一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件

1.本发明属于光通讯技术领域的一种光子晶体路由器件，尤其涉及一种小型基于鲁棒-逆向设计的硫系宽带拓扑光子晶体路由器件。


背景技术：

2.在过去的几十年里，随着社会的进步和发展，对于信息的需求提出了更高的要求，小型化与集成化成为了信息硬件领域的发展潮流。信号在传输过程中对于环境的要求却是极高，背向散射会显著地影响信号的传输质量和传输距离。其中拓扑光子晶体由于其独特的单项传输性质成为了人们发展的重点。
3.在拓扑光子晶体中，波导中的模式是固定，这也使得拓扑光子晶体无法灵活配置在现行的光网络系统中。同时传统的集成光路中，信号通常以单模信号的方式传输。目前还不存在可以实际应用的拓扑光子晶体路由器件。
4.另外，不同于传统的近红外波段，中红外作为一个极具科学与工程价值的光学波段，它涵盖了大部分重要生物、化学分子的吸收指纹，并包含多个大气窗口，在生物化学传感、红外成像、空间通信、医疗和军事中起着至关重要的作用。所有的这些应用都离不开集成光子器件的发展，为中红外波段的集成芯片器件的研究提供了极大的动力。中红外片上集成光学器件能够极大提高中红外应用系统的性能，减小系统体积，降低系统成本，为中红外功能器件的广泛应用奠定了基础。
5.传统的中红外集成器件，材料平台主要有硅、硫系玻璃、卤化物玻璃等，但是单一的材料都面临着制备成本高、工作带宽受限等缺点，亟需开发一种新型多材料集成的中红外平台。同时，工作波长的增加，也带来模场面积的增大和更多的模场泄露，这些都使得中红外光子器件的集成存在挑战。
6.且传统的模路由器件需要的严格的加工和排布，同时会引入很大的插入损耗，同时面临着尺寸太大、工作带宽小、器件功能缺乏灵活性等缺点，无法实现器件结构小型化，不利于集成，同时所有的设计都是基于硅基光子器件，且工作在近红外波段，在以2000纳米为中心波长的中红外波段，关于拓扑光晶体路由器件的设计更是一片空白。因此如何实现器件小型化，提高工作性能，实现高转换效率、低插入损耗、大工作带宽的硫系拓扑光子晶体路由器件设计非常重要，十分具有挑战性。


技术实现要素：

7.为了解决背景技术中存在的问题，本发明实施例的目的是提供一种小型基于鲁棒-逆向设计的硫系宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件，从而克服现有技术的缺陷。
8.本发明包括基于硫系介质的光子器件实现中红外波段低损信号传输功能；te0模式的信号经信号不同的输入波导输入，经过路由区域后被转换成指定的赝自旋模式信号从对应的拓扑光子晶体波导输出。本发明基于鲁棒-逆向设计方法对器件进行拓扑优化逆向设计，使其实现了宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由的功能，以解决传统片上拓扑光子晶体路
由器件中存在的插入损耗大、性能不稳定、低鲁棒性、带宽窄的问题。
9.本发明所采用的技术方案是包括：
10.衬底；
11.信号输入波导，布置在所述衬底上，包括第一输入波导和第二输入波导，第一输入波导和第二输入波导结构相同且相间隔布置；
12.多个拓扑光子晶体，布置在所述衬底上，包括第一拓扑光子晶体波导和第二拓扑光子晶体波导，第一拓扑光子晶体波导和第二拓扑光子晶体波导分布作为路由器件的两个端口，实际应用中可以更多拓扑光子晶体波导形成更多端口；
13.路由区域，所述路由区域布置在所述衬底上，路由区域通过鲁棒-逆向设计构建并连接在所述信号输入波导和拓扑光子晶体之间；
14.te0模式的信号从不同信号输入波导输入，经过路由区域后被转换成对应的赝自旋模式信号从对应的拓扑光子晶体输出；或者赝自旋模式信号经拓扑光子晶体输入，经过路由区域后被转换成对应te0模式信号从对应的信号输入波导输出。
