含有负介电层的三明治结构复合材料及其制备方法与应用

1.本发明聚合物基电容器技术领域，涉及复合材料的制备，涉及含有负介电层的三明治结构复合材料及其制备方法与应用。


背景技术：

2.公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
3.聚合物基电容器因具有高功率密度、长循环寿命和安全性高等优点，限制聚合物基电容器应用的难题是储能密度较低，同时介电损耗较大。据发明人了解，目前为了上述问题，通过设计三明治结构复合材料，使各层材料在性能上互相取长补短，利用协同效应使储能密度的显著提升，同时介电损耗保持在较低水平，从而可以满足各种不同的性能要求。然而，发明人研究发现，目前三层结构介电复合材料皆为将不同性能的正介电材料叠加而成，其能量密度还远远不够，损耗依旧较大，极大地限制了其实际应用。


技术实现要素：

4.为了解决现有技术的不足，本发明的目的是提供含有负介电层的三明治结构复合材料及其制备方法与应用，本发明提供的含有负介电层的三明治结构复合材料，能够在保持高能量密度的同时保持低介电损耗。
5.为了实现上述目的，本发明的技术方案为：
6.一方面，一种含有负介电层的三明治结构复合材料，三明治结构为紧密贴合的三层层状结构，依次由第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层构成，第一正介电层和第二正介电层的材质为聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料，中间负介电层为聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料，聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料中氮化硼的含量为5～25wt％，聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料中多壁碳纳米管的含量为2～40wt％。
7.本发明将具有负介电常数的负介电层引入三层结构材料中制备出“正-负-正”三明治结构复合材料，通过“正-负”介电协同作用以及强极化作用，使三明治结构复合材料在保持高能量密度的同时保持低介电损耗。
8.另一方面，一种上述含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，将聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料进行第一冷压成型制成第一正介电层，在第一正介电层的表面铺设聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料，进行第二冷压成型获得含有中间负介电层的双层复合材料，在双层复合材料的中间负介电层表面铺设聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料，进行热压成型，即得。
9.第三方面，一种上述含有负介电层的三明治结构复合材料在聚合物基电容器中的应用。
10.本发明的有益效果为：
11.1.本发明将单层负介电复合材料引入复合材料中构筑“正-负-正”三明治结构复合材料，利用层层热压成型法制备而成。通过调节正介电层和负介电层之间的介电常数值以及厚度比，利用正、负介电层之间的正负介电协同效应，层与层之间的宏观界面极化以及层内的微观界面极化作用，实现高能量密度性能的提升同时保持低介电损耗。
12.2.经过实验表明，本发明利用热压成型法成功制备出“正-负-正”三明治结构介电复合材料，该三明治结构复合材料的放电能量密度高达22.3j/cm3，同时还能保持0.02(10khz)的低介电损耗。
13.3.经过实验表明，本发明利用热压成型法成功制备出“正-负-正”三明治结构介电复合材料，介电常数高达432(10khz)，相对于单层材料介电常数提高了2700％，损耗因子也能够保持在0.06的较低水平。
附图说明
14.构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
15.图1为本发明实施例中制备的pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的工艺流程图(a、b)、形貌图(c)以及元素分布图(d)；
16.图2为本发明实施例中制备的pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料表征图，a为xrd图，b为傅里叶红外图；
17.图3为本发明实施例中制备的不同bn含量
18.pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的介电常数频散曲线和介电损耗频散曲线，(a)是5-12-5样品的介电常数频散曲线，(b)是15-12-15样品的介电常数频散曲线，(c)是25-12-25样品的介电常数频散曲线，(d)图是三种样品的介电常数总结图；
19.图4为本发明实施例中制备的不同mwcnts含量
20.pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的介电常数频散曲线和介电损耗频散曲线；(a)是15-2-15样品的介电常数频散曲线，(b)是15-12-15样品的介电常数频散曲线，(c)是15-40-15样品的介电常数频散曲线，(d)是三种样品的介电常数总结图；
21.图5为本发明实施例中pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的击穿强度图(a、b)以及三明治结构复合材料击穿强度柱状图(c、d)；
22.图6为本发明实施例中pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的放电能量密度图(a、b、c、d)以及三明治结构复合材料充-放电效率图(d、f)。
