显示装置的制造方法以及显示装置与流程

1.本公开涉及显示装置的制造方法以及显示装置。


背景技术：

2.专利文献1所记载的技术涉及有机el元件的制造方法(第0028段)。在制造该有机el元件时，形成层叠物，该层叠物层叠有第一电极层、发光层以及第二电极层(0029-0033段)。另外，在层叠物之间填充绝缘层(0033段)。绝缘层覆盖发光层的外周部(专利文献1的图1)。现有技术文献专利文献
3.专利文献1：日本专利特许第4531324号


技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题
4.在专利文献1所记载的技术中，需要与形成第一电极层、发光层以及第二电极层的工序分开地执行形成绝缘层的工序。因此，有机el元件的制造方法所具备的工序的数量多。
5.该问题也发生在有机el元件以外的显示装置中。
6.本发明是鉴于该问题而完成的。本公开的目的在于，减少具备构造物的显示装置的制造方法的工序的数量，该构造物具备像素边界部和/或边缘盖部分。解决问题的方案
7.本公开的一个方面的显示装置的制造方法包括：形成第一像素电极以及第二像素电极的工序a)；在所述第一像素电极之上形成第一发光层的工序b)；在所述第二像素电极以及所述第一发光层之上形成感光性树脂层的工序c)；对所述感光性树脂层图案化以形成感光性树脂图案的工序d)，其中，所述感光性树脂图案具备构成为构造物的构造物部分且形成有配置在所述第二像素电极之上的开口，所述构造物具有配置在所述第一发光层的外周部之上的边缘盖部分、以及配置在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的像素边界部中的至少一方；在开口下部分以及所述感光性树脂图案之上形成发光材料层的工序e)，其中，开口下部分为所述第二像素电极的至少一部分且形成在所述开口之下；以及工序f)，在此工序中，残留所述构造物，并使作为所述感光性树脂图案的一部分且形成在所述第一发光层之上的第一被剥离部分溶剂于剥离液，将作为所述发光材料层的一部分且形成在所述第一被剥离部分之上的第二被剥离部分剥离，由所述发光材料层形成配置在所述第二像素电极之上的第二发光层。
8.本公开的一个方面的显示装置包括：基板，其具有主面；第一像素电极，其配置在所述主面之上；第二像素电极，其在所述主面之上与所述第一像素电极邻接地配置；第一发光层，其配置在所述第一像素电极的、与配置有所述主面的一侧相反的一侧；第二发光层，其配置在所述第二像素电极的、与配置有所述主面的一侧相反的一侧；以及构造物，其跨越
配置在所述第一发光层的外周部之上以及相较于所述第一发光层的外周部的外侧，且包含第一边缘盖部分，所述第一边缘盖部分配置在所述第二发光层的外周部的、配置有所述主面的一侧。
附图说明
9.图1是示意性地图示第一实施方式的显示装置的俯视图。图2是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的各像素的俯视图。图3是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。图4是示出第一、第四和第五实施方式的显示装置的制造流程的流程图。图5a是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图5b是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图5c是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图5d是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图6是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的第一发光层和第二发光层中所包含的量子点的图。图7是示出通过剥离形成第一和第四实施方式的显示装置所具备的第一发光层的流程的流程图。图8a是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图8b是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图8c是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图8d是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图9a是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图9b是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图9c是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图9d是示意性地图示第一实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图10a是示意性地图示参考例的显示装置所具备的第一像素电极及第一发光层的外周部附近的放大剖视图。图10b是示意性地图示参考例的显示装置所具备的第一像素电极及第一发光层的外周部附近的放大俯视图。图11a是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的第一像素电极及第一发光层的外周部附近的放大剖视图。图11b是示意性地图示第一实施方式的显示装置所具备的第一像素电极及第一发光层的外周部附近的放大俯视图。图12a是示意性地图示不具有构造物的显示装置中的子像素的发光状态的俯视图。图12b是示意性地图示在具有构造物并且第一发光层的外周部配置在构造物上的显示装置中的子像素的发光状态的俯视图。图12c是示意性地图示在具有构造物并且第一发光层的外周部配置在构造物下的显示装置中的子像素的发光状态的俯视图。
图13a是示意性地图示第一实施方式的变形例的显示装置的中间产品的剖视图。图13b是示意性地图示第一实施方式的变形例的显示装置的中间产品的剖视图。图14是示意性地图示第二实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。图15是示出第二实施方式的显示装置的制造流程的流程图。图16是示意性地图示第三实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。图17是示出第三实施方式的显示装置的制造流程的流程图。图18是示意性地图示第四实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。图19a是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图19b是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图19c是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图19d是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图20a是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图20b是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图20c是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图20d是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图21a也是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图21b也是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图21c也是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图21d也是示意性地图示第四实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图22是示意性地图示第四实施方式的显示装置所具备的子像素的排列的俯视图。图23a是示意性地图示第四实施方式的显示装置所具备的第一发光层的平面形状的俯视图。图23b是示意性地图示第四实施方式的显示装置所具备的第一发光层的平面形状的俯视图。图23c是示意性地图示第四实施方式的显示装置所具备的第二发光层的平面形状的俯视图。图24是示意性地图示第五实施方式的显示装置所具备的各像素的剖视图。图25a是示意性地图示第五实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图25b是示意性地图示第五实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图25c是示意性地图示第五实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图25d是示意性地图示第五实施方式的显示装置的中间产品的剖视图。图26a是示意性地图示参考例的显示装置所具备的第二像素电极的外周部附近的放大剖视图。图26b是示意性地图示参考例的显示装置所具备的第二像素电极的外周部附近的放大俯视图。图27a是示意性地图示第五实施方式的显示装置所具备的第二像素电极的外周附近的放大剖视图。图27b是示意性地图示第五实施方式的显示装置所具备的第二像素电极的外周附近的放大俯视图。
