅波导结构220与第一硅波导结构210之间存在间隔，入射光(图2中箭头所指方向为入射光传输方向)进入第二硅波导结构220，通过间接耦合的方式进入第一硅波导结构210中，光在第一硅波导结构210内循环传播，并耦合到光电吸收层300内，在光电吸收层300内循环吸收，使光被光电吸收层300充分吸收，提高了入射光的吸收效率和环形光电探测器10的响应度。
44.可以理解的是，图2是本实施例提供的环形光电探测器的横截面的示意图，实际制作时，第一硅波导结构210和第二硅波导结构220均具有一定厚度，第一硅波导结构210呈环形柱状，第二硅波导结构220呈长方体结构。
45.可选地，第一硅波导结构210和第二硅波导结构220均包括硅平板波导层211和硅脊状波导层212，硅脊状波导层212凸设于硅平板波导层211上，光电吸收层300设于第一硅波导结构210的硅脊状波导层212上，电极层设于第一硅波导结构210的硅平板波导层211上。硅脊状波导层212凸设于硅平板波导层211上，硅脊状波导层212和硅平板波导层211相连接，加工硅脊状波导层212和硅平板波导层211时，先在硅衬底100上预制硅波导层，对预制的硅波导层进行刻蚀处理，以形成硅脊状波导层212和硅平板波导层211，易于加工制作。
46.进一步地，电极层包括第一电极层410和第二电极层420，第一电极层410间隔设于光电吸收层300的内侧，第二电极层420间隔设于光电吸收层300的外侧。第一电极层410和第二电极层420用于分别与外部电压模块连接。
47.如图6所示，第一电极层410和/或第二电极层420设有若干个缺口421，部分缺口421位于第一硅波导结构210和第二硅波导结构220的耦合区域内，其余缺口421位于第一硅波导结构210和第二硅波导结构220的耦合区域外。入射光进入第二硅波导结构220，通过间接耦合的方式进入第一硅波导结构210中，第一硅波导结构210和第二硅波导结构220之间形成耦合区域500，通过在第一电极层410和/或第二电极层420上设置若干个缺口421，能有效减少第一电极层410和/或第二电极层420对光的吸收，使更多的光耦合到光电吸收层300内，进而提高环形光电探测器10的响应度。于本实施例中，第二电极层420上设有一个缺口421，且该缺口421正对第二硅波导结构220设置，以增加该缺口421覆盖在耦合区域的面积，有效减少第二电极层420对光的吸收。在其他实施例中，位于第一硅波导结构210和第二硅波导结构220的耦合区域内的缺口421可设置为多个，如三个或四个等。可选地，第二电极层420和/或第一电极层410可设置为包括多个呈环形或弧形阵列组成的单个分电极，分电极可以是线条状或圆弧状，根据需要设定即可。
48.于本实施例中，第一硅波导结构210的硅平板波导层211的一侧设置有p型重掺杂区230，第一硅波导结构210的硅平板波导层211的另一侧设置有n型重掺杂区240，电极层设于p型重掺杂区230和n型重掺杂区240上，并与p型重掺杂区230和n型重掺杂区240形成欧姆接触，以减小接触电阻。
49.进一步地，第一硅波导结构210的硅脊状波导层212的一侧还设置有p型轻掺杂区250，p型轻掺杂区250与p型重掺杂区230邻接，第一硅波导结构210的硅脊状波导层212的另一侧设置有n型轻掺杂区260，n型轻掺杂区260和n型重掺杂区230邻接，以提高环形光电探测器10的响应度。
50.于本实施例中，p型重掺杂区230设于第一硅波导结构210的硅平板波导层211的内侧，n型重掺杂区240设于第一硅波导结构210的硅平板波导层211的外侧，p型轻掺杂区250设于第一硅波导结构210的硅脊状波导层212的内侧，n型轻掺杂区260设于第一硅波导结构210的硅脊状波导层212的外侧，第一电极层410设于p型重掺杂区230上并与p型重掺杂区230形成欧姆接触，第二电极层420设于n型重掺杂区240上并与n型重掺杂区240形成欧姆接触。在其他实施例中，p型重掺杂区230和n型重掺杂区240的位置可以互换，相应地，p型轻掺杂区250和n型轻掺杂区260的位置也可以互换，根据需要设定即可。
51.可选地，光电吸收层300设于硅脊状波导层212的正上方，电吸收层的宽带小于硅脊状波导层212的宽度，使p型轻掺杂区250和n型轻掺杂区260位于光电吸收层300的两侧，提高光吸收效率，且光电吸收层300上不设置电极层，能有效减少电极层对光的吸收，以提高环形光电探测器10的响应度。
52.优选地，第一硅波导结构210设置为圆环形或跑道环形，形状规则，易于制备。在其他实施例中，也可设置为其他环形，如椭圆环形等其他封闭结构，根据需要设定即可。优选地，第一硅波导结构210包括至少一段直线和/或至少一段曲线，相邻两外侧壁的连接处形成的夹角为钝角，以提高光吸收效率。
53.具体地，如图7所示，第一硅波导结构210设置为跑道环形时，第二硅波导结构220设置于第一硅波导结构210的直线跑道部分的一侧，且与直线跑道部分平行，以保证第一硅波导结构210和第二硅波导结构220之间形成足够有效的耦合区域500。