具体实施方式
23.应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本发明提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
24.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本发明的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
25.鉴于现有三层结构介电复合材料存在能量密度低、介电损耗等问题，本发明提出了含有负介电层的三明治结构复合材料及其制备方法与应用。
26.本发明的一种典型实施方式，提供了一种含有负介电层的三明治结构复合材料，三明治结构为紧密贴合的三层层状结构，依次由第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层构成，第一正介电层和第二正介电层的材质为聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料，中间负介电层为聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料，聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料中氮化硼的含量为5～25wt％，聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料中多壁碳纳米管的含量为2～40wt％。
27.研究表明，氮化硼的含量影响三明治结构复合材料的介电常数，随着氮化硼的含量的升高，介电常数先升高后减小。因此为了进一步提高三明治结构复合材料的介电常数，在一些实施例中，聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料中氮化硼的含量为10～20wt％，优选为14～17wt％。
28.研究表明，多壁碳纳米管的含量影响三明治结构复合材料的介电常数，随着多壁碳纳米管的含量的升高，介电常数升高。因此为了进一步提高三明治结构复合材料的介电常数，在一些实施例中，聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料中多壁碳纳米管的含量为30～40wt％，优选为35～40wt％。
29.在一些实施例中，第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层的相对厚度比为1:0.1～20:0.8～1.2。当第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层的相对厚度比为1:0.1～1.0:0.9～1.1，尤其是1:0.4～0.6:0.9～1.1时，具有更高的放电能量密度和更低的介电损耗。当第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层的相对厚度比为1:15～20:0.9～1.1，尤其是1:18～20:0.9～1.1时，具有更高的介电常数和更低的损耗因子。
30.第一正介电层和第二正介电层的材质中氮化硼的含量可以相同，也可以不同。在一些实施例中，第一正介电层和第二正介电层的材质中氮化硼的含量相同。
31.本发明的另一种实施方式，提供了一种上述含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，将聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料进行第一冷压成型制成第一正介电层，在第一正介电层的表面铺设聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料，进行第二冷压成型获得含有中间负介电层的双层复合材料，在双层复合材料的中间负介电层表面铺设聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料，进行热压成型，即得。
32.在一些实施例中，热压成型的工艺条件为：压强为15～25mpa，温度为150～170℃，时间为25～35min。
33.第一冷压成型与第二冷压成型均为在室温(15～30℃)条件下对物料施加压力成型的方式，在一些实施例中，第一冷压成型的压强为1.5～2.5mpa，时间为1～3min。
34.聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料由聚偏氟乙烯与氮化硼进行球磨获得。
35.聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料由聚偏氟乙烯与多壁碳纳米管进行球磨获得。
36.在一些实施例中，第二冷压成型的压强为1.5～2.5mpa，时间为1～3min。
37.本发明的第三种实施方式，提供了一种上述含有负介电层的三明治结构复合材料在聚合物基电容器中的应用。
38.为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本发明的技术方案，以下将结合具
体的实施例详细说明本发明的技术方案。
39.实施例1
40.含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：
41.第一步、正介电层的制备
42.称取一定量聚偏氟乙烯和氮化硼粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/bn复合材料。氮化硼质量百分比为5wt％。
43.称取0.2g pvdf/bn复合材料均匀铺于热压机中冷压，冷压工艺：压力为1mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn正介电层，直径为25mm，厚度约为0.5
