防反接电路、电源电路以及车辆的制作方法

1.本公开的实施例总体上涉及电源防反接技术领域，并且更具体地，涉及一种防反接电路、包括该防反接电路的电源电路以及包括该电源电路的车辆。


背景技术：

2.随着生活水平的逐渐提高，人们对生活质量的要求越来越高，高质量的生活需求带动了汽车行业的快速发展。经过数十年的更新迭代，汽车的功能越来越多样化，也更智能化，从而导致汽车内部的控制单元越来越多，也越来越复杂。对于多功能的控制单元，最重要的是在满足乘坐者舒适性要求的前提下，保证产品的安全性能以及极高的可靠性。
3.面对众多的控制单元，为了保证产品可以可靠地走向量产，在控制单元的设计前期，设计人员要做好充分的测试验证，特别是针对电源的测试。在所有的电性能测试中，电源反接测试是一项十分重要的测试项目，该测试项目是为了避免在车辆辅助启动时将电源和接地信号反接导致损坏控制器的情况。


技术实现要素：

4.本公开的目的是提供一种防反接电路、包括该防反接电路的电源电路以及包括该电源电路的车辆，以至少部分地解决上述问题。
5.在本公开的第一方面，提供了一种防反接电路，包括：输入端和输出端；第一nmosfet和第二nmosfet，串联连接在所述输入端与所述输出端之间，所述第一nmosfet的漏极连接至所述输入端，所述第一nmosfet的源极连接至所述第二nmosfet的源极，所述第二nmosfet的漏极连接至所述输出端；第一防反接单元，连接至所述输入端，并且被配置为在所述防反接电路处于正常连接状态时导通，而在所述防反接电路处于反接状态时关断；升压电路，连接至所述第一防反接单元，并且被配置为在所述防反接电路处于正常连接状态时将所述正电源电压升压至比所述正电源电压高的驱动电压；以及第二防反接单元，连接至所述升压电路以及所述第一nmosfet和所述第二nmosfet的栅极，并且被配置为在所述防反接电路处于正常连接状态时将所述驱动电压提供至所述第一nmosfet和所述第二nmosfet的栅极，而在所述防反接电路处于反接状态时使所述第一nmosfet和所述第二nmosfet关断。
6.在一些实施例中，所述第一防反接单元包括第一二极管，所述第一二极管的阳极连接至所述输入端，并且所述第一二极管的阴极连接至所述升压电路。
7.在一些实施例中，所述升压电路包括：开关电路，连接至所述第一防反接单元，并且被配置为根据所述正电源电压在开关节点处交替地提供高电压和低电压；以及电荷泵，连接至所述开关节点，并且被配置为基于所述高电压和所述低电压生成所述驱动电压。
8.在一些实施例中，所述电荷泵包括：第二二极管，所述第二二极管的阳极连接至升压电源；第三二极管，所述第三二极管的阳极连接至所述第二二极管的阴极，所述第三二极管的阴极连接至所述第二防反接单元；第一电容器，其一端连接至所述开关节点，其另一端
连接至所述第二二极管的阴极；以及第二电容器，其一端连接至所述第三二极管的阴极以生成所述驱动电压，其另一端连接至接地。
9.在一些实施例中，所述升压电路包括：升压变换器，连接在所述第一防反接单元与所述第二防反接单元之间，并且被配置为在所述防反接电路处于正常连接状态时将所述正电源电压升压至所述驱动电压。
10.在一些实施例中，所述第二防反接单元包括：pnp型三极管，其发射极连接至所述升压电路的输出节点以接收所述驱动电压，其集电极连接至所述第一nmosfet和所述第二nmosfet的栅极；第一电阻器和第二电阻器，串联连接在所述升压电路的输出节点与接地之间，所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的中间节点连接至所述pnp型三极管的基极；第三电阻器，连接至所述第一nmosfet和所述第二nmosfet的栅极；以及第四二极管，其阳极连接至所述第三电阻器，其阴极连接至接地。
11.在本公开的第二方面，提供了一种电源电路，包括：电池电源，被配置为提供正电源电压；以及根据本公开的第一方面的防反接电路，所述防反接电路的输入端连接至所述电池电源。
12.在本公开的第三方面，提供了一种车辆，包括：根据本公开的第二方面的电源电路；以及车辆控制器，连接至所述防反接电路的输出端。
13.根据本公开的实施例的防反接电路能够有效抑制反接电流潜回路，从而实现有效的反接保护。
14.应当理解，该内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述而变得容易理解。
附图说明
15.结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素，其中：
16.图1示出了根据本公开的实施例的防反接电路的电路原理图。
具体实施方式
17.下面将参照附图更详细地描述本公开的优选实施例。虽然附图中显示了本公开的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本公开更加透彻和完整，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。