54.该环形光电探测器10还包括二氧化硅包裹层600，二氧化硅包裹层600设于硅衬底100上，硅波导层、光电吸收层300和电极层均被包裹于二氧化硅包裹层600内。二氧化硅包裹层600用于保护硅波导层、光电吸收层300和电极层，提高器件稳定性。
55.于本实施例中，第一硅波导结构210和第二硅波导结构220的间隔距离d的范围为0.05μm-0.15μm。入射光通过第二硅波导结构220的一端口输入，传输到第一硅波导结构210和第二硅波导结构220之间的耦合区域500，根据耦合模理论，当第一硅波导结构210和第二硅波导结构220的间隔距离d为关键耦合距离时，满足临界耦合条件，第二硅波导结构220中的大部分光耦合进第一硅波导结构210内，并沿第一硅波导结构210传播，应用时，本领域技术人员可根据实际需要设定第一硅波导结构210和第二硅波导结构220的具体的间隔距离，以探测特定波长的光，提高对特定波长的光的探测灵敏度。
56.本实施例还提供了一种光收发系统，包括多个上述的环形光电探测器10，各环形光电探测器10的第二硅波导结构220和第一硅波导结构210之间的间隔距离不同，和/或，各环形光电探测器10的环形半径r不同。
57.本实施例提供的光收发系统，通过设置各环形光电探测器10的第二硅波导结构220和第一硅波导结构210之间不同的间隔距离d，和/或，设置各环形光电探测器10的环形半径r不同，使每个环形光电探测器10可以耦合不同波长的光，以使不同波长的光能够被相应的环形光电探测器10的光电吸收层300吸收，将光信号转化为电信号，减少波分器件的使
用，简化光收发系统的集成度。
58.以光收发系统设置有三个环形光电探测器10为例，如图8所示，三个环形光电探测器10并排设置且通过光纤连接，三个环形光电探测器10的第一硅波导结构210均设置为圆环形，三个环形光电探测器10的第一硅波导结构210和第二硅波导结构220的间隔距离d不相同，分别设置为d1、d2和d3，以使每个环形光电探测器10分别耦合不同波长的光。或者，三个环形光电探测器10的第一硅波导结构210的半径r不相同，也可以使每个环形光电探测器10分别耦合不同波长的光。三个激光器20发出三个波长的光，经过多路复用器30将三路光合成一路光在光纤中传播，光传输至边侧的环形光电探测器10的一端口，光在传输过程中，不同波长的光被各自对应的环形光电探测器10的光电吸收层300吸收。当三个环形光电探测器10的第一硅波导结构210均设置为跑道环形时，各第一硅波导结构210设于直线跑道部分的两端的环形部分的环形半径r不同，也可以使每个环形光电探测器10分别耦合不同波长的光。
59.本实施例还提供了一种环形光电探测器的制备方法，包括如下步骤：
60.s1、提供一硅衬底100；
61.s2、在硅衬底100上制备硅波导层，作为形成第一硅波导结构210和第二硅波导结构220的制作基础；
62.s3、对硅波导层进行刻蚀处理，以形成第一硅波导结构210和第二硅波导结构220，第一硅波导结构210为环形，第二硅波导结构220为长方形，第二硅波导结构220设于第一硅波导结构210的一侧，且第二硅波导结构220与第一硅波导结构210之间存在间隔，第二硅波导结构220被配置为能将入射光耦合到所述第一硅波导结构210中；
63.s4、在第一硅波导结构210上制备形成光电吸收层300；
64.s5、在第一硅波导结构210上制备形成电极层。
65.本实施例提供的环形光电探测器的制备方法，通过刻蚀处理制备第一硅波导结构210和第二硅波导结构220，工艺简单，提高了环形光电探测器10的制备效率。
66.具体地，在对硅波导层进行刻蚀处理之前，先在硅波导层上预制p型重掺杂区230、n重掺杂区、p型轻掺杂区250和n轻掺杂区，各掺杂区的粒子均扩散至硅波导层的底部。对硅波导层进行刻蚀处理后，形成第一硅波导结构210、第二硅波导结构220以及设于硅平板波导层211的一侧的p型重掺杂区230，设于硅平板波导层211的另一侧的n型重掺杂区240、设于硅脊状波导层212的一侧的p型轻掺杂区250和设于硅脊状波导层212的另一侧的n型轻掺杂区260。
67.可选地，在第一硅波导结构210上制备形成电极层后，形成二氧化硅包裹层600，并在第一电极层410和第二电极层420的上方开设贯穿二氧化硅包裹层600的引线孔610，引线孔610用于设置引线，以使电极层与引线连接。
68.显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

技术特征：