图28a是示意性地图示可在第一实施方式到第五实施方式中采用的子像素的排列的另一个例子的俯视图。图28b是示意性地图示可在第一实施方式到第五实施方式中采用的子像素的排列的另一个例子的俯视图。图28c是示意性地图示可在第一实施方式到第五实施方式中采用的子像素的排列的另一个例子的俯视图。图28d是示意性地图示可在第一实施方式到第五实施方式中采用的子像素的排列的另一个例子的俯视图。
具体实施方式
10.以下，参照附图说明本公开的实施方式。此外，对于附图，对相同或等同的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
11.1第一实施方式1.1显示装置的平面结构图1是示意性地图示第一实施方式的显示装置1的俯视图。
12.显示装置1是有机发光二极管(oled)显示装置、量子点发光二极管(qled)显示装置等。以下，显示装置1为qled显示装置。
13.如图1所示，显示装置1具备多个像素11。
14.多个像素11排列成矩阵状。多个像素11也可以排列成非矩阵状。
15.1.2像素的平面结构图2是示意性地图示第一实施方式的显示装置1所具备的各像素11的俯视图。
16.如图2所示，各像素11包括子像素21b、21g和21r。
17.子像素21b、21g和21r呈直线状排列。子像素21b、21g和21r也可以排列为非直线状。各像素11所具备的子像素21b和21g相互邻接地配置。各像素11所具备的子像素21g和21r相互邻接地配置。各像素11所具备的子像素21r及与各像素11的一侧邻接的像素11所具备的子像素21b相互邻接地配置。各像素11中具备的子像素21b、21g和21r的发光面积可以相同，也可以互不相同。各像素11中具备的子像素21b、21g和21r的发光区域的形状可以相同，也可以互不相同。
18.子像素21b、21g和21r分别发出蓝色、绿色及红色光。子像素21b、21g和21r也可以分别发出与蓝色、绿色及红色不同的颜色的光。各像素11也可以具备发出相同颜色的光的多个子像素。
19.在子像素21b、21g和21r中分别形成接触孔21bc、21gc和21rc。
20.1.3像素的剖面结构图3是示意性地图示第一实施方式的显示装置1所具备的各像素11的剖视图。图3图示出图2中描绘的切割线i i i-i i i的位置处的剖面。
21.如图3所示，显示装置1具备基板31、像素电极32b、32g和32r、电荷传输层33b、33g和33r、发光层34b、34g和34r、电荷传输层35以及共用电极36。
22.像素电极32b、电荷传输层33b和发光层34b配置在子像素21b中。像素电极32g、电荷传输层33g和发光层34g配置在子像素21g中。像素电极32r、电荷传输层33r和发光层34r
配置在子像素21r中。电荷传输层33和共用电极36跨越子像素21b、21g和21r配置。
23.像素电极32b、32g和32r、电荷传输层33b、33g和33r、发光层34b、34g和34r、电荷传输层35以及共用电极36配置在基板31的主面31s上。基板31具备层间绝缘膜41。像素电极32b、32g和32r、电荷传输层33b、33g和33r、发光层34b、34g和34r、电荷传输层35以及共用电极36配置在层间绝缘膜41上。层间绝缘膜41将配置在层间绝缘膜41上的要素与配置在层间绝缘膜41下的要素隔开。由此，层间绝缘膜41将配置在层间绝缘膜41上的要素与配置在层间绝缘膜41下的要素电绝缘。配置在层间绝缘膜41下的要素包含布线、开关元件等。开关元件是薄膜晶体管(tft)等。
24.像素电极32b、32g和32r经由配置在接触孔21bc、21gc和21rc的内部的连接导体与上述开关元件电连接。
25.电荷传输层33b、33g和33r分别配置在像素电极32b、32g和32r上。发光层34b、34g和34r分别配置在电荷传输层33b、33g和33r上。因此，发光层34b、34g和34r分别配置在像素电极32b、32g和32r的与配置有基板31的主表面31s的一侧相反的一侧。电荷传输层35配置在发光层34b、34g和34r上。共用电极36配置在电荷传输层35上。
26.各像素11所具备的像素电极32b和32g相互邻接地配置。各像素11所具备的像素电极32g和32r相互邻接地配置。各像素11所具备的像素电极32r及与各像素11的一侧邻接的像素11所具备的像素电极32b相互邻接地配置。
27.显示装置1可以在像素电极32b与电荷传输层33b之间具备电荷注入层，也可以在像素电极32g与电荷传输层33g之间具备电荷注入层，也可以在像素电极32b与电荷传输层33r之间具备电荷注入层。显示装置1可以在电荷传输层33b与发光层34b之间具备电荷阻挡层，也可以在电荷传输层33g与发光层34g之间具备电荷阻挡层，也可以在电荷传输层33r与发光层34r之间具备电荷阻挡层。显示装置1可以在发光层34b与电荷传输层35之间具备电荷阻挡层，也可以在发光层34g与电荷传输层35之间具备电荷阻挡层，也可以在发光层34r与电荷传输层35之间具备电荷阻挡层。显示装置1也可以在电荷传输层35与共用电极36之间具备电荷注入层。
28.1.4子像素的发光像素电极32b、32g和32r经由电荷传输层33b、33g和33r与发光层34b、34g和34r分别接触。电荷传输层33b、33g和33r传输第一电荷。由此，可以从像素电极32b、32g和32r经由电荷传输层33b、33g和33r向发光层34b、34g和34r分别注入第一电荷。
29.共用电极36经由电荷传输层35与发光层34b、34g和34r接触。电荷传输层35传输第二电荷。由此，能够从共用电极36经由电荷传输层35向发光层34b、34g和34r注入第二电荷。
30.当在像素电极32b与共用电极36之间施加电位差时，第一电荷从像素电极32b经由电荷传输层33b注入到发光层34b中。另外，第二电荷从共用电极36经由电荷传输层35注入到发光层34b中。其结果是，在发光层34b中第一电荷和第二电荷复合，发光层34b发出蓝色光。
31.当在像素电极32g与共用电极36之间施加电位差时，第一电荷从像素电极32g经由电荷传输层33g注入到发光层34g中。另外，第二电荷从共用电极36经由电荷传输层35注入到发光层34g中。其结果是，在发光层34g中第一电荷和第二电荷复合，发光层34g发出绿色光。
32.当在像素电极32r与共用电极36之间施加电位差时，第一电荷从像素电极32r经由电荷传输层33r注入到发光层34r中。另外，第二电荷从共用电极36经由电荷传输层35注入到发光层34r中。其结果是，在发光层34r中第一电荷和第二电荷复合，发光层34r发出红色光。
33.1.5反向结构和常规结构显示装置1具有反向结构或常规结构。
34.在显示装置1具有反向结构的情况下，第一电荷是电子。另外，第二电荷为空穴。另外，像素电极32b、32g和32r是阴极。另外，共用电极36是阳极。此外，电荷传输层33b、33g和33r是电子传输层。另外，电荷传输层35是空穴传输层。
35.在显示装置1具有常规结构的情况下，第一电荷是空穴。另外，第二电荷是电子。另外，像素电极32b、32g和32r是阳极。另外，共用电极36是阴极。另外，电荷传输层33b、33g和33r是空穴传输层。此外，电荷传输层35是电子传输层。
36.以下，像素电极32b和32g有时被称为第一像素电极。另外，像素电极32r有时被称为第二像素电极。另外，电荷传输层33b、33g和33r有时被称为第二电荷传输层。另外，发光层34b、34等除了最后形成的发光层以外的发光层有时被称为第一发光层。另外，发光层34r等最后形成的发光层有时被称为第二发光层。另外，电荷传输层35有时被称为第一电荷传输层。另外，共用电极36有时被称为对置电极。
37.1.6构造物如图3所示，各像素11具备作为堤及边缘盖发挥作用的构造物51、52和53。
38.构造物51跨越配置在第一像素电极32b和第一发光层34b的外周部之上、第一像素电极32b和第一发光层34b与第一像素电极32g和第一发光层34g之间以及第一像素电极32g和第一发光层34g的外周部之上。因此，构造物51包括配置在第一像素电极32b和第一发光层34b的外周部之上的边缘盖部分51b、配置在第一像素电极32b和第一发光层34b与第一像素电极32g和第一发光层34g之间的像素边界部分51i、以及配置在第一像素电极32g和第一发光层34g的外周部之上的边缘盖部分51g。由此，第一发光层34b的外周部被边缘盖部分51b和53b覆盖。另外，第一发光层34g的外周部被边缘盖部分51g和52g覆盖。因此，当通过旋涂形成电荷传输层35时，由于电荷传输层溶液的流动、为了形成第二发光层34r而进行的剥离等，第一发光层34b和34g的外周部变得难以剥离。因此，能够使子像素21b和21g均匀地发光。另外，能够使第一发光层34b和34g的厚度均匀，直至第一发光层34b和34g的外周部。因此，能够使子像素21b和21g均匀地发光。由此，能够扩大子像素21b和21g的发光面积。
39.构造物51可以仅包括边缘盖部分51b和51g，或者可以仅包括像素边界部51i。
40.构造物52跨越配置在第一像素电极32g和第一发光层34g的外周部之上、第一像素电极32g和第一发光层34g与第二像素电极32r和电荷传输层33r之间以及第二像素电极32r和电荷传输层33r的外周部之上。因此，构造物52包括配置在第一像素电极32g和第一发光层34g的外周部之上的边缘盖部分52g、配置在第一像素电极32g和第一发光层34g与第二像素电极32r和电荷传输层33r之间的像素边界部分52i、以及配置在第二像素电极32r和电荷传输层33r的外周部之上的边缘盖部分52r。由此，第一发光层34g的外周部被边缘盖部分52g覆盖。因此，当通过旋涂形成电荷传输层35时，由于电荷传输层溶液的流动、为了形成第二发光层34r而进行的剥离等，第一发光层34g的外周部变得难以剥离。由此，能够使子像素