±
0.02mm。
44.第二步、中间负介电层的制备
45.称取一定量聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/mwcnts复合材料。多壁碳纳米管质量百分比为40wt％。
46.称取0.2g pvdf/mwcnts复合材料均匀铺于下正介电层上后冷压，冷压工艺为压力为2mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn-pvdf/mwcnts双层复合材料，直径为25mm，双层材料厚度约为1
±
0.02mm。
47.第三步、三层结构复合材料的制备
48.称取0.2g第一步中的pvdf/bn复合材料粉末，均匀铺于双层材料的负介电层上进行热压。热压工艺为：压力20mpa，温度160℃，时间30min。即得本发明pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料，直径为25mm，厚度约为1.5
±
0.02mm。制备过程如图1(a、b)所示。
49.图1(c、d)为三明治结构复合材料的断面电镜扫描图(sem)以及元素分布图(eds)。从图1(c)中可以清晰地看到三层材料紧密热压在一起，无明显的裂缝和空洞等缺陷，三层复合材料界面附着力较好，有助于提高复合材料的击穿强度和介电常数。如图1所示，pvdf/bn正介电层位于外层，pvdf/mwcnts负介电层位于中间层，其中，bn片在外层均匀分布，表明bn片在外层材料中均匀分布，有利于提高bds。
50.图2中，(a)为pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的xrd图，(b)为三明治结构复合材料的傅里叶红外图。从图2中可以看到，xrd图谱中无杂峰出现，ft-ir中亦无多余吸收峰出现，表明本实施例成功制备三明治结构复合材料，无任何杂质出现。
51.对该实施例中的bn含量、层厚比进行调整，进行性能测试，结果如下：
52.图3为不同bn含量、不同层厚比的pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的介电常数频散曲线和介电损耗频散曲线。可以看到，当三明治结构复合材料的层厚比由1:1:1降低到1:20:1时，介电常数逐渐增大。当pvdf/mwcnts负介电层中填料含量保持不变时，随着bn含量由5wt％增加到25wt％时，复合材料的介电常数先增大后减小。其中。当层厚比为1:20:1保持不变时，15-40-15复合材料的介电常数高达432，介电损耗约为0.06。
53.图4为不同mwcnts含量、不同层厚比的pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的介电常数频散曲线和介电损耗频散曲线。随着层厚比的降低，或者伴随mwcnts含量从2wt％增加到40wt％，三层复合材料的介电常数逐渐增大，最优样品为15-40-15，介电常数高达432。当中间层为正介电层时，样品15-2-15中间层由负介电层变为正介电层，介电常数降为191。因此，引入负介电层做为中间层可以提高材料的介电常数。
54.图5为pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的击穿强度图，可以发
现，当层厚比为1:0.5:1时，样品15-12-15的击穿场强为22.3kv/mm，相比于“正-正-正”复合材料以及其它填料含量的复合材料均有较大提升。
55.图6为pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料的放电能量密度图，(d，f)为三明治结构复合材料充-放电效率图。相比于纯pvdf单层材料以及“正-正-正”复合材料，含有负介电层的三层结构复合材料具有最高的放电能量密度，为23.4j/cm3，同时具有较高的充-放电效率。因此，正负介电常数层的协同效应以及三明治结构对实现高放电能量密度起着至关重要的作用。
56.实施例2：
57.含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：
58.第一步、正介电层的制备
59.称取一定量聚偏氟乙烯和氮化硼粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/bn复合材料。氮化硼质量百分比为15wt％。
60.称取0.2g pvdf/bn复合材料均匀铺于热压机中冷压，冷压工艺：压力为1mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn正介电层，直径为25mm，厚度约为0.5
±
0.02mm。
61.第二步、中间负介电层的制备
62.称取一定量聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/mwcnts复合材料。多壁碳纳米管质量百分比为40wt％。
63.称取0.2g pvdf/mwcnts复合材料均匀铺于下正介电层上后冷压，冷压工艺为压力为2mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn-pvdf/mwcnts双层复合材料，直径为25mm，双层材料厚度约为1
±
0.02mm。
64.第三步、三层结构复合材料的制备
65.称取0.2g第一步中的pvdf/bn复合材料粉末，均匀铺于双层材料的负介电层上进行热压。热压工艺为：压力20mpa，温度160℃，时间30min。即得pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料，直径为25mm，厚度约为1.5
±
0.02mm。
66.实施例3：
67.含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：