15.所述衬底材质为二氧化硅，所述信号输入波导和拓扑光子晶体选用的材质均为硫系玻璃材料。硫系材料由于具有众多的光敏性、宽红外窗口和高光学非线性的特点，使得器件能够低损工作在红外波段。
16.所述的信号输入波导、拓扑光子晶体和路由区域沿信号传输方向依次布置，信号输入波导的第一输入波导和第二输入波导和拓扑光子晶体的第一拓扑光子晶体波导和第二拓扑光子晶体波导分别布置在沿信号传输方向中线的两侧。
17.所述的第一拓扑光子晶体波导和第二拓扑光子晶体波导对称分布。
18.本发明所述的“小型”是指尺寸小于5*5微米。
19.本发明所述的“宽带”是指工作带宽大于等于100纳米。
20.所述路由区域在立体空间中被划分成n*n个单元立方体，每个单元立方体仅具有空气或者硫系玻璃材料的两种可能的材料状态，即每个单元立方体仅为空气或者硫系玻璃材料。
21.所述的路由区域通过鲁棒-逆向设计方法，具体是采用以下方式优化确定：
22.根据不同路由工作状态下拓扑光子晶体的输出的赝自旋模式的信号能量与信号输入波导中te0模式的信号能量之间的比值和建立目标函数：
23.min(fom0(ε(器件))-1)
[0024][0025]
式子中，min(fom0(ε(器件))-1)表示路由器件在理想状态下的目标函数。n表示器件路由功能实现的工作场景总数，e
赝自旋
(i)表示第i个路由工作场景下，对应拓扑光子晶体波导中的赝自旋模式的电场强度，e
te模式
(i)表示第i个路由工作场景下，对应信号输入波导中输入信号的电场强度，i表示指定路由工作场景，ε(器件)表示路由区域整体的介电常数分布；
[0026]
按照上述目标函数建立针对整体器件的路由的目标和关系，在上述目标函数的目
标下进行求解，获得各个单元立方体的介电常数的最优分布，进而按照最优分布进行路由区域的制作。
[0027]
在求解优化过程中，待求解优化的迭代次数达到预设次数阈值时，将误差分析(折射率、分布等)引入求解优化过程，引入误差扰动建立按照以下公式的鲁棒-逆向设计优化模型，用鲁棒-逆向设计优化模型代替目标函数进一步进行迭代优化，求解获得最终的介电常数分布ε(p)，实现鲁棒逆向设计：
[0028]
具体是采用以下方式进行鲁棒性优化设计：
[0029][0030]
fom
*
(ε(器件),ξ)＝fom0(ε(器件)+ξ(ε(器件)))
[0031]
式子中，ε(器件)表示路由区域整体的介电常数分布，fom0(v(器件))表示路由区域整体在理想状态下的目标函数；fom
*
(ε(器件)，ξ)表示路由区域整体在误差扰动下的目标函数；ξ表示路由区域整体预设的误差扰动因子，如加工误差，温度误差等；ξ(ε(器件)表示路由区域整体在误差扰动下，结构的介电常数分布的变化值；e
ξ
[(fom
*
(ε(器件)，ξ)-fom0(ε(器件)))2]表示器件目标函数在误差影响下关于理想状态目标函数的方差的期望；β表示优化过程中的迭代次数，β0表示优化过程中的迭代次数阈值。
[0032]
本发明的设计通过建立目标函数来衡量器件性能。将不同路由工作状态下，拓扑光子晶体的输出的赝自旋模式的信号能量与器件信号输入波导中te0模式的信号能量之间的比值的和作为目标函数，记为fom。当器件实现正确的路由功能时，即fom应趋近于1，能让器件实现中心波长为2000纳米的宽带的模式转换，目标函数需要满足一定关系。
[0033]
将路由区域在空间上划分成250*250个单元结构，每个单元结构的尺寸为20*20*500nm，每个单元结构的材料属性有两种可能，空气或者硫系玻璃材料。所有单元结构的材料属性组合在一起，形成了路由区域的结构形状，一共有2
62500
种可能的结构排布。
[0034]
