防静电阵列基板及液晶显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种防静电阵列基板及采用该防静电阵列基板的液晶显示面板。


背景技术：

2.液晶显示器(liquid crystal display，lcd)的液晶显示面板是目前市场占有率最多的面板。常见的液晶显示模式有四种类型：扭曲向列相(tn)、垂直取相(va)、面内转换(ips)、边缘场转换(ffs)。其中，对于时刻处在运动状态中的航天、汽车、地铁等行业均采用了ips硬屏。由于ips响应速度快、可视角度大、色彩真实、画面出色触等优点，也被广泛应用于tv、手机、notebook等领域。
3.面内转换液晶显示是由电场驱动转动，因此，保护面内电路，提高静电防护等级对提高ips产品品质至关重要。然而，现有的面内液晶显示面板的防静电措施只能屏蔽部分静电，且静电疏导能力不足。


技术实现要素：

4.鉴于上述技术问题，本技术提供一种防静电阵列基板以及液晶显示面板，提高防静电阵列基板疏导自由电子的能力，且基本能够屏蔽全部自由电子。
5.第一方面，一种防静电阵列基板，包括一基板、基板包括设置在基板表面的显示区域和非显示区域，一防静电电路设置在非显示区域靠近基板边缘的一侧，防静电电路包括：
6.栅极，设置于基板的表面，栅极为具有第一凹陷的膜层结构，将栅极关于第一凹陷相对设置的两个区域分别定义为第一区域和第二区域；
7.第一绝缘层，设置于栅极背离基板的表面以及第一凹陷对应的基板的表面，且第一绝缘层为连续的膜层结构；
8.有源层，设置于第一绝缘层背离栅极的表面，且有源层为连续的膜层结构，有源层在基板表面的正投影在栅极在基板表面的正投影的区域内；
9.光敏材料半导体层，设置于有源层背离第一绝缘层的表面，光敏材料半导体层为具有第二凹陷的膜层结构，且第二凹陷与栅极的第一凹陷在基板表面的投影重合；
10.源极和漏极，设置于光敏材料半导体层背离有源层的表面且互相分隔，源极与栅极的第一区域相对设置，漏极与栅极的第二区域相对设置，且源极在基板表面的正投影在栅极的第一区域在基板表面的正投影的区域内，漏极在基板表面的正投影在栅极的第二区域在基板表面的正投影的区域内，
11.将有源层定义为包括第一部分、第二部分以及第三部分，第一部分夹设在栅极的第一区域和源极之间，第二部分夹设在栅极的第二区域和漏极之间，第三部分设置在源极和漏极的分隔区域，栅极接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置。
12.可选地，包括至少两个防静电电路间隔设置在非显示区域靠近基板边缘一侧，每个防静电电路的栅极接收一个交流电压信号。
13.可选地，所述光敏材料半导体层包括氢化非晶硅和/或低温多晶硅。
14.可选地，源极和漏极背离有源层的表面，以及源极和漏极分隔区域的有源层的表面设置第二绝缘层，第二绝缘层的材料包括聚硫酸铝(pas)。
15.可选地，源极和漏极之间的分隔距离大于0μm小于5μm，源极和/或漏极的线宽大于等于3μm小于等于50μm。
16.可选地，交流电压信号为外部时钟脉冲信号线传输的时钟脉冲信号，低电位信号通过低电位信号线传输，时钟脉冲信号线和低电位信号线设置在防静电电路和显示区域之间的非显示区域。
17.可选地，还包括栅极驱动电路形成在基板上，栅极驱动电路设置在低电位信号线和时钟脉冲信号线与显示区域之间，栅极驱动电路用于接收外部时钟脉冲信号线传输的时钟脉冲信号，并向显示区域传输栅极驱动信号。
18.可选地，栅极与栅极驱动电路的距离大于30μm。
19.第二方面，一种防静电阵列基板，包括一基板、基板包括设置在基板表面的显示区域和非显示区域，一防静电电路设置在非显示区域靠近基板边缘的一侧，防静电电路包括：
20.栅极，设置于基板的表面，栅极为具有第一凹陷的膜层结构，将栅极关于第一凹陷相对设置的两个区域分别定义为第一区域和第二区域；
21.第一绝缘层，设置于栅极背离基板的表面以及第一凹陷对应的基板的表面，且第一绝缘层为连续的膜层结构；
22.有源层，设置于第一绝缘层背离栅极的表面，且有源层为连续的膜层结构，有源层在基板表面的正投影在栅极在基板表面的正投影的区域内，有源层的材料为光敏半导体材料；
23.源极和漏极，设置于有源层背离第一绝缘层的表面且互相分隔，源极与栅极的第一区域相对设置，漏极与栅极的第二区域相对设置，且源极在基板表面的正投影在栅极的第一区域在基板表面的正投影的区域内，漏极在基板表面的正投影在栅极的第二区域在基板表面的正投影的区域内，