68.第一步、正介电层的制备
69.称取一定量聚偏氟乙烯和氮化硼粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/bn复合材料。氮化硼质量百分比为25wt％。
70.称取0.2g pvdf/bn复合材料均匀铺于热压机中冷压，冷压工艺：压力为1mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn正介电层，直径为25mm，厚度约为0.5
±
0.02mm。
71.第二步、中间负介电层的制备
72.称取一定量聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/mwcnts复合材料。多壁碳纳米管质量百分比为40wt％。
73.称取0.2g pvdf/mwcnts复合材料均匀铺于下正介电层上后冷压，冷压工艺为压力为2mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn-pvdf/mwcnts双层复合材料，直径为25mm，双层材料厚度约为1
±
0.02mm。
74.第三步、三层结构复合材料的制备
75.称取0.2g第一步中的pvdf/bn复合材料粉末，均匀铺于双层材料的负介电层上进
行热压。热压工艺为：压力20mpa，温度160℃，时间30min。即得pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料，直径为25mm，厚度约为1.5
±
0.02mm。
76.实施例4：
77.含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：
78.第一步、正介电层的制备
79.称取一定量聚偏氟乙烯和氮化硼粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/bn复合材料。氮化硼质量百分比为15wt％。
80.称取0.2g pvdf/bn复合材料均匀铺于热压机中冷压，冷压工艺：压力为1mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn正介电层，直径为25mm，厚度约为0.5
±
0.02mm。
81.第二步、中间负介电层的制备
82.称取一定量聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/mwcnts复合材料。多壁碳纳米管质量百分比为2wt％。
83.称取0.2g pvdf/mwcnts复合材料均匀铺于下正介电层上后冷压，冷压工艺为压力为2mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn-pvdf/mwcnts双层复合材料，直径为25mm，双层材料厚度约为1
±
0.02mm。
84.第三步、三层结构复合材料的制备
85.称取0.2g第一步中的pvdf/bn复合材料粉末，均匀铺于双层材料的负介电层上进行热压。热压工艺为：压力20mpa，温度160℃，时间30min。即得pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料，直径为25mm，厚度约为1.5
±
0.02mm。
86.实施例5：
87.含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：
88.第一步、正介电层的制备
89.称取一定量聚偏氟乙烯和氮化硼粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/bn复合材料。氮化硼质量百分比为15wt％。
90.称取0.2g pvdf/bn复合材料均匀铺于热压机中冷压，冷压工艺：压力为1mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn正介电层，直径为25mm，厚度约为0.5
±
0.02mm。
91.第二步、中间负介电层的制备
92.称取一定量聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/mwcnts复合材料。多壁碳纳米管质量百分比为12wt％。
93.称取0.2g pvdf/mwcnts复合材料均匀铺于下正介电层上后冷压，冷压工艺为压力为2mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn-pvdf/mwcnts双层复合材料，直径为25mm，双层材料厚度约为1
±
0.02mm。
94.第三步、三层结构复合材料的制备
95.称取0.2g第一步中的pvdf/bn复合材料粉末，均匀铺于双层材料的负介电层上进行热压。热压工艺为：压力20mpa，温度160℃，时间30min。即得pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料，直径为25mm，厚度约为1.5
±
0.02mm。
96.实施例6：
97.含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：
98.第一步、正介电层的制备
99.称取一定量聚偏氟乙烯和氮化硼粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/bn复合材料。氮化硼质量百分比为15wt％。
100.称取0.2g pvdf/bn复合材料均匀铺于热压机中冷压，冷压工艺：压力为1mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn正介电层，直径为25mm，厚度约为0.5
±
0.02mm。
101.第二步、中间负介电层的制备
102.称取一定量聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管粉末置于球磨机内球磨10min，待粉末混合均匀后取出备用，为pvdf/mwcnts复合材料。多壁碳纳米管质量百分比为40wt％。