21g均匀地发光。另外，能够使第一发光层34g的厚度均匀，直至第一发光层34g的外周部。由此，能够使子像素21g均匀地发光。由此，能够扩大子像素21g的发光面积。
41.构造物52可以仅包括边缘盖部分52g和52r，或者可以仅包括像素边界部52i。
42.第二发光层34r具有爬上构造物52和53的外周部。构造物52跨越配置在第一发光层34g的外周部之上和第一发光层34g的外周部的外侧，并且潜入第二发光层34r的外周部之下。因此，构造物52包括第一边缘盖部分521，该第一边缘盖部分521配置在第二发光层34r的外周部之下、即第二发光层34r的外周部的配置有基板31的主表面31s的一侧。即，第一边缘盖部分521是构造物52的被第二发光层34r和基板31夹持的区域。
43.第二像素电极32r的外周部的平面位置与电荷传输层33r的外周部的平面位置一致。因此，边缘盖部分52r成为配置在第二像素电极32r的外周部之上的第二边缘盖部分522和配置在电荷传输层33r的外周部之上的第三边缘盖部分523。
44.构造物53跨越配置在第一像素电极32b和第一发光层34b的外周部之上、第一像素电极32b和第一发光层34b与第二像素电极32r和电荷传输层33r之间以及第二像素电极32r和电荷传输层33r的外周部之上。因此，构造物53包括配置在第一像素电极32b和第一发光层34b的外周部之上的边缘盖部分53b、配置在第一像素电极32b和第一发光层34b与第二像素电极32r和电荷传输层33r之间的像素边界部分53i、以及配置在第二像素电极32r和电荷传输层33r的外周部之上的边缘盖部分53r。由此，第一发光层34b的外周部被边缘盖部分51b覆盖。因此，当通过旋涂形成电荷传输层35时，由于电荷传输层溶液的流动、为了形成第二发光层34r而进行的剥离等，第一发光层34b的外周部变得难以剥离。由此，能够使子像素21b均匀地发光。另外，能够使第一发光层34b的厚度均匀，直至第一发光层34b的外周部。由此，能够使子像素21b均匀地发光。由此，能够扩大子像素21b的发光面积。
45.构造物53可以仅包括边缘盖部分53g和53r，或者可以仅包括像素边界部53i。
46.构造物53跨越配置在第一发光层34b的外周部之上和第一发光层34b的外周部的外侧，并且潜入第二发光层34r的外周部之下。因此，构造物53包括第一边缘盖部分531，该第一边缘盖部分531配置在第二发光层34r的外周部之下、即第二发光层34r的外周部的配置有基板31的主表面31s的一侧。
47.第二像素电极32r的外周部的平面位置与电荷输送层33r的外周部的平面位置一致。因此，边缘盖部分53r成为配置在第二像素电极32r的外周部之上的第二边缘盖部分532和配置在电荷传输层33r的外周部之上的第三边缘盖部分533。
48.第一发光层34b的外周部配置在构造物51和53之下。第一发光层34g的外周部配置在构造物51和52之下。相对于此，第二发光层34r的外周部配置在构造物52和53之上。
49.第一发光层34b的外周部配置在构造物51或53与层间绝缘膜41之间。第一发光层34g的外周部配置在构造物51或52与层间绝缘膜41之间。
50.另外，根据上述显示装置1，第一发光层34b的外周部被边缘盖部分51b覆盖，第一发光层34g的外周部被边缘盖部分51g覆盖，在第一发光层34b与第一发光层34g之间配置有像素边界部51i。因此，可以抑制泄漏电流在子像素21b与子像素21g之间流动。另外，第一发光层34g的外周部被边缘盖部分52g覆盖，并且像素边界部分52i配置在第一发光层34g与第二发光层34r之间。因此，可以抑制泄漏电流在子像素21g与子像素21r之间流动。另外，第一发光层34b的外周部被边缘盖部分53b覆盖，并且像素边界部分53i配置在第一发光层34b与
第二发光层34r之间。因此，可以抑制泄漏电流在子像素21b与子像素21r之间流动。另外，根据上述显示装置1，在第一像素电极32b、第一像素电极32g及第二像素电极32r的外周部与共用电极36之间形成构造物51、52和53。因此，能够抑制电流向该外周部的集中，能够实现子像素21b、21g和21r内的均匀的发光。另外，在剖视观察显示装置1的情况下，如图3所示，构造物51、52和53相互分离，但在俯视观察显示装置1的情况下，构造物51、52和53也可以连续且相互连接。在构造物51、52和53是连续的情况下，能够抑制构造物51、52和53剥落。在俯视观察显示装置1的情况下，构造物51、52和53也可以具有条纹状的平面形状。在这种情况下，能够增大开口率。
51.1.7构成各层的材料像素电极32b、32g和32r以及共用电极36由导电性材料构成。导电性材料例如包含从由金属以及透明导电性氧化物构成的组中选择的至少一种。金属例如包含从由al、cu、au及ag构成的组中选择的至少一种。透明导电性氧化物例如包含选自由铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)、铝锌氧化物(azo)以及硼锌氧化物(bzo)组成的组中的至少一种。像素电极32b、32g和32r以及共用电极36可以是由一种导电性材料构成的一个层，也可以是由两种以上彼此不同的导电性材料构成的两个以上的层的层叠体。两个以上的层可以同时包含由金属构成的层和由透明导电性氧化物构成的层。
52.电子传输层由电子传输性材料构成。电子传输性材料例如包含选自由氧化锌、氧化镁锌、氧化钛及氧化锶钛组成的组中的至少一种。氧化锌例如为zno。氧化钛例如为ti02。氧化锶钛例如为srti03。电子传输性材料可以是由一种物质构成的电子传输性材料，也可以是由两种以上的物质的混合物构成的电子传输性材料。
53.空穴传输层由空穴传输性材料构成。空穴传输性材料例如包含选自由空穴传输性无机材料和空穴传输性有机材料组成的组中的至少一种。空穴传输性无机材料例如包含选自由金属的氧化物、氮化物及碳化物组成的组中的至少一种。金属包含选自由zn、cr、ni、ti、nb、al、si、mg、ta、hf、zr、y、la、sr及mo组成的组中的至少一种。空穴传输性材料含有选自由如下材料组成的组中的至少一种：4,4’，4
”‑
三(9-咔唑基)三苯胺(tcta)、4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基-氨基]-联苯(npb)、锌酞菁(znpc)、二[4-(n，n-二甲苯基氨基)苯基]环己烷(tapc)、4,4
’‑
双(咔唑-9-基)联苯(cbp)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂亚苯基(hatcn)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、聚(2,7-(9,9-二正辛基芴)-(1,4-亚苯基-((4-叔丁基苯基)亚氨基)-1,4-亚苯基(tfb)，聚(三苯胺)衍生物(poly-tpd)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)(pedot-pss)。空穴传输性材料可以是由一种物质构成的空穴传输性材料，也可以是由两种以上的物质的混合物构成的空穴传输性材料。
[0054]
发光层34b由蓝色发光材料构成。发光层34g由绿色发光材料构成。发光层34r由红色发光材料构成。蓝色发光材料、绿色发光材料以及红色发光材料包含量子点。该量子点例如是具有100nm以下的粒径的半导体微粒。该半导体微粒例如包含选自由ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv族化合物和具有钙钛矿结构的化合物组成的组中的至少一种。ii-vi族化合物例如含有选自由mgs、mgse、mgte、cas、case、cate、srs、srse、srte、bas、base、bate、zns、znse、znte、cds、cdse、cdte、hgs、hgse及hgte组成的组中的至少一种。iii-v族化合物例如包含选自由gaas、gap、inn、inas、inp以及insb组成的组中的至少一种。iv族化合物例
如包含选自由si及ge组成的组中的至少一种。该半导体微粒包含具有钙钛矿结构的化合物的情况下，该具有钙钛矿结构的化合物例如为复合卤化物钙钛矿。该复合卤化物钙钛矿例如包含选自由cl、br以及i组成的组中的至少一种。该半导体微粒可以是由结晶构成的半导体微粒，也可以是具有核/壳结构，且具有由该结晶构成的核以及具有由宽带隙的壳材料构成且覆盖该核的壳的半导体微粒。
[0055]
1.8显示装置的制造图4是示出第一实施方式的显示装置1的制造流程的流程图。图5a至图5d是示意性地图示第一实施方式的显示装置1的中间产品的剖视图。
[0056]
如图4所示，显示装置1的制造方法包括工序s101至s111。
[0057]
在工序s101中，准备图5a所示的基板31。
[0058]
在接下来的步骤s102中，在基板31的主面31s上形成图5a所示的第一像素电极32b和32g以及第二像素电极32r。第一像素电极32b和32g以及第二像素电极32r通过利用溅射法、蒸镀法、涂布法等在基板31的主面31s上形成导电性材料层，并利用蚀刻等对所形成的导电性材料层进行图案化而形成。
[0059]
在接下来的步骤s103中，在第一像素电极32b、第一像素电极32g以及第二像素电极32r上分别形成图5a所示的第二电荷传输层33b、33g和33r。第二电荷传输层33b、33g和33r通过溅射法、蒸镀法、涂布法等形成。第二电荷传输层33b、33g和33r分别形成为具有与第一像素电极32b、第一像素电极32g以及第二像素电极32r的平面形状相同的平面形状。
[0060]