24.将有源层定义为包括第一部分、第二部分以及第三部分，第一部分夹设在栅极的第一区域和源极之间，第二部分夹设在栅极的第二区域和漏极之间，第三部分设置在源极和漏极的分隔区域，栅极接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置。
25.第三方面，本技术提供一种液晶显示面板，包括上述任一防静电阵列基板。
26.本技术的有益效果：区别于现有技术，本技术的防静电阵列基板通过在非显示区域靠近基板边缘一侧设置防静电电路，防静电电路中源/漏极和栅极相对设置，源/漏极在基板表面的正投影均位于栅极在基板表面的正投影的区域内，有源层为连续的膜层结构，且有源层的两端部分夹持在源/漏极和栅极之间，中间部分位于源极和漏极之间的分隔区域，栅极接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置，当基板表面或基板外部产生自由电子时，漏极的电位升高，源极和漏极之间产生电位差，自由电子被电场俘获，俘获的自由电子形成的电子电流导通源极和漏极之间的沟道将自由电子传导到源极，并通过源极传导到公共电极或电线接地端导走，进而起到疏导静电的作用。而且栅极接交流电压，电场不停变换，自由电子不停运动，自由电子俘获空穴形成电子电流的能力增强，对自由电子的俘获能力更强，进而增强防静电阵列基板的静电疏导能力。另外，防静电电路中包括光敏半
导体材料层，而且源极和漏极分隔设置于光敏材料半导体层的表面，在栅极的第一凹陷处，背光光源能够照射到光敏半导体材料层，光敏半导体材料的电子迁移率较高，单位电场强度下所产生的电子平均漂移速度较大，能够增大源极和漏极之间的电流，故更容易俘获自由电子，即增强自由电子导通能力，进而增强防静电阵列基板的静电疏导能力。因此，防静电电路在防静电阵列基板上形成了一道对自由电子疏导能力强的静电防护墙。因此，本技术的防静电阵列基板基本能够屏蔽全部自由电子，进而能够保护液晶显示面板的内部电路。
附图说明
27.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
28.图1是本技术一实施例提供的防静电阵列基板的结构示意图；
29.图2是本技术一实施例提供的栅极的剖面结构示意图；
30.图3是本技术一实施例提供的栅极的俯视结构示意图；
31.图4是本技术一实施例提供的防静电阵列基板的电路示意图；
32.图5是本技术一实施例提供的防静电阵列基板的时序图；
33.图6是本技术一实施例提供的防静电阵列基板的结构示意图；
34.图7是本技术一实施例提供的防静电阵列基板以及栅极的结构示意图；
35.图8是本技术一实施例提供的防静电阵列基板的电路示意图；
36.图9是本技术一实施例提供的防静电阵列基板的时序图；
37.图10是本技术一实施例提供的栅极的剖面结构示意图。
38.附图标号说明：
39.防静电阵列基板-1、基板-11、显示区域-12、非显示区域-13、防静电电路-14、栅极-141、第一凹陷-1411、第一区域-1412、第二区域-1413、第一绝缘层-142、有源层-143、第一部分1431、第二部分1432、第三部分1433、源极-144、漏极-145、光敏材料半导体层-146、第二凹陷-1461第二绝缘层147、栅极驱动电路-15。
具体实施方式
40.下面结合说明书附图，对本技术实施例的方案进行详细说明。
41.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术。
42.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
43.本技术中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明
示或者隐含地包括至少一个该特征。本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
44.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