18.在本文中使用的术语“包括”及其变形表示开放性包括，即“包括但不限于”。除非特别申明，术语“或”表示“和/或”。术语“基于”表示“至少部分地基于”。术语“一个示例实施例”和“一个实施例”表示“至少一个示例实施例”。术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。术语“连接”可以表示所连接的对象彼此直接连接，或者所连接的对象经由一个或多个居间元件间接连接。
19.在本文中使用的术语nmosfet和pmosfet分别是n型金属氧化物半导体场效应晶体管和p型金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。
20.如在上文中所描述的，电源反接测试是一项十分重要的测试项目，该测试项目是为了避免在车辆辅助启动时将电源和接地信号反接导致损坏控制器的情况。
21.目前整车上大功率控制器的防反接电路设计方案一般采用pmosfet方案在整车蓄电池供电端实现防反接，但是针对控制器的电流在20a以上的情况，如果选择pmosfet方案的话需要选择直流导通电阻(rds)在10mω、甚至5mω以下的器件，这对于pmosfet的工艺和成本要求都很高。
22.考虑到nmosfet要实现较小的直流导通电阻在工艺上会比pmosfet简单而且成本会比较低，因此本公开的实施例采用了nmosfet在整车蓄电池供电端实现防反接方案设计，即可以兼顾较小的直流导通电阻，从而抑制板卡产生更多的热损耗，又可以降低设计成本。下面将结合图1来描述根据本公开的原理。
23.如图1所示，在此描述的防反接电路100总体上包括输入端in和输出端out、第一nmosfet q1和第二nmosfet q2、第一防反接单元101、升压电路102以及第二防反接单元103。
24.在防反接电路100处于正常连接状态时，输入端in用于接收正电源电压vin，输出端out用于提供输出电压vout。防反接电路100处于正常连接状态指的是其输入端in连接至正电源电压vin，也称为高电源电压，而其接地gnd连接至接地电压，也称为低电源电压。如果防反接电路100反接，则其输入端in连接至接地电压，而其接地gnd连接至正电源电压vin，使得防反接电路100处于反接状态。在反接状态下，需要保证没有电流流向输入端in，以便防止损坏待供电的控制电路。
25.第一nmosfet q1和第二nmosfet q2串联连接在输入端in与输出端out之间。第一nmosfet q1的漏极连接至输入端in。第一nmosfet q1的源极连接至第二nmosfet q2的源极。第二nmosfet q2的漏极连接至输出端out。以此布置，使得第一nmosfet q1的体二极管(未示出)的阳极和第二nmosfet q2的体二极管(未示出)的阳极彼此连接，第一nmosfet q1的体二极管的阴极连接至输入端in，第二nmosfet q2的体二极管的阴极连接至输出端out。由于第一nmosfet q1的体二极管和第二nmosfet q2的体二极管的阳极彼此连接，因此在第一nmosfet q1和第二nmosfet q2关断的情况下，第一nmosfet q1的体二极管和第二nmosfet q2的体二极管中不会出现反接电流潜回路，使得电流不会经由体二极管流向输入端in。
26.第一防反接单元101连接至输入端in，用于在防反接电路100处于正常连接状态时导通，而在防反接电路100处于反接状态时关断。在防反接电路100处于反接状态时，由于第一防反接单元101关断，使得电流不能经由第一防反接单元101流向输入端in。
27.升压电路102连接至第一防反接单元101，用于在防反接电路100处于正常连接状态时将正电源电压vin升压至比正电源电压vin高的驱动电压。该驱动电压可以经由第二防反接单元103被提供给第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极。该驱动电压与正电源电压vin的差值大于第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅源开启电压阈值vgsth，使得在防反接电路100处于正常连接状态时第一nmosfet q1和第二nmosfet q2能够导通，即在输入端in和输出端out之间形成电流路径。
28.第二防反接单元103连接至升压电路102以及第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极，用于在防反接电路100处于正常连接状态时将驱动电压提供至第一nmosfet q1和
第二nmosfet q2的栅极，而在防反接电路100处于反接状态时使第一nmosfet q1和第二nmosfet q2关断。在防反接电路100处于反接状态时，由于第一nmosfet q1和第二nmosfet q2关断，使得电流不能经由第一nmosfet q1和第二nmosfet q2流向输入端in。