在接下来的步骤s104中，在第一像素电极32b和32g上分别形成图5a所示的第一发光层34b和34g。第一发光层34b和34g分别以覆盖第一像素电极32b和32g的整体的方式形成。由此，能够使形成有第一像素电极32b和32g的区域的整体发光。第一发光层34b和34g通过剥离工序形成。关于通过剥离工序形成第一发光层34b和34g，将在下文叙述。
[0061]
在接下来的步骤s105中，在第一像素电极32b和32g、第二像素电极32r、第二电荷传输层33b、33g和33r以及第一发光层34b和34g之上形成图5a所示的感光性树脂层61r。感光性树脂层61r包含正型感光性树脂。正型感光性树脂是在照射了感光线时对显影液的溶解性高的感光性树脂。感光线是电磁波、电子束等。电磁波是紫外线等。显影液是碱性溶液等。显影液也可以含有表面活性剂。正型感光性树脂是jsr株式会社制造的js100等。但是，正型感光性树脂是不溶解于下述的发光材料液的树脂。感光性树脂层61r通过涂布法等形成。在通过涂布法形成感光性树脂层61r的情况下，使用模涂机、喷墨涂布机、旋涂机等形成感光性树脂层61r。
[0062]
在接下来的工序s106中，通过显影对感光性树脂层61r进行图案化，形成图5b所示的感光性树脂图案62r。感光性树脂图案62r具备构造物部分51p、52p和53p。构造物部分51p、52p和53p分别成为下述的构造物51q、52q和53q，分别最终成为构造物51、52和53。在感光性树脂图案62r中形成有开口62ra。开口62ra配置在第二像素电极32r之上。开口62ra的平面形状小于第二像素电极32r及电荷传输层33r的平面形状。因此，在第二像素电极32r及电荷传输层33r的外周部之上形成感光性树脂图案62r。感光性树脂层61r通过光刻被图案化。感光性树脂层61r通过将感光线r经由图5a所示的图案化用的掩模63r对感光性树脂层61r的一部分进行照射并使照射到感光线r的部分溶解于显影液中，从而被图案化。
[0063]
在接下来的步骤s107中，在作为第二像素电极32r的至少一部分且形成在开口
62ra下的开口下部分32ra和感光性树脂图案62r之上，形成有图5c所示的发光材料层64r。发光材料层64r以覆盖开口下部分32ra及感光性树脂图案62r的整体的方式形成。通过涂布包含量子点和使该量子点分散的分散介质的发光材料液来形成涂布膜，并对所形成的涂布膜进行加热以使分散介质从所形成的涂布膜蒸发，从而形成发光材料层64r。分散介质例如为辛烷。发光材料液也可以包含电子传输性材料、空穴传输层材料、抗蚀剂材料、硅烷偶联剂、热固化性树脂等。
[0064]
在接下来的步骤s108中，将图5d所示的构造物51q、52q和53q残留，并使图5c所示的作为感光性树脂图案62r的一部分的第一被剥离部分65r溶解在显影液中，作为发光材料层64r的一部分的第二被剥离部分66r被剥离，从而由发光材料层64r形成图5d所示的第二发光层34r。第一被剥离部分65r是形成于第一发光层34b和34g之上的部分。第二被剥离部分66r是形成在第一被剥离部分65r之上的部分。由此，第二发光层34r配置在第二像素电极32r上。
[0065]
第一被剥离部分65r和第二被剥离部分66r被剥离，使得构造物51q保留在第一像素电极32b、电荷传输层33b、第一发光层34b、第一像素电极32g、电荷传输层33g和第一发光层34g的外周部之上作为边缘盖。另外，第一被剥离部分65r和第二被剥离部分66r被剥离，使得构造物52q保留在第一像素电极32g、电荷传输层33g、第一发光层34g、第二像素电极32r、电荷传输层33r和第二发光层34r的外周部之上作为边缘盖。另外，第一被剥离部分65r和第二被剥离部分66r被剥离，使得构造物53q保留在第一像素电极32b、电荷传输层33b、第一发光层34b、第二像素电极32r、电荷传输层33r和第二发光层34r的外周部之上作为边缘盖。
[0066]
第一被剥离部分65r和第二被剥离部分66r通过将感光线r经由剥离用的掩模67r对感光性树脂图案62r的一部分进行照射并使照射到感光线r的部分溶解于显影液中，从而被剥离。在向感光性树脂图案62r的一部分照射感光线r时，向第一被剥离部分65r照射感光线r，而不向构造物部分51p、52p和53p照射感光线r。被感光线r照射的区域是除了配置有第二像素电极32r的区域、第一像素电极32b与第一像素电极32g之间的区域、第一像素电极32g与第二像素电极32r之间的区域、以及第一像素电极32b与第二像素电极32r之间的区域以外的区域。
[0067]
在步骤s106中将感光性树脂层61r图案化后，在步骤s108中能够使第一被剥离部分65r溶解在剥离液中，这是因为，感光性树脂层61r由正型感光性树脂构成。此外，在步骤s108中，在第一被剥离部分65r之上配置有作为发光材料层64r的一部分的第二被剥离部分66r。但是，由于发光材料层64r能够使紫外线等感光线r透射，因此能够使第一被剥离部分65r通过紫外线等感光线r感光。另外，由于发光材料层64r能够使显影液透射，因此能够使第一被剥离部分65r溶解在显影液中。
[0068]
在接下来的步骤s109中，构造物51q、52q和53q被后烘。由此，构造物51q、52q和53q分别变化为图3所示的、由正型感光性树脂的固化物构成的构造物51、52和53。步骤s108和s109连续地执行。因此，在步骤s108与步骤s109之间，不执行其他工序。
[0069]
在接下来的步骤s110中，形成图3所示的第一电荷传输层35。第一电荷传输层35隔着第一发光层34b与第一像素电极32b对置，隔着第一发光层34g与第一像素电极32g对置，隔着第二发光层34r与第二像素电极32r对置。第一电荷传输层35通过溅射法、蒸镀法、涂布
法等形成。
[0070]
在接下来的步骤s111中，形成图3所示的对置电极36。对置电极36隔着第一电荷传输层35、第一发光层34b以及第二电荷传输层33b与第一像素电极32b对置，隔着第一电荷传输层35、第一发光层34g以及第二电荷传输层33g与第一像素电极32g对置，隔着第一电荷传输层35、第二发光层34r以及第二电荷传输层33r与第二像素电极32r对置。
[0071]
根据上述的显示装置1的制造方法，在由发光材料层64r形成第二发光层34r时，能够形成构造物51q、52q和53q。因此，不需要执行专门用于形成构造物51q、52q和53q的工序。由此，能够减少显示装置1的制造方法的工序的数量。例如，可以消除通常进行的形成堤的工序，该形成堤的工序在通过剥离工序形成发光层34b、34g和34r之前进行。
[0072]
另外，根据上述显示装置1的制造方法，在步骤s105以后，第一发光层34b和34g的外周部被感光性树脂层61r、感光性树脂图案62r、构造物51q、52q和53q、或构造物51、52和53覆盖。因此，在步骤s105以后，能够抑制第一发光层34b和34g从外周部剥离。
[0073]
一般而言，第一发光层34b中含有的发出蓝色光的第一量子点和第一发光层34g中含有的发出绿色光的第一量子点的荧光寿命比第二发光层34r中含有的发出红色光的第二量子点的荧光寿命短。另外，第一发光层34b中含有的发出蓝色光的第一量子点和第一发光层34g中含有的发出绿色光的第一量子点的光致发光量子效率低于第二发光层34r中含有的发出红色光的第二量子点的光致发光量子效率。因此，第一发光层34b中含有的发出蓝色光的第一量子点和第一发光层34g中含有的发出绿色光的第一量子点的发光效率低于第二发光层34r中含有的发出红色光的第二量子点的发光效率。另外，按照发光层34b、发光层34g和发光层34r的顺序形成发光层时，可以将发光层34b和发光层34g形成在像素电极32b和32g的整个面上。因此，在按照发光层34b、发光层34g和发光层34r的顺序形成发光层时，能够在像素电极32b和32g的整个面上分别形成含有仅具有低发光效率的第一量子点的发光层34b和发光层34g。因此，能够使发光层34b和发光层34g遍及像素电极32b和32g的整个表面分别发光。因此，能够使显示装置1进行明亮的显示。
[0074]
但是，也可以按照发光层34r、发光层34g和发光层34b的顺序形成发光层。
[0075]
图6是示意性地图示包含在第一实施方式的显示装置1所具备的第一发光层34b和34g以及第二发光层34r中的量子点的粒径的关系的图。
[0076]
如图6所示，在按照发光层34r、发光层34g和发光层34b的顺序形成发光层时，第一发光层34b中含有的第一量子点qdb和第一发光层34g中含有的第一量子点qdg的粒径大于第二发光层34r中含有的第二量子点qdr的粒径。通常而言，发光层所含的量子点的粒径越大，发光层在进行显影、曝光等的工序中越难以损伤。因此，在按照发光层34r、发光层34g和发光层34b的顺序形成发光层时，通过使第一发光层34b中含有的第一量子点qdb和第一发光层34g中含有的第一量子点qdg的粒径大于第二发光层34r中含有的第二量子点qdr的粒径，能够抑制在进行显影、曝光等的工序中第一发光层34b和34g以及第二发光层34r损伤。
[0077]
1.9通过剥离形成第一发光层图7是示出通过剥离形成第一实施方式的显示装置1所具备的第一发光层34b的流程的流程图。图8a到图8d是示意性地图示第一实施方式的显示装置1的中间产品的剖视图。
[0078]
第一发光层34b的形成方法包括图7所示的工序s121至s124。
[0079]
在步骤s121中，在第一像素电极32b和32g、第二像素电极32r以及第二电荷传输层
33b、33g和33r之上形成图8a所示的感光性树脂层61b。感光性树脂层61b包含与感光性树脂层61r中包含的正型感光性树脂相同的正型感光性树脂。感光性树脂层61b通过与形成感光性树脂层61r的方法相同的方法形成。
[0080]
