显示模组母板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示模组母板及其制备方法。


背景技术：

2.ltps amoled(低温多晶硅有源矩阵有机发光二极管)手机产品会集成触摸功能在显示面板上，为改善在显示模组3d贴合时边缘裂纹的问题，触控膜层中的无机膜会使用大应力的sin、sio等膜层。
3.然而，由于大应力膜层本身易发生褶皱以及膜层粘附力差异导致在触控制程中容易发生膜层分离的问题，膜层分离发生位置主要集中在显示模组母板的切割区，造成产品不良。


技术实现要素：

4.本技术主要提供一种显示模组母板及其制备方法，以解决现有技术中显示模组母板的切割区易发生膜层分离的问题。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种显示模组母板，包括多个面板区和切割区；所述显示模组母板位于所述切割区的部分包括：
6.阵列基板母板，包括衬底和像素定义层；
7.触控膜层，设置于所述像素定义层远离所述衬底的一侧；所述触控膜层包括第一无机膜和第二无机膜；
8.所述第一无机膜设置有多个相互间隔的第一镂空部，所述第二无机膜的一部分覆盖于所述第一无机膜远离所述像素定义层的一侧，另一部分位于所述第一镂空部内以覆盖通过所述第一镂空部暴露的部分所述像素定义层。
9.在一实施例中，所述触控膜层还包括第一金属层，所述第一金属层位于所述第一无机膜与所述第二无机膜之间，且所述第一金属层设置有多个第二镂空部，多个所述第二镂空部与多个所述第一镂空部一一对应设置。
10.在一实施例中，所述第二无机膜设置于所述第一无机膜远离所述像素定义层的一侧的部分设置有多个第三镂空部。
11.在一实施例中，所述第二无机膜设置有多个第四镂空部，所述第四镂空部设置于所述第二无机膜位于所述第一镂空部内的部分，以使部分所述像素定义层通过所述第四镂空部暴露。
12.在一实施例中，多个所述第一镂空部呈阵列分布；和/或，多个所述第二镂空部呈阵列分布；和/或，多个所述第三镂空部呈阵列分布。
13.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种显示模组母板的制备方法，包括：
14.提供阵列基板母板，包括多个面板区和切割区；所述阵列基板母板包括层叠设置的衬底、阵列电路层和像素定义层，所述像素定义层位于所述阵列电路层远离所述衬底的
一侧；
15.在所述像素定义层远离所述衬底的一侧依次沉积发光层和封装层；其中，所述发光层和封装层位于所述面板区；
16.在所述封装层远离所述衬底的一侧依次沉积第一无机膜和第一金属层；其中，所述第一无机膜位于所述面板区和所述切割区，所述第一金属层至少位于所述面板区；
17.对所述第一无机膜和所述第一金属层图案化处理，以使得位于所述切割区的部分所述第一无机膜具有多个第一镂空部；
18.在所述第一金属层远离所述衬底的一侧沉积第二无机膜；其中，所述第二无机膜位于所述面板区和所述切割区，且位于所述切割区的所述第二无机膜的一部分覆盖于所述第一无机膜远离所述像素定义层的一侧，另一部分位于所述第一镂空部内以覆盖通过所述第一镂空部暴露的部分所述像素定义层。
19.在一实施例中，所述第一金属层仅位于所述面板区；所述对所述第一无机膜和所述第一金属层图案化处理的步骤包括：
20.采用同一掩膜板对所述第一金属层和位于所述切割区的所述第一无机膜进行图案化处理，以使得位于所述切割区的所述第一无机膜具有多个所述第一镂空部，使得位于所述面板区的所述第一金属层形成第一触控电极图案。
21.在一实施例中，所述第一金属层覆盖所述面板区和所述切割区；所述对所述第一无机膜和所述第一金属层图案化处理的步骤包括：
22.采用同一掩膜板对所述第一金属层和位于所述切割区的所述第一无机膜进行图案化处理，以使得位于所述切割区的所述第一无机膜具有多个所述第一镂空部，使得位于所述切割区的所述第一金属层具有与所述第一镂空部一一对应的多个第二镂空部，使得位于所述面板区的所述第一金属层形成第一触控电极图案。
23.在一实施例中，所述沉积第二无机膜的步骤之后,还包括：
24.对所述第二无机膜图案化处理，以使得位于所述切割区的所述第二无机膜具有多个第三镂空部，所述第三镂空部与所述第一镂空部错位设置。
25.在一实施例中，所述对所述第二无机膜图案化处理的步骤之后，还包括：
26.在所述第二无机膜远离所述衬底的一侧沉积第二金属层；
27.对所述第二金属层图案化处理，以使得位于所述面板区的所述第二金属层形成第二触控电极图案，使得位于所述切割区的所述第二金属层去除以暴露所述第二无机膜。
