显示装置的制造装置和显示装置的制造方法与流程

1.本发明涉及显示装置的制造装置和显示装置的制造方法，更详细而言，涉及可以防止显示装置的污渍不良的显示装置的制造装置和显示装置的制造方法。
背景技术：
：：2.近几年，正在广泛使用电子设备。电子设备如移动型电子设备和固定型电子设备这样以各种方式被加以利用，这种电子设备为了支持各种功能而包括能够向使用者提供如照片或图像这样的视觉信息的显示装置。3.显示装置是以视觉方式显示数据的装置，层叠有机层、金属层等各种层来形成。为了形成显示装置的多个层，可以对沉积物质进行沉积。即，从沉积源喷射沉积物质，从而使沉积物质通过掩模而沉积到基板。此时，在掩模与基板之间的密接不良的情况下，存在无法将沉积物质顺畅地沉积到基板的问题。4.前述的
背景技术：
：是发明人为了导出本发明而保有的技术信息或者在本发明的导出过程中习得的技术信息，并不一定是在本发明的申请前被一般公众所公知的公知技术。技术实现要素：5.本发明的实施例的目的在于，提供一种将掩模与基板均匀且良好地密接的显示装置的制造装置和显示装置的制造方法。6.但是，这种课题是例示，本发明想要解决的课题并不限于此。7.本发明的一实施例公开一种显示装置的制造装置，包括：腔体；掩模组装体，收纳在所述腔体的内部，配置在显示基板的第一侧；沉积源，被配置成与所述掩模组装体相向，供给通过所述掩模组装体的沉积物质；以及磁力部，具备在与所述掩模组装体平行的第一平面上沿着第一方向延伸的多个磁铁，配置在所述显示基板的作为所述第一侧的相反侧的第二侧，所述磁力部在所述第一平面上沿着与所述第一方向交叉的方向往返移动。8.在本实施例中，可以是，所述磁力部反复进行从静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的一方向移动之后再次返回所述静止位置的第一移动。9.在本实施例中，可以是，在进行所述第一移动时，所述磁力部从所述静止位置开始在所述一方向上移动的距离小于所述多个磁铁之中相邻的两个磁铁之间的距离。10.在本实施例中，可以是，在进行所述第一移动时，所述磁力部从所述静止位置开始在所述一方向上移动的距离是所述多个磁铁之中相邻的两个磁铁之间的距离的倍数。11.在本实施例中，可以是，所述磁力部在与所述第一方向呈直角的方向上往返移动。12.在本实施例中，可以是，所述磁力部在与所述第一方向形成锐角的方向上往返移动。13.在本实施例中，可以是，所述磁力部反复进行第一移动和第二移动，在所述第一移动中从静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的一方向移动之后再次返回所述静止位置，在所述第二移动中从所述静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的与所述一方向相反的方向移动之后再次返回所述静止位置。14.在本实施例中，可以是，所述磁力部还包括：支承板，收纳所述多个磁铁且能够进行移动，所述显示装置的制造装置还包括：驱动部，使所述支承板在与所述第一方向交叉的所述方向上往返移动。15.在本实施例中，可以是，所述多个磁铁在与所述第一方向交叉的第二方向上被间隔开，在所述多个磁铁中，朝向所述掩模组装体的一侧的极性为n极的磁铁和朝向所述掩模组装体的所述一侧的极性为s极的磁铁被交替地配置。16.在本实施例中，可以是，用正弦(sin)曲线表示所述磁力部的与所述第二方向相关的磁力。17.在本实施例中，可以是，所述磁力部在与将所述多个磁铁间隔开来排列的所述第二方向相同的方向上往返移动。18.在本实施例中，可以是，所述掩模组装体包括在所述第二方向上延伸的多个掩模片，所述磁力部在与所述多个掩模片分别延伸的所述第二方向相同的方向上往返移动。19.本发明的其他实施例公开一种显示装置的制造方法，包括：在腔体的内部将显示基板配置成在所述显示基板的第一侧与掩模组装体相向的步骤；在所述显示基板的作为所述第一侧的相反侧的第二侧配置磁力部的步骤，所述磁力部具备在与所述掩模组装体平行的第一平面上沿着第一方向延伸的多个磁铁；通过所述磁力部向所述掩模组装体施加磁力使得所述掩模组装体与所述显示基板密接的步骤；以及使所述磁力部在所述第一平面上沿着与所述第一方向交叉的方向往返移动的步骤。20.在本实施例中，可以是，所述磁力部反复进行从静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的一方向移动之后再次返回所述静止位置的第一移动。21.在本实施例中，可以是，在进行所述第一移动时，所述磁力部从所述静止位置开始在所述一方向上移动的距离小于所述多个磁铁之中相邻的两个磁铁之间的距离。22.在本实施例中，可以是，在进行所述第一移动时，所述磁力部从所述静止位置开始在所述一方向上移动的距离是所述多个磁铁之中相邻的两个磁铁之间的距离的倍数。23.在本实施例中，可以是，所述磁力部在与所述第一方向呈直角的方向上往返移动。24.在本实施例中，可以是，所述磁力部在与所述第一方向形成锐角的方向上往返移动。25.在本实施例中，可以是，所述磁力部反复进行第一移动和第二移动，在所述第一移动中从静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的一方向移动之后再次返回所述静止位置，在所述第二移动中从所述静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的与所述一方向相反的方向移动之后再次返回所述静止位置。26.在本实施例中，可以是，由所述磁力部向所述掩模组装体的一地点施加的磁力可变。27.通过以下的用于实施发明的具体的内容、权利要求书以及附图，前述以外的其他侧面、特征以及优点可以变得明确。28.(发明效果)29.根据本发明的实施例，使掩模与基板均匀且良好地密接，从而可以防止阴影引起的沉积不良。此外，由此可以防止在显示装置中产生的污渍不良。30.本发明的效果并不限于以上所提及的效果，通过权利要求书的记载，本领域技术人员应当能够明确理解未提及的其他效果。附图说明31.图1是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。32.图2是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。33.图3是放大图2的iii区域来表示的显示装置的制造装置的剖视图。34.图4是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。35.图5是放大图4的v区域来表示的显示装置的制造装置的剖视图。36.图6是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。