在接下来的工序s122中，感光性树脂层61b被图案化以形成图8b所示的感光性树脂图案62b。在感光性树脂图案62b中形成有开口62ba。开口62ba配置在像素电极32b之上。开口62ba的平面形状大于像素电极32b的平面形状。因此，在像素电极32b的外周部上不形成感光性树脂图案62b。感光性树脂层61b通过光刻被图案化。感光性树脂层61b通过将感光线r经由图8a所示的图案化用的掩模63b对感光性树脂层61b的一部分进行照射并使照射到感光线r的部分溶解于显影液中，从而被图案化。
[0081]
在接下来的工序s123中，在第一像素电极32b和感光树脂图案62b之上形成图8c所示的发光材料层64b。发光材料层64b形成为覆盖第一像素电极32b以及感光性树脂图案62b的整体。发光材料层64b通过与形成发光材料层64r的方法相同的方法形成。
[0082]
在接下来的步骤s124中，使图8c所示的作为感光性树脂图案62b的一部分的第一被剥离部分65b溶解在显影液中，作为发光材料层64b的一部分的第二被剥离部分66b被剥离，从而由发光材料层64b形成如图8d所示的第一发光层34b。第一被剥离部分65b和第二被剥离部分66b通过将感光线r经由图8c所示的剥离用的掩模67b对感光性树脂图案62b的一部分进行照射并使照射到感光线r的部分溶解于显影液中，从而被剥离。被感光线r照射的区域是除了配置有第一像素电极32b的区域以外。在对感光性树脂图案62b的一部分照射感光线r时，也可以对形成有接触孔21bc、21gc和21rc的接触孔部照射感光线r。
[0083]
图7是示出通过剥离形成第一实施方式的显示装置1所具备的第一发光层34g的流程的流程图。图9a到图9d是示意性地图示第一实施方式的显示装置1的中间产品的剖视图。
[0084]
第一发光层34g的形成方法包括图7所示的工序s121至s124。
[0085]
在步骤s121中，在第一像素电极32b和32g、第二像素电极32r、第二电荷传输层33b、33g和33r及第一发光层34b之上形成有图9a所示的感光性树脂层61g。感光性树脂层61g包含与感光性树脂层61r中包含的正型感光性树脂相同的正型感光性树脂。感光性树脂层61g通过与形成感光性树脂层61r的方法相同的方法形成。
[0086]
在接下来的工序s122中，感光性树脂层61g被图案化以形成图9b所示的感光性树脂图案62g。在感光性树脂图案62g中形成有开口62ga。开口62ga配置在第一像素电极32g之上。开口62ga的平面形状大于第一像素电极32g的平面形状。因此，在第一像素电极32g的外周部之上不形成感光性树脂图案62g。感光性树脂层61g通过光刻被图案化。感光性树脂层61g通过将感光线r经由图9a所示的图案化用的掩模63g对感光性树脂层61g的一部分进行照射并使照射到感光线r的部分溶解于显影液中，从而被图案化。
[0087]
在接下来的工序s123中，在第一像素电极32g和感光树脂图案62g之上形成图9c所示的发光材料层64g。发光材料层64g以覆盖像素电极32g及感光性树脂图案62g的整体的方式形成。发光材料层64g通过与形成发光材料层64r的方法相同的方法形成。
[0088]
在接下来的步骤s124中，使图9c中所示的作为感光性树脂图案62g的一部分的第一被剥离部分65g溶解在显影液中，作为发光材料层64g的一部分的第二被剥离部分66g被剥离，从而由发光材料层64g形成图9d中所示的第一发光层34g。第一被剥离部分65g和第二被剥离部分66g通过将感光线r经由图9c所示的剥离用的掩模67g对感光性树脂图案62g的
一部分进行照射并使照射到感光线r的部分溶解于显影液中，从而被剥离。被感光线r照射的区域是除了配置有第一像素电极32g的区域以外。在对感光性树脂图案62g的一部分照射感光线r时，也可以对形成有接触孔21bc、21gc和21rc的接触孔部照射感光线r。
[0089]
1.10第一发光层的外周部的平坦性图10a是示意性地图示参考例的显示装置8所具备的第一像素电极32b及第一发光层34b的外周部附近的放大剖视图。图10b是示意性地图示参考例的显示装置8所具备的第一像素电极32b及第一发光层34b的外周部附近的放大俯视图。图11a是示意性地图示第一实施方式的显示装置1所具备的第一像素电极32b及第一发光层34b的外周部附近的放大剖视图。图11b是示意性地图示第一实施方式的显示装置1所具备的第一像素电极32b及第一发光层34b的外周部附近的放大剖视图。
[0090]
在图10a和图10b所示的参考例的显示装置8中，第一发光层34b通过在形成第一发光层34之前形成构造物53的剥离工序而形成。因此，第一发光层34b的外周部形成在构造物53的上表面所含的斜面上。在显示装置8中，在构造物53的内侧形成发光区域71b，该发光区域71b中，由第一发光层34b发出的蓝色光被视觉辨认。发光区域71b由沿着构造物53的膜厚不均匀区域72b和位于膜厚不均匀区域72b的内侧的膜厚均匀区域73b构成。在膜厚不均匀区域72b中，由于发光层34b的外周部形成在斜面上，因此发光层34b具有不均匀的膜厚。因此，膜厚不均匀区域72b成为发光不良区域，在发光区域71b内产生光的强度不均。在膜厚均匀区域73b中，发光层34b具有均匀的膜厚。因此，膜厚均匀区域73b成为均匀发光区域。
[0091]
图11a和图11b所示的第一实施方式的显示装置1中，第一发光层34b通过上述剥离工序形成。因此，第一发光层34b的外周部形成在构造物53之下。在显示装置1中，在构造物53的内侧形成发光区域71b，该发光区域71b中，由发光层34b发出的蓝色光被视觉辨认。发光区域71b由膜厚均匀区域73b构成。在膜厚均匀区域73b中，发光层34b具有均匀的膜厚。
[0092]
如图10a、图10b、图11a和图11b所示，在显示装置1中，与显示装置8相比，膜厚均匀区域(均匀发光区域)73b变宽。因此，在显示装置1中，与显示装置8相比，由子像素21b发出的光的强度不均变少，子像素21b的发光强度变强。
[0093]
而且，在显示装置8中，由于第一发光层34b的外周部未被构造物53覆盖，因此容易形成第一发光层34b的剥离34ba。与此相对，在显示装置1中，由于第一发光层34b的外周部被构造物53覆盖，因此难以形成发光层34b的剥落34ba。
[0094]
子像素21g也与子像素21b同样。
[0095]
图12a是示意性地图示不具有构造物53的显示装置中的子像素21b的发光状态的俯视图。图12b是示意性地图示在具有构造物53并且第一发光层34b的外周部配置在构造物53上的显示装置中的子像素21b的发光状态的俯视图。图12c是示意性地图示在具有构造物53并且第一发光层34b的外周部配置在构造物53下的显示装置中的子像素21b的发光状态的俯视图。在图12a、图12b和图12c中，黑色的比例高表示发光强度弱。
[0096]
在不具备构造物53的显示装置中，如图12a所示，第一发光层34b的发光状态不均匀。从第一发光层34b发出的光在接近第一发光层34b的外周部的区域增强，在远离第一发光层34b的外周部的区域减弱。发生这种情况是因为在像素电极的外周部引起电场集中，流入像素电极的外周部的电流变大。
[0097]
例如，在如图10a所示具备构造物53且第一发光层34b的外周部配置在构造物53上
的显示装置中，如图12b所示，第一发光层34b的发光状态不均匀。从第一发光层34b发出的光在接近第一发光层34b的外周部的区域变弱，在远离第一发光层34b的外周部的区域变强。发生这种情况的原因在于，在像素电极32b的外周部上，第一发光层34b的厚度变厚，流入像素电极32b的外周部的电流变小。
[0098]
在如第一实施方式的显示装置1那样具备构造物53且第一发光层34b和像素电极32b的外周部配置在构造物53下的显示装置中，如图12c所示，第一发光层34b的发光状态均匀。即，在第一发光层34b和像素电极32b的外周部配置在构造物53下的显示装置1中，通过以覆盖像素电极32b的外周部的方式配置有构造物53，能够防止电场向像素电极32b的外周部集中，并且能够使第一发光层34b的发光区域的厚度均匀，因此能够抑制成为图12a以及图12b所示那样的不均匀的发光状态。
[0099]
子像素21g也与子像素21b同样。
[0100]
1.11变形例图13a和图13b是示意性地图示第一实施方式的变形例的显示装置的中间产品的剖视图。
[0101]
在上述的显示装置1的制造方法中，如图5c所示，在向感光性树脂图案62r的一部分照射感光线r时，向第一被剥离部分65r照射感光线r，而不向构造物部分51p、52p和53p照射感光线r。
[0102]
但是，也可以如图13所示，向第一被剥离部分65r以及构造物部分51p、52p和53p照射感光线r。在这种情况下，向第一被剥离部分65r的感光射线照射量比向构造物部分51p、52p和53p的感光射线照射量多。向构造物部分51p、52p和53p照射感光线r经由剥离工序用的掩模67rm所具备的半透射部分进行。由此，如图13b所示，能够去除构成发光材料层64r的、形成于构造物部分51p、52p和53p之上的部分。因此，能够通过一次剥离工序同时去除该部分及第二被剥离部分66r。
[0103]
2第二实施方式以下，对第二实施方式与第一实施方式不同的方面进行说明。关于未说明的方面，在第二实施方式中，也采用与第一实施方式所采用的构成同样的构成。
[0104]
图14是示意性地图示第二实施方式的显示装置2所具备的各像素11的剖视图。
[0105]
如图14所示，显示装置2还具备其他构造物81、82及83，且取代第二电荷传输层33b、33g和33r而具备第二电荷传输层33。
[0106]
其他构造物81、82及83分别配置在构造物51、52和53之下，即配置有基板31的主表面31s的一侧。
[0107]