首先根据器件功能，设立目标函数和器件的初始条件，再通过伴随法，建立目标函数和每个单元结构内介电常数之间的关系，求解出满足目标函数关系的每个单元结构的介电常数的梯度关系。在伴随法的求解过程中，允许单元格的介电常数的变化为连续的，通过梯度关系，不断迭代，得到空间中介电常数的最优分布。实际结构中的介电常数为离散的两种状态，故进一步对空间中介电常数分布的投影和滤波处理。值得注意的是，中红外器件容易受到温度、加工误差等因素的影响，器件的约束条件往往很多，但是如果一开始便考虑则会过多增加优化时间和算力需求。这里，在投影过程中引入修正约束条件，增加器件鲁棒性的同时不影响算力需求。确定空间中离散的介电常数分布，即每个单元格的材料属性，最终确定设计区域的结构。
[0035]
本发明的技术方案包括以下有益效果：
[0036]
本发明采用利用连续参数伴随源优化方法实现了中红外器件进行逆向设计，实现了指定功能的信号处理，包括但不限于多功能模式转换功能，克服了传统中红外光学器件结构尺寸大，不易于集成，工作带宽窄的问题，填补了硫系模式转换器件设计的空白。
[0037]
本发明通过建立鲁棒-逆向设计优化模型，在优化过程中引入误差扰动项，通过优化不同误差条件下器件目标函数的方差的期望，提高了设计的鲁棒性和可靠性，克服了传
统逆向设计会陷入局部最优的问题，提出了新的优化模型。
[0038]
本发明包括基于多材料集成平台的光子器件实现中红外长波低损信号传输功能，基于伴随源法对器件进行拓扑优化逆向设计，使其实现了指定功能，包括但不限于多功能模式转换，解决了传统中红外片上器件中存在的损耗大、成本高、占位面积大、性能不稳定等问题。
[0039]
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
[0040]
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
[0041]
图1是根据一示例性实施例示出的一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件的结构示意图。
[0042]
图2是根据一示例性实施例示出的输入波导和拓扑光子晶体的截面示意图。
[0043]
图3是根据一示例性实施例示出一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件的路由区域示意图。
[0044]
图4是根据一示例性实施示出的鲁棒-逆向设计方法流程图。
[0045]
图5是根据一示例性实施示出的输入波导和拓扑光子晶体的截面不同波导模式的电场分布图。
[0046]
图6是根据一示例性实施示出的器件在工作波长下的电场分布图。
[0047]
图7是根据一示例性实施示出当信号从第一输入波导输入时，第一拓扑光子晶体波导和第二光子晶体波导的信号传输率。
[0048]
图中：衬底(1)、第一信号输入波导(21)、第二信号输入波导(22)、第一拓扑光子晶体波导(31)、第二拓扑光子晶体波导(32)、路由区域(4)。
具体实施方式
[0049]
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0050]
在本发明使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0051]
如图1所示，具体实施器件的结构包括：
[0052]
衬底1；
[0053]
信号输入波导2，布置在衬底1上，包括第一输入波导21和第二输入波导22，第一输入波导21和第二输入波导22结构相同且相间隔布置；
[0054]
拓扑光子晶体3，布置在衬底1上，包括第一拓扑光子晶体波导31和第二拓扑光子
晶体波导32，第一拓扑光子晶体波导31和第二拓扑光子晶体波导32分布作为路由器件的两个端口，第一拓扑光子晶体波导31和第二拓扑光子晶体波导32对称分布。
[0055]
实际应用中可以更多拓扑光子晶体波导形成更多端口；
[0056]
路由区域4，路由区域4布置在衬底1上，路由区域4通过鲁棒-逆向设计构建并连接在信号输入波导2和拓扑光子晶体3之间；
[0057]