37.图7是表示本发明的其他实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。38.图8是放大图7的viii区域来表示的显示装置的制造装置的剖视图。39.图9是表示本发明的其他实施例涉及的显示装置的制造装置的平面图。40.图10是示意性表示通过本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置制造出的显示装置的平面图。41.图11是示意性表示利用本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置制造出的显示装置的剖视图，对应于沿着图10的ii-ii′线截取的显示装置的截面。42.符号说明：43.1：显示装置；2：显示装置的制造装置；10：腔体；20：第一支承部；30：第二支承部；40：掩模组装体；50：沉积源；60：加压部；70：视觉部；80：压力调节部；400：磁力部；410：磁铁；420：支承板。具体实施方式44.本发明可以具有各种变换以及各种实施例，在附图中例示特定实施例，并在此进行详细说明。参照与附图一起详细后述的实施例，本发明的效果、特征以及达成这些效果和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以各种形态实现本发明。45.以下，参照附图详细说明本发明的实施例，在参照附图进行说明时，对于相同或对应的构成元件赋予相同的符号，并省略对其的重复说明。46.在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是限定性用语，是为了将一个构成元件区别于其他构成元件而使用。47.在以下的实施例中，单数的表述在文中没有明确相反意思时包括多个的表述。48.在以下的实施例中，包括或者具有等用语应理解为是指代说明书上记载的特征或构成元件的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或构成元件的附加可能性。49.在以下的实施例中，膜、区域、构成元件等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他膜、区域、构成元件等的情况。50.在附图中，为了便于说明，构成元件其大小可能会有所放大或缩小。例如，图示的各构成的大小以及厚度是为了便于说明而任意示出的，本发明并不一定限于图示的情况。51.在以下的实施例中，x轴、y轴和z轴并不限于直角坐标系上的三轴，可以解释为包括其的更宽泛的意义。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此正交，但是也可以指代彼此不正交的彼此不同的方向。52.在某一实施例可以以不同方式实现的情况下，特定的工序顺序也可以与所说明的顺序不同地被执行。例如，连续说明的两个工序实质上可以同时被执行，也可以以与所说明的顺序相反的顺序被执行。53.图1是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。54.显示装置的制造装置2可以包括腔体10、第一支承部20、第二支承部30、掩模组装体40、沉积源50、加压部60、磁力部400、视觉部70和压力调节部80。55.腔体10可以在内部形成空间，可以收纳显示基板ds和掩模组装体40。此时，腔体10的一部分可以形成有开口，在腔体10的开口的部分可以设置闸阀11。在该情况下，通过闸阀11的工作，腔体10的开口的部分可以被开放或封闭。56.此时，显示基板ds可以表示在后述的基板100(参照图11)沉积了一个以上的有机层、无机层和金属层之中的至少一个层的正在处于显示装置制造中的显示基板ds。或者，显示基板ds可以是还未沉积有机层、无机层和金属层之中的任何层的基板100。57.第一支承部20可以支承显示基板ds。此时，第一支承部20可以是固定在腔体10的内部的板形态。作为其他实施例，第一支承部20也可以是安置显示基板ds且能够在腔体10的内部进行线性运动的穿梭机构形态。作为又一实施例，第一支承部20也可以固定在腔体10中或者可以包括配置在腔体10中的静电卡盘或粘接卡盘以便能够在腔体10的内部移动。58.第二支承部30可以支承掩模组装体40。此时，第二支承部30可以配置在腔体10的内部。第二支承部30可以细微地调整掩模组装体40的位置。此时，第二支承部30可以具备单独的驱动部或对齐单元等以便能够使掩模组装体40在彼此不同的方向上移动。59.作为其他实施例，第二支承部30也可以是穿梭机构形态。在该情况下，第二支承部30可以安置掩模组装体40且移送掩模组装体40。例如，第二支承部30可以移动至腔体10的外部而安置掩模组装体40之后从腔体10的外部进入腔体10的内部。60.如上所述的情况下，第一支承部20和第二支承部30也可以形成为一体。在该情况下，第一支承部20和第二支承部30可以包括可移动的穿梭机构。此时，第一支承部20和第二支承部30也可以包括以在掩模组装体40上安置显示基板ds的状态固定掩模组装体40和显示基板ds的结构，使显示基板ds和掩模组装体40同时进行线性运动。61.但是，以下为了便于说明，以第一支承部20和第二支承部30是彼此分开形成而配置在彼此不同的位置处的形态且第一支承部20和第二支承部30是配置在腔体10的内部的形态的情况为中心进行详细说明。62.沉积源50可以被配置成与掩模组装体40对置。此时，可以在沉积源50中收纳有沉积物质，通过对沉积物质加热来使沉积物质蒸发或升华。沉积源50也可以被配置成固定在腔体10的内部或者在腔体10的内部被配置成能够沿着一方向进行线性运动。63.掩模组装体40可以配置在腔体10的内部。此时，掩模组装体40可以包括掩模框体41和掩模片42。64.掩模框体41可以连接多个框体而形成，中央部分可以被贯通而形成开口。此时，掩模框体41的内部可以形成为格子形态。65.掩模片42可以被设置为拉伸到掩模框体41的状态。掩模框体41的中央的开口可以被掩模片42覆盖。作为一实施例，掩模片42可以被设置为一个以上，在掩模片42被设置为两个以上的情况下，多个掩模片42可以在掩模框体41上被配置成彼此并排。例如，多个掩模片42可以在一方向(例如，图1的y方向)上被并排排列。此时，各个掩模片42可以是在与所述一方向交叉的方向(例如，图1的x方向)上延伸得长的形状。掩模片42的两端部例如可以通过焊接方式被固定于掩模框体41。66.掩模片42可以包括一个以上的图案孔。图案孔可以是形成为能够使沉积物质通过掩模片42的贯通孔。通过了掩模片42的沉积物质可以沉积于基板100。67.磁力部400可以在腔体10的内部被配置成与显示基板ds和/或掩模组装体40对置。