其它构造物81跨越配置在第一像素电极32b的外周部之上、第一像素电极32b与第一像素电极32g之间以及第一像素电极32g的外周部之上。因此，其它构造物81包括配置在第一像素电极32b的外周部之上的边缘盖部分81b、配置在第一像素电极32b与第一像素电极32g之间的像素边界部分81i、以及配置在第一像素电极32g的外周部之上的边缘盖部分81g。
[0108]
其它构造物82跨越配置在第一像素电极32g的外周部之上、第一像素电极32g与第二像素电极32r之间以及第二像素电极32r的外周部之上。因此，其他构造物82包括配置在第一像素电极32g的外周部之上的边缘盖部分82g、配置在第一像素电极32g和第二像素电
极32r之间的像素边界部分82i以及配置在第二像素电极32r的外周部之上的边缘盖部分82r。
[0109]
其它构造物83跨越配置在第一像素电极32b的外周部之上、第一像素电极32b与第二像素电极32r之间以及第二像素电极32r的外周部之上。因此，其他构造物83包括配置在第一像素电极32b的外周部之上的边缘盖部分83b、配置在第一像素电极32b和第二像素电极32r之间的像素边界部分83i以及配置在第二像素电极32r的外周部之上的边缘盖部分83r。
[0110]
第二电荷传输层33未被图案化。因此，第二电荷传输层33遍及配置在子像素21b、21g和21r的各自的整体，并且连续地跨越子像素21b、21g和21r配置。
[0111]
第二电荷传输层33跨越配置在第一像素电极32b之上、其它构造物81之上、第一像素电极32g之上、其它构造物82之上、第二像素电极32r之上以及其它构造物83之上。
[0112]
构造物51、52和53分别配置在其他构造物81、82及83之上。
[0113]
第一发光层34b的外周部配置在构造物51和53之下。第一发光层34g的外周部配置在构造物51和52之下。相对于此，第二发光层34r的外周部配置在构造物52和53之上。
[0114]
第一电荷传输层35和第二电荷传输层33的属于子像素21b、21g和21r的部分，与像素电极32b、32g和32r的每一个和共通电极36之间的距离相比，像素电极32b、32g和32r彼此之间的距离大，不存在第一电荷传输层35和第二电荷传输层33相互直接接触的部位，所以相互分离。由此，能够抑制子像素21b、21g和21r之间产生串扰。
[0115]
图15是示出第二实施方式的显示装置2的制造流程的流程图。
[0116]
如图15所示，显示装置2的制造方法在包括工序s101到s111的基础上，还包括工序s212。
[0117]
在工序s102中形成了第一像素电极32b和32g以及第二像素电极32r之后且在工序s103中形成第二电荷传输层33之前，执行工序s212。在步骤s212中，形成其他构造物81、82和83。通过形成感光性树脂层，并对所形成的感光性树脂层进行图案化来形成其他构造物81、82和83。
[0118]
3第三实施方式以下，对第三实施方式与第一实施方式不同的方面进行说明。关于未说明的方面，在第三实施方式中，也采用与第一实施方式所采用的构成同样的构成。
[0119]
图16是示意性地图示第三实施方式的显示装置3所具备的各像素11的剖视图。
[0120]
如图16所示，显示装置3还具备电荷注入层37b、37g和37r，并取代第二电荷传输层33b、33g和33r而具备第二电荷传输层33。
[0121]
电荷注入层37b、37g和37r分别配置在第一像素电极32b、第一像素电极32g及第二像素电极32r之上，并配置在第二电荷传输层33之下。因此，电荷注入层37b配置在第一像素电极32b与第二电荷传输层33之间。另外，电荷注入层37g配置在第一像素电极32g与第二电荷传输层33之间。另外，电荷注入层37r配置在第二像素电极32r与第二电荷传输层33之间。
[0122]
电荷注入层37b、37g和37r具有与第一像素电极32b、第一像素电极32g及第二像素电极32r的平面形状相同的平面形状。
[0123]
第二电荷传输层33未被图案化。因此，第二电荷传输层33遍及配置在子像素21b、21g和21r的各自的整体，并且连续地跨越子像素21b、21g和21r配置。由此，能够抑制第二电
荷传输层33的剥离、外周部的缺损等，能够使子像素21b、21g和21r均匀地发光。
[0124]
图17是示出第三实施方式的显示装置3的制造流程的流程图。
[0125]
如图17所示，显示装置3的制造方法在包括工序s101到s111的基础上，还包括工序s313。
[0126]
在工序s102中形成了第一像素电极32b和32g以及第二像素电极32r之后且在工序s103中形成第二电荷传输层33之前，执行工序s313。在步骤s313中，形成电荷注入层37b、37g和37r。在步骤s313中，通过掩模蒸镀、将光致抗蚀剂作为掩模的蚀刻法等对由电荷注入材料构成的层进行图案化，形成电荷注入层37b、37g和37r。
[0127]
4第四实施方式以下，对第四实施方式与第一实施方式不同的方面进行说明。关于未说明的方面，在第四实施方式中，也采用与第一实施方式所采用的构成同样的构成。
[0128]
图18是示意性地图示第四实施方式的显示装置4所具备的各像素11的剖视图。
[0129]
如图18所示，第一发光层34g跨越配置在电荷传输层33g之上和第一发光层34b的外周部之上。因此，第一发光层34g覆盖第一发光层34b的外周部。第一发光层34g覆盖第一发光层34b的外周部的整周。由此，第一发光层34b的外周部难以剥离。另外，第一发光层34b和34g是连续的。由此，第一发光层34b和34g难以剥离。第一发光层34b的外周部的整周与构造物51和构造物53重合。
[0130]
图4也是示出第四实施方式的显示装置4的制造流程的流程图。图19a至图19d是示意性地图示第四实施方式的显示装置4的中间产品的剖视图。
[0131]
在工序s101中，准备图19a所示的基板31。
[0132]
在接下来的步骤s102中，形成图19a所示的第一像素电极32b和32g以及第二像素电极32r。
[0133]
在接下来的步骤s103中，形成图19a所示的第二电荷传输层33b、33g和33r。
[0134]
在接下来的步骤s104中，形成图19a所示的第一发光层34b和34g。
[0135]
在工序s105中，形成图19a所示的感光树脂层61r。
[0136]
在接下来的工序s106中，通过显影对感光性树脂层61r进行图案化，形成图19b所示的感光性树脂图案62r。
[0137]
在接下来的工序s107中，形成图19c所示的发光材料层64r。
[0138]
在接下来的工序s108中，使第一被剥离部分65r溶解在显影液中，第二被剥离部分66r被剥离，从而由发光材料层64r形成图19d所示的第二发光层34r。被感光线r照射的区域是除了配置有第二像素电极32r的区域、第一像素电极32b与第一像素电极32g之间的区域、第一像素电极32g与第二像素电极32r之间的区域、以及第一像素电极32b与第二像素电极32r之间的区域以外的区域。
[0139]
在步骤s108中，在使第一被剥离部分65r被溶解在显影液中，第二被剥离部分66r被剥离时，第一发光层34b的外周部的整周被第一发光层34g覆盖，并且第一发光层34b和第一发光层34b是连续的。因此，难以引起第一发光层34b和34g的剥离。
[0140]
图7也是示出通过剥离形成第四实施方式的显示装置4所具备的第一发光层34b的流程的流程图。图20a至图20d是示意性地图示第四实施方式的显示装置4的中间产品的剖视图。
[0141]
在工序s121中，形成图20a所示的感光树脂层61b。
[0142]
在随后的工序s122中，感光性树脂层61b被图案化以形成图20b所示的感光性树脂图案62b。在第四实施方式中，配置在子像素21g与子像素21r之间的开口形成在感光树脂图案62b中。
[0143]
在接下来的工序s123中，形成图20c所示的发光材料层64b。
[0144]
在接下来的工序s124中，使第一被剥离部分65b溶解于显影液，第二被剥离部分66b被剥离，从而由发光材料层64b形成图20d所示的第一发光层34b。在工序s124中，被感光线r照射的区域是除了配置有第一像素电极32b的区域以外的区域。
[0145]
图7也是示出通过剥离形成第四实施方式的显示装置4所具备的第一发光层34g的流程的流程图。图21a到图21d是示意性地图示第四实施方式的显示装置4的中间产品的剖视图。
[0146]
在工序s121中，形成图21a所示的感光树脂层61g。
[0147]
在接下来的工序s122中，感光性树脂层61g被图案化以形成图21b所示的感光性树脂图案62g。在第四实施方式中，配置在子像素21b与子像素21r之间的开口形成在感光树脂图案62g中。
[0148]
在接下来的工序s123中，形成图21c所示的发光材料层64g。
[0149]
在接下来的工序s124中，使第一被剥离部分65g溶解于显影液，第二被剥离部分66g被剥离，从而由发光材料层64g形成图21d所示的第一发光层34g。在工序s124中，被感光线r照射的区域是除了配置有第一像素电极32g的区域以外的区域。
[0150]
图22是示意性地图示第四实施方式的显示装置4所具备的子像素21b、21g和21r的排列的俯视图。图23a是示意性地图示第四实施方式的显示装置4所具备的第一发光层34b的平面形状的俯视图。图23b是示意性地图示第四实施方式的显示装置4所具备的第一发光层34g的平面形状的俯视图。图23c是示意性地图示第四实施方式的显示装置4所具备的第二发光层34r的平面形状的俯视图。
[0151]
如图22所示，在显示装置4中，多个子像素21b在第一方向d1上直线排列以构成子像素列91b。另外，多个子像素21g在第一方向d1上直线排列以构成子像素列91g。另外，多个子像素21r在第一方向d1上直线排列以构成子像素列91r。子像素列91b、91g和91r排列在与第一方向d1垂直的第二方向d2上。