45.本技术发明人研究发现，由于市场对全面屏窄边框产品需求旺盛，产品的边框不断缩减，阵列走线不断向基板边缘逼近，现有的防静电基板中通过在基板背涂氧化铟锡(international trade organization,ito)的方式只能屏蔽部分静电；而且现有的通过金属膜层在面板周围设置电线接地端(gnd)线疏散静电的方式，由于金属走gnd线时，上部有栅极绝缘层(gi)、聚芳硫醚砜(pass)等绝缘层，进而导致接收静电能力不足。
46.请参阅图1，本技术第一实施例提供一种防静电阵列基板1，包括一基板11。基板11包括设置在基板表面的显示区域12和非显示区域13。一防静电电路14设置在非显示区域13靠近基板11边缘一侧，一栅极驱动(goa)电路15设置在非显示区域13并位于防静电电路14和显示区域12之间。
47.基板11可以为现有液晶面板中的任意常规基板，基板11的材料可为硬性材料、柔性材料、透明材料或不透明材料等。作为示例，基板11的材料可以包括但不限于玻璃、硅、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)等。本实施例中，基板11的材料为玻璃。
48.请参阅图2和图3，防静电电路14包括栅极141、第一绝缘层142、有源层143、源极144、漏极145以及光敏材料半导体层146。栅极141设置于基板11的表面，栅极141为具有第一凹陷1411的膜层结构。将栅极141关于第一凹陷1411相对设置的两个区域分别定义为第一区域1412和第二区域1413。第一绝缘层142设置于栅极141背离基板11的表面以及第一凹陷1411对应的基板11的表面，且第一绝缘层142为连续的膜层结构。有源层143为连续的膜层结构，有源层143设置于第一绝缘层142背离栅极141的表面，且夹设在栅极141和源极144/漏极145之间，有源层143在基板11表面的正投影在栅极141在基板11表面的正投影的区域内。光敏材料半导体层146为具有第二凹陷1461的膜层结构，设置于所述有源层143背离所述第一绝缘层142的表面，且第二凹陷1461与第一凹陷1411的在基板表面的投影重合。源极144和漏极145设置于光敏材料半导体层146背离有源层143的表面且互相分隔，源极144与栅极141的第一区域1412相对设置，漏极145与栅极141的第二区域1413相对设置，且源极144在基板表面的正投影在栅极141的第一区域1412在基板11表面的正投影的区域内，漏极145在基板11表面的正投影在栅极141的第二区域1413在基板11表面的正投影的区域内。
49.栅极141包括第一凹陷1411，栅极141的第一凹陷1411处开口，背光光源能够照射
到光敏材料半导体层146，光敏材料半导体层146具有光敏特性，提高电子迁移率，增大源极144和漏极145之间的电流，故更容易俘获自由电子，即增强电子导通能力，进而增强防静电电路14的静电疏导能力。
50.栅极141的材料可以为薄膜晶体管中的任意常规栅极材料，作为示例，栅极141的材料可以包括但不限于金(au)、钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或其它金属或金属合金等。本实施例中，栅极141的材料为al。
51.源极144和漏极145的材料可以为薄膜晶体管中的任意常规源极144和漏极145材料，作为示例，源极144和漏极145的材料可以包括但不限于金(au)、钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)或其它金属或金属合金等。本实施例中，源极144和漏极145的材料为cu。
52.第一绝缘层142完全覆盖栅极141。第一绝缘层142的材料可以为薄膜晶体管中的任意常规栅极绝缘层的材料，作为示例，第一绝缘层142的材料可以包括但不限于二氧化硅、氮化硅等。本实施例中，第一绝缘层142的材料为二氧化硅。
53.栅极141接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置。可选地，栅极141接收高电位和低电位不停切换的交流电压。请参阅图4和图5，在一些实施例中，栅极141接收外部时钟脉冲(clk)信号线传输的clk信号，源极144接收低电位信号线传输的低电位(vgl)信号，漏极145空置。当基板表面或基板外部产生自由电子时，漏极145的电位升高，源极144和漏极145之间产生电位差，自由电子被电场俘获，俘获的自由电子形成的电子电流导通源极144和漏极145之间的沟道将自由电子传导到源极144，并通过源极144传导到公共电极导走，进而起到疏导静电的作用。而且栅极141接高低电位不停切换的交流电压，电场不停变换，自由电子不停运动，自由电子俘获空穴形成电子电流的能力增强，对自由电子的俘获能力更强，进而增强防静电阵列基板1的静电疏导能力。因此，防静电电路14在防静电阵列基板1上形成了一道对外部静电具疏导作用的静电防护墙，可以将外部静电屏蔽，进而能够保护显示面板的内部电路。