此时，磁力部400可以对掩模组装体40施加磁力来朝向显示基板ds侧对掩模组装体40施力。尤其是，磁力部400不仅可以防止掩模片42的下垂，还可以使掩模片42与显示基板ds相邻。此外，磁力部400可以将掩模片42与显示基板ds之间的间隔维持均匀。对此将后述。68.加压部60可以配置在显示基板ds的上部(即，与掩模片42相反的一侧)。加压部60可以朝向掩模片42对显示基板ds加压来使显示基板ds与掩模片42密接。在一实施例中，加压部60可以包括具有重量的板，从而通过板的载荷来对显示基板ds加压。69.视觉部70可以配置在腔体10中，拍摄显示基板ds和掩模组装体40的位置。此时，视觉部70可以包括拍摄显示基板ds和掩模组装体40的相机。可以根据由视觉部70拍摄的图像来掌握显示基板ds和掩模组装体40的位置，确认掩模组装体40的变形。此外，可以根据所述图像，在第一支承部20中细微地调整显示基板ds的位置或者在第二支承部30中细微地调整掩模组装体40的位置。但是，以下，以在第二支承部30中细微地调整掩模组装体40的位置来对齐显示基板100和掩模组装体40的位置的情况为中心进行详细说明。70.压力调节部80可以与腔体10连接而调节腔体10的内部的压力。例如，压力调节部80可以将腔体10的内部的压力调节成与大气压相同或类似。此外，压力调节部80可以将腔体10的内部的压力调节成与真空状态相同或类似。71.压力调节部80可以包括与腔体10连接的连接配管81以及设置在连接配管81中的泵82。此时，可以根据泵82的工作使外气通过连接配管81流入或者将腔体10的内部的气体通过连接配管81引导至外部。72.另一方面，说明利用如上所述的显示装置的制造装置2制造显示装置(未图示)的方法时，首先可以准备显示基板ds。73.压力调节部80可以将腔体10的内部维持为与大气压相同或类似的状态，可以使闸阀11工作来使腔体10的开口的部分开放。74.然后，可以将显示基板ds从腔体10的外部引入内部。此时，显示基板ds可以通过各种方式被引入腔体10中。例如，显示基板ds可以通过配置在腔体10的外部的机械臂等而从腔体10的外部被引入到腔体10的内部。作为其他实施例，在第一支承部20形成为穿梭机构形态的情况下，也可以在第一支承部20从腔体10的内部被送出至腔体10的外部之后，通过配置在腔体10的外部的单独的机械臂等来将显示基板ds安置于第一支承部20，将第一支承部20从腔体10的外部引入到腔体10的内部。75.掩模组装体40可以如上所述那样处于配置在腔体10的内部的状态。作为其他实施例，掩模组装体40也可以与显示基板ds相同或类似地从腔体10的外部被引入到腔体10的内部。76.若显示基板ds被引入到腔体10的内部，则显示基板ds可以被安置于第一支承部20。此时，视觉部70可以拍摄显示基板ds和掩模组装体40的位置。可以根据由视觉部70拍摄的图像来掌握显示基板ds和掩模组装体40的位置。此时，显示装置的制造装置2可以具备单独的控制部(未图示)而掌握显示基板ds和掩模组装体40的位置。77.若掌握了显示基板ds和掩模组装体40的位置，则第二支承部30可以细微地调整掩模组装体40的位置。78.然后，沉积源50可以工作，将沉积物质供给至掩模组装体40侧，通过了掩模片42的多个图案孔的沉积物质可以沉积于显示基板ds。此时，沉积源50可以相对于显示基板ds和掩模组装体40平行地移动，或者显示基板ds和掩模组装体40可以相对于沉积源50平行地移动。即，沉积源50可以相对于显示基板ds和掩模组装体40进行移动。此时，泵82可以吸入腔体10的内部的气体来将其排出到外部，从而可以将腔体10的内部的压力维持为与真空相同或类似的形态。79.此时，由沉积源50供给的沉积物质可以是高温。由此，掩模组装体40(尤其是掩模片42)可能会产生热变形、因载重而下垂等问题。在该情况下，磁力部400的磁力可以对掩模片42施加磁力来防止掩模片42的下垂且使其与显示基板ds均匀地密接。80.如上所述，由沉积源50供给的沉积物质可以通过掩模组装体40而沉积于显示基板ds，由此形成在后述的显示装置中层叠的多个层(例如，有机层、金属层等)。81.图2是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。在图2中为了便于说明而省略了第一支承部20和第二支承部30，以掩模组装体40和磁力部400为中心进行了图示。82.参照图2，显示基板ds可以被配置成在腔体10(参照图1)的内部被第一支承部(20，参照图1)支承。在与显示基板ds的一面垂直的方向的第一侧(例如，图2的-z方向侧)可以配置掩模组装体40。具体而言，可以配置在中央具备开口的掩模框体41以及覆盖所述开口的掩模片42。显示基板ds和掩模片42可以相邻地配置。83.作为一实施例，掩模片42可以被设置为一个以上，在掩模片42被设置为两个以上的情况下，掩模片42可以以彼此并排的方式配置在掩模框体41上。例如，掩模片42可以沿着一方向(例如，图2的y方向)并排排列。此时，各个掩模片42可以是在与所述一方向交叉的方向(例如，图2的x方向)上延伸得长的形状。掩模片42的两端部例如可以通过焊接的方式被固定到掩模框体41。84.磁力部400可以配置在显示基板ds的作为与第一侧(例如，图2的-z方向侧)相反的一侧的第二侧(例如，图2的+z方向侧)。磁力部400可以施加磁力使得掩模片42朝向显示基板ds。85.通常，掩模片42可能会因其自身的载重而在重力方向上产生下垂。这可能会在显示装置中引发沉积不良。具体而言，因掩模片42的下垂，在一部分区域中，掩模片42与显示基板ds可能无法密接，从而可能会产生沉积物质仅沉积一部分的阴影。在配置磁力部400的情况下，可以防止这种沉积不良。86.在一实施例中，磁力部400可以包括磁铁410以及支承板420。87.磁铁410可以被设置为多个。例如，如图2所示，磁铁410可以被设置为九个，但是并不限于此，磁铁410的数量可以根据显示基板ds以及与其对应的掩模片42的大小而可变。以下，为了便于说明，以如图2所示那样磁铁410被设置为九个的情况为中心进行说明。88.多个磁铁410可以被收纳在支承板420中。即，支承板420可以是支撑多个磁铁410的板。在一实施例中，被支承板420支撑的多个磁铁410可以配置在与掩模片42实质上平行的平面上。89.另一方面，各个磁铁410可以在第一方向(例如，图2的y方向)上延伸得长。此时，多个磁铁410可以在与第一方向交叉的第二方向(例如，图2的x方向)上间隔开来排列。即，多个磁铁410可以在与磁铁410的长度方向(图2的y方向)垂直的方向(图2的x方向)上间隔开来排列。此外，作为一实施例，多个磁铁410之间隔开的距离s(参照图3)可以相同。90.磁铁410延伸的方向和掩模片42延伸的方向可以彼此交叉。