一种Ka频段限幅低噪放电路的制作方法

一种ka频段限幅低噪放电路
技术领域
1.本实用新型涉及卫星通信技术领域，特别是涉及一种ka频段限幅低噪放电路。


背景技术：

2.毫米波广泛应用于雷达和制导系统、电子对抗、毫米波通信等。近几年来，世界主要发达国家都把毫米波频段的开辟作为电子技术发展的主要内容之一。与微波相比，毫米波波长短，频率高、因而其能提供很宽的带宽，具有高数据传输能力，能提供更大的系统容量以及特殊的传播特性。
3.由于毫米波在空间传输的损耗非常大（38ghz时传输30km损耗高达153.6db），毫米波功率放大器作为整个毫米波系统中最关键的部件之一，为了加大传输距离，对毫米波功率放大器的输出功率提出了很高的要求，而在毫米波功率放大器的输出功率不断提高的条件下，对接收通道的安全性要求也越来越高。


技术实现要素：

4.为解决上述问题，本实用新型提供了一种ka频段限幅低噪放电路，通过对输入的大信号进行功分处理，以降低限幅器的输入功率，从而保证后级低噪放的安全工作，同时改善了限幅低噪放的端口驻波匹配。
5.本实用新型公开了一种ka频段限幅低噪放电路，具体技术方案如下：
6.电路包括射频电路、电源电路、信号输入端、信号输出端和电源接口；
7.所述射频电路包括波导电桥、限幅器和低噪放大器，所述波导电桥包括输入波导电桥和输出波导电桥；
8.所述信号输入端、射频电路和信号输出端依次顺序连接，所述电源电路分别与电源接口和射频电路连接；
9.所述输入波导电桥的两输出端分别与所述限幅器连接，所述限幅器对应分别连接所述低噪放大器，所述低噪放大器分别连接所述输出波导电桥的两个输入端。
10.进一步的，所述输入波导电桥一输入端与所述信号输入端连接，另一输入端作为隔离端与吸收体连接；
11.所述输出波导电桥一输出端与所述信号输出端连接，另一输出端作为隔离端与吸收体连接。
12.进一步的，所述吸收体为树脂和磁性材料制成的高损耗磁性材料，通过机加工后用作吸波负载。
13.进一步的，所述吸波负载为楔形结构。
14.进一步的，所述输入波导电桥通过转换结构与所述限幅器连接，所述转换结构为波导-微带转换结构。
15.进一步的，所述输出波导电桥通过转换结构与所述低噪放大器连接，所述转换结构为微带-波导转换结构。
16.进一步的，所述输入波导电桥和所述输出波导电桥均为90
°
3db波导电桥。
17.本实用新型的有益效果是：
18.通过输入波导电桥对输入的大信号进行功分处理，通过输出波导电桥进行两路限幅放大的合路输出，降低了限幅器的输入功率，保证后级低噪放的安全工作，抗烧毁功率大，同时改善了限幅低噪放的端口驻波匹配，驻波好。
附图说明
19.图1是电路整体结构示意图。
20.图2是波导电桥、吸波负载和转换结构整体连接示意图。
21.附图标记说明：1-波导电桥，2-吸波负载，3-转换结构。
具体实施方式
22.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
23.在本实用新型实施例的描述中，需要说明的是，指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
24.在本实用新型实施例的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
25.实施例1
26.本实用新型的实施例1公开了一种ka频段限幅低噪放电路，如图1所示，具体如下：
27.包括射频电路、电源电路、信号输入端、信号输出端和电源接口；
28.所述射频电路包括波导电桥1、限幅器和低噪放大器，所述波导电桥包括输入波导电桥和输出波导电桥；
29.所述信号输入端、射频电路和信号输出端依次顺序连接，所述电源电路分别与电源接口和射频电路连接；
30.本实施例中，所述输入波导电桥一输入端与所述信号输入端连接，另一输入端作为隔离端与吸收体连接；
31.所述输出波导电桥一输出端与所述信号输出端连接，另一输出端作为隔离端与吸收体连接。
32.本实施例中，所述输入波导电桥和所述输出波导电桥均为90
°
3db波导电桥。
33.结合图2所示，本实施例中，所述吸收体为树脂和磁性材料制成的高损耗磁性材料，通过机加工后用作吸波负载2；
34.本实施例中，所述吸波负载2为楔形结构。
35.本实施例中，所述输入波导电桥的两输出端分别与所述限幅器连接；
36.通过所述输入波导电桥对所述信号输入端输入信号进行功分处理，以降低进入限幅器的信号幅度，同时对输入端口进行良好的阻抗匹配；通过所述输出波导电桥实现两路限幅放大的合路，同时对输出端口进行量化的阻抗匹配。
37.所述限幅器能实现对输入的大信号进行限幅输出，从而对后级器件起保护作用。
38.所述限幅器对应分别连接所述低噪放大器，所述低噪放大器分别连接所述输出波导电桥的两个输入端；
39.通过所述低噪放大器对输入射频信号进行低噪声放大。
40.本实施例中，所述输入波导电桥通过转换结构3与所述限幅器连接；所述转换结构3为波导-微带转换结构；
41.通过所述波导-微带转换结构实现波导到微带的过渡。
42.所述输出波导电桥通过转换结构3与所述低噪放大器连接；所述转换结构3为微带-波导转换结构；
43.通过所述微带-波导转换结构实现微带到波导的过渡。
44.基于本实施例的电路结构，在带宽33ghz~37ghz实现了低插损：0.1db（典型值）、低驻波：1.08。
45.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接的运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。