[0152]
在第一发光层34b中，当在工序s124中，使第一被剥离部分65b溶解在显影液中，第二被剥离部分66b被剥离时，形成多个开口部34bb。在第一发光层34g中，当在工序s124中，使第一被剥离部分65g溶解在显影液中，第二被剥离部分66g被剥离时，形成多个开口部34gb。在第二发光层34r中，当在工序s108中，使第一被剥离部分65r溶解在显影液中，第二被剥离部分66r被剥离时，形成多个开口部34rb。
[0153]
多个开口部34bb形成在配置有第一像素电极32g和第二像素电极32r的范围内。因此，第一发光层34b不覆盖第一像素电极32g和第二像素电极32r。多个开口部34gb形成在配置有第一像素电极32b和第二像素电极32r的范围内。因此，第一发光层34g不覆盖第一像素电极32b和第二像素电极32r。多个开口部34rb形成在配置有第一像素电极32b和32g的范围内。因此，第一发光层34b不覆盖第一像素电极32b和32g。
[0154]
各开口部34bb处于孤立。因此，为了形成各开口部34bb而溶解于显影液的第一被
剥离部分65b也处于孤立。因此，容易使第一被剥离部分65b溶解于显影液。各开口部34gb处于孤立。因此，为了形成各开口部34gb而溶解于显影液的第一被剥离部分65g也处于孤立。因此，容易使第一被剥离部分65g溶解于显影液。各开口部34rb处于孤立。因此，为了形成各开口部34rb而溶解于显影液的第一被剥离部分65r也处于孤立。因此，容易使第一被剥离部分65r溶解于显影液。
[0155]
第一发光层34b和34g以及第二发光层34r不具有容易成为缺损和剥离的原因的凸部。因此，第一发光层34b和34g以及第二发光层34r对缺损和剥落具有高的耐性。
[0156]
第一发光层34b和34g以及第二发光层34r为面状的连续图案。由此，能够扩大第一发光层34b和34g以及第二发光层34r与电荷传输层35的接触面积，能够使电荷传输层35难以剥离。
[0157]
当发光层为在俯视时具有长方形形状的岛状的孤立图案时，发光层的各角在外角270
°
的角度的范围内暴露于加工工序中。因此，例如在具有长方形形状等且在俯视时具有角的孤立图案中，各角成为形成内角小于180
°
的角度的凸部，在角处容易发生剥离。但是，由于第一发光层34b和34g以及第二发光层34r是面状的连续图案，因此，第一发光层34b和34g以及第二发光层34r的角只不过是在内角90
°
的角度的范围内暴露于加工工序中。因此，第一发光层34b和34g以及第二发光层34r不具有凸部，在角落不容易发生剥离。
[0158]
5第五实施方式以下，对第五实施方式与第一实施方式不同的方面进行说明。关于未说明的方面，在第五实施方式中，也采用与第一实施方式所采用的构成同样的构成。
[0159]
图24是示意性地图示第五实施方式的显示装置5所具备的各像素11的剖视图。
[0160]
构造物51的上表面51u包括第一斜面51a和第二斜面51b。第一斜面51a靠近第一像素电极32b配置并且具有第一倾斜度。第二斜面51b靠近第一像素电极32g配置并且具有第一倾斜度。
[0161]
构造物52的上表面52u包括第一斜面52a和第二斜面52b。第一斜面52a靠近第一像素电极32g配置并且具有第一倾斜度。第二斜面52b靠近第二像素电极32r配置并且具有第一倾斜度。
[0162]
构造物53的上表面53u包括第一斜面53a和第二斜面53b。第一斜面53a靠近第一像素电极32b配置并且具有第一倾斜度。第二斜面53b靠近第二像素电极32r配置并且具有第一倾斜度。
[0163]
第二倾斜度比第一倾斜度平缓。
[0164]
第二发光层34r的外周部配置在具有平缓的第二倾斜度的第二斜面52b和53b之上。因此，能够以使得第二发光层34r的厚度维持均匀直至构造物52与53的边界的方式形成第二发光层34r。
[0165]
子像素21b的感光性树脂图案的开口部由具有陡峭的第一倾斜度的第一斜面51a和第一斜面53a夹持。由此，能够在维持构造物51和53的高度且维持子像素21b的外周部的绝缘性的同时，扩大子像素21b的开口部来提高子像素21b的开口率。第一倾斜度例如为20
°
到30
°
。由此，能够将构造物51和53的高度维持在100nm以上来确保构造物51和53的绝缘性的同时，能够缩小第一斜面51a和第一斜面53a存在的范围，能够增大子像素21b的开口率。
[0166]
子像素21g的开口部被具有陡峭的第一倾斜度的第二斜面51b和第一斜面52a夹
持。由此，能够在维持构造物51和52的高度且维持子像素21g的外周部的绝缘性的同时，扩大子像素21g的开口部来提高子像素21g的开口率。第一倾斜度例如为20
°
到40
°
。由此，能够将构造物51和52的高度维持在100nm以上来确保构造物51和52的绝缘性的同时，能够缩小第二斜面51b和第一斜面52a存在的范围，能够增大子像素21g的开口率。
[0167]
图4也是示出第五实施方式的显示装置5的制造流程的流程图。图25a至图25d是示意性地图示第五实施方式的显示装置5的中间产品的剖视图。
[0168]
从步骤s101到步骤s105，与第一实施方式同样地，准备图25a所示的基板31，形成图25a所示的第一像素电极32b和32g、第二像素电极32r、第二电荷传输层33b、33g和33r、第一发光层34b和34g以及感光性树脂层61r。
[0169]
在接下来的工序s106中，通过显影对感光性树脂层61r进行图案化，形成图25b所示的感光性树脂图案62r。此时，为了形成由具有平缓的第二倾斜度的第二斜面52b和第二斜面53b所夹的开口部，向感光性树脂层61r照射平行度低且具有扩散性的感光线r。在平行度低且具有扩散性的感光线r照射于感光性树脂层61r的情况下，感光线r的一部分也绕进曝光用掩模的开口部的周围的遮光部，曝光用掩模的开口部的周围的遮光部之下的感光性树脂层61r也稍微被感光，能够形成具有平缓的第二倾斜度的第二斜面52b和第二斜面53b。感光性树脂层61r的曝光量也可以比通常的曝光量多。在增大曝光量的情况下，感光线r的一部分也绕进曝光用掩模的开口部的周围的遮光部，曝光用掩模的开口部的周围的遮光部之下的感光性树脂层61r也稍微被感光，能够形成具有平缓的第二倾斜度的第二斜面52b和第二斜面53b。第二倾斜度例如为5
°
到30
°
。
[0170]
在接下来的工序s107中，形成图25c所示的发光材料层64r。发光材料层64r形成在第二电荷传输层33r之上以及具有平缓的第二倾斜度的第二斜面52b和53b之上。在构造物部分的斜面的倾斜度陡峭的情况下，涂布在斜面上的发光材料流入发光区域，发光区域的发光材料层的厚度容易变得不均匀，但在具有平缓的第二倾斜度的第二斜面52b和53b上涂布发光材料的情况下，发光材料难以流入发光区域，发光材料层64r的厚度均匀地维持到构造物部分52p与53p的边界。即，能够抑制构造物部分52p与53p的边界附近的发光材料层64r的厚度不均。
[0171]
在接下来的工序s108中，第一被剥离部分65r和第二被剥离部分66r通过显影被剥离，从而由发光材料层64r形成图25d所示的第二发光层34r。此时，具有高平行度的感光线r被照射到感光性树脂图案62r。被感光线r照射的区域是除了配置有第二像素电极32r的区域、第一像素电极32b与第一像素电极32g之间的区域、第一像素电极32g与第二像素电极32r之间的区域、以及第二像素电极32r与第一像素电极32b之间的区域以外的区域。
[0172]
在接下来的步骤s109到步骤s111中，与第一实施方式同样地，构造物51q、52q和53q被后烘，形成图24所示的第一电荷传输层35以及对置电极36。
[0173]
图26a是示意性地图示参考例的显示装置10所具备的第二像素电极32r的外周部附近的放大剖视图。图26b是示意性地图示参考例的显示装置10所具备的第二像素电极32r的外周部附近的放大俯视图。图27a是示意性地图示第五实施方式的显示装置5所具备的第二像素电极32r的外周附近的放大剖视图。图27b是示意性地图示第五实施方式的显示装置5所具备的第二像素电极32r的外周附近的放大俯视图。
[0174]
在图26a和图26b所示的参考例的显示装置10中，第二斜面52b是陡斜面。因此，沿
着第二发光层34r形成沿着构造物52的积液95。在显示装置10中，在构造物52的内侧形成发光区域71r，该发光区域71r中，由第二发光层34r发出的红色光被视觉辨认。发光区域71r由沿着构造物52的膜厚不均匀区域72r和位于膜厚不均匀区域72r的内侧的膜厚均匀区域73r构成。在膜厚不均匀区域72r中，受到在第二发光层34r中形成积液95的影响，发光层34r具有不均匀的膜厚。因此，膜厚不均匀区域72r成为发光不良区域。在膜厚均匀区域73r中，发光层34r具有均匀的膜厚。因此，膜厚均匀区域73r成为均匀发光区域。
[0175]
在图27a及图27b所示的第五实施方式的显示装置5中，第二斜面52b为缓斜面。因此，沿着第二发光层34r上形成的构造物52的积液95能够减少第二发光层34r的膜厚增加区域的面积和厚度。这里所说的积液95是指构造物52的根部附近的第二发光层34r的膜厚变厚的区域。在显示装置5中，在构造物52的内侧形成发光区域71r，该发光区域71r中，由第二发光层34r发出的红色光被视觉辨认。发光区域71r由膜厚均匀区域73r构成。在膜厚均匀区域73r中，发光层34r具有均匀的膜厚。因此，膜厚均匀区域73r成为均匀发光区域。
[0176]
如图26a、图26b、图27a和图27b所示，在显示装置5中，与显示装置10相比，膜厚均匀区域(均匀发光区域)73r变宽。因此，在显示装置5中，与显示装置10相比，通过使子像素21r发出的红色光变强，由子像素21r发出的红色光的不均变少。
