发光器件和包括发光器件的电子设备的制作方法

发光器件和包括发光器件的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2022年2月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2022-0019099的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开的一个或多个实施方案的方面涉及发光器件和包括发光器件的电子设备。


背景技术：

4.与相关领域的器件相比，发光器件为自发光器件，而自发光器件相对具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面优异或合适的特性。
5.这种发光器件可具有第一电极(或第二电极)在衬底上并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极(或第一电极)从第一电极(或第二电极)依次形成的结构。从第一电极(或第二电极)提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极(或第一电极)提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(诸如空穴和电子)在发射层中重新结合以生成光。


技术实现要素：

6.本公开的一个或多个实施方案的方面涉及与相关领域的器件相比具有改善的效率和寿命的器件。
7.附加的方面部分地将在随后的说明书中阐述，并且部分地将通过说明书而显而易见，或者可通过实践本公开的呈现的实施方案而知晓。
8.根据一个或多个实施方案，发光器件包括：
9.第一电极；
10.面对第一电极的第二电极；以及
11.在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层，
12.其中，电子注入层和电子传输层在发射层和第一电极之间，
13.电子注入层包括以下的氧化物：zn；ti；mg；或它们的一种或多种组合，
14.电子传输层包括氧化膦化合物，并且
15.第一电极为阴极。
16.根据一个或多个实施方案，
17.电子设备包括发光器件。
附图说明
18.结合附图，本公开的某些实施方案的以上和其他的方面和特征将通过随后的描述而更加显而易见，在附图中：
19.图1是根据实施方案的发光器件的示意性视图；
20.图2是显示根据实施方案的发光设备的剖视图；并且
21.图3显示了示出根据另一实施方案的发光设备的剖视图。
具体实施方式
22.现将更详细地参考其实例在附图中阐明的实施方案，其中，类似的附图标记始终是指类似的元件，并且可不提供其重复描述。在这点上，本公开的实施方案可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，仅通过参考附图来描述实施方案，以解释本公开的方面。如本文中利用，术语“和/或”包括相关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者(例如，同时)、a和c二者(例如，同时)、b和c二者(例如，同时)、a、b和c的所有、或其变体。
23.与现有技术中的现有器件结构相比，倒置型led可具有优异或合适的氧化稳定性，并且可在n型(或n-沟道)tft中驱动。
24.本公开的实施方案的方面涉及发光器件，发光器件包括：
25.第一电极；
26.面对第一电极的第二电极；以及
27.在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层，
28.其中，电子注入层和电子传输层在发射层和第一电极之间，
29.电子注入层包括以下的氧化物：zn；ti；mg；或它们的一种或多种组合，
30.电子传输层包括氧化膦化合物，并且
31.第一电极为阴极。
32.图1的描述
33.图1为根据实施方案的发光器件10的示意性剖视图。发光器件10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
34.在下文中，将参考图1描述根据实施方案的发光器件10的结构和制造发光器件10的方法。
35.第一电极110
36.在图1中，衬底可附加地排列在第一电极110下方或第二电极150上方。在实施方案中，作为衬底，可利用玻璃衬底或塑料衬底。在一个或多个实施方案中，衬底可为柔性衬底，并且例如可包括具有优异或合适的耐热性和耐久性的塑料，诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或它们的一种或多种组合。
37.第一电极110可为阴极，阴极为电子注入电极，并且作为用于形成第一电极110的材料，可利用金属、合金、导电化合物或它们的一种或多种组合，它们各自具有低功函。
38.在实施方案中，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或它们的一种或多种组合。
39.在一个或多个实施方案中，用于形成第一电极110的材料可包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、铟(in)、或它们的一种或多种组合。第一电极110可具有包括单层(例如，由单层组成)的单层结构或包括多层的多层结构。
40.当第一电极110为反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括ito、izo、sno2、zno或它们的一种或多种组合，并且同时(兼具)可包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、in或它们的一种或多种组合。例如，第一电极110可具有ag/ito的双层结构或ito/ag/ito的三层结构。
41.中间层130
42.如本文中利用的术语“中间层”是指在发光器件的第一电极和第二电极之间的单层和/或多个层中的所有。
43.中间层130可在第一电极110上。中间层130可包括发射层。
44.中间层130可还包括在第二电极150和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第一电极110之间的电子传输区。
45.在实施方案中，除了一种或多种合适的有机材料之外，中间层130可还包括含金属化合物(诸如有机金属化合物)、无机材料(诸如量子点)和/或类似物。
46.在一个或多个实施方案中，中间层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发光单元；以及ii)在两个或更多个发光单元之间的电荷产生层。当中间层130包括两个或更多个发光单元和电荷产生层时，发光器件10可为串联发光器件。
47.中间层130中的电子传输区
48.电子传输区可具有：i)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，单层包括单一材料(例如，由单一材料组成)；ii)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，单层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或iii)包括多层的多层结构，多层包括不同的材料。
49.电子传输区可包括电子传输层和电子注入层。电子传输区可还包括空穴阻挡层。
50.在实施方案中，电子注入层和电子传输层可彼此接触。例如，电子注入层和电子传输层可物理上彼此直接接触。
51.在实施方案中，电子注入层可与第一电极110接触。例如，电子注入层和第一电极110可物理上彼此直接接触。
52.在实施方案中，电子传输层和发射层可彼此接触。例如，电子传输层和发射层可物理上彼此直接接触。
53.在实施方案中，电子注入层中包括的氧化物可包括zno、tio2、znmgo、或者它们的一种或多种组合。
54.在实施方案中，氧化膦化合物可包括下面的化合物中的至少一个：
[0055][0056]
化合物101
[0057][0058]
化合物102
[0059][0060]
化合物103
[0061][0062]
化合物104
[0063][0064]
化合物105
[0065][0066]
化合物106
[0067][0068]
化合物107
[0069][0070]
化合物108
[0071][0072]
化合物109。
[0073]
在实施方案中，电子注入层的厚度可在约至约的范围内。例如，电子注入层的厚度可在约至约的范围内。
[0074]
在实施方案中，电子传输层的厚度可在约至约的范围内。例如，电子传输层的厚度可在约至约的范围内。
[0075]
当电子注入层和电子传输层的厚度在以上范围内时，来自第一电极110的电子流可为适合的或合适的。
[0076]