此外，排列多个磁铁410的方向和排列多个掩模片42的方向可以彼此交叉。在一实施例中，磁铁410延伸的第一方向和排列多个掩模片42的方向可以相同，排列多个磁铁410的第二方向和掩模片42延伸的方向可以相同。91.此外，在一实施例中，多个磁铁410可以沿着第二方向间隔开来配置，朝向掩模片42的一侧的极性为n极的磁铁410和朝向掩模片42的一侧的极性为s极的磁铁410被交替地配置。92.由此，向多个掩模片42之中的一个施加的磁力可以如图2所示那样沿着掩模片42的长度方向(图2的x方向)遵循正弦曲线(或余弦曲线)。93.图3是放大表示图2的iii区域的显示装置的制造装置的剖视图。此外，一同示出了作用于与该iii区域对应的掩模片42的磁力。94.参照图3，在该iii区域中，多个磁铁410可以包括第一磁铁411、第二磁铁412以及第三磁铁413。第二磁铁412可以与第一磁铁411相邻地配置在一侧(例如，图3的+x方向)，第三磁铁413可以与第一磁铁411相邻地配置在与第二磁铁412相反的一侧(例如，图3的-x方向)。95.可以向掩模片42作用如前述那样沿着掩模片42的长度方向遵循正弦曲线(或余弦曲线)的磁力。96.具体而言，在掩模片42的长度方向上，最大磁力可以作用于与磁铁410对应的地点(即，位于第一磁铁411的下部的第一地点p1、位于第二磁铁412的下部的第二地点p2以及位于第三磁铁413的下部的第三地点p3)。此外，在掩模片42的长度方向上，最小磁力可以作用于不与磁铁410对应的地点(即，第一地点p1与第二地点p2的中间地点以及第一地点p1与第三地点p3的中间地点)。97.由此，作用于掩模片42的长度方向的磁力可以表现出以第一磁铁411与第二磁铁412之间的距离s(换言之，第一地点p1与第二地点p2之间的距离s)为周期的正弦曲线。98.图4是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。99.参照图4，磁力部400可以在与磁铁410延伸的第一方向(例如，图4的y方向)交叉的第三方向上往返移动。为此，未图示的驱动部可以与支承板420连接。驱动部可以使支承板420往返移动来使其反复进行周期运动。驱动部例如可以包括电机或缸体。100.可以理解为驱动部使支承板420往返移动，从而使与支承板420连接而被其支承的多个磁铁410也往返移动。101.在一实施例中，磁力部400可以在与磁铁410延伸的第一方向垂直的方向上往返移动。在该情况下，可以表示磁力部400在将多个磁铁410间隔开来排列的第二方向(例如，图4的x方向)上往返移动。换言之，可以表示磁力部400往返移动的第三方向和将多个磁铁410间隔开来排列的第二方向相同。102.图5是放大表示图4的v区域的显示装置的制造装置的剖视图。此外，一同示出了作用于与该v区域对应的掩模片42的磁力。103.参照图5，多个磁铁410可以在第三方向(例如，图5的+x方向)上往返移动。具体而言，多个磁铁410可以反复从图3所示的静止位置开始在第三方向上移动之后再次返回静止位置的第一移动m1。或者，在其他实施例中，多个磁铁410可以反复在作为与第三方向相反的方向的第四方向(例如，图5的-x方向)上移动之后再次返回静止位置的第二移动(未图示)。第一移动m1和第二移动除了方向不同以外类似，因此以下以第一移动m1为中心进行说明。104.随着多个磁铁410进行第一移动m1，作用于掩模片42的磁力可以持续可变。具体而言，在静止位置处磁力具有最大值的第一地点p1、第二地点p2和第三地点p3不是持续具有磁力的最大值，而是可以存在具有比最大值小的磁力的瞬间。由此，第一地点p1、第二地点p2和第三地点p3处的平均磁力可以小于磁力的最大值。在此，平均磁力可以表示在第一移动m1期间作用于一地点的磁力的平均值。105.与此类似地，在静止位置处磁力具有最小值的第一地点p1与第二地点p2的中间地点以及第一地点p1与第三地点p3的中间地点并不是持续具有磁力的最小值，而是存在具有比最小值大的磁力的瞬间。由此，在所述的中间地点处，第一移动m1期间的平均磁力可以大于磁力的最小值。106.作为一例示，说明了在静止位置处具有磁力的最大值和最小值的地点，但是对于掩模片42的所有地点而言，磁力可以以同一方式可变。即，作用于掩模片42的各地点的平均磁力可以是与磁铁410从各地点开始移动的距离d对应的正弦函数的积分值除以时间的值。由此，对于掩模片42的所有地点而言，平均磁力并非接近作用于静止位置的磁力而是接近于作为磁力的最大值与最小值的中间的中间值。107.这与磁力部400(具体而言，多个磁铁410)在静止位置处持续向掩模片42施加磁力的情况相比，可以在不改变作用于掩模片42的磁力的总量的同时使作用于掩模片42的各地点的平均磁力接近于中间值。此外，磁力的最大值和最小值可以不集中在掩模片42的特定地点。108.通常，在磁力部400固定于静止位置的情况下，在最小磁力持续作用的掩模片42的地点(例如，第一地点p1与第二地点p2的中间地点以及第一地点p1与第三地点p3的中间地点)处，掩模片42与显示基板ds之间的密接可能会不良好。由此，在所述地点处，沉积物质可能无法良好地沉积到显示基板ds，从而在显示装置中可能会产生条纹污渍(linemura)。109.如前所述，本发明涉及的显示装置的制造装置2通过磁力部400的往返移动来向掩模片42施加相对均匀的磁力，由此在显示装置中可以防止如条纹污渍这样的沉积不良。110.在一实施例中，在进行第一移动m1时，磁力部400在第三方向上移动的距离d可以小于多个磁铁410之中相邻的两个磁铁410之间的距离s。例如，可以小于第一磁铁411与第二磁铁412之间的距离s。111.图6是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。112.参照图6，在一实施例中，在进行第一移动m1时，磁力部400在第三方向上移动的距离d可以是多个磁铁410之中相邻的两个磁铁410之间的距离s。例如，在进行第一移动m1时，磁力部400在第三方向上移动的距离d可以与第一磁铁411和第二磁铁412之间的距离s相同。此外，磁力部400在第三方向上移动距离d且为了再次返回静止位置也移动距离d，因此以下以磁力部400在第三方向上的移动为中心进行说明。113.在该情况下，多个磁铁410分别移动了相当于正弦函数的周期的第一磁铁411与第二磁铁412之间的距离s。即，作用于掩模片42的所有地点的第一移动m1期间的平均磁力可以是磁力的中间值，都是相同的值。由此，可以向掩模片42的所有地点施加相同的平均磁力，向掩模片42与显示基板ds之间的所有地点可以提供均匀的密接程度。114.此外，在其他实施例中，在进行第一移动m1时，磁力部400在第三方向上移动的距离d可以是多个磁铁410之中相邻的两个磁铁410之间的距离s的倍数。