28.本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术公开了一种显示模组母板及其制备方法，显示模组母板包括多个面板区和切割区，显示模组母板位于切割区的部分包括：阵列基板母板，包括衬底和像素定义层；触控膜层，设置于像素定义层远离衬底的一侧，触控膜层包括第一无机膜和第二无机膜；第一无机膜设置有多个相互间隔的第一镂空部，第二无机膜的一部分覆盖于第一无机膜远离像素定义层的一侧，另一部分位于第一镂空部内以覆盖通过第一镂空部暴露的部分像素定义层。通过上述设置，在位于切割区的第一无机膜设置多个第一镂空部，减小了切割区的第一无机膜与像素定义层的接触面积，从而降低了应力影响，有效解决了现有技术中显示模组母板的切割区易发生膜层分离的问题，提升了产品性能。
附图说明
29.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
30.图1是本技术提供的显示模组母板的俯视结构示意图；
31.图2是本技术第一实施例提供的显示模组母板沿a-a线的截面示意图；
32.图3是本技术第二实施例提供的显示模组母板一实施方式沿a-a线的截面示意图；
33.图4是本技术第二实施例提供的显示模组母板另一实施方式沿a-a线的截面示意图；
34.图5是本技术第三实施例提供的显示模组母板沿a-a线的截面示意图；
35.图6是本技术第四实施例提供的显示模组母板沿a-a线的截面示意图；
36.图7是本技术第五实施例提供的显示模组母板的制备方法的流程示意图；
37.图8是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s3一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图；
38.图9是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s3另一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图；
39.图10是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s4一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图；
40.图11是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s4另一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图；
41.图12是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s5一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图；
42.图13是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s5另一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图；
43.图14是本技术第六实施例提供的显示模组母板的制备方法的流程示意图；
44.图15是图14提供的显示模组母板的制备方法中步骤s6一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图；
45.图16是图14提供的显示模组母板的制备方法中步骤s6另一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图；
46.图17是本技术第七实施例提供的显示模组母板的制备方法的流程示意图；
47.图18是图17提供的显示模组母板的制备方法中步骤s7对应的显示模组母板的结构示意图。
48.附图标号：
49.显示模组母板100；面板区p；切割区d；阵列基板母板1；衬底11；像素定义层13；阵列电路层12；发光层2；封装层3；触控膜层4；第一无机膜41；第一镂空部411；第一金属层42；第二镂空部421；第二无机膜43；第三镂空部431；第四镂空部432；第二金属层44。
具体实施方式
50.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
51.本技术实施例中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
52.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其他实施例相结合。
53.参阅图1至图2，图1是本技术提供的显示模组母板的俯视结构示意图，图2是本技术第一实施例提供的显示模组母板沿a-a线的截面示意图。