[0177]
6子像素的排列图28a至图28d是示意性地图示可在第一实施方式到第五实施方式中采用的子像素21b、21g和21r的排列的另一个例子的俯视图。
[0178]
在图28a所示的排列中，子像素被排列成3行3列的矩阵状。在第一列和第三列中，子像素21r、21g和21r以描述的顺序排列。在第二行中，子像素21g、21b和21g以描述的顺序排列。
[0179]
在图28b所示的排列中，子像素被排列成2行4列的矩阵状。在第一行中，子像素21b、21g、21r和21g以描述的顺序排列。在第二行中，子像素21r、21g、21b和21g以描述的顺序排列。
[0180]
在图28c所示的排列中，子像素被排列成2行2列的矩阵状。在第一列中，子像素21b和21g以描述的顺序排列。在第二行中，子像素21g和21r以描述的顺序排列。
[0181]
在图28d所示的排列中，子像素被排列成3列。在第一列和第三列中，子像素21g、21r、21g和21r以描述的顺序排列。在第二列中，子像素21b和21b以描述的顺序排列。
[0182]
本发明不限于上述实施方式，可以用上述实施方式所示的构成基本相同的构成、实现相同作用效果的构成、或者可以实现相同目的的构成替换。

技术特征：
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：形成第一像素电极以及第二像素电极的工序a)；在所述第一像素电极之上形成第一发光层的工序b)；在所述第二像素电极以及所述第一发光层之上形成感光性树脂层的工序c)；对所述感光性树脂层图案化以形成感光性树脂图案的工序d)，其中，所述感光性树脂图案具备构成为构造物的构造物部分且形成有配置在所述第二像素电极之上的开口，所述构造物具有配置在所述第一发光层的外周部之上的边缘盖部分、以及配置在所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的像素边界部中的至少一方；在开口下部分以及所述感光性树脂图案之上形成发光材料层的工序e)，其中，开口下部分为所述第二像素电极的至少一部分且形成在所述开口之下；以及工序f)，在此工序中，残留所述构造物，并使作为所述感光性树脂图案的一部分且形成在所述第一发光层之上的第一被剥离部分溶剂于显像液，将作为所述发光材料层的一部分且形成在所述第一被剥离部分之上的第二被剥离部分剥离，由所述发光材料层形成配置在所述第二像素电极之上的第二发光层。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述工序e)中，以由所述发光材料层覆盖所述开口下部分以及所述感光性树脂图案的整体的方式形成所述发光材料层。3.根据权利要求1或2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述构造物具备所述边缘盖部分。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述工序f)中，以使所述构造物作为边缘盖残留在所述第二像素电极的外周部之上的方式，将所述第一被剥离部分以及所述第二被剥离部分剥离。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，具有：在所述第二像素电极之上形成电荷传输层的工序g)，所述工序f)中，以使所述构造物作为边缘盖残留在所述电荷传输层的外周部之上的方式，将所述第一被剥离部分以及所述第二被剥离部分剥离。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述工序b)中，以由所述第一发光层覆盖所述第一像素电极的整体的方式形成所述第一发光层。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述感光性树脂层包含正型感光性树脂。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述工序f)中，使得向所述第一被剥离部分的感光线照射量多于向所述构造物部分的感光线照射量。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述工序f)中，以使所述构造物的上表面包含第一斜面和第二斜面的方式，将所述第一被剥离部分以及所述第二被剥离部分剥离，其中，所述第一斜面靠近所述第一像素电极配置且具有第一倾斜度，所述第二斜面靠近所述第二像素电极配置且具有比所述第一倾斜度平缓的第二倾斜度。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述工序b)利用剥离工序来形成所述第一发光层。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一发光层包含第一量子点，所述第二发光层包含第二量子点。12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一量子点的粒径大于所述第二量子点的粒径。13.根据权利要求1至12中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：形成对置电极的工序h)，其中，所述对置电极隔着所述第一发光层与所述第一像素电极对置，并且隔着所述第二发光层与所述第二像素电极对置。14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其特征在于，在所述工序h)之前，还包括形成第一电荷传输层的工序i)，其中，所述第一电荷传输层隔着所述第一发光层与所述第一像素电极对置，并且隔着所述第二发光层与所述第二像素电极对置。15.根据权利要求1至14中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，在所述工序b)之前，还包括在所述第一像素电极以及所述第二像素电极之上形成第二电荷传输层的工序j)。16.根据权利要求1至15中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括：对所述构造物进行后烘的工序k)。17.根据权利要求1至16中的任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述工序f)以及所述工序k)连续地执行。18.一种显示装置，其特征在于，包括：基板，其具有主面；第一像素电极，其配置在所述主面之上；第二像素电极，其在所述主面之上与所述第一像素电极邻接地配置；第一发光层，其配置在所述第一像素电极的、与配置有所述主面的一侧相反的一侧；第二发光层，其配置在所述第二像素电极的、与配置有所述主面的一侧相反的一侧；以及构造物，其跨越配置在所述第一发光层的外周部之上以及相较于所述第一发光层的外周部的外侧，且包含第一边缘盖部分，所述第一边缘盖部分配置在所述第二发光层的外周部的、配置有所述主面的一侧。19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述构造物包含第二边缘盖部分，所述第二边缘盖部分配置在所述第二像素电极的外周部之上。20.根据权利要求18或19所述的显示装置，其特征在于，还包括电荷传输层，所述电荷传输层配置在所述第二像素电极之上，所述构造物还包含第三边缘盖部分，所述第三边缘盖部分配置在所述电荷传输层的外周部之上。21.根据权利要求18至20中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述构造物由正型感光性树脂的固化物构成。22.根据权利要求18至21中的任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括：其他构造物，其配置在所述构造物的、配置有所述主面的一侧，并跨越配置在所述第一像素电极的外周部之上、所述第一像素电极与所述第二像素电极之间以及所述第二像素电极的外周部之上。23.根据权利要求18至22中的任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一发光层包含第一量子点，所述第二发光层包含第二量子点。24.根据权利要求23所述的显示装置，其特征在于，所述第一量子点的粒径大于所述第二量子点的粒径。25.根据权利要求23所述的显示装置，其特征在于，所述第一量子点的荧光寿命短于所述第二量子点的荧光寿命。26.根据权利要求23所述的显示装置，其特征在于，所述第一量子点的发光波长为绿色。27.根据权利要求23所述的显示装置，其特征在于，所述第一量子点的发光波长为绿色，所述第二量子点的发光波长为红色或蓝色。

技术总结
显示装置的制造方法包括：形成第一像素电极以及第二像素电极的工序a)；在所述第一像素电极之上形成第一发光层的工序b)；在所述第二像素电极以及所述第一发光层之上形成感光性树脂层的工序c)；对所述感光性树脂层图案化以形成感光性树脂图案的工序d)，该感光性树脂图案具备构成为构造物的构造物部分且形成有配置在所述第二像素电极之上的开口，所述构造物具有边缘盖部分以及像素边界部中的至少一方；在开口下部分以及所述感光性树脂图案之上形成发光材料层的工序e)，该开口下部分为所述第二像素电极的至少一部分且形成在所述开口之下；以及工序f)，在此工序中，残留所述构造物，并将作为所述感光性树脂图案的一部分的第一被剥离部分和作为所述发光材料层的一部分的第二被剥离部分剥离，以形成配置在所述第二像素电极之上的第二发光层。素电极之上的第二发光层。素电极之上的第二发光层。


技术研发人员：浅冈康 佐久间惇 安达考洋
受保护的技术使用者：夏普株式会社
技术研发日：2020.12.22
技术公布日：2023/8/16