双金边封装载板及其制作工艺的制作方法

1.本技术涉及载板制作，具体涉及一种双金边封装载板及其制作工艺。


背景技术：

2.随着越来越多、越来越微小的器件系统集成及5g的到来,市场上对mems微型麦克风屏蔽罩的要求越来越高。传统的mems微型麦克风都是在pcb板上组配单个屏蔽罩来为麦克风芯片提高电磁屏蔽，随着电子元器件的数量和种类的增加，单个屏蔽罩已经无法满足屏蔽需求，麦克风芯片收到的电磁干扰越发明显，严重影响了麦克风的性能。


技术实现要素：

3.为了克服上述缺陷，本技术提供一种双金边封装载板的制作工艺，该制作工艺得到的封装载板具有双金边，后续可以贴上两个屏蔽罩，因此可以提升产品抗高频和隔热能的能力。
4.本技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是：
5.一种双金边封装载板的制作工艺，包括如下步骤：
6.s1：基板制作：准备一芯板，将芯板进行线路制作后，对芯板进行增层后得到基板；
7.s2：对基板进行钻孔电镀、线路制作，得到具有第一金边框的基板；
8.s3：在第一金边框外侧的基板上制作一圈第二金边框；
9.s4：在第一金边框与第二金边框之间的基板上钻出导气孔；
10.s5：对基板进行防焊、表面处理、成型、电测和成品检验后得到具有双金边的封装载板。
11.可选地，在设计图形线路时，在图形的外圈再设一圈金边，第一金边框通过线路蚀刻和防焊制作形成，第二金边框通过线宽蚀刻形成，并通过电镀工艺导通各层，电镀的参数：电镀的面积为2.27sqft、电流密度为10-20asf、电镀厚度为18
±
3μm。
12.可选地，所述第一金边框和第二金边框之间的距离为0.2mm
±
0.02mm，第一金边框和第二金边框的宽度为0.15-0.3mm。
13.可选地，所述导气孔通过机械钻孔或uv镭射钻孔，其中机械钻孔的导气孔精度为
±
25μm，uv镭射加工的导气孔精度为
±
15μm。
14.可选地，机械钻孔的工艺参数：进刀速为1.2
±
0.1m/min、退刀速为15
±
1m/min、转速为160
±
10krpm/min；uv镭射加工的工艺参数：激光器紫外皮秒功率为10w、频率为1000khz、加工速度为1500mm/s、加工次数为2-3次。
15.可选地，s1和s2中线路制作包括以下步骤：
16.(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗，再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化；
17.(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上；
18.(3)曝光：使用ldi曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的
图形转移到感光干膜上；
19.(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；
20.(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
21.(6)退膜：通过退膜机将naoh或koh药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成线路的制作；
22.(7)aoi：aoi系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的线路进行检验；
23.其中，所述压干膜的具体工艺参数为：温度为110
±
2℃、线速为1.8
±
0.2m/min、压力为6
±
0.2kg/cm2；所述曝光时的能量格为6
±
1；所述显影时的具体工艺参数为：线速为3.0
±
0.1m/min、压力为1.3
±
0.3kg/cm2、温度为30
±
2℃。
24.可选地，在s1中增层包括以下步骤：
25.(1)前处理：酸洗：利用硫酸对铜箔层表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对内层板进行预浸润；
26.(2)棕化：利用棕化液对铜箔层表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；
27.(3)叠合：将待压合的板依次叠在一起；
28.(4)压合：在压机的高温、高压下将待压合的板融合粘接呈多层板；
29.(5)后处理：钻靶：利用x光将板靶标成像，用钻头在靶标上钻出后续工序所需的定位孔和防呆孔；铣边：利用铣床机将多余的边料切割去除。
30.可选地，s2中钻孔电镀包括以下步骤：利用钻孔机在基板上钻出用于层间连通的贯通孔，并对贯通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使贯通孔内层形成一层铜层而形成用于层间线路导通的导通孔；具体工艺参数为：进刀速为1.2
±
0.1m/min、退刀速为15
±
1m/min、转速为160
±
10krpm/min、深度补偿0.3-0.4mm；除胶速率为0.1-0.4mg/cm2、微蚀速率为20-60μm/min、沉积速率为17-32μm/min。
31.本技术还提供了一种双金边封装载板，采用所述的双金边封装载板的制作工艺加工而成。
32.本技术的有益效果是：本制作工艺得到的封装载板具有双金边，后续可以贴上两个屏蔽罩，因此可以提升产品抗高频和隔热能的能力，保mems的声音性能和灵敏度；导气孔的设计解决了后制程高温受热锡膏易开裂的问题，且通过cdd钻孔或uv镭射的方式加工的导气孔，精度高，采用cdd自动钻孔机得到的导气孔精度控制在
±
25μm，uv镭射可以加工任意图形的导气孔，精度控制在
±
15μm以内。
附图说明
33.图1为本技术中封装载板的结构示意图；
34.图中：10-封装载板，11-第一金边框，12-第二金边框，13-导气孔。