在实施方案中，电子传输层可还包括含金属材料。例如，含金属材料可包括n-掺杂剂(或n-掺杂剂)。例如，含金属材料可包括li配合物和/或ca配合物。
[0077]
在电子传输层中，基于100wt％的氧化膦化合物，含金属材料的量可在约0.1wt％至约900wt％的范围内。
[0078]
当含金属材料的量在以上范围内时，发光器件可具有优异或合适的效率和寿命。
[0079]
在实施方案中，含金属材料可包括下面的化合物中的至少一个：
[0080][0081]
在实施方案中，可通过固化包括式1的化合物的组合物来形成电子传输层：
[0082]
式1
[0083]n3-(r1)
m-n3[0084]
其中，在式1中，r1可选自：未被取代或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
亚烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
亚烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
亚炔基、-o-、-si(q1)(q2)-、-b(q1)-、-n(q1)-、-p(q1)-、-c(＝o)-、-s(＝o)-、-s(＝o)
2-、-p(＝o)q
1-和-p(＝s)q
1-，
[0085]
m可为1至10的整数，
[0086]r10a
可为：
[0087]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0088]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、
[0089]-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的一种或多种组合；
[0090]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的一种或多种组合；或-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且
[0091]
q1、q2、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的一种或多种组合。
[0092]
在实施方案中，式1的化合物可为下面的化合物中的至少一个：
[0093]
中间层130中的发射层
[0094]
当发光器件10为全色发光器件时，可根据子像素将发射层图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两层或更多层的堆叠结构，在堆叠结构中两层或更多层彼此接触或彼此分离以发射白光。在一个或多个实施方案中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中，两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。
[0095]
中间层130可包括量子点。
[0096]
发射层的厚度可在约至约(例如，约至约)的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得优异或合适的发光特性。
[0097]
在实施方案中，可通过固化包括式1的化合物的组合物来形成发射层。
[0098]
量子点
[0099]
如本文中利用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射一种或多种合适发射波长的光的任何合适的材料。
[0100]
量子点的直径可在例如约1nm至约10nm的范围内。
[0101]
量子点可通过湿化学法、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延法或任何与其相似的合适的方法来合成。
[0102]
湿化学法为包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地用作配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，以便能通过比气相沉积方法(诸如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))成本更低并且更容易的方法来控制或选择量子点颗粒的生长。
[0103]
量子点可包括：第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；第iv族元素或第iv族化合物；或它们的一种或多种组合。
[0104]
第ii-vi族半导体化合物的实例有：二元化合物(诸如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs和/或类似物)；三元化合物(诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns和/或类似物)；四元化合物(诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste和/或类似物)；或它们的一种或多种组合。
[0105]
第iii-v族半导体化合物的实例有：二元化合物(诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、或insb)；三元化合物(诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、或inpsb)；四元化合物(诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、或inalpsb)；或它们的一种或多种组合。在实施方案中，第iii-v族半导体化合物可还包括第ii族元素。还包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例有inznp、ingaznp、inalznp和/或类似物。
[0106]
第iii-vi族半导体化合物的实例有：二元化合物(诸如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3、inte和/或类似物)；三元化合物(诸如ingas3、ingase3和/或类似物)；或它们的一种或多种组合。
[0107]
第i-iii-vi族半导体化合物的实例有：三元化合物(诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2和/或类似物)；或它们的一种或多种组合。
[0108]
第iv-vi族半导体化合物的实例有：二元化合物(诸如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte和/或类似物)；三元化合物(诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte和/或类似物)；四元化合物(诸如snpbsse、snpbsete、snpbste和/或类似物)；或它们的一种或多种组合。
[0109]
第iv族元素或第iv族化合物的实例有：单一元素的物质(诸如si、ge和/或类似物)；二元化合物(诸如sic、sige和/或类似物)；或它们的一种或多种组合。
[0110]
包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以基本上均匀或非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0111]
在实施方案中，量子点可具有单一结构(在单一结构中量子点中的每种元素的浓度为基本上均匀的)或可具有核-壳双重结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可彼此不同。
[0112]
量子点的壳可用作保护层，保护层防止(减少)核的化学变性以保持半导体特性，和/或用作充电层，充电层赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有存在于壳中的元素的浓度朝向核的中心递减的浓度梯度。
[0113]
量子点的壳的实例有金属、类金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的一种或多种组合。金属、类金属或非金属的氧化物的实例有：二元化合物(诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio和/或类似物)；三元化合物(诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4和/或类似物)；或它们的一种或多种组合。半导体化合物的实例有：如本文中描述，第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；或它们的一种或多种组合。半导体化合物的实例有cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或它们的一种或多种组合。