54.源极144和漏极145之间的分隔距离可以根据实际需要进行选择。可选地，源极144和漏极145之间的分隔距离大于0μm小于5μm。源极144和漏极145之间分隔距离的大小决定装置中源极144和漏极145的接通能力。源极144和漏极145之间分隔距离越小，源极144和漏极145越容易接通，更容易将电子传输至低电位信号线；源极144和漏极145之间分隔距离越大，吸引电子能力越强。源极144和漏极145之间的分隔距离大于0μm小于5μm，既能保证吸引电子能力较强，也可以使得源极144和漏极145之间更容易接通，进而更容易将电子传输至低电位信号线。而且该间隔距离使得源极144和漏极145之间的干扰较小，防静电阵列基板1的安全性较高。
55.源极144和漏极145的线宽可以根据实际需要进行选择，例如，源极144和漏极145的线宽可与基板表面的显示区域12的最小线宽相等。可选地，源极144和漏极145的线宽大于等于3μm小于等于50μm，该线宽范围与面内线宽一致，能保证该线宽范围下的制程能力。
56.源极144和漏极145背离光敏材料半导体层146的表面，以及源极144和漏极145分隔区域的有源层143的表面设置第二绝缘层147，第二绝缘层147能够避免源极144和漏极145腐蚀。本实施例中，第二绝缘层147的材料为聚硫酸铝(pas)。可以理解，第二绝缘层147为可选择的元件，可以根据实际需要进行选择。例如，在一些实施例中，防静电电路14也可以不包括第二绝缘层147。而且第二绝缘层147的材料并不限定于pas，也可以为能够起到避
免源极144和漏极145腐蚀的其他绝缘材料。
57.防静电电路14设置在非显示区域13靠近基板11边缘的一侧，防静电电路14与基板11边缘的距离根据实际需要选择。可选地，防静电电路14与基板11边缘的距离大于切割精度，防止在制作过程中防静电电路14受到损坏。
58.有源层143为连续的膜层结构，有源层143包括第一部分1431、第二部分1432以及第三部分1433，第一部分1431夹设在栅极141的第一区域1412和源极144之间，第二部分1432夹设在栅极141的第二区域1413和漏极145之间，第三部分1433设置在源极144和漏极145的分隔区域。
59.有源层143的材料可以为现有薄膜晶体管中有源层的任意常规材料。例如有源层143的材料可以为但不限于非晶硅、多晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料等。本实施例中，所述有源层的材料为非晶硅半导体材料。
60.光敏材料半导体层146可以为任意具有光敏特性的半导体材料，例如，光敏材料半导体层146可以为但不限于非晶硅或多晶硅等。优选地，光敏材料半导体层146为氢化非晶硅(α-si:h)或低温多晶硅等。α-si:h的电子迁移率大，容易俘获自由电子，因此，氢化非晶硅半导体层疏导静电能力强，能更好地实现显示面板的静电防护。本实施例中，光敏材料半导体层146为电子型氢化非晶硅(n
+
α-si:h)层。
61.本发明还提供防静电电路14的制作方法，包括以下步骤：
62.步骤(s1)，在基板11的非显示区域13距离基板边缘一侧沉积第一金属层，刻蚀第一金属层得到栅极141；
63.步骤(s2)，在栅极141背离基板11的表面以及栅极141的第一凹陷1411对应的基板11的表面沉积第一绝缘层142；
64.步骤(s3)，在第一绝缘层142背离栅极141的表面沉积有源层143；
65.步骤(s4)，在有源层143背离第一绝缘层的表面沉积光敏材料半导体层146；
66.步骤(s5)，在光敏材料半导体层146的表面沉积第二金属层，刻蚀第二金属层得到源极144和漏极145。
67.在一些实施例中，步骤(s5)之后还包括在源极144和漏极145背离光敏材料半导体层146的表面以及源极144和漏极145分隔区域之间的有源层143的表面沉积第二绝缘层147的步骤。