29.在一些实施例中，如图1所示，第一防反接单元101包括第一二极管d1。第一二极管d1的阳极连接至输入端in，并且第一二极管d1的阴极连接至升压电路102。在防反接电路100处于正常连接状态时，由于输入端in的电压高于接地gnd的电压，因此第一二极管d1能够导通，使得电流能够从输入端in经由第一二极管d1流向升压电路102。在防反接电路100处于反接状态时，由于输入端in的电压低于接地gnd的电压，因此第一二极管d1不导通，使得电流不能经由第一二极管d1从升压电路102流向输入端in，从而防止对待供电的控制电路造成损坏。
30.应当理解，第一防反接单元101可以包括更多或更少的元件，同样可以实现在防反接电路100处于正常连接状态时导通，而在防反接电路100处于反接状态时关断的功能，本公开的实施例对此不做限制。
31.在一些实施例中，如图1所示，升压电路102包括开关电路1021和电荷泵1022。开关电路1021连接至第一防反接单元101，例如第一二极管d1的阴极，用于在防反接电路100处于正常连接状态时根据正电源电压vin在开关节点sw处交替地提供高电压和低电压。开关电路1021可以是降压变换器的一部分，其包括串联连接的晶体管q4和q5。晶体管q4和q5可以在控制信号的控制下交替地导通。当晶体管q4导通且晶体管q5关断时，开关节点sw处于低电压，即接地电压。当晶体管q5导通且晶体管q4关断时，开关节点sw处于高电压，即正电源电压vin。
32.在一些实施例中，如图1所示，升压电路102还包括用于实现能量管控的电感器l1和电容器c3，电感器l1和电容器c3串联连接在开关节点sw与接地gnd之间。当晶体管q5导通且晶体管q4关断时，输入的电压可以在电感器l1中产生变大的电流，将电能转化为磁场能，同时对电容器c3充电，进行储能。当晶体管q4导通且晶体管q5关断时，电感器l1和电容器c3储存的能量释放，为负载供电。
33.如图1所示，电荷泵1022连接至位于晶体管q4和q5之间的开关节点sw，用于基于开关电路102的输出生成驱动电压。如上所述，该驱动电压与正电源电压vin的差值大于第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅源开启电压阈值vgsth，使得在防反接电路100处于正常连接状态时第一nmosfet q1和第二nmosfet q2能够导通。电荷泵1022能够基于开关电路1021的输出生成比正电源电压vin高预定量的驱动电压，以使得第一nmosfet q1和第二nmosfet q2导通。
34.在一些实施例中，如图1所示，电荷泵1022包括第二二极管d2、第三二极管d3、第一电容器c1和第二电容器c2。第二二极管d2的阳极连接至升压电源vr。第三二极管d3的阳极连接至第二二极管d2的阴极。第三二极管d3的阴极连接至第二防反接单元103。第一电容器c1的一端连接至开关节点sw，另一端连接至第二二极管d2的阴极。第二电容器c2的一端连接至第三二极管d3的阴极以生成驱动电压，另一端连接至接地gnd。在防反接电路100处于正常连接状态的情况下，当开关节点sw为低时，第一电容器c1能够充电至升压电源vr所提供的升压电压，当sw为高时，由于自举作用，第一电容器c1的电压为正电源电压vin加上升压电压。随后，可以通过第三二极管d3对第二电容器c2进行充电。通过反复对第一电容器c1
的充电和自举升压放电，能够使得电荷泵1022的输出电压维持在比正电源电压vin高出升压电压的电压水平，确保第一nmosfet q1和第二nmosfet q2在输入端in的全工作电压范围都能保持较低的直流导通电阻。
35.应当理解，电荷泵1022可以包括更多或更少的元件，同样可以实现基于开关电路1021的输出生成比正电源电压vin高预定量的驱动电压的功能，本公开的实施例对此不做限制。
36.在一些实施例中，替代开关电路1021和电荷泵1022，升压电路102可以包括升压变换器，该升压变换器连接在第一防反接单元101与第二防反接单元103之间，用于在防反接电路100处于正常连接状态时将正电源电压vin升压至驱动电压。在这样的实施例中，可以省略对电荷泵的使用，而直接使用升压变换器将正电源电压vin升压至所需的电压水平，以控制第一nmosfet q1和第二nmosfet q2导通。
37.在一些实施例中，如图1所示，第二防反接单元103包括pnp型三极管q3、第一电阻器r1、第二电阻器r2、第三电阻器r3和第四二极管d4。pnp型三极管q3的发射极连接至升压电路102的输出节点，例如连接至第三二极管d3与第二电容器c2之间的节点，以接收驱动电压。pnp型三极管q3的集电极连接至第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极。第一电阻器r1和第二电阻器r2串联连接在升压电路102的输出节点与接地gnd之间。第一电阻器r1与第二电阻器r2之间的中间节点连接至pnp型三极管q3的基极。第三电阻器r3连接至第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极。第四二极管d4的阳极连接至第三电阻器r3。第四二极管d4的阴极连接至接地gnd。