[0114]
量子点可具有发射波长光谱的等于或小于约45nm、等于或小于约40nm、或例如等于或小于约30nm的半峰全宽(fwhm)。当量子点的fwhm在这些范围内时，量子点可具有改善的颜色纯度或颜色再现性。在一些实施方案中，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可提高(增加)宽视角。
[0115]
在一些实施方案中，量子点可为基本上球形、金字塔形、多臂、或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、或纳米板的形式。
[0116]
由于通过控制量子点的尺寸可调节能带隙，因此可从量子点发射层获得具有一种或多种合适波长带的光。因此，通过利用不同尺寸的量子点，可实现发射一种或多种合适波长的光的发光器件。在实施方案中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方案中，可配置量子点的尺寸以通过组合一种或多种合适的颜色的光来发射白光。
[0117]
中间层130中的空穴传输区
[0118]
空穴传输区可具有：i)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，单层包括单一材料(例如，由单一材料组成)；ii)包括单层(例如，由单层组成)的单层结构，单层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或iii)包括多层的多层结构，多层包括不同材料。
[0119]
在实施方案中，在第二电极150和发射层之间的空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或它们的一种或多种组合。
[0120]
例如，空穴传输区可具有多层结构，诸如空穴注入层/空穴传输层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，对于每种结构的组成层以这个陈述的顺序从第二电极150起依次层叠。
[0121]
在实施方案中，空穴注入层和/或空穴传输层可包括以下的氧化物：w；ni；mo；cu；v；或它们的一种或多种组合。例如，空穴注入层和/或空穴传输层可包括nio、wo3、moo3、vo、vo2、v2o3、v2o5、v6o
13
、cu2o、cuo或它们的一种或多种组合。
[0122]
在实施方案中，空穴注入层和/或空穴传输层可包括化合物，化合物包括以下部分中的至少一个：
[0123]
[0124]
[0125][0126]
在实施方案中，空穴传输层和/或空穴注入层可包括下面的化合物中的至少一个：
[0127][0128]
其中，在化合物401中，n为2至300的整数；
[0129][0130]
例如，空穴传输层可包括以下的氧化物：w；ni；mo；cu；v；或它们的一种或多种组合，或者可包括化合物，化合物包括部分1至部分11中的至少一个。
[0131]
在实施方案中，空穴注入层可包括式2的化合物：
[0132]
式2
[0133][0134]
其中，在式2中，e表示第13族元素，
[0135]
r2至r5可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0136]
m可为第1族元素，
[0137]r10a
可为：
[0138]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0139]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q11)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的一种或多种组合；
[0140]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q21)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的一种或多种组合；或
[0141]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且
[0142]q11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的一种或多种组合。
[0143]
例如，在式2中，e可为硼(b)。
[0144]
例如，在式2中，m可为li、na、k或rb。
[0145]
在实施方案中，空穴注入层可包括下面的化合物中的至少一个：
[0146][0147]
化合物501
[0148][0149]
化合物502
[0150][0151]
化合物503
[0152][0153]
化合物504
[0154][0155]
化合物505
[0156][0157]
化合物506。
[0158]
在化合物501至化合物506中，抗衡离子为m(对于抗衡离子m，参考式2)，并且可为li
+
、含i
+
化合物或含n
+
化合物。
[0159]
例如，空穴注入层可包括以下的氧化物：w；ni；mo；cu；v；或它们的一种或多种组合，或者可包括式2的化合物。
[0160]
当空穴注入层包括包含部分1至部分11中的至少一个的化合物和式2的化合物时，基于100wt％的包括部分1至部分11中的至少一个的化合物，包括在空穴注入层中的式2的化合物的量可在约0.1wt％至约100wt％的范围内。
[0161]
第二电极150
[0162]
第二电极150在具有如上述的结构的中间层130上。第二电极150可为阳极，并且可为半透射电极或透射电极。
[0163]
当第二电极150为半透射电极或透射电极时，用于形成第二电极150的材料可包括li、ca、ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、in、yb、cr、ito、izo、zno、in2o3、igo、或它们的一种或多种组合。
[0164]
例如，用于形成第二电极150的材料可包括li、ag、mg、al、al-li、ca、mg-in、mg-ag、yb、ag-yb、ito、izo、或它们的一种或多种组合。
[0165]
第二电极150可具有单层结构(包括单层(例如，由单层组成))或者包括多层的多
层结构。
[0166]
覆盖层
[0167]
第一覆盖层可在第一电极110外部，和/或第二覆盖层可在第二电极150外部。例如，发光器件10可具有：第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以陈述的顺序依次堆叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以陈述的顺序依次堆叠的结构；或者第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以陈述的顺序依次堆叠的结构。
[0168]
例如，由发光器件10的中间层130中的发射层产生的光可通过第二电极150(第二电极150可为半透射电极或透射电极)和第二覆盖层提取至外部。
[0169]
根据相长干涉的原理，第一覆盖层和第二覆盖层可增加外部发光效率。因此，增加了发光器件10的光提取效率，以便可改善(增加)发光器件10的发光效率。
[0170]
第一覆盖层和第二覆盖层中的每个可包括具有在约1.5至约2.0的范围内(在589nm)的折射率的材料(例如，在589nm的大于或等于1.6的折射率)。
[0171]
第一覆盖层和第二覆盖层可各自独立地为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或者包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。
[0172]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的一种或多种组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被取代基(包括o、n、s、se、si、f、cl、br、i或它们的一种或多种组合)取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0173]