例如，可以是第一磁铁411与第二磁铁412之间的距离s的两倍。这与前述的磁力部400移动与第一磁铁411和第二磁铁412之间的距离s相同的距离的情况同样地，相当于多个磁铁410分别移动了与正弦函数的周期相当的第一磁铁411与第二磁铁412之间的距离s的倍数。因此，作用于掩模片42的所有地点的第一移动m1期间的平均磁力可以是磁力的中间值，都是相同的值，可以向掩模片42与显示基板ds之间的所有地点提供均匀的密接程度。115.图7是表示本发明的其他实施例涉及的显示装置的制造装置的剖视图。以下，以与前述的实施例的差异点为中心进行说明。116.参照图7，磁力部400可以在与磁铁410延伸的第一方向(例如，图7的y方向)交叉的第三方向(例如，图7的+x方向)上往返移动之后，在与第三方向相反的第四方向(例如，图7的-x方向)上往返移动。磁力部400反复第三方向上的往返移动和第四方向上的往返移动，基于此的磁力部400的移动可以表示以静止位置为中心在第三方向和第四方向上振动。117.图8是放大表示图7的viii区域的显示装置的制造装置的剖视图。118.参照图8，多个磁铁410可以在第三方向(例如，图8的+x方向)上往返移动。具体而言，多个磁铁410可以进行从图8所示的静止位置开始在第三方向上移动之后再次返回静止位置的第一移动m1。第一移动m1之后，多个磁铁410可以从图8所示的静止位置开始在与第三方向相反的第四方向(例如，图8的-x方向)上往返移动。具体而言，多个磁铁410可以进行从图8所示的静止位置开始在第四方向上移动之后再次返回静止位置的第二移动m2。多个磁铁410可以反复如上所述的第一移动m1和第二移动m2。即，第一磁铁411的情况下，可以反复从第一地点p1开始朝向第二地点p2移动之后再次返回第一地点p1且再次朝向第三地点p3移动之后再次返回第一地点p1的移动。119.由此，与前述的情况类似地，作用于掩模片42的磁力可以持续可变。这与磁力部400(具体而言，多个磁铁410)在静止位置处持续向掩模片42施加磁力的情况相比，可以在不改变作用于掩模片42的磁力的总量的同时使作用于掩模片42的各地点的平均磁力接近中间值。此外，磁力的最大值和最小值不会集中到掩模片42的特定地点。120.本发明涉及的显示装置的制造装置2可以如前述那样通过磁力部400的往返移动向掩模片42施加相对均匀的磁力，由此可以在显示装置中防止如条纹污渍这样的沉积不良。121.在一实施例中，在进行第一移动m1和第二移动m2时，磁力部400在第三方向和第四方向上移动的距离d可以相同。此外，在进行第一移动m1和第二移动m2时，磁力部400在第三方向和第四方向上移动的距离d可以小于多个磁铁410之中相邻的两个磁铁410之间的距离s。例如，可以小于第一磁铁411与第二磁铁412之间的距离s。122.此外，在其他实施例中，在进行第一移动m1和第二移动m2时，磁力部400在第三方向和第四方向上移动的距离d可以是多个磁铁410之中相邻的两个磁铁410之间的距离s或者该距离s的倍数。123.由此，如前所述，相当于多个磁铁410分别移动了与正弦函数的周期相当的第一磁铁411与第二磁铁412之间的距离s，作用于掩模片42的所有地点的第一移动m1期间的平均磁力可以是磁力的中间值，都是相同的值。由此，可以向掩模片42的所有地点施加相同的平均磁力，可以向掩模片42与显示基板ds之间的所有地点提供均匀的密接程度。124.图9是表示本发明的其他实施例涉及的显示装置的制造装置的平面图。图9例如可以是在图4中沿着-z方向观察显示装置的制造装置的图，为了便于说明，省略了支承板420，仅示出了多个磁铁410的一部分。125.参照图9，磁力部400(参照图4)可以在与磁铁410延伸的第一方向(例如，图9的y方向)交叉的第三方向上往返移动。126.此时，磁铁410往返移动的第三方向不同于在前述的实施例中与第一方向垂直的情况，在一实施例中其可以相对于第一方向形成倾斜。即，第三方向可以与第一方向形成锐角θ。此外，也可以说第三方向与排列多个磁铁410的第二方向形成锐角。由此，磁力部400(具体而言，多个磁铁410)可以在与磁铁410延伸的第一方向形成锐角θ的第三方向或与排列多个磁铁410的第二方向形成锐角的第三方向上往返移动。127.此时，与前述类似地，可以理解为多个磁铁410仅反复第三方向上的第一移动m1(参照图5)、或者在第三方向上的第一移动m1之后反复与第三方向相反的第四方向上的第二移动m2(参照图8)。128.此外，此时，对于多个磁铁410移动的距离而言，与第一方向垂直的方向上的正投影(orthogonalprojection)(即，d)可以如前所述那样小于相邻的两个磁铁410之间的距离s、或与该距离s相同、或是该距离s的倍数。129.由此，显示装置的制造装置2通过磁力部400的往返移动向掩模片42施加相对均匀的磁力，由此可以在显示装置中防止如条纹污渍这样的沉积不良。130.图10是示意性表示由本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置制造出的显示装置的平面图。131.参照图10，根据本发明的一实施例制造出的显示装置1可以包括显示区域da以及位于显示区域da的外侧的周边区域pa。显示装置1可以通过在显示区域da中二维排列的多个像素px的阵列来提供图像。132.周边区域pa是不提供图像的区域，可以包围显示区域da的全部或部分。在周边区域pa中可以配置用于向与各个像素px对应的像素电路提供电信号或电源的驱动器等。在周边区域pa中可以配置作为能够与电子元件或印刷电路基板等电连接的区域的焊盘。133.以下，说明显示装置1包括有机发光二极管(organiclightemittingdiode)oled(参照图11)作为发光元件(lightemittingelement)的情况，但是本发明的显示装置1并不限于此。作为其他实施例，显示装置1可以是包括无机发光二极管的发光显示装置(即，无机发光显示装置(inorganiclightemittingdisplay))。无机发光二极管可以包括含有基于无机物半导体的材料的pn结二极管。若向pn结二极管在正向上施加电压，则可以注入空穴和电子，将通过该空穴与电子的复合产生的能量变换为光能，从而射出预定颜色的光。前述的无机发光二极管可以具有数微米～数百微米的宽度，在一些实施例中，无机发光二极管可以被称为微型led。作为又一实施例，显示装置1可以是量子点发光显示装置(quantumdotlightemittingdisplay)。134.