54.参见图1和图2，本技术提供了一种显示模组母板100，该显示模组母板100包括多个面板区p和切割区d，如图1所示，多个面板区p相互间隔，切割区d为除面板区p之外的其他区域，具体的，切割区d包括面板区p之间的区域以及面板区p与显示模组母板100的边缘之间的区域。显示模组母板100位于切割区d的部分包括：阵列基板母板1和触控膜层4，其中，阵列基板母板1包括衬底11和像素定义层13，像素定义层13为有机膜层。具体的，阵列基板母板1还包括阵列电路层12，阵列电路层12位于衬底11和像素定义层13之间，其中，位于面板区p的阵列电路层12包括tft驱动电路，位于切割区d的阵列电路层12包括环绕面板区p设置的静电环(图未示)。触控膜层4设置于像素定义层13远离衬底11的一侧，本实施例中，触控膜层4包括第一无机膜41和第二无机膜43，第一无机膜41设置有多个相互间隔的第一镂空部411，第二无机膜43的一部分覆盖于第一无机膜41远离像素定义层13的一侧，另一部分位于第一镂空部411内以覆盖通过第一镂空部411暴露的部分像素定义层13。
55.可以理解，由于触控膜层4的第一无机膜41与第二无机膜43均为大应力膜层，且第一无机膜41与阵列基板母板1的像素定义层13之间的膜层粘附力较差，本实施例中，通过将位于切割区d的第一无机模设置为包括多个相互间隔的第一镂空部411的结构，切割区d的第一无机膜41由原来的全部保留变为仅部分保留，减小了切割区d的第一无机膜41与像素定义层13的接触面积，同时，也减小了第一无机膜41和第二无机膜43的接触面积，有效降低了应力影响，进而有效改善了触控制程中在外力影响和冲击时，切割区d的第一无机膜41与像素定义层13之间以及第一无机膜41与第二无机膜43之间膜层易分离的问题，有效解决了现有技术中显示模组母板100的切割区d易发生膜层分离的问题，提升了产品的性能。
56.具体的，第一镂空部411的横截面形状可以呈矩形、圆形、方形等任意形状，位于切割区d的第一无机膜41的多个第一镂空部411可以呈阵列分布，也可以随意分布，其中，多个
第一镂空部411呈阵列分布可以使得位于切割区d的第一无机膜41的应力分布更均匀，更有利于降低应力影响，改善切割区d膜层分离的问题。
57.本实施例中，显示模组母板100位于面板区p的部分还包括发光层2和封装层3，发光层2和封装层3设置于阵列基板母板1与触控膜层4之间，封装层3位于发光层2远离像素定义层13的一侧。发光层2可以包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层和阴极(图未示)。封装层3可以包括交替层叠设置的多层有机薄膜和多层无机薄膜，可以用于阻挡外界环境中水、氧等对功能层的侵蚀。显示模组母板100位于面板区p的部分还可以包括透镜层、折射层和光学胶层(图未示)等结构。
58.显示模组母板100位于面板区p部分的触控膜层4不仅包括第一无机膜41和第二无机膜43，还包括第一金属层42和第二金属层44，第一金属层42位于第一无机膜41与第二无机膜43之间并形成第一触控电极图案，第二金属层44位于第二无机膜43远离衬底11的一侧并形成第二触控电极图案。本实施例中，显示模组母板100位于切割区d部分的触控膜层4仅包括第一无机膜41和第二无机膜43，并不包括第一金属层42和第二金属层44。
59.参阅图3至图4，图3是本技术第二实施例提供的显示模组母板一实施方式沿a-a线的截面示意图，图4是本技术第二实施例提供的显示模组母板另一实施方式沿a-a线的截面示意图。
60.参见图3，本技术还提供了另一种显示模组母板100，区别于显示模组母板100第一实施例，本实施例中，显示模组母板100位于切割区d部分的触控膜层4还包括第一金属层42，第一金属层42设置于第一无机膜41与第二无机膜43之间。本实施例中，通过在位于切割区d的第一无机膜41和第二无机膜43之间设置第一金属层42，将第一金属层42作为缓冲层，避免了在触控制程中制备第二无机膜43时第一无机膜41与第二无机膜43这两层大应力膜层的直接接触，降低了应力叠加的影响，从而进一步改善了在触控制程中切割区d的膜层易分离的问题，提升产品性能。
61.具体的，如图3所示，在一实施方式中，位于切割区d的第一金属层42设置有多个第二镂空部421，多个第二镂空部421相互间隔设置。具体的，第二镂空部421的数量与第一镂空部411的数量相等，多个第二镂空部421可以与多个第一镂空部411一一对应设置。通过在第一金属层42设置多个第二镂空部421，可以进一步降低应力影响，同时，多个第二镂空部421与多个第一镂空部411一一对应设置，也避免了第二镂空部421与第一镂空部411错位设置时，第二无机膜43与第一无机膜41在第二镂空部421的位置直接接触，更有效防止了应力叠加，而且，多个第二镂空部421与多个第一镂空部411一一对应设置也可以在第一无机膜41和第一金属层42制备完成后，采用同一掩膜板制备形成第一镂空部411和第二镂空部421，可以有效节省工艺流程，节约成本。