例如，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括：化合物cp1至化合物cp6中的至少一个；β-npb；或者它们的一种或多种组合：
[0174][0175]
电子设备
[0176]
发光器件可包括在一种或多种合适的电子设备中。例如，包括发光器件的电子设备可为发光设备、认证设备和/或类似物。
[0177]
除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)可还包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可在从发光器件发射的光的至少一个传播方向上。例如，从发光器件发射的光可为蓝光或白光。对于发光器件的细节可与如本文中描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可包括量子点。量子点可例如为如本文中描述的量子点。
[0178]
电子设备可包括第一衬底。第一衬底可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。
[0179]
像素限定膜可排列在子像素区域之间，以限定子像素区域中的每个。
[0180]
滤色器可还包括多个滤色器区域和排列在滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可还包括多个颜色转换区域和排列在颜色转换区域之间的遮光图案。
[0181]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括：发射第一颜色光的第一区域；发
射第二颜色光的第二区域；和/或发射第三颜色光的第三区域，其中，第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。例如，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点(例如，可不包括任何量子点)。量子点可与本文中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。
[0182]
例如，发光器件可发射第一光，第一区域可对第一光进行吸收以发射第1-1颜色光，第二区域可对第一光进行吸收以发射第2-1颜色光，并且第三区域可对第一光进行吸收以发射第3-1颜色光。例如，第1-1颜色光、第2-1颜色光和第3-1颜色光可具有不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第1-1颜色光可为红光，第2-1颜色光可为绿光，并且第3-1颜色光可为蓝光。
[0183]
除了如上述的发光器件之外，电子设备可还包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的一个可电连接到发光器件的第一电极或第二电极。
[0184]
薄膜晶体管可还包括栅电极、栅极绝缘膜和/或类似物。
[0185]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体和/或类似物。
[0186]
电子设备可还包括用于封装发光器件的封装部分。封装部分可在滤色器和/或颜色转换层与发光器件之间。封装部分允许光从发光器件提取至外部并且兼具(例如，同时)防止(减少)周围空气和湿气渗透到发光器件中。封装部分可为包括透明玻璃衬底和/或塑料衬底的封装衬底。封装部分可为包括至少一个有机层和/或无机层的薄膜封装层。当封装部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
[0187]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种合适的功能层可附加地排列在封装部分上。功能层的实例可包括触摸屏层、偏振层和/或类似物。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外光束触摸屏层。
[0188]
认证设备可为例如通过利用活体的生物测定信息(例如，指尖、瞳孔等)来认证个人的生物测定认证设备。
[0189]
除了如上述的发光器件之外，认证设备可还包括生物测定信息收集器。
[0190]
电子设备可应用于一种或多种合适的显示器、光源、照明灯、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子笔记、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声波诊断装置、或内窥镜显示器)、鱼探测器、一种或多种合适的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船舶的仪表)、投影仪和/或类似物。
[0191]
图2和图3的描述
[0192]
本公开的实施方案的另一方面涉及包括发光器件的电子设备。
[0193]
在实施方案中，电子设备可还包括薄膜晶体管，
[0194]
其中，薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且
[0195]
发光器件的第一电极可与薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。
[0196]
例如，薄膜晶体管可为氧化物薄膜晶体管(tft)。氧化物tft可包括例如n沟道金属氧化物半导体(nmos)。nmos具有比p沟道金属氧化物半导体(pmos)更低的滞后性。
[0197]
在一些实施方案中，在这种基于氧化物的tft中，主载流子为电子，并且电子迁移率为相对高的。在一些实施方案中，基于氧化物的tft适合或合适于低温工艺和大表面，并且与a-si tft相似。在一些实施方案中，电容可由于小的泄漏电流而保持，并且因此即使在低电流下，器件驱动也可稳定。
[0198]
在实施方案中，电子设备可还包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或它们的一种或多种组合。
[0199]
在实施方案中，覆盖层可在第一电极和/或第二电极外部。
[0200]
图2是显示根据本公开的实施方案的电子设备的剖视图。
[0201]
图2的电子设备包括衬底100、tft、发光器件和(基本上)封装发光器件的封装部分300。
[0202]
衬底100可为柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可在衬底100上。缓冲层210可防止或减少杂质通过衬底100渗透，并且可在衬底100上提供平坦表面。
[0203]
tft可在缓冲层210上。tft可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0204]
有源层220可包括无机半导体，诸如硅或多晶硅、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0205]
用于将有源层220与栅极240绝缘的栅极绝缘膜230可在有源层220上，并且栅极240可在栅极绝缘膜230上。
[0206]
层间绝缘膜250可在栅电极240上。层间绝缘膜250可在栅极电极240和源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且在栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0207]
源电极260和漏电极270可在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可与有源层220的源区和漏区的暴露的部分接触。
[0208]
tft可电连接到发光器件以驱动发光器件，并且可由钝化层280覆盖和保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的组合。可在钝化层280上提供发光器件。发光器件可包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0209]
第一电极110可在钝化层280上。钝化层280可排列为暴露漏电极270的部分，而不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可排列为连接到漏电极270的暴露的部分。
[0210]
包括绝缘材料的像素限定层290可在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的特定区，并且可在第一电极110暴露的区中形成中间层130。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。中间层130的至少一些层(例如，电子传输层)可延伸超过像素限定层290的上部，以便以公共层的形式排列。