1.环形光电探测器，其特征在于，包括：硅衬底(100)；硅波导层，设于所述硅衬底(100)上，所述硅波导层包括第一硅波导结构(210)和第二硅波导结构(220)，所述第一硅波导结构(210)设置为环形，所述第二硅波导结构(220)设置为长方形，，所述第二硅波导结构(220)设于所述第一硅波导结构(210)的一侧，且所述第二硅波导结构(220)与所述第一硅波导结构(210)之间存在间隔，所述第二硅波导结构(220)被配置为能将入射光耦合到所述第一硅波导结构(210)中；光电吸收层(300)，呈环形设置于所述第一硅波导结构(210)上；电极层，设置于所述第一硅波导结构(210)上。2.根据权利要求1所述的环形光电探测器，其特征在于，所述第一硅波导结构(210)和所述第二硅波导结构(220)均包括硅平板波导层(211)和硅脊状波导层(212)，所述硅脊状波导层(212)凸设于所述硅平板波导层(211)上，所述光电吸收层(300)设于所述第一硅波导结构(210)的所述硅脊状波导层(212)上，所述电极层设于所述第一硅波导结构(210)的所述硅平板波导层(211)上。3.根据权利要求2所述的环形光电探测器，其特征在于，所述电极层包括第一电极层(410)和第二电极层(420)，所述第一电极层(410)间隔设于所述光电吸收层(300)的内侧，所述第二电极层(420)间隔设于所述光电吸收层(300)的外侧。4.根据权利要求3所述的环形光电探测器，其特征在于，所述第一电极层(410)和/或所述所述第二电极层(420)设有若干个缺口(421)，部分所述缺口(421)位于所述第一硅波导结构(210)和所述第二硅波导结构(220)的耦合区域内，其余所述缺口(421)位于所述第一硅波导结构(210)和所述第二硅波导结构(220)的耦合区域外。5.根据权利要求2所述的环形光电探测器，其特征在于，所述第一硅波导结构(210)的所述硅平板波导层(211)的一侧设置有p型重掺杂区(230)，所述第一硅波导结构(210)的所述硅平板波导层(211)的另一侧设置有n型重掺杂区(240)，所述电极层设于所述p型重掺杂区(230)和所述n型重掺杂区(240)上，并与所述p型重掺杂区(230)和所述n型重掺杂区(240)形成欧姆接触。6.根据权利要求5所述的环形光电探测器，其特征在于，所述第一硅波导结构(210)的所述硅脊状波导层(212)的一侧设置有p型轻掺杂区(250)，所述p型轻掺杂区(250)与所述p型重掺杂区(230)邻接，所述第一硅波导结构(210)的所述硅脊状波导层(212)的另一侧设置有n型轻掺杂区(260)，所述n型轻掺杂区(260)和所述n型重掺杂区(230)邻接。7.根据权利要求1-6任一项所述的环形光电探测器，其特征在于，所述第一硅波导结构(210)设置为圆环形或跑道环形。8.根据权利要求1-6任一项所述的环形光电探测器，其特征在于，所述环形光电探测器还包括二氧化硅包裹层(600)，所述二氧化硅包裹层(600)设于所述硅衬底(100)上，所述硅波导层、所述光电吸收层(300)和所述电极层均被包裹于所述二氧化硅包裹层(600)内。9.光收发系统，其特征在于，包括多个如权利要求1-8任一项所述的环形光电探测器，各所述环形光电探测器的所述第二硅波导结构(220)和所述第一硅波导结构(210)之间的间隔距离d不同，和/或，各所述环形光电探测器的环形半径r不同。10.环形光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一硅衬底(100)；在所述硅衬底(100)上制备硅波导层，作为形成第一硅波导结构(210)和第二硅波导结构(220)的制作基础；对所述硅波导层进行刻蚀处理，以形成所述第一硅波导结构(210)和所述第二硅波导结构(220)，所述第一硅波导结构(210)为环形，所述第二硅波导结构(220)为长方形，所述第二硅波导结构(220)设于所述第一硅波导结构(210)的一侧，且所述第二硅波导结构(220)与所述第一硅波导结构(210)之间存在间隔，所述第二硅波导结构(220)被配置为能将入射光耦合到所述第一硅波导结构(210)中；在所述第一硅波导结构(210)上制备形成光电吸收层(300)；在所述第一硅波导结构(210)上制备形成电极层。

技术总结
本发明属于半导体集成电路技术领域，公开了一种环形光电探测器及其制备方法、光收发系统。该环形光电探测器包括硅衬底、硅波导层、光电吸收层和电极层，硅波导层设于硅衬底上，硅波导层包括第一硅波导结构和第二硅波导结构，第一硅波导结构设置为环形，第二硅波导结构设置为长方形，第二硅波导结构设置于第一硅波导结构的一侧；光电吸收层呈环形设置于第一硅波导结构上；电极层设置于第一硅波导结构上。本发明提供的环形光电探测器，入射光进入第二硅波导结构，通过间接耦合的方式进入第一硅波导结构中，光在第一硅波导结构内循环传播，并耦合到光电吸收层内，提高了入射光的吸收效率和环形光电探测器的响应度。环形光电探测器的响应度。环形光电探测器的响应度。


技术研发人员：宋泽国 郝沁汾
受保护的技术使用者：无锡芯光互连技术研究院有限公司
技术研发日：2023.04.19
技术公布日：2023/8/14