68.vgl信号线和时钟脉冲信号线设置在防静电电路14和显示区域12之间的非显示区域13。时钟脉冲信号线用于传输clk信号，vgl信号线用于传输vgl信号。
69.栅极驱动电路15设置在vgl信号线和时钟脉冲信号线与显示区域12之间，栅极驱动电路15用于接收外部时钟脉冲信号线传输的clk信号，并向显示区域12传输栅极驱动信号。可以理解，栅极驱动电路15为可以选择的元件，例如，在一些实施例中，防静电阵列基板1也可以不包括栅极驱动电路15。
70.栅极141与栅极驱动电路15之间的距离可根据实际需要进行选择，可选地，栅极141与栅极驱动电路15的距离大于30μm，能够确保防静电电路14的电场不会影响栅极驱动电路15的信号传输。
71.请参阅图6和图7，本技术第二实施例提供一种防静电阵列基板1，本实施例中的防静电阵列基板1与第一实施例中的防静电阵列基板1基本相同，其区别仅在于，本实施例的
防静电阵列基板1包括两个防静电电路14间隔设置在非显示区域13靠近基板边缘一侧，外部时钟信号线传输两个clk信号，每个防静电电路14的栅极141接收一个clk信号。可以理解，栅极141并不限定于接收clk信号，也可以接收其他交流电压信号，在一些实施例中，栅极141接收高电位和低电位不停切换的交流电压信号。
72.本实施例中除了上述防静电阵列基板1的数量与第一实施例中不同，其他特征均与第一实施例中相同，包括第一实施例中记载的其他所有技术特征，在此不再重复描述。
73.可以理解，防静电电路14的数量并不限定于第一实施例和第二实施例中的一个和两个，防静电阵列基板1也可以包括两个以上防静电电路14设置在非显示区域13靠近基板边缘一侧，每个防静电电路的栅极接收一个交流电压信号。在一些实施例中，通过外部时钟信号线传输两个以上clk信号，每个防静电电路14的栅极141接收一个clk信号。
74.请参阅图8和图9，两个防静电电路14的栅极141接收外部时钟脉冲(clk)信号线传输的clk信号，源极144接收低电位(vgl)信号线传输的vgl信号，漏极145空置。当基板表面或基板外部产生自由电子时，漏极145的电位升高，源极144和漏极145之间产生电位差，自由电子被电场俘获，俘获的自由电子形成的电子电流导通源极144和漏极145之间的沟道将自由电子传导到源极144，并通过源极144传导到公共电极导走，进而起到疏导静电的作用。而且栅极141接电位不停切换的交流电压，电场不停变换，自由电子不停运动，自由电子俘获空穴形成电子电流的能力增强，对自由电子的俘获能力更强，进而增强防静电阵列基板的静电疏导能力。因此，防静电电路14在防静电阵列基板1上形成了一道对外部静电具疏导作用的静电防护墙，可以将外部静电全部屏蔽，进而能够保护显示面板的内部电路。而且多个clk信号，能够降低clk负载。
75.请参阅图10，本技术第三实施例提供一种防静电阵列基板1，本实施例中的防静电阵列基板1与第一实施例中的防静电阵列基板1基本相同，其区别仅在于，本实施例的防静电阵列基板1的防静电电路14与第一实施例中的防静电电路14不同。
76.本实施例中，防静电电路14包括栅极141、第一绝缘层142、有源层143、源极144、以及漏极145。栅极141设置于基板11的表面，栅极141为具有第一凹陷1411的膜层结构。将栅极141关于第一凹陷1411相对设置的两个区域分别定义为第一区域1412和第二区域1413。第一绝缘层142设置于栅极141背离基板11的表面以及第一凹陷1411对应的基板11的表面，且第一绝缘层142为连续的膜层结构。有源层143为连续的膜层结构，有源层143设置于第一绝缘层142背离栅极141的表面，且夹设在栅极141和源极144/漏极145之间，有源层143在基板11表面的正投影在栅极141在基板11表面的正投影的区域内。源极144和漏极145设置于有源层143背离第一绝缘层142的表面且互相分隔，源极144与栅极141的第一区域1412相对设置，漏极145与栅极141的第二区域1413相对设置，且源极144在基板表面的正投影在栅极141的第一区域1412在基板11表面的正投影的区域内，漏极145在基板11表面的正投影在栅极141的第二区域1413在基板11表面的正投影的区域内。