[0211]
第二电极150可在中间层130上，并且可在第二电极150上附加地形成覆盖层170。覆盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0212]
封装部分300可在覆盖层170上。封装部分300可在发光器件上，以保护发光器件免受湿气或氧的影响(减少湿气或氧气的量)。封装部分300可包括：无机膜，包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的一种或多种组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚丙烯酸酯、六甲基二硅醚、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸和/或类似物)、环
氧基树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)和/或类似物)或它们的一种或多种组合；或无机膜和有机膜的一种或多种组合。
[0213]
图3是根据本公开的另一实施方案的电子设备的剖视图。
[0214]
图3的电子设备与图2的电子设备基本上相同，除了在封装部分300上附加地排列有遮光图案500和功能区400以外。功能区400可为：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，图3的发光设备中包括的发光器件可为串联发光器件。
[0215]
制造方法
[0216]
空穴传输区中包括的各个层、发射层和电子传输区中包括的各个层可通过利用一种或多种合适的方法在特定区中形成，而方法选自真空沉积、旋涂、流延、langmuir-blodgett(lb)沉积、喷墨打印、激光打印、激光诱导热成像(liti)和/或类似方法。
[0217]
在实施方案中，电子注入层、电子传输层、发射层、空穴传输层和空穴注入层可为通过溶液工艺形成的层。溶液工艺可包括例如旋涂法、喷墨法和/或类似方法。
[0218]
当电子注入层、电子传输层、发射层、空穴传输层和空穴注入层通过溶液工艺形成时，电子注入层可包括eil组合物，eil组合物包括以下的氧化物：zn；ti；mg；或它们的一种或多种组合，电子传输层可包括：包括氧化膦化合物的etl组合物，并且发射层可包括：包括量子点的eml组合物。
[0219]
在实施方案中，etl组合物和/或eml组合物可还包括式1的化合物。电子传输层和/或发射层可通过溶液工艺通过施涂包括式1的化合物的etl组合物和/或包括式1的化合物的eml组合物并且然后通过用热或光固化来形成。
[0220]
在etl组合物中，基于100wt％的氧化膦化合物，式1的化合物的量可在约0.1wt％至约30wt％的范围内。
[0221]
在eml组合物中，基于100wt％的量子点，式1的化合物的量可在约0.1wt％至约30wt％的范围内。
[0222]
当式1的化合物的量在组合物中在以上范围内时，发光器件可具有优异或合适的效率和寿命。
[0223]
组合物可包括溶剂。溶剂可包括例如化合物，诸如醇、醚、烷烃、被取代或未被取代的芳香烃和/或类似物。组合物可还包括例如所需的分散剂。分散剂可包括通用/通常可用的阴离子、阳离子和非离子聚合物的材料。
[0224]
关于组合物的浓度，组合物可具有合适于溶液工艺的浓度。例如，组合物中的每种的浓度可基于100wt％的组合物中的每种独立地在约0.1wt％至约5wt％的范围内。
[0225]
当通过真空沉积形成空穴传输区中包括的各个层、发射层和电子传输区中包括的各个层时，根据待形成的层中包括的材料和待形成的层的结构，可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约0.01埃/秒至约100埃/秒的沉积速度下执行沉积。
[0226]
在利用喷墨的实施方案中，对于喷墨利用的喷墨打印机可为本领域中通用/通常可用的喷墨打印机。
[0227]
当通过旋涂形成电子注入层、电子传输层、发射层和空穴注入层中的每个时，根据待形成的层中包括的材料和待形成的层的结构，旋涂可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布
速度和约80℃至200℃的热处理温度下执行。
[0228]
术语的限定
[0229]
如本文中利用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅包括碳(例如，由碳组成)作为成环原子并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文中利用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指具有1至60个碳原子并且除了碳之外还具有杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可各自为包括一个环(例如，由一个环组成)的单环基团或两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子的数量可为3至61。
[0230]
如本文中利用的“环状基团”可(例如，同时)包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团二者。
[0231]
如本文中利用的术语“富含π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有3至60个碳原子并且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文中利用的术语“缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”是指具有1至60个碳原子并且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0232]
例如，
[0233]c3-c
60
碳环基团可为：i)t1基团；或ii)两个或更多个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、并五苯基、庚搭烯基、萘并萘基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、六苯并苯基、卵苯基、茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并非基或茚并蒽基)，
[0234]c1-c
60
杂环基团可为：i)t2基团；或ii)至少两个t2基团彼此稠合的稠合环状基团；或iii)至少一个t2基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和/或类似物)，
[0235]
富含π电子的c
3-c
60
环状基团可为：i)t1基团；ii)至少两个t1基团彼此稠合的稠合环状基团；iii)t3基团；iv)至少两个t3基团彼此稠合的稠合环状基团；或者v)至少一个t3基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、1h-吡咯基、硅杂环戊二烯基(silole)、硼杂环戊二烯基(borole)、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊
二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基和/或类似物)，
[0236]
缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为：i)t4基团；ii)至少两个t4基团彼此稠合的稠合环状基团；iii)至少一个t4基团和至少一个t1基团彼此稠合的稠合环状基团；iv)至少一个t4基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团；或v)至少一个t4基团、至少一个t1基团和至少一个t3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和/或类似物)，
[0237]
t1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基、双环[1.1.1]戊烷基、双环[2.1.1]己烷基、双环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0238]
t2基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、硅杂环戊二烯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0239]