62.本实施方式中，第二无机膜43一部分覆盖于第一金属层42远离第一无机膜41的一侧，另一部分位于第一镂空部411内以覆盖通过第一镂空部411和第二镂空部421暴露的部分像素定义层13。在其他实施方式中，多个第二镂空部421也可以不与多个第一镂空部411一一对应设置。多个第二镂空部421可以呈阵列分布，也可以随意分布，第二镂空部421的横截面形状可以呈圆形、方形、矩形等任意形状。
63.如图4所示，在另一实施方式中，位于切割区d的第一金属层42一部分覆盖于第一无机膜41远离像素定义层13的一侧，另一部分位于第一镂空部411内且覆盖通过第一镂空
部411暴露的部分像素定义层13。第一金属层42也可以设置有第二镂空部421，第二镂空部421设置于第一金属层42位于第一镂空部411内的部分，即第二镂空部421的尺寸小于第一镂空部411的尺寸，使得第二无机膜43一部分覆盖于第一金属层42远离第一无机膜41的一侧，另一部分位于第二镂空部421内并覆盖通过第二镂空部421暴露的部分像素定义层13。可以理解，由于第二无机膜43为大应力膜层，本实施方式中，将第一金属层42部分设置于第一镂空部411内，可以减小第二无机膜43在第一镂空部411位置处与像素定义层13的接触面积，进一步减小了应力影响，改善了切割区d膜层易分离的问题。在其他实施方式中，第一金属层42也可以不设置第二镂空部421，第一金属层42位于第一镂空部411内的部分完全覆盖通过第一镂空部411暴露的像素定义层13，第二无机膜43完全覆盖于第一金属层42远离第一无机膜41的一侧。
64.本实施方式中，第一镂空部411和第二镂空部421并不是采用同一掩膜板制备形成，需要在第一无机膜41制备完成后先采用一个掩膜板图案化第一无机膜41形成第一镂空部411，然后制备形成第一金属层42，再采用另一个掩膜板图案化第一金属层42形成第二镂空部421。
65.本实施例中，显示模组母板100的其余结构均与显示模组母板100第一实施例中的结构相同，不再赘述。
66.参阅图5，图5是本技术第三实施例提供的显示模组母板沿a-a线的截面示意图。
67.参见图5，本技术还提供了另一种显示模组母板100，区别于显示模组母板100第二实施例，本实施例中，显示模组母板100位于切割区d部分的触控膜层4中的第二无机膜43还设置有多个第三镂空部431，第三镂空部431与第一镂空部411错位设置，具体的，第三镂空部431设置于第二无机膜43位于第一无机膜41远离像素定义层13一侧的部分。本实施例中，通过在第二无机膜43设置多个第三镂空部431，且将第三镂空部431与第一镂空部411错位设置，在触控制程的第二金属层44成膜后，可以减少第二无机膜43与第二金属层44的接触面积，同时也减少了第二无机膜43与第一金属层42的接触面积，降低了应力影响，有效改善了在第二金属层44的黄光、蚀刻、剥离等工艺中发生的膜层分离问题，进一步解决了现有技术中显示模组母板100的切割区d易发生膜层分离的问题，提升产品性能。
68.本实施例中，多个第三镂空部431可以呈阵列分布，也可以随意分布，阵列分布可以使第二无机膜43的各位置处的应力分布更均匀，第三镂空部431的横截面形状可以呈矩形、圆形、方形等任意形状。
69.本实施例中，显示模组母板100的其余结构均与显示模组母板100第二实施例中相同，不再赘述。
70.参阅图6，图6是本技术第四实施例提供的显示模组母板沿a-a线的截面示意图。
71.参见图5，本技术还提供了另一种显示模组母板100，区别于显示模组母板100第三实施例，本实施例中，显示模组母板100位于切割区d部分的触控膜层4中的第二无机膜43还设置有多个第四镂空部432，第四镂空部432设置于第二无机膜43位于第一镂空部411内的部分，使得部分像素定义层13通过第四镂空部432暴露，具体的，第四镂空部432的尺寸小于第一镂空部411的尺寸。本实施例中，在位于第一镂空部411内的第二无机膜43中设置多个第四镂空部432，可以更进一步减小第二无机膜43与后续制程中制备的第二金属层44之间的接触面积，以及第二无机膜43与像素定义层13之间的接触面积，进一步降低应力影响，更
有效防止显示模组母板100的切割区d的膜层易分离的问题发生，使得产品的性能更强。
72.本实施例中，位于切割区d的触控膜层4可以包括第一金属层42，也可以不包括第一金属层42，即位于切割区d的触控膜层4的其余结构可以与上述任一实施例中触控膜层4的其余结构相同，显示模组母板100的其余结构均与显示模组母板100第三实施例中相同，不再赘述。