具体实施方式
35.下面将结合本技术实施例，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，
显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
36.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及下述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的对象在适当情况下可以互换，以使这里描述的本技术的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
37.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
38.实施例：一种双金边封装载板的制作工艺，包括如下步骤：
39.s1：基板制作：准备一芯板，将芯板进行线路制作后，对芯板进行增层后得到基板；所述芯板包括绝缘层以及分别设置于该绝缘层正、反两面的铜箔层，对芯板进行内部线路制作后，利用粘结层与铜箔层对芯板进行增层至需要的层数，得到多层基板。
40.s2：对基板进行钻孔电镀、线路制作，得到具有第一金边框11的基板；
41.s3：在第一金边框11外侧的基板上制作一圈第二金边框12；双金边的设计，后续可贴两个屏蔽罩，从而提高产品抗高频和隔热能的能力，保证了mems的声音性能和灵敏度。
42.s4：在第一金边框11与第二金边框12之间的基板上钻出导气孔13；通过导气孔13设计解决了后制程高温受热锡膏易开裂的问题；
43.s5：对基板进行防焊、表面处理、成型、电测和成品检验后得到具有双金边的封装载板10，如图1所示。本制作工艺得到的封装载板具有双金边，后续可以贴上两个屏蔽罩，因此可以提升产品抗高频和隔热能的能力，保mems的声音性能和灵敏度；导气孔的设计解决了后制程高温受热锡膏易开裂的问题，且通过cdd钻孔或uv镭射的方式加工的导气孔，精度高。
44.在设计图形线路时，在图形的外圈再设一圈金边，第一金边框11通过线路蚀刻和防焊制作形成，第二金边框12通过线宽蚀刻形成，并通过电镀工艺导通各层，电镀的参数：电镀的面积为2.27sqft、电流密度为10-20asf、电镀厚度为18
±
3μm。
45.所述第一金边框11和第二金边框12之间的距离为0.2mm
±
0.02mm，第一金边框11和第二金边框12的宽度为0.15-0.3mm。
46.所述导气孔13通过机械钻孔或uv镭射钻孔，其中机械钻孔的导气孔精度为
±
25μm，uv镭射加工的导气孔精度为
±
15μm。机械钻孔采用cdd(自动控深)自动钻孔机，uv镭射可
以加工任意图形的导气孔，精度控制在
±
15μm以内。
47.机械钻孔的工艺参数：进刀速为1.2
±
0.1m/min、退刀速为15
±
1m/min、转速为160
±
10krpm/min；uv镭射加工的工艺参数：激光器紫外皮秒功率为10w、频率为1000khz、加工速度为1500mm/s、加工次数为2-3次。
48.s1和s2中线路制作包括以下步骤：
49.(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗，再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化；
50.(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上；
51.(3)曝光：使用ldi曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；
52.(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；
53.(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；
54.(6)退膜：通过退膜机将naoh或koh药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成线路的制作；
55.(7)aoi：aoi系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的线路进行检验；
56.其中，所述压干膜的具体工艺参数为：温度为110
±
2℃、线速为1.8
±
0.2m/min、压力为6
±
0.2kg/cm2；所述曝光时的能量格为6
±
1；所述显影时的具体工艺参数为：线速为3.0
±
0.1m/min、压力为1.3
±
0.3kg/cm2、温度为30
±
2℃。
57.在s1中增层包括以下步骤：
58.(1)前处理：酸洗：利用硫酸对铜箔层表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对内层板进行预浸润；
59.(2)棕化：利用棕化液对铜箔层表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；
60.(3)叠合：将待压合的板依次叠在一起；
61.(4)压合：在压机的高温、高压下将待压合的板融合粘接呈多层板；
62.(5)后处理：钻靶：利用x光将板靶标成像，用钻头在靶标上钻出后续工序所需的定位孔和防呆孔；铣边：利用铣床机将多余的边料切割去除。
63.s2中钻孔电镀包括以下步骤：利用钻孔机在基板上钻出用于层间连通的贯通孔，并对贯通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使贯通孔内层形成一层铜层而形成用于层间线路导通的导通孔；具体工艺参数为：进刀速为1.2
±
0.1m/min、退刀速为15
±
1m/min、转速为160
±