t3基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、硅氧环戊二烯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0240]
t4基团可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0241]
根据利用相应术语的式的结构，如本文中利用的术语“环状基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、富含π电子的c
3-c
60
环状基团或缺乏π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”是指与任何环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。例如，“苯基”可为可根据包括“苯基”的式的结构由本领域普通技术人员理解的苯并基团、苯基、亚苯基和/或类似物。
[0242]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环基团、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和/或单价非芳族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和/或二价非芳族稠合杂多环基团。
[0243]
如本文中利用的术语“c
1-c
60
烷基”是指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其具体实例有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、
正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基。如本文中利用的术语“c
1-c
60
亚烷基”是指具有与c
1-c
60
烷基相同的结构的二价基团。
[0244]
如本文中利用的术语“c
2-c
60
烯基”是指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其实例可包括乙烯基、丙烯基、丁烯基和/或类似物。如本文中利用的术语“c
2-c
60
亚烯基”是指具有与c
2-c
60
烯基相同的结构的二价基团。
[0245]
如本文中利用的术语“c
2-c
60
炔基”是指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其实例有乙炔基、丙炔基和/或类似物。如本文中利用的术语“c
2-c
60
亚炔基”是指具有与c
2-c
60
炔基相同的结构的二价基团。
[0246]
如本文中利用的术语“c
1-c
60
烷氧基”是指由-oa
101
表示的单价基团(其中，a
101
为c
1-c
60
烷基)，并且其实例有甲氧基、乙氧基、异丙氧基和/或类似物。
[0247]
如本文中利用的术语“c
3-c
10
环烷基”是指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，并且其实例有环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基、双环[2.2.2]辛基和/或类似物。如本文中利用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”是指具有与c
3-c
10
环烷基相同的结构的二价基团。
[0248]
如本文中利用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”是指1至10个碳原子的单价环状基团，除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子，并且其实例有1,2,3,4-氧杂三唑烷基、四氢呋喃基、四氢噻吩基和/或类似物。如本文中利用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0249]
如本文中利用的术语“c
3-c
10
环烯基”是指其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且为非芳族的单价环状基团，并且其实例有环戊烯基、环己烯基、环庚烯基和/或类似物。如本文中利用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”是指具有与c
3-c
10
环烯基相同的结构的二价基团。
[0250]
如本文中利用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”是指1至10个碳原子的单价环状基团，除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子，并且在其环中具有至少一个双键。c
1-c
10
杂环烯基的实例有4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基、2,3-二氢噻吩基和/或类似物。如本文中利用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”是指具有与c
1-c
10
杂环烯基相同的结构的二价基团。
[0251]
如本文中利用的术语“c
6-c
60
芳基”是指具有6至60个碳原子的碳环芳族体系的单价基团，并且如本文中利用的术语“c
6-c
60
亚芳基”是指具有6至60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例有苯基、并环戊二烯基(pentalenyl)、萘基、薁基、引达省基、苊基、萉基(phenalenyl)、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲、芘基、基、苝基、戊芬基(pentaphenyl)、庚搭烯、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、晕苯基、莪基和/或类似物。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。
[0252]
如本文中利用的术语“c
1-c
60
杂芳基”是指具有1至60个碳原子的杂环芳族体系的单价基团，除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子。如本文中利用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”是指具有1至60个碳原子的杂环芳族体系的二价基团，除了碳原子之外还
包括至少一个杂原子作为成环原子。c
1-c
60
杂芳基的实例有吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和/或萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，环可彼此稠合。
[0253]
如本文中利用的术语“单价非芳族稠合多环基团”是指具有两个或更多个彼此稠合的环(例如，具有8至60个碳原子)的单价基团，仅碳原子作为成环原子，并且其整体分子结构为非芳族的。单价非芳族稠合多环基团的实例有茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并菲基、茚并蒽基和/或类似物。如本文中利用的术语“二价非芳族稠合多环基团”是指与上述单价非芳族稠合多环基团具有相同的结构的二价基团。
[0254]
如本文中利用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”是指具有两个或更多个彼此稠合的环，除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子(例如，具有1至60个碳原子)的单价基团，并且具有其整体分子结构为非芳族的。单价非芳族稠合杂多环基团的实例包括：吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并苯并噻吩基和/或类似物。如本文中利用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”是指具有与上述单价非芳族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0255]