77.有源层143的材料包括光敏半导体材料，例如，有源层143可以为但不限于非晶硅或多晶硅等。优选地，有源层143为氢化非晶硅(α-si:h)或低温多晶硅等。α-si:h的电子迁移率大，容易俘获自由电子，因此，氢化非晶硅有源层疏导静电能力强，能更好地实现显示面板的静电防护。本实施例中，有源层143为电子型氢化非晶硅(n
+
α-si:h)层。
78.本实施例中除了防静电电路14中没有设置光敏材料半导体层146，并且有源层143
的材料包括光敏半导体材料与第一实施例不同，其它特征与第一实施例中均相同，在此不再在赘述。
79.在其他一些可选实施例中，可以进一步在防静电阵列基板1的非显示区域13靠近基板边缘一侧设置两个或多个第三实施例中的防静电电路14，每个防静电电路14的栅极141接收一个交流电压信号。在一些可选实施例中，通过外部时钟信号线传输两个或多个clk信号，每个防静电电路14的栅极141接收一个clk信号。
80.本技术的防静电阵列基板通过在非显示区域靠近基板边缘一侧设置防静电电路，防静电电路中源/漏极和栅极相对设置，源/漏极在基板表面的正投影均位于栅极在基板表面的正投影的区域内，有源层为连续的膜层结构，且有源层的两端部分夹持在源/漏极和栅极之间，中间部分位于源极和漏极之间的分隔区域，栅极接收交流电压信号，源极接收低电位(vgl)信号，漏极空置，当基板表面或基板外部产生自由电子时，漏极的电位升高，源极和漏极之间产生电位差，自由电子被电场俘获，自由电子俘获空穴形成的电子电流导通源漏极之间的沟道将自由电子传导到源极，并通过源极传导到公共电极或电线接地端导走，进而起到疏导静电的作用。而且栅极接电位不停切换的交流电压，电场不停变换，自由电子不停运动，自由电子俘获空穴形成电子电流的能力增强，对自由电子的俘获能力更强，进而增强防静电阵列基板的静电疏导能力。另外，防静电电路中包括光敏半导体材料层，而且源极和漏极分隔设置于光敏材料半导体层的表面，在栅极的第一凹陷处，背光光源能够照射到光敏半导体材料层，光敏半导体材料的电子迁移率较高，单位电场强度下所产生的电子平均漂移速度较大，能够增大源极和漏极之间的电流，故更容易俘获自由电子，即增强自由电子导通能力，进而增强防静电阵列基板的静电疏导能力。因此，防静电电路在防静电阵列基板上形成了一道对自由电子疏导能力强的静电防护墙。因此，本技术的防静电阵列基板基本能够屏蔽全部自由电子，进而能够保护液晶显示面板的内部电路。
81.本技术还提供一种液晶显示面板，包括以上实施例提供任一防静电阵列基板1，防静电阵列基板1的技术特征再此不再赘述。
82.本技术还提供一种显示装置，包括上述液晶显示面板。显示装置可以为任何具有显示功能的产品或部件，作为示例，显示装置可以为但不限于各种虚拟显示眼镜、大屏幕投影、电视、手机、电脑等。
83.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利保护范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种防静电阵列基板，包括一基板、所述基板包括设置在基板表面的显示区域和非显示区域，其特征在于，一防静电电路设置在所述非显示区域靠近所述基板边缘的一侧，所述防静电电路包括：栅极，设置于所述基板的表面，所述栅极为具有第一凹陷的膜层结构，将所述栅极关于所述第一凹陷相对设置的两个区域分别定义为第一区域和第二区域；第一绝缘层，设置于所述栅极背离所述基板的表面以及所述第一凹陷对应的所述基板的表面，且所述第一绝缘层为连续的膜层结构；有源层，设置于所述第一绝缘层背离所述栅极的表面，且所述有源层为连续的膜层结构，所述有源层在所述基板表面的正投影在所述栅极在所述基板表面的正投影的区域内；光敏材料半导体层，设置于所述有源层背离所述第一绝缘层的表面，所述光敏材料半导体层为具有第二凹陷的膜层结构，且所述第二凹陷与所述栅极的第一凹陷在所述基板表面的投影重合；源极和漏极，设置于所述光敏材料半导体层背离所述有源层的表面且互相分隔，所述源极与所述栅极的第一区域相对设置，所述漏极与所述栅极的第二区域相对设置，且所述源极在所述基板表面的正投影在所述栅极的第一区域在所述基板表面的正投影的区域内，所述漏极在所述基板表面的正投影在所述栅极的第二区域在所述基板表面的正投影的区域内，将所述有源层定义为包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分夹设在所述栅极的第一区域和所述源极之间，所述第二部分夹设在所述栅极的第二区域和所述漏极之间，所述第三部分设置在所述源极和所述漏极的分隔区域，所述栅极接收交流电压信号，所述源极接收低电位信号，所述漏极空置。