te0模式的信号从不同信号输入波导2输入，经过路由区域4后被转换成对应的赝自旋模式信号从对应的拓扑光子晶体3输出；赝自旋模式信号经拓扑光子晶体3输入，经过路由区域4后被转换成对应te0模式信号从对应的信号输入波导2输出。
[0058]
具体实施中，衬底1材质为二氧化硅，信号输入波导2和拓扑光子晶体3选用的材质均为硫系玻璃材料。硫系材料由于具有众多的光敏性、宽红外窗口和高光学非线性的特点，使得器件能够低损工作在红外波段。
[0059]
具体实施中，信号输入波导的宽度w_input为900纳米，厚度h为500纳米。
[0060]
具体实施中，拓扑光子晶体的大孔直径r为296纳米，小孔直径r为133纳米，厚度h为500纳米。
[0061]
路由区域4在立体空间中被平均划分成n*n个单元立方体，每个单元立方体具有有两种可能的材料状态，分为空气或者硫系玻璃材料，即每个单元立方体仅为空气或者硫系玻璃材料。
[0062]
具体实施中，路由区域4的宽度为5微米，长为5微米，厚度h0为500纳米。路由区域4被划分成250*250个单元立方体，每个单元立方体的长度为20纳米，宽度为20纳米，厚度为500纳米。
[0063]
路由区域的每个单元立方体有两种可能的材料状态，空气或者硫系玻璃材料。
[0064]
路由区域4通过鲁棒-逆向设计方法，具体是采用以下方式优化确定：
[0065]
根据不同路由工作状态下拓扑光子晶体(3)的输出的赝自旋模式的信号能量与信号输入波导(2)中te0模式的信号能量之间的比值和建立目标函数：
[0066]
min(fom0(ε(器件))-1)
[0067][0068]
式子中，min(fom0(ε(器件))-1)表示路由器件在理想状态下的目标函数。n表示器件路由功能实现的工作场景总数，e
赝自旋
(i)表示第i个路由工作场景下，对应拓扑光子晶体波导(3)中的赝自旋模式的电场强度，e
te模式
(i)表示第i个路由工作场景下，对应信号输入波导(2)中输入信号的电场强度，i表示指定路由工作场景，ε(器件)表示路由区域(4)在空间中的介电常数分布。
[0069]
按照上述目标函数建立针对整体器件的路由的目标和关系，在上述目标函数的目标下进行求解，获得各个单元立方体的介电常数的最优分布，进而按照最优分布进行路由区域4的制作。
[0070]
在求解优化过程中，待求解优化的迭代次数达到预设次数阈值时，将误差分析(折射率、分布等)引入求解优化过程，引入误差扰动建立按照以下公式的鲁棒-逆向设计优化
模型，用鲁棒-逆向设计优化模型代替目标函数进一步进行迭代优化，求解获得最终的介电常数分布ε(p)，实现鲁棒逆向设计：
[0071]
具体是采用以下方式进行鲁棒性优化设计：
[0072][0073]
fom
*
(ε(器件),ξ)＝fom0(ε(器件)+ξ(ε(器件)))
[0074]
式子中，ε(器件)表示路由区域(4)整体结构的介电常数分布，fom0(ε(器件))表示整体路由器件在理想状态下的目标函数；fom
*
(ε(器件)，ξ)表示整体路由器件在误差扰动下的目标函数；ξ表示整体路由器件预设的误差扰动因子，如加工误差，温度误差等；ξ(ε(器件)表示整体路由器件在误差扰动下，结构的介电常数分布的变化值；e
ξ
[(fom
*
(ε(器件)εξ)-fom0(ε(器件)))2]表示器件目标函数在误差影响下关于理想状态目标函数的方差的期望；β表示优化过程中的迭代次数，β0表示优化过程中的迭代次数阈值。
[0075]
本实施例中，图2是根据一实施例示出的输入波导和拓扑光子晶体的截面示意图。具体地，信号输入波导的宽度w_input为900纳米，厚度h为500纳米。拓扑光子晶体的大孔直径r为296纳米，小孔直径r为133纳米，厚度h为500纳米。
[0076]