73.参阅图7至图13，图7是本技术第五实施例提供的显示模组母板的制备方法的流程示意图，图8是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s3一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图，图9是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s3另一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图，图10是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s4一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图，图11是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s4另一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图，图12是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s5一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图，图13是图7提供的显示模组母板的制备方法中步骤s5另一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图。
74.本技术还提供了一种显示模组母板100的制备方法，以制备形成上述任一实施例中的显示模组母板100。参见图7，本实施例中，显示模组母板100的制备方法包括：
75.s1：提供阵列基板母板1，包括多个面板区p和切割区d。
76.具体的，提供阵列基板母板1，阵列基板母板1包括多个面板区p和切割区d，多个面板区p相互间隔，切割区d为除面板区p之外的其他区域。阵列基板母板1包括层叠设置的衬底11、阵列电路层12和像素定义层13，像素定义层13位于阵列电路层12远离衬底11的一侧，像素定义层13为有机膜层，其中，位于面板区p的阵列电路层12包括tft驱动电路，位于切割区d的阵列电路层12包括环绕面板区p设置的静电环等。
77.s2：在像素定义层13远离衬底11的一侧依次沉积发光层2和封装层3；其中，发光层2和封装层3位于面板区p。
78.具体的，在步骤s1提供的阵列基板母板1的像素定义层13远离衬底11的一侧依次沉积发光层2和封装层3，发光层2可以为oled发光层，发光层2可以包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层和阴极等结构，封装层3可以包括交替层叠设置的多层有机薄膜和多层无机薄膜，以用于阻挡外界环境中水、氧等对功能层的侵蚀。发光层2和封装层3仅位于面板区p，切割区d并未沉积有发光层2和封装层3。
79.s3：在封装层3远离衬底11的一侧依次沉积第一无机膜41和第一金属层42；其中，第一无机膜41位于面板区p和切割区d，第一金属层42至少位于面板区p。
80.具体的，在封装层3远离衬底11的一侧依次沉积第一无机膜41和第一金属层42，第一无机膜41可以为sin或sio等膜层，第一无机膜41部分覆盖于封装层3远离衬底11的一侧，另一部分覆盖于位于切割区d的像素定义层13远离衬底11的一侧，即第一无机膜41一部分位于面板区p，另一部分位于切割区d。第一金属层42至少位于面板区p，且位于第一无机膜41远离像素定义层13的一侧。
81.参见图8，在一实施方式中，沉积的第一金属层42仅位于面板区p，切割区d并未沉积有第一金属层42，本实施方式中，经过步骤s3可以得到如图8所示的显示模组母板100的结构。参见图9，在另一实施方式中，沉积的第一金属层42覆盖面板区p和切割区d，即面板区p和切割区d均沉积有第一金属层42，本实施方式中，经过步骤s3可以得到如图9所示的显示
模组母板100的结构。
82.s4：对第一无机膜41和第一金属层42图案化处理，以使得位于切割区d的部分第一无机膜41具有多个第一镂空部411。
83.具体的，本实施例中，对第一无机膜41和第一金属层42进行图案化处理，使得位于切割区d的第一无机膜41具有多个相互间隔的第一镂空部411，进而减小第一无机膜41与像素定义层13之间的接触面积，进而降低应力影响，避免后续制程中切割区d的膜层分离的问题发生。