技术特征：
1.一种ka频段限幅低噪放电路，其特征在于，包括射频电路、电源电路、信号输入端、信号输出端和电源接口；所述射频电路包括波导电桥、限幅器和低噪放大器，所述波导电桥包括输入波导电桥和输出波导电桥；所述信号输入端、射频电路和信号输出端依次顺序连接，所述电源电路分别与电源接口和射频电路连接；所述输入波导电桥的两输出端分别与所述限幅器连接，所述限幅器对应分别连接所述低噪放大器，所述低噪放大器分别连接所述输出波导电桥的两个输入端。2.根据权利要求1所述的ka频段限幅低噪放电路，其特征在于，所述输入波导电桥一输入端与所述信号输入端连接，另一输入端作为隔离端与吸收体连接；所述输出波导电桥一输出端与所述信号输出端连接，另一输出端作为隔离端与吸收体连接。3.根据权利要求2所述的ka频段限幅低噪放电路，其特征在于，所述吸收体为树脂和磁性材料制成的高损耗磁性材料，用作吸波负载。4.根据权利要求3所述的ka频段限幅低噪放电路，其特征在于，所述吸波负载为楔形结构。5.根据权利要求1所述的ka频段限幅低噪放电路，其特征在于，所述输入波导电桥通过转换结构与所述限幅器连接，所述转换结构为波导-微带转换结构。6.根据权利要求1所述的ka频段限幅低噪放电路，其特征在于，所述输出波导电桥通过转换结构与所述低噪放大器连接，所述转换结构为微带-波导转换结构。7.根据权利要求1-6任一所述的ka频段限幅低噪放电路，其特征在于，所述输入波导电桥和所述输出波导电桥均为90
°
3db电桥。

技术总结
本实用新型公开了一种Ka频段限幅低噪放电路，包括射频电路、电源电路、信号输入端、信号输出端和电源接口。限幅低噪放射频电路包括输入波导电桥、限幅器、低噪放和输出波导电桥，输入波导电桥和输出波导电桥均为90


技术研发人员：李智 谢承华 罗继成
受保护的技术使用者：英诺微（成都）电子有限公司
技术研发日：2023.07.20
技术公布日：2023/9/1