本实施例中，图3是根据一示例性实施例示出的一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件的路由区域示意图，将路由区域在空间上划分成250*250＝62500个单元结构，每个单元结构的尺寸为20*20*500nm，每个单元结构的材料属性有两种可能，空气或者硫系玻璃材料。所有单元结构的材料属性组合在一起，形成了路由区域的结构形状，一共有2
62500
种可能的结构排布。每种结构排布对应一组目标函数，
[0077]
本实施例中，图4是根据一示例性实施示出的拓扑优化的逆向设计方法流程图。根据器件功能，设立目标函数和器件的初始条件，通过伴随法，建立目标函数和每个单元结构内介电常数之间的关系，求解出满足目标函数关系的每个单元结构的介电常数的梯度关系。在伴随法的求解过程中，允许单元格的介电常数的变化为连续的，通过梯度关系，不断迭代，得到空间中介电常数的最优分布。实际结构中的介电常数为离散的两种状态，故进一步对空间中介电常数分布的投影和滤波处理。值得注意的是，中红外器件容易受到温度、加工误差等因素的影响，器件的约束条件往往很多，但是如果一开始便考虑则会过多增加优化时间和算力需求。
[0078]
这里，在投影过程中引入修正约束条件，增加器件鲁棒性的同时不影响算力需求，通过建立鲁棒-逆向设计优化模型，将鲁棒设计引入到优化过程中。当优化的迭代次数达到一定预设阈值时，将误差分析引入优化过程，用鲁棒-逆向设计优化模型代替目标函数进一步进行迭代优化，实现鲁棒逆向设计。
[0079]
从而求出允许更大加工误差、工作温度、适合复杂环境的器件设计，进一步确定空间中离散的介电常数分布，即每个单元格的材料属性，最终确定逆向设计区域的结构。
[0080]
本实施例中，图5是根据一示例性实施示出的输出波导和拓扑光子晶体的截面在2025nm的工作波长下的不同模式的电场分布图。在确定输入波导的结构尺寸和材料属性后，对输入波导和拓扑光子晶体进行仿真，在工作波长(2025nm)下的波导截面te0、赝自旋模式电场分布如图所示。
[0081]
本实施例中，图6是根据一示例性实施例示出工作波长下结构电场分布图。从结果中看出，当te0模式的信号经第一输入波导输入，经过路由区域后被转换成指定赝自旋模式(左旋/右旋)信号从对应的拓扑光子晶体波导输出。若赝自旋模式的信号经拓扑光子晶体反向输入，经过路由区域后被转换成te0模式信号从对应输入波导输出。
[0082]
本实施例中，图7是根据一示例性实施示出的出从第一输出波导中输入信号后，不同拓扑光子晶体波导的传输率。可以看出当器件工作在“平行传输”的状态下，器件主要从第一拓扑光子晶体波导输出，传输效率近乎100％。从结果中看出，器件实现了一个高转换效率、低插入损耗、大工作带宽路由功能。
[0083]
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
[0084]
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

技术特征：
1.一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件，其特征在于，包括：衬底(1)；信号输入波导(2)，布置在所述衬底(1)上，包括第一输入波导(21)和第二输入波导(22)，第一输入波导(21)和第二输入波导(22)结构相同且相间隔布置；多个拓扑光子晶体(3)，布置在所述衬底(1)上，包括第一拓扑光子晶体波导(31)和第二拓扑光子晶体波导(32)；路由区域(4)，所述路由区域(4)布置在所述衬底(1)上，路由区域(4)通过鲁棒-逆向设计构建并连接在所述信号输入波导(2)和拓扑光子晶体(3)之间；te0模式的信号从不同信号输入波导(2)输入，经过路由区域(4)后被转换成对应的赝自旋模式信号从对应的拓扑光子晶体(3)输出；或者赝自旋模式信号经拓扑光子晶体(3)输入，经过路由区域(4)后被转换成对应te0模式信号从对应的信号输入波导(2)输出。2.