如本文中利用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中，a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且如本文中利用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指示-sa
103
(其中，a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0256]
如本文中利用的术语“c
7-c
60
芳烷基”是指-a
104a105
(其中，a
104
为c
1-c
54
亚烷基并且a
105
为c
6-c
59
芳基)，并且如本文中利用的术语“c
2-c
60
杂芳烷基”是指-a
106a107
(其中，a
106
为c
1-c
59
亚烷基并且a
107
为c
1-c
59
杂芳基)。
[0257]
如本文中利用的术语“r
10a”可为：
[0258]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0259]c1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、或c
1-c
60
烷氧基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的一种或多种组合；
[0260]c3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的一种或多种组合；或
[0261]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0262]
在本公开中，q1和q2、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
7-c
60
芳烷基、或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的一种或多种组合。
[0263]
如本文中利用的术语“杂原子”是指除了碳原子以外的任何原子。杂原子的实例有o、s、n、p、si、b、ge、se或它们的一种或多种组合。
[0264]
本文中利用的术语“第三行过渡金属”包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)等。
[0265]
如本文中利用的“ph”是指苯基，如本文中利用的“me”是指甲基，如本文中利用的“et”是指乙基，如本文中利用的“ter-bu”或“bu
t”是指叔丁基，并且如本文中利用的“ome”是指甲氧基。
[0266]
如本文中利用的术语“联苯基”是指被苯基取代的苯基。换句话说，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的被取代的苯基。
[0267]
如本文中利用的术语“三联苯基”是指被联苯基取代的苯基。换句话说，“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的被取代的苯基。
[0268]
这个取代基限定部分中的最大碳原子数仅为实例。在实施方案中，c
1-c
60
烷基中的最大碳原子数60为一个实例，并且烷基的限定同样应用于c
1-c
20
烷基。相同的规则/限定应用于其他实施方案。
[0269]
除非另有限定，否则如本文中利用的*和*'各自是指对应式中的与相邻原子的结合位点。
[0270]
在下文中，参考实施例，将更详细地描述根据实施方案的发光器件。
[0271]
实施例
[0272]
油墨的制备
[0273]
对于溶液工艺，如表1中所示地制备组合物。
[0274]
表1
[0275]
[0276][0277]
oxd-7：cas 139372-67-5
[0278]
制造发光器件
[0279]
实施例1
[0280]
具有15ω/cm2的ito玻璃衬底(康宁公司的产品)被切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧15分钟进行清洁。将所得玻璃衬底装载到真空沉积设备上
[0281]
将1ml的组合物eil-1旋涂在玻璃衬底的ito阴极上以形成具有60nm的厚度的膜，随后在120℃下对其执行烘烤工艺10分钟以形成电子注入层。
[0282]
将1ml的组合物etl-1旋涂在电子注入层上以形成具有20nm的厚度的膜，随后在120℃下对其执行烘烤工艺10分钟以形成电子传输层。
[0283]
接下来，将1ml的组合物r eml-1旋涂在电子传输层上以形成具有20nm的厚度的膜，随后在100℃下对其执行烘烤工艺10分钟以形成红色发射层。
[0284]
将1ml的组合物htl-1旋涂在红色发射层上以形成具有20nm的厚度的膜，随后在140℃下对其执行烘烤工艺10分钟以形成空穴传输层。将1ml的组合物hil-1旋涂在空穴传输层上以形成具有20nm的厚度的膜，随后在120℃下对其执行烘烤工艺30分钟以形成空穴注入层。
[0285]
接下来，将所得玻璃衬底装载在真空沉积设备的衬底支架上，在空穴注入层上沉积al以形成具有100nm的厚度的阳极，从而完成倒置量子点发光器件的制造。本文中利用的
沉积装备为由sunic system company制造的suicel plus 200蒸发器。
[0286]
实施例2至实施例14和比较例1至比较例5
[0287]
除了如表2中所示地形成电子注入层、电子传输层、发射层、空穴传输层和空穴注入层以外，以与实施例1基本上相同的方式制造发光器件。这里，作为示例，实施例9中的空穴注入层可通过真空热蒸发来形成。
[0288]
表2
[0289][0290][0291]
为了评估根据实施例和比较例制造的发光器件的特性，测量了在10ma/cm2的电流密度下的驱动电压、效率、色坐标、寿命和/或类似参数，并且其结果示出在表3中。
[0292]
通过利用源表(keithley instrument company，2400系列)测量发光器件的驱动电压和电流密度，通过利用亮度计pr650用从电流-电压测量计(keithley smu 236)供应的电力来测量色坐标，并且通过利用hamamaches company的测量装置c9920-2-12来测量效率和寿命。
[0293]
表3
[0294][0295][0296]
参考表1，证实的是，与比较例的器件相比，实施例的器件各自具有相对低的驱动电压以及改善的效率和寿命。
[0297]
根据一个或多个实施方案，与相关技术相比，发光器件可具有优异或合适的性能。
[0298]
如本文中所用，单数形式的“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”(例如，“量子点”、“该量子点”等)旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。
[0299]
当描述本公开的实施方案时“可”的使用是指“本公开的一个或多个实施方案”。
[0300]
如本文中所用，术语“基本上”、“约”和相似术语被用作近似的术语并且不被用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所用的“约”或“近似”包括陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的对于特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或在陈述的值的
±
30％、20％、10％、5％内。
[0301]
此外，本文中列举的任何数值范围旨在包括归入在列举的范围内的相同数值精度
的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在列举的最小值1.0和列举的最大值10.0之间(并且包括端点)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，诸如，例如2.4至7.6。本文中列举的任何最大数值限制旨在包括归入其中的所有较低数值限制，并且本公开中列举的任何最小数值限制旨在包括归入其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本公开(包括权利要求书)以明确列举归入在本文中明确列举的范围内的任何子范围的权利。
[0302]