另一方面，显示装置1不仅可以用作如移动电话(mobilephone)、智能电话(smartphone)、平板pc(tabletpersonalcomputer)、移动通信终端机、电子手册、电子书、pmp(portablemultimediaplayer)、导航仪、umpc(ultramobilepc)等这样的便携式电子设备的显示屏幕，还可以用作电视机、笔记本、监视器、广告板、物联网(internetofthings，iot)设备等各种产品的显示屏幕。此外，一实施例涉及的显示装置1可以利用在智能手表(smartwatch)、手表电话(watchphone)、如眼镜型显示器和头戴式显示器(headmounteddisplay，hmd)这样的可穿戴装置(wearabledevice)中。此外，一实施例涉及的显示装置1可以用作汽车的仪表盘、汽车的仪表中央盒(centerfascia)或配置在仪表盘的cid(centerinformationdisplay，中央信息显示器)、代替汽车的后视镜的室内镜显示器(roommirrordisplay)、作为汽车的后座用娱乐而配置在前座的背面的显示屏幕。135.图11是示意性表示利用本发明的一实施例涉及的显示装置的制造装置制造出的显示装置的剖视图，可以对应于沿着图10的ii-ii′线截取的显示装置的截面。136.参照图11，显示装置1可以包括基板100、像素电路层pcl、显示元件层del以及封装层300的层叠结构。前述的显示基板ds(参照图1)可以是显示装置1的制造过程中(例如，在基板100层叠了像素电路层pcl、显示元件层del以及封装层300之中的至少一个)的基板。137.基板100可以是包括含有高分子树脂的基底层以及无机层的多层结构。例如，基板100可以包括含有高分子树脂的基底层和作为无机绝缘层的阻挡层。例如，基板100可以包括依次层叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103以及第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103可以包括聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚醚砜(pes，polyethersulfone)、聚芳酯(polyarylate)、聚醚酰亚胺(pei，polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen，polyethyelenenenapthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet，polyethyeleneterepthalate)、聚苯硫醚(polyphenylenesulfide，pps)、聚碳酸酯(pc)、三醋酸纤维素(tac)和/或醋酸丙酸纤维素(celluloseacetatepropionate，cap)等。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括如硅氧化物、硅氮氧化物和/或硅氮化物这样的无机绝缘物。基板100可以具有柔性特性。138.在基板100上配置像素电路层pcl。图11示出了像素电路层pcl包括薄膜晶体管tft以及配置在薄膜晶体管tft的构成元件的下方和/或上方的缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层114、第一平坦化绝缘层115和第二平坦化绝缘层116。139.缓冲层111可以减少或阻断来自基板100的下部的异物、湿气或外气的渗透，可以在基板100上提供平坦面。缓冲层111可以包括如硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物这样的无机绝缘物，由包括前述的物质的单层或多层的结构形成。140.缓冲层111上的薄膜晶体管tft可以包括半导体层act，半导体层act可以包括多晶硅。或者，半导体层act可以包括非晶(amorphous)硅、包括氧化物半导体、或包括有机半导体等。半导体层act可以包括沟道区域c以及分别配置在沟道区域c的两侧的漏极区域d和源极区域s。栅电极ge可以与沟道区域c重叠。141.栅电极ge可以包括低电阻金属物质。栅电极ge可以包括含有钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或单层形成。142.半导体层act与栅电极ge之间的第一栅极绝缘层112可以包括如硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)或锌氧化物(znox)等这样的无机绝缘物。锌氧化物(znox)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。143.第二栅极绝缘层113可以被设置成覆盖所述栅电极ge。第二栅极绝缘层113可以与所述第一栅极绝缘层112类似地包括如硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)或锌氧化物(znox)等这样的无机绝缘物。锌氧化物(znox)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。144.在第二栅极绝缘层113的上部可以配置储能电容器cst的上部电极cst2。上部电极cst2可以与其下方的栅电极ge重叠。此时，夹着第二栅极绝缘层113重叠的栅电极ge和上部电极cst2可以形成储能电容器cst。即，栅电极ge可以起到储能电容器cst的下部电极cst1的功能。145.如上所述，储能电容器cst和薄膜晶体管tft可以重叠地形成。在一些实施例中，储能电容器cst也可以形成为不与薄膜晶体管tft重叠。146.上部电极cst2可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，可以是前述的物质的单层或多层。147.层间绝缘层114可以覆盖上部电极cst2。层间绝缘层114可以包括硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sion)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)或锌氧化物(znox)等。锌氧化物(znox)可以是氧化锌(zno)和/或过氧化锌(zno2)。层间绝缘层114可以是包括前述的无机绝缘物的单层或多层。148.漏电极de和源电极se分别可以位于层间绝缘层114上。漏电极de和源电极se分别可以通过形成在其下部的绝缘层中的接触孔而与漏极区域d及源极区域s连接。漏电极de和源电极se可以包括传导性出色的材料。