84.具体的，在一实施方式中，第一金属层42仅位于面板区p，切割区d并未沉积有第一金属层42，步骤s4所述的对第一无机膜41和第一金属层42图案化处理的步骤包括：
85.采用同一掩膜板对第一金属层42和位于切割区d的第一无机膜41进行图案化处理，以使得位于切割区d的第一无机膜41具有多个第一镂空部411，使得位于面板区p的第一金属层42形成第一触控电极图案。
86.具体的，本实施方式中，由于第一金属层42仅位于面板区p，切割区d并未沉积有第一金属层42，因此，对第一无机膜41和第一金属层42进行图案化处理时，可以采用同一掩膜板对第一金属层42和位于切割区d的第一无机膜41进行图案化处理，位于面板区p的第一金属层42和位于切割区d的第一无机膜41同时进行图案化处理，使得位于切割区d的第一无机膜41具有多个第一镂空部411，多个第一镂空部411相互间隔设置，具体的，多个第一镂空部411可以呈阵列分布，也可以随意分布，位于面板区p的第一金属层42形成第一触控电极图案。
87.本实施方式中，采用同一掩膜板对第一金属层42和位于切割区d的第一无机膜41进行刻蚀、剥离等工艺形成第一触控电极图案和多个第一镂空部411，减小了第一无机膜41与像素定义层13之间的接触面积，降低了应力影响，避免了触控制程中膜层分离问题的发生，同时，也有效节省了工艺流程，节约了成本，提升了效率。本实施方式中，经过步骤s4，可以得到如图10所示的显示模组母板100的结构。
88.在另一实施方式中，第一金属层42覆盖面板区p和切割区d，即第一金属层42一部分位于面板区p，另一部分位于切割区d，切割区d沉积有第一金属层42，步骤s4所述的对第一无机膜41和第一金属层42图案化处理的步骤包括：
89.采用同一掩膜板对第一金属层42和位于切割区d的第一无机膜41进行图案化处理，以使得位于切割区d的第一无机膜41具有多个第一镂空部411，使得位于切割区d的第一金属层42具有与第一镂空部411一一对应的多个第二镂空部421，使得位于面板区p的第一金属层42形成第一触控电极图案。
90.具体的，本实施方式中，由于第一金属层42不仅覆盖面板区p，还覆盖切割区d，因此，在对第一无机膜41和第一金属层42图案化处理时，采用同一掩膜板对第一金属层42和位于切割区d的第一无机膜41进行图案化处理，即对位于面板区p和位于切割区d的第一金属层42以及位于切割区d的第一无机膜41同时进行图案化处理。在经过图案化处理后，位于切割区d的第一无机膜41具有多个第一镂空部411，多个第一镂空部411相互间隔设置，多个第一镂空部411可以呈阵列分布，也可以随意分布，位于切割区d的第一金属层42具有与第一镂空部411一一对应的多个第二镂空部421，位于面板区p的第一金属层42形成第一触控电极图案。
91.可以理解，本实施方式中，在切割区d也沉积有第一金属层42，可以将第一金属层42作为第一无机膜41与第二无机膜43之间的缓冲层，有效避免第一无机膜41与第二无机膜43这两个大应力膜层直接接触造成应力叠加而导致的切割区d膜层分离问题的发生，更有效改善了切割区d膜层易分离的问题。在对第一无机膜41和第一金属层42进行图案化处理后，使得第一无机膜41具有多个第一镂空部411，第一金属层42具有与多个第一镂空部411一一对应的多个第二镂空部421，可以减小第一无机膜41与像素定义层13的接触面积，同时，也避免了第二镂空部421与第一镂空部411错位设置时，第二无机膜43与第一无机膜41在第二镂空部421的位置直接接触，更有效防止了应力叠加，有利于提升产品性能。采用同一掩膜板制备形成第一镂空部411、第二镂空部421和第一触控电极图案，也有效节省了工艺流程，节约了成本。本实施方式中，经过步骤s4，可以得到如图11所示的显示模组母板100的结构。
92.s5：在第一金属层42远离衬底11的一侧沉积第二无机膜43。
93.具体的，在第一金属层42远离衬底11的一侧沉积第二无机膜43，第二无机膜43一部分位于面板区p，另一部分位于切割区d，且位于切割区d的第二无机膜43的一部分覆盖于第一无机膜41远离像素定义层13的一侧，另一部分位于第一镂空部411内以覆盖通过第一镂空部411暴露的部分像素定义层13。
94.具体的，在一实施方式中，第一金属层42仅位于面板区p，位于切割区d的第二无机膜43的一部分覆盖于第一无机膜41远离像素定义层13的表面，另一部分位于第一镂空部411内以覆盖通过第一镂空部411暴露的部分像素定义层13。本实施方式中，经过步骤s5，可以得到如图12所示的显示模组母板100的结构。
95.在另一实施方式中，第一金属层42一部分位于面板区p，另一部分位于切割区d，位于切割区d的第二无机膜43的一部分覆盖于第一金属层42远离第一无机膜41的一侧，另一部分位于第一镂空部411内以覆盖通过第二镂空部421和第一镂空部411暴露的部分像素定义层13。本实施方式中，经过步骤s5，可以得到如图13所示的显示模组母板100的结构。