根据本文中描述的本公开的实施方案的发光器件、电子设备或任何其他相关装置或组件可利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，装置或设备的各种组件可形成在一个集成电路(ic)芯片上或在分开的ic芯片上。另外，装置的各种组件可在柔性印刷电路膜、带载封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或形成在一个衬底上。另外，装置的各种组件可为进程或线程，在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运转，运行计算机程序指令并且与用于执行本文中描述的各种功能的其他系统组件交互。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可使用标准存储器装置(诸如，例如随机存取存储器(ram))在计算装置中实现。计算机程序指令也可存储在其他非暂时性计算机可读介质中，诸如，例如cd-rom、闪存驱动器或类似物。此外，本领域技术人员应认识到的是，各种计算装置的功能可被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可跨一个或多个其他计算装置分布，而不脱离本公开的实施方案的范围。
[0303]
应理解的是，本文中描述的实施方案应仅以描述性的意义来考虑，并且不出于限制的目的。每个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方案中的其他相似特征或方面。虽然已参考附图描述了一个或多个实施方案，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由后附权利要求书以及其等同物限定的精神和范围的情况下，其中可在形式和细节上进行一种或多种合适的改变。

技术特征：
1.一种发光器件，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中，电子注入层和电子传输层在所述发射层和所述第一电极之间，所述电子注入层包括以下的氧化物：zn；ti；mg；或它们的任何组合，所述电子传输层包括氧化膦化合物，并且所述第一电极为阴极。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化锌或它们的任何组合。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极包括银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、铟、或它们的任何组合。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子注入层和所述电子传输层彼此接触，和/或所述电子注入层和所述第一电极彼此接触，和/或所述电子传输层和所述发光层彼此接触。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述氧化膦化合物为化合物101至化合物109中的至少一个：
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子传输层还包括含金属材料。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述含金属材料为化合物201至化合物209中的至少一个：
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子传输层和/或所述发射层通过固化包括式1的化合物的组合物来形成：式1n
3-(r1)
m-n3其中，在式1中，r1选自：未被取代或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
亚烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
亚烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
亚炔基、-o-、-si(q1)(q2)-、-b(q1)-、-n(q1)-、-p(q1)-、-c(＝o)-、-s(＝o)-、-s(＝o
)
2-、-p(＝o)q
1-和-p(＝s)q
1-，m为1至10的整数，r
10a
为：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的任何组合；c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的任何组合；或-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且q1、q2、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合。9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，式1的所述化合物为化合物301至化合物303中的至少一个：
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二电极为阳极，并且所述发光器件还包括空穴传输区，所述空穴传输区在所述第二电极和所述发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或它们的任何组合。11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述空穴注入层和/或所述空穴传输层包括以下的氧化物：w；ni；mo；cu；v；或它们的任何组合。12.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述空穴注入层和/或所述空穴传输层包括部分1至部分11中的至少一个：
13.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述空穴注入层和/或所述空穴传输层包括化合物401至化合物402中的至少一个：其中，在化合物401中，n为2至300的整数14.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述空穴注入层包括式2的化合物：式2其中，在式2中，e表示第13族元素，r2至r5各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、或者未被取代
或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，m为第1族元素，r
10a
为：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的任何组合；c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳烷基、c
2-c
60
杂芳烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的任何组合；或-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
7-c
60
芳烷基或c
2-c
60
杂芳烷基，它们各自为未被取代或被以下取代：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合。15.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述空穴注入层包括化合物501至化合物506中的至少一个：
其中，化合物501至化合物506中的每个包括抗衡离子，并且所述抗衡离子为li
+
。16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层包括量子点。17.一种电子设备，包括根据权利要求1至16中任一项所述的发光器件。18.根据权利要求17所述的电子设备，还包括：薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光器件的所述第一电极与所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极电连接。

技术总结
提供了一种发光器件，该发光器件包括第一电极、第二电极和在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的中间层。电子注入层和电子传输层在发射层和第一电极之间。电子注入层包括以下的氧化物：Zn；Ti；Mg；或它们的任何组合，电子传输层包括氧化膦化合物，并且发光器件的第一电极可为反射电极。电极可为反射电极。电极可为反射电极。


技术研发人员：金世勋 李昌熙 金志允 金兴奎 河在国
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2023.01.30
技术公布日：2023/8/16