2.根据权利要求1所述的防静电阵列基板，其特征在于，包括至少两个所述防静电电路间隔设置在所述非显示区域靠近所述基板边缘一侧，每个所述防静电电路的所述栅极接收一个所述交流电压信号。3.根据权利要求1所述的防静电阵列基板，其特征在于，所述光敏材料半导体层包括氢化非晶硅和/或低温多晶硅。4.根据权利要求1所述的防静电阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极背离所述光敏材料半导体层的表面，以及所述源极和所述漏极分隔区域的所述有源层的表面设置第二绝缘层，所述第二绝缘层的材料包括聚硫酸铝(pas)。5.根据权利要求1-4任一项所述的防静电阵列基板，其特征在于，所述源极和漏极之间的分隔距离大于0μm小于5μm，所述源极和/或漏极的线宽大于等于3μm小于等于50μm。6.根据权利要求1-4任一项所述的防静电阵列基板，其特征在于，所述交流电压信号为外部时钟脉冲信号线传输的时钟脉冲信号，所述低电位信号通过低电位信号线传输，所述时钟脉冲信号线和所述低电位信号线设置在所述防静电电路和所述显示区域之间的所述非显示区域。7.根据权利要求6所述的防静电阵列基板，其特征在于，还包括栅极驱动电路形成在所述基板上，所述栅极驱动电路设置在所述低电位信号线和所述时钟脉冲信号线与所述显示区域之间，所述栅极驱动电路用于接收所述外部时钟脉冲信号线传输的所述时钟脉冲信号，并向所述显示区域传输栅极驱动信号。
8.根据权利要求7所述的防静电阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述栅极驱动电路的距离大于30μm。9.一种防静电阵列基板，包括一基板、所述基板包括设置在基板表面的显示区域和非显示区域，其特征在于，一防静电电路设置在所述非显示区域靠近所述基板边缘的一侧，所述防静电电路包括：栅极，设置于所述基板的表面，所述栅极为具有第一凹陷的膜层结构，将所述栅极关于所述第一凹陷相对设置的两个区域分别定义为第一区域和第二区域；第一绝缘层，设置于所述栅极背离所述基板的表面以及所述第一凹陷对应的所述基板的表面，且所述第一绝缘层为连续的膜层结构；有源层，设置于所述第一绝缘层背离所述栅极的表面，且所述有源层为连续的膜层结构，所述有源层在所述基板表面的正投影在所述栅极在所述基板表面的正投影的区域内，所述有源层的材料为光敏半导体材料；源极和漏极，设置于所述有源层背离所述第一绝缘层的表面且互相分隔，所述源极与所述栅极的第一区域相对设置，所述漏极与所述栅极的第二区域相对设置，且所述源极在所述基板表面的正投影在所述栅极的第一区域在所述基板表面的正投影的区域内，所述漏极在所述基板表面的正投影在所述栅极的第二区域在所述基板表面的正投影的区域内，将所述有源层定义为包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分夹设在所述栅极的第一区域和所述源极之间，所述第二部分夹设在所述栅极的第二区域和所述漏极之间，所述第三部分设置在所述源极和漏极的分隔区域，所述栅极接收交流电压信号，所述源极接收低电位信号，所述漏极空置。10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的防静电阵列基板。

技术总结
本申请提供一种防静电阵列基板及液晶显示面板。防静电阵列基板包括基板、显示区域、非显示区域、和防静电电路；防静电电路位于非显示区域，包括依次层叠的栅极、第一绝缘层、有源层、光敏材料半导体层、源极和漏极；其中，源/漏极与栅极相对，且源/漏极在基板表面的正投影在栅极在基板的正投影区域内；有源层为连续的膜层结构，有源层夹设在栅极和源/漏极之间；栅极接收交流电压信号，源极接收低电位信号，漏极空置。本申请的防静电阵列基板疏导自由电子能力强，屏蔽自由电子效果好，能够保护液晶显示面板的内部电路。示面板的内部电路。示面板的内部电路。


技术研发人员：龚兴珍 田强强 袁海江
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2023.04.27
技术公布日：2023/8/24