96.参阅图14至图16，图14是本技术第六实施例提供的显示模组母板的制备方法的流程示意图，图15是图14提供的显示模组母板的制备方法中步骤s6一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图，图16是图14提供的显示模组母板的制备方法中步骤s6另一实施方式对应的显示模组母板的结构示意图。
97.参见图14，本技术还提供了另一种显示模组母板100的制备方法，具体的，该制备方法与本技术第五实施例提供的显示模组母板100的制备方法的区别在于，步骤s5所述的沉积第二无机膜43的步骤之后还包括：
98.s6：对第二无机膜43图案化处理。
99.具体的，在一实施方式中，采用与步骤s4中不同的另一个掩膜板对步骤s5沉积得到的第二无机膜43进行图案化处理，使得位于切割区d的第二无机膜43具有多个第三镂空部431，第三镂空部431与第一镂空部411错位设置，即第三镂空部431对应于第二无机膜43位于第一无机膜41远离像素定义层13的一侧的部分设置。其中，多个第三镂空部431可以呈阵列分布，也可以随意分布。可以理解，对第二无机膜43图案化处理使得位于切割区d的第二无机膜43具有多个第三镂空部431，可以进一步降低应力影响，改善切割区d膜层分离的问题。本实施方式中，经过步骤s6，可以得到如图15所示的显示模组母板100的结构。
100.在另一实施方式中，采用与步骤s4中不同的另一个掩膜板对步骤s5沉积得到的第二无机膜43进行图案化处理，使得位于切割区d的第二无机膜43具有多个第三镂空部431和多个第四镂空部432，第三镂空部431与第一镂空部411错位设置，即第三镂空部431对应于第二无机膜43位于第一无机膜41远离像素定义层13的一侧的部分设置，第四镂空部432对应于第二无机膜43位于第一镂空部411内的部分设置。多个第三镂空部431可以呈阵列分布，也可以随意分布，多个第四镂空部432可以呈阵列分布，也可以随意分布。可以理解，对第二无机膜43图案化处理使得位于切割区d的第二无机膜43同时具有多个第三镂空部431和多个第四镂空部432，可以更进一步降低应力影响，更好的改善切割区d膜层分离的问题。本实施方式中，经过步骤s6，可以得到如图16所示的显示模组母板100的结构。
101.参阅图17至图18，图17是本技术第七实施例提供的显示模组母板的制备方法的流程示意图，图18是图17提供的显示模组母板的制备方法中步骤s7对应的显示模组母板的结构示意图。
102.参见图17，本技术还提供了另一种显示模组母板100的制备方法，具体的，该制备方法与本技术第六实施例提供的显示模组母板100的制备方法的区别在于，步骤s6所述的对第二无机膜43图案化处理的步骤之后还包括：
103.s7：在第二无机膜43远离衬底11的一侧沉积第二金属层44。
104.具体的，在第二无机膜43远离衬底11的一侧沉积第二金属层44，使得第二金属层44覆盖位于面板区p和切割区d的第二无机膜43。在一具体实施方式中，经过步骤s7，可以得到如图18所示的显示模组母板100的结构。
105.s8：对第二金属层44图案化处理。
106.具体的，采用与步骤s4和步骤s6中均不相同的另一个掩膜板，对第二金属层44进行图案化处理，使得位于面板区p的第二金属层44形成第二触控电极图案，并使得位于切割区d的第二金属层44完全剥离以暴露位于切割区d的第二无机膜43。在一具体实施方式中，经过步骤s8，可以得到如图5所示的显示模组母板100的结构。
107.区别于现有技术的情况，本技术公开了一种显示模组母板100及其制备方法，显示模组母板100包括多个面板区p和切割区d，显示模组母板100位于切割区d的部分包括：阵列基板母板1，包括衬底11和像素定义层13；触控膜层4，设置于像素定义层13远离衬底11的一侧，触控膜层4包括第一无机膜41和第二无机膜43；第一无机膜41设置有多个相互间隔的第一镂空部411，第二无机膜43的一部分覆盖于第一无机膜41远离像素定义层13的一侧，另一部分位于第一镂空部411内以覆盖通过第一镂空部411暴露的部分像素定义层13。通过上述设置，在位于切割区d的第一无机膜41设置多个第一镂空部411，减小了切割区d的第一无机膜41与像素定义层13的接触面积，从而降低了应力影响，有效解决了现有技术中显示模组母板100的切割区d易发生膜层分离的问题，提升了产品性能。