漏电极de和源电极se可以包括含有钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或单层形成。作为一实施例，漏电极de和源电极se可以包括ti/al/ti的多层结构。149.第一平坦化绝缘层115可以覆盖漏电极de和源电极se。第一平坦化绝缘层115可以包括如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)或聚苯乙烯(polystyrene，ps)这样的一般通用高分子、如具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物这样的有机绝缘物。150.第二平坦化绝缘层116可以配置在第一平坦化绝缘层115上。第二平坦化绝缘层116可以包括与第一平坦化绝缘层115相同的物质，可以包括如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)或聚苯乙烯(polystyrene、ps)这样的一般通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子和它们的混合物这样的有机绝缘物。151.在前述结构的像素电路层pcl上可以配置显示元件层del。显示元件层del可以包括有机发光二极管oled作为显示元件(即，发光元件)，有机发光二极管oled可以包括像素电极210、中间层220和公共电极230的层叠结构。有机发光二极管oled例如可以射出红色、绿色或蓝色的光、或者射出红色、绿色、蓝色或白色的光。有机发光二极管oled可以通过发光区域射出光，可以将发光区域定义为像素px。152.有机发光二极管oled的像素电极210可以通过形成在第二平坦化绝缘层116和第一平坦化绝缘层115中的接触孔以及配置在第一平坦化绝缘层115上的接触金属cm而与薄膜晶体管tft电连接。153.像素电极210可以包括如铟锡氧化物(ito；indiumtinoxide)、铟锌氧化物(izo；indiumzincoxide)、锌氧化物(zno；zincoxide)、铟氧化物(in2o3：indiumoxide)、铟镓氧化物(igo；indiumgalliumoxide)或铝锌氧化物(azo；aluminumzincoxide)这样的导电性氧化物。作为其他实施例，像素电极210可以包括含有银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的化合物的反射膜。作为其他实施例，像素电极210还可以在前述的反射膜的上方/下方包括由ito、izo、zno或in2o3形成的膜。154.在像素电极210上配置具有使像素电极210的中央部露出的开口117op的像素定义膜117。像素定义膜117可以包括有机绝缘物和/或无机绝缘物。开口117op可以定义从有机发光二极管oled射出光的发光区域。例如，开口117op的大小/宽度可以相当于发光区域的大小/宽度。因此，像素px的大小和/或宽度可以依赖于相应的像素定义膜117的开口117op的大小和/或宽度。155.中间层220可以包括与像素电极210对应地形成的发光层222。发光层222可以包括射出预定颜色的光的高分子或低分子的有机物。或者，发光层222可以包括无机发光物质或包括量子点。156.作为一实施例，中间层220可以包括分别配置在发光层222的下方和上方的第一功能层221和第二功能层223。第一功能层221例如可以包括空穴传输层(htl：holetransportlayer)、或者包括空穴传输层和空穴注入层(hil：holeinjectionlayer)。第二功能层223可以包括电子传输层(etl：electrontransportlayer)和/或电子注入层(eil：electroninjectionlayer)作为配置在发光层222上的构成元件。第一功能层221和/或第二功能层223可以与后述的公共电极230同样地是形成为覆盖整个基板100的公共层。157.公共电极230可以配置在像素电极210上，与像素电极210重叠。公共电极230可以由功函数低的导电性物质形成。例如，公共电极230可以包括含有银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，公共电极230还可以在包括前述的物质的(半)透明层上包括如ito、izo、zno或in2o3这样的层。公共电极230可以形成为一体以便覆盖整个基板100。158.封装层300可以配置在显示元件层del上，覆盖显示元件层del。封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，作为一实施例，图11示出了封装层300包括依次层叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330的情况。159.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锌氧化物、硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物之中的一种以上的无机物。有机封装层320可以包括聚合物(polymer)系的物质。聚合物系的材料可以包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺系树脂和聚乙烯系树脂等。作为一实施例，有机封装层320可以包括丙烯酸酯(acrylate)系树脂。有机封装层320可以使单体固化或者涂敷聚合物来形成。有机封装层320可以具有透明性。160.虽然未图示，但是在封装层300上可以配置触摸传感器层，在触摸传感器层上可以配置光学功能层。触摸传感器层可以获得与外部的输入(例如触摸事件)相关的坐标信息。光学功能层可以减小从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率，和/或，提高从显示装置1射出的光的色纯度。作为一实施例，光学功能层可以包括相位延迟器(retarder)和/或偏振器(polarizer)。相位延迟器可以是膜类型或液晶涂敷类型，可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜类型或液晶涂敷类型。膜类型可以包括延伸型合成树脂膜，液晶涂敷类型可以包括以预定的排列排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可以包括保护膜。161.在所述触摸传感器层和所述光学功能层之间可以配置粘合部件。所述粘合部件可以无限制地采用本领域中公知的材料。所述粘合部件可以是压敏性粘合剂(pressuresensitiveadhesive，psa)。162.如上所述，参照图示的实施例说明了本发明，但是这仅仅是例示。本领域技术人员应当能够充分理解可以由实施例实现各种变形以及等同的其他实施例。因此，应基于权利要求书来确定本发明的真正的技术保护范围。当前第1页12当前第1页12