103.称取0.2g pvdf/mwcnts复合材料均匀铺于下正介电层上后冷压，冷压工艺为压力为2mpa，保压时间为2min。制得圆形pvdf/bn-pvdf/mwcnts双层复合材料，直径为25mm，双层材料厚度约为1
±
0.02mm。
104.第三步、三层结构复合材料的制备
105.称取0.2g第一步中的pvdf/bn复合材料粉末，均匀铺于双层材料的负介电层上进行热压。热压工艺为：压力20mpa，温度160℃，时间30min。即得pvdf/bn-pvdf/mwcnts-pvdf/bn三明治结构复合材料，直径为25mm，厚度为1.5
±
0.02mm。
106.以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种含有负介电层的三明治结构复合材料，其特征是，三明治结构为紧密贴合的三层层状结构，依次由第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层构成，第一正介电层和第二正介电层的材质为聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料，中间负介电层为聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料，聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料中氮化硼的含量为5～25wt％，聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料中多壁碳纳米管的含量为2～40wt％。2.如权利要求1所述的含有负介电层的三明治结构复合材料，其特征是，聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料中氮化硼的含量为10～20wt％，优选为14～17wt％。3.如权利要求1所述的含有负介电层的三明治结构复合材料，其特征是，聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料中多壁碳纳米管的含量为30～40wt％，优选为35～40wt％。4.如权利要求1所述的含有负介电层的三明治结构复合材料，其特征是，第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层的相对厚度比为1:0.1～20:0.8～1.2；优选地，第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层的相对厚度比为1:0.1～1.0:0.9～1.1，进一步优选为1:0.4～0.6:0.9～1.1；优选地，第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层的相对厚度比为1:15～20:0.9～1.1，进一步优选为1:18～20:0.9～1.1。5.如权利要求1所述的含有负介电层的三明治结构复合材料，其特征是，第一正介电层和第二正介电层的材质中氮化硼的含量相同。6.一种权利要求1～5任一所述的含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，其特征是，将聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料进行第一冷压成型制成第一正介电层，在第一正介电层的表面铺设聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料，进行第二冷压成型获得含有中间负介电层的双层复合材料，在双层复合材料的中间负介电层表面铺设聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料，进行热压成型，即得。7.如权利要求6所述的含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，其特征是，热压成型的工艺条件为：压强为15～25mpa，温度为150～170℃，时间为25～35min。8.如权利要求6所述的含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，其特征是，第一冷压成型的压强为1.5～2.5mpa，时间为1～3min。9.如权利要求6所述的含有负介电层的三明治结构复合材料的制备方法，其特征是，第二冷压成型的压强为1.5～2.5mpa，时间为1～3min。10.一种权利要求1～5任一所述的含有负介电层的三明治结构复合材料在聚合物基电容器中的应用。

技术总结
本发明聚合物基电容器技术领域，涉及复合材料的制备，涉及含有负介电层的三明治结构复合材料及其制备方法与应用。三明治结构为紧密贴合的三层层状结构，依次由第一正介电层、中间负介电层和第二正介电层构成，第一正介电层和第二正介电层的材质为聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料，中间负介电层为聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料，聚偏氟乙烯和氮化硼的复合材料中氮化硼的含量为5～25wt％，聚偏氟乙烯和多壁碳纳米管的复合材料中多壁碳纳米管的含量为2～40wt％。本发明提供的含有负介电层的三明治结构复合材料，能够在保持高能量密度的同时保持低介电损耗。度的同时保持低介电损耗。度的同时保持低介电损耗。


技术研发人员：刘峣 宋萧婷 张子栋 魏再新 范润华 王俊 解培涛
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：2023.04.10
技术公布日：2023/8/14