根据权利要求1所述的一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件，其特征在于，所述衬底(1)材质为二氧化硅，所述信号输入波导(2)和拓扑光子晶体(3)选用的材质均为硫系玻璃材料。3.根据权利要求1所述的一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件，其特征在于，所述的第一拓扑光子晶体波导(31)和第二拓扑光子晶体波导(32)对称分布。4.根据权利要求1所述的一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件，其特征在于：所述路由区域(4)在立体空间中被划分成n*n个单元立方体，每个单元立方体仅具有空气或者硫系玻璃材料的两种可能的材料状态。5.根据权利要求1所述的一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件，其特征在于：所述的路由区域(4)通过鲁棒-逆向设计方法，具体是采用以下方式优化确定：根据不同路由工作状态下拓扑光子晶体(3)的输出的赝自旋模式的信号能量与信号输入波导(2)中te0模式的信号能量之间的比值和建立目标函数：min(fom0(ε(器件))-1)式子中，min(fom0(e(器件))-1)表示路由器件在理想状态下的目标函数。n表示器件路由功能实现的工作场景总数，e
赝自旋
(i)表示第i个路由工作场景下，对应拓扑光子晶体波导(3)中的赝自旋模式的电场强度，e
te模式
(i)表示第i个路由工作场景下，对应信号输入波导(2)中输入信号的电场强度，i表示指定路由工作场景，ε(器件)表示路由区域(4)整体的介电常数分布；在上述目标函数的目标下进行求解，获得各个单元立方体的介电常数的最优分布，进而按照最优分布进行路由区域(4)的制作。6.根据权利要求5所述的一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件，其特征在于：在求解过程中，待求解的迭代次数达到预设次数阈值时，引入误差扰动建立按照以下公式的鲁棒-逆向设计优化模型，用鲁棒-逆向设计优化模型代替目标函数进一步进行迭代优化，实现鲁棒逆向设计：
fom
*
(ε(器件),ξ)＝fom0(e(器件)+ξ(ε(器件)))式子中，ε(器件)表示路由区域(4)整体的介电常数分布，fom0(ε(器件))表示路由区域(4)整体在理想状态下的目标函数；fom
*
(ε(器件),v)表示路由区域(4)整体在误差扰动下的目标函数；ξ表示路由区域(4)整体的误差扰动因子；ξ(ε(器件)表示路由区域(4)整体在误差扰动下，结构的介电常数分布的变化值；e
ξ
[(fom
*
(ε(器件),ξ)-fom0(ε(器件)))2]表示器件目标函数在误差影响下关于理想状态目标函数的方差的期望；β表示优化过程中的迭代次数，β0表示优化过程中的迭代次数阈值。

技术总结
本发明公开了一种小型宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由器件。包括衬底、信号输入波导、拓扑光子晶体波导和路由区域；信号输入波导，拓扑光子晶体波导和路由区域均布置在衬底上；路由区域通过鲁棒-逆向设计方法，连接在信号输入波导和拓扑光子晶体之间；TE0模式的信号经信号不同的输入波导输入，经过路由区域后被转换成指定的赝自旋模式信号从对应的拓扑光子晶体波导输出。本发明基于鲁棒-逆向设计方法对路由器件进行拓扑优化逆向设计，使其实现了宽带、高鲁棒拓扑光子晶体路由的功能，以解决传统片上拓扑光子晶体路由器件中存在的插入损耗大、性能不稳定、低鲁棒性、带宽窄的问题。带宽窄的问题。带宽窄的问题。


技术研发人员：李尔平 林晓斌
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2023.04.28
技术公布日：2023/8/16