108.以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种显示模组母板，包括多个面板区和切割区；所述显示模组母板位于所述切割区的部分包括：阵列基板母板，包括衬底和像素定义层；触控膜层，设置于所述像素定义层远离所述衬底的一侧；所述触控膜层包括第一无机膜和第二无机膜；其特征在于，所述第一无机膜设置有多个相互间隔的第一镂空部，所述第二无机膜的一部分覆盖于所述第一无机膜远离所述像素定义层的一侧，另一部分位于所述第一镂空部内以覆盖通过所述第一镂空部暴露的部分所述像素定义层。2.根据权利要求1所述的显示模组母板，其特征在于，所述触控膜层还包括第一金属层，所述第一金属层位于所述第一无机膜与所述第二无机膜之间，且所述第一金属层设置有多个第二镂空部，多个所述第二镂空部与多个所述第一镂空部一一对应设置。3.根据权利要求2所述的显示模组母板，其特征在于，所述第二无机膜设置于所述第一无机膜远离所述像素定义层的一侧的部分设置有多个第三镂空部。4.根据权利要求1-3任一项所述的显示模组母板，其特征在于，所述第二无机膜设置有多个第四镂空部，所述第四镂空部设置于所述第二无机膜位于所述第一镂空部内的部分，以使部分所述像素定义层通过所述第四镂空部暴露。5.根据权利要求3项所述的显示模组母板，其特征在于，多个所述第一镂空部呈阵列分布；和/或，多个所述第二镂空部呈阵列分布；和/或，多个所述第三镂空部呈阵列分布。6.一种显示模组母板的制备方法，其特征在于，包括：提供阵列基板母板，包括多个面板区和切割区；所述阵列基板母板包括层叠设置的衬底、阵列电路层和像素定义层，所述像素定义层位于所述阵列电路层远离所述衬底的一侧；在所述像素定义层远离所述衬底的一侧依次沉积发光层和封装层；其中，所述发光层和封装层位于所述面板区；在所述封装层远离所述衬底的一侧依次沉积第一无机膜和第一金属层；其中，所述第一无机膜位于所述面板区和所述切割区，所述第一金属层至少位于所述面板区；对所述第一无机膜和所述第一金属层图案化处理，以使得位于所述切割区的部分所述第一无机膜具有多个第一镂空部；在所述第一金属层远离所述衬底的一侧沉积第二无机膜；其中，所述第二无机膜位于所述面板区和所述切割区，且位于所述切割区的所述第二无机膜的一部分覆盖于所述第一无机膜远离所述像素定义层的一侧，另一部分位于所述第一镂空部内以覆盖通过所述第一镂空部暴露的部分所述像素定义层。7.根据权利要求6所述的显示模组母板的制备方法，其特征在于，所述第一金属层仅位于所述面板区；所述对所述第一无机膜和所述第一金属层图案化处理的步骤包括：采用同一掩膜板对所述第一金属层和位于所述切割区的所述第一无机膜进行图案化处理，以使得位于所述切割区的所述第一无机膜具有多个所述第一镂空部，使得位于所述面板区的所述第一金属层形成第一触控电极图案。8.根据权利要求6所述的显示模组母板的制备方法，其特征在于，所述第一金属层覆盖所述面板区和所述切割区；所述对所述第一无机膜和所述第一金属层图案化处理的步骤包括：
采用同一掩膜板对所述第一金属层和位于所述切割区的所述第一无机膜进行图案化处理，以使得位于所述切割区的所述第一无机膜具有多个所述第一镂空部，使得位于所述切割区的所述第一金属层具有与所述第一镂空部一一对应的多个第二镂空部，使得位于所述面板区的所述第一金属层形成第一触控电极图案。9.根据权利要求6所述的显示模组母板的制备方法，其特征在于，所述沉积第二无机膜的步骤之后,还包括：对所述第二无机膜图案化处理，以使得位于所述切割区的所述第二无机膜具有多个第三镂空部，所述第三镂空部与所述第一镂空部错位设置。10.根据权利要求9所述的显示模组母板的制备方法，其特征在于，所述对所述第二无机膜图案化处理的步骤之后，还包括：在所述第二无机膜远离所述衬底的一侧沉积第二金属层；对所述第二金属层图案化处理，以使得位于所述面板区的所述第二金属层形成第二触控电极图案，使得位于所述切割区的所述第二金属层去除以暴露所述第二无机膜。

技术总结
本申请公开了一种显示模组母板及其制备方法，显示模组母板包括多个面板区和切割区，显示模组母板位于切割区的部分包括：阵列基板母板，包括衬底和像素定义层；触控膜层，设置于像素定义层远离衬底的一侧，触控膜层包括第一无机膜和第二无机膜；第一无机膜设置有多个相互间隔的第一镂空部，第二无机膜的一部分覆盖于第一无机膜远离像素定义层的一侧，另一部分位于第一镂空部内以覆盖通过第一镂空部暴露的部分像素定义层。通过上述设置，减小了切割区的第一无机膜与像素定义层的接触面积，降低了应力影响，有效解决了现有技术中显示模组母板的切割区易发生膜层分离的问题，提升了产品性能。性能。性能。


技术研发人员：杨广东 曾柯 蒋雷 叶宁 羊书君 丁俊伟 康报虹
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2023.04.27
技术公布日：2023/8/24