技术特征：
1.一种显示装置的制造装置，包括：腔体；掩模组装体，收纳在所述腔体的内部，配置在显示基板的第一侧；沉积源，被配置成与所述掩模组装体相向，供给通过所述掩模组装体的沉积物质；以及磁力部，具备在与所述掩模组装体平行的第一平面上沿着第一方向延伸的多个磁铁，配置在所述显示基板的作为所述第一侧的相反侧的第二侧，所述磁力部在所述第一平面上沿着与所述第一方向交叉的方向往返移动。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置，其中，所述磁力部反复进行从静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的一方向移动之后再次返回所述静止位置的第一移动。3.根据权利要求2所述的显示装置的制造装置，其中，在进行所述第一移动时，所述磁力部从所述静止位置开始在所述一方向上移动的距离小于所述多个磁铁之中相邻的两个磁铁之间的距离。4.根据权利要求2所述的显示装置的制造装置，其中，在进行所述第一移动时，所述磁力部从所述静止位置开始在所述一方向上移动的距离是所述多个磁铁之中相邻的两个磁铁之间的距离的倍数。5.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置，其中，所述磁力部在与所述第一方向呈直角的方向上往返移动。6.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置，其中，所述磁力部在与所述第一方向形成锐角的方向上往返移动。7.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置，其中，所述磁力部反复进行第一移动和第二移动，在所述第一移动中从静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的一方向移动之后再次返回所述静止位置，在所述第二移动中从所述静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的与所述一方向相反的方向移动之后再次返回所述静止位置。8.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置，其中，所述磁力部还包括：支承板，收纳所述多个磁铁且能够进行移动，所述显示装置的制造装置还包括：驱动部，使所述支承板在与所述第一方向交叉的所述方向上往返移动。9.根据权利要求1所述的显示装置的制造装置，其中，所述多个磁铁在与所述第一方向交叉的第二方向上被间隔开，在所述多个磁铁中，朝向所述掩模组装体的一侧的极性为n极的磁铁和朝向所述掩模组装体的所述一侧的极性为s极的磁铁被交替地配置。10.根据权利要求9所述的显示装置的制造装置，其中，用正弦曲线表示所述磁力部的与所述第二方向相关的磁力。11.根据权利要求9所述的显示装置的制造装置，其中，所述磁力部在与将所述多个磁铁间隔开来排列的所述第二方向相同的方向上往返移动。12.根据权利要求9所述的显示装置的制造装置，其中，
所述掩模组装体包括在所述第二方向上延伸的多个掩模片，所述磁力部在与所述多个掩模片分别延伸的所述第二方向相同的方向上往返移动。13.一种显示装置的制造方法，包括：在腔体的内部将显示基板配置成在所述显示基板的第一侧与掩模组装体相向的步骤；在所述显示基板的作为所述第一侧的相反侧的第二侧配置磁力部的步骤，所述磁力部具备在与所述掩模组装体平行的第一平面上沿着第一方向延伸的多个磁铁；通过所述磁力部向所述掩模组装体施加磁力使得所述掩模组装体与所述显示基板密接的步骤；以及使所述磁力部在所述第一平面上沿着与所述第一方向交叉的方向往返移动的步骤。14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述磁力部反复进行从静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的一方向移动之后再次返回所述静止位置的第一移动。15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，在进行所述第一移动时，所述磁力部从所述静止位置开始在所述一方向上移动的距离小于所述多个磁铁之中相邻的两个磁铁之间的距离。16.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，在进行所述第一移动时，所述磁力部从所述静止位置开始在所述一方向上移动的距离是所述多个磁铁之中相邻的两个磁铁之间的距离的倍数。17.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述磁力部在与所述第一方向呈直角的方向上往返移动。18.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述磁力部在与所述第一方向形成锐角的方向上往返移动。19.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述磁力部反复进行第一移动和第二移动，在所述第一移动中从静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的一方向移动之后再次返回所述静止位置，在所述第二移动中从所述静止位置开始朝向与所述第一方向交叉的所述方向之中的与所述一方向相反的方向移动之后再次返回所述静止位置。20.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，由所述磁力部向所述掩模组装体的一地点施加的磁力可变。

技术总结
本发明的一实施例公开一种显示装置的制造装置和显示装置的制造方法。显示装置的制造装置包括：腔体；掩模组装体，收纳在所述腔体的内部，配置在显示基板的第一侧；沉积源，被配置成与所述掩模组装体相向，供给通过所述掩模组装体的沉积物质；以及磁力部，具备在与所述掩模组装体平行的第一平面上沿着第一方向延伸的多个磁铁，配置在所述显示基板的作为所述第一侧的相反侧的第二侧，所述磁力部在所述第一平面上沿着与所述第一方向交叉的方向往返移动。动。动。


技术研发人员：洪宰敏 琴智焕
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.02.06
技术公布日：2023/8/14