10krpm/min、深度补偿0.3-0.4mm；除胶速率为0.1-0.4mg/cm2、微蚀速率为20-60μm/min、沉积速率为17-32μm/min。
64.一种双金边封装载板，采用所述的双金边封装载板的制作工艺加工而成。如图1所示，所述封装载板10上设有第一金边框11和第二金边框12，且第一金边框11和第二金边框12之间设有若干导气孔13。
65.应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以
所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种双金边封装载板的制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：s1：基板制作：准备一芯板，将所述芯板进行线路制作后，对所述芯板进行增层后得到基板；s2：对所述基板进行钻孔电镀、线路制作，得到具有第一金边框(11)的基板；s3：在所述第一金边框(11)外侧的基板上制作一圈第二金边框(12)；s4：在所述第一金边框(11)与所述第二金边框(12)之间的基板上钻出导气孔(13)；s5：对基板进行防焊、表面处理、成型、电测和成品检验后得到具有双金边的封装载板(10)。2.根据权利要求1所述的双金边封装载板的制作工艺，其特征在于：在设计图形线路时，在图形的外圈再设一圈金边，所述第一金边框(11)通过线路蚀刻和防焊制作形成，所述第二金边框(12)通过线宽蚀刻形成，并通过电镀工艺导通各层，电镀的参数：电镀的面积为2.27sqft、电流密度为10-20asf、电镀厚度为18
±
3μm。3.根据权利要求1所述的双金边封装载板的制作工艺，其特征在于：所述第一金边框(11)和所述第二金边框(12)之间的距离为0.2mm
±
0.02mm，所述第一金边框(11)和所述第二金边框(12)的宽度为0.15mm-0.3mm。4.根据权利要求1所述的双金边封装载板的制作工艺，其特征在于：所述导气孔(13)通过机械钻孔或uv镭射钻孔，其中机械钻孔的导气孔精度为
±
25μm，uv镭射加工的导气孔精度为
±
15μm。5.根据权利要求4所述的双金边封装载板的制作工艺，其特征在于：所述机械钻孔的工艺参数：进刀速为1.2
±
0.1m/min、退刀速为15
±
1m/min、转速为160
±
10krpm/min；所述uv镭射加工的工艺参数：激光器紫外皮秒功率为10w、频率为1000khz、加工速度为1500mm/s、加工次数为2-3次。6.根据权利要求1所述的双金边封装载板的制作工艺，其特征在于：s1和s2中线路制作包括以下步骤：(1)前处理：利用含有双氧水的清洗液对板面进行清洗，再利用硫酸溶液对铜箔层表面进行粗化；(2)压干膜：利用热压的方式将感光干膜贴附于铜箔层表面上；(3)曝光：使用ldi曝光机将感光干膜中的光敏物质进行聚合反应，从而使设计的图形转移到感光干膜上；(4)显影：利用显影液与未曝光干膜的皂化反应，将其去除；(5)蚀刻：通过蚀刻机将氯化铜药水喷洒在铜面上，利用药水与铜的化学反应，对未被干膜保护的铜面进行蚀刻，形成线路；(6)退膜：通过退膜机将naoh或koh药水喷淋在板面上，利用药水与干膜的化学反应将干膜去除，完成线路的制作；(7)aoi：aoi系统对照蚀刻后线路与原始的设计线路之间的差异，对铜面上的线路进行检验；其中，所述压干膜的具体工艺参数为：温度为110
±
2℃、线速为1.8
±
0.2m/min、压力为6
±
0.2kg/cm2；所述曝光时的能量格为6
±
1；所述显影时的具体工艺参数为：线速为3.0
±
0.1m/min、压力为1.3
±
0.3kg/cm2、温度为30
±
2℃。
7.根据权利要求1所述的双金边封装载板的制作工艺，其特征在于：在s1中增层包括以下步骤：(1)前处理：酸洗：利用硫酸对铜箔层表面氧化物进行清除；清洁：利用清洁剂将油脂水解成易溶于水的小分子物质；预浸：利用棕化液对内层板进行预浸润；(2)棕化：利用棕化液对铜箔层表面进行棕化处理，使得铜表面形成凹凸不平的表面形状，增大了铜面与树脂的接触面积；(3)叠合：将待压合的板依次叠在一起；(4)压合：在压机的高温、高压下将待压合的板融合粘接呈多层板；(5)后处理：钻靶：利用x光将板靶标成像，用钻头在靶标上钻出后续工序所需的定位孔和防呆孔；铣边：利用铣床机将多余的边料切割去除。8.根据权利要求1所述的双金边封装载板的制作工艺，其特征在于：s2中钻孔电镀包括以下步骤：利用钻孔机在基板上钻出用于层间连通的贯通孔，并对贯通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理，使贯通孔内层形成一层铜层而形成用于层间线路导通的导通孔；具体工艺参数为：进刀速为1.2
±
0.1m/min、退刀速为15
±
1m/min、转速为160
±
10krpm/min、深度补偿0.3-0.4mm；除胶速率为0.1-0.4mg/cm2、微蚀速率为20-60μm/min、沉积速率为17-32μm/min。9.一种双金边封装载板，其特征在于：采用权利要求1-8中任一项所述的双金边封装载板的制作工艺加工而成。

技术总结
本申请涉及一种双金边封装载板及其制作工艺，所述制作工艺包括：准备一芯板，将芯板进行线路制作后，对芯板进行增层后得到基板；对基板进行钻孔电镀、线路制作，得到具有第一金边框的基板；在第一金边框外侧的基板上制作一圈第二金边框；在第一金边框与第二金边框之间的基板上钻出导气孔；对基板进行防焊、表面处理、成型、电测和成品检验后得到具有双金边的封装载板。本制作工艺得到的封装载板具有双金边，后续可以贴上两个屏蔽罩，因此可以提升产品抗高频和隔热能的能力。品抗高频和隔热能的能力。品抗高频和隔热能的能力。


技术研发人员：马洪伟 张志礼
受保护的技术使用者：江苏普诺威电子股份有限公司
技术研发日：2023.05.30
技术公布日：2023/8/24