38.在防反接电路100处于正常连接状态的情况下，pnp型三极管q3能够处于饱和导通状态，从而向第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极提供适当的驱动电压，使得第一nmosfet q1和第二nmosfet q2导通。此时，电流可以经由第三电阻器r3和第四二极管d4流向接地gnd。在防反接电路100处于反接状态的情况下，pnp型三极管q3能够处于截止状态，从而不会向第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极提供驱动电压，使得第一nmosfet q1和第二nmosfet q2关断。此外，在防反接电路100处于反接状态的情况下，由于第四三极管d4的存在，使得也不会经由第三电阻器r3向第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极提供驱动电压，确保第一nmosfet q1和第二nmosfet q2关断。
39.应当理解，第二防反接单元103可以包括更多或更少的元件，同样可以实现在防反接电路100处于正常连接状态时将适当的驱动电压提供至第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极，而在防反接电路100处于反接状态时使第一nmosfet q1和第二nmosfet q2关断的功能，本公开的实施例对此不做限制。
40.下面将结合图1对防反接电路100的示例性工作原理进行进一步的详细说明。在此，假定正电源电压vin为14v，升压电源vr提供的升压电压为8v，接地电压为0v。应当注意，此处以及本公开其他地方可能提及的数字、数值等，都是示例性的，无意以任何方式限制本公开的范围。任何其他适当的数字、数值都是可能的。
41.当防反接电路100处于正常连接状态时，其输入端in连接至14v的正电源电压vin，而其接地gnd连接至0v的接地电压。此时，第一二极管d1导通，从而将正电源电压vin提供给开关电路1021。开关电路1021在开关节点sw处交替地提供高电压和低电压。当开关节点sw为低时，第一电容器c1能够充电至升压电源vr所提供的8v升压电压，当sw为高时，由于自举
作用，第一电容器c1的电压为正电源电压vin加上升压电压，在忽略二极管的前向导通压降的情况下为22v。随后，可以经由第三二极管d3对第二电容器c2进行充电。通过反复对第一电容器c1的充电和自举升压放电，能够使得电荷泵1022的输出电压维持在比正电源电压vin高出升压电压的电压水平，即22v，从而确保第一nmosfet q1和第二nmosfet q2在输入端in的全工作电压范围都能保持较低的直流导通电阻。
42.当防反接电路100反接时，其输入端in连接至0v的接地电压，而其接地gnd连接至14v的正电源电压vin。由于输入端in的电压低于接地gnd的电压，因此第一二极管d1不导通，使得电流不能经由第一二极管d1从升压电路102流向输入端in。
43.当防反接电路100反接时，由于第一nmosfet q1的体二极管和第二nmosfet q2的体二极管的阳极彼此连接，因此在第一nmosfet q1和第二nmosfet q2关断的情况下，第一nmosfet q1的体二极管和第二nmosfet q2的体二极管不会形成反接电流潜回路，使得电流不会经由体二极管流向输入端in。
44.此外，当防反接电路100反接时，由于第一nmosfet q1的体二极管的存在使得第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的源极电压为第一nmosfet q1的体二极管的前向导通压降vf。此时，如果第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极电压超过vgsth+vf，则会导致第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的沟道导通而损坏硬件。如图1所示，第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极有两个路径可能产生电压，即第三电阻器r3和pnp型三极管q3。由于第三电阻器r3与第四二极管q4串联连接，因此电压不能经由第四二极管q4和第三电阻器r3从接地gnd被提供给第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极。此外，在进行反接测试时，pnp型三极管q3的发射极电压为14v-vf
body-q4-vf
d3-vf
d2
，pnp型三极管q3的基极电压为v
r2
，其中vf
body-q4
是晶体管q4的体二极管的前向导通压降，vf
d3
是第三二极管d3的前向导通压降，vf
d2
是第二二极管d2的前向导通压降，v
r2
是第二电阻器r2两端的电压。假定pnp型三极管q3能够导通，那么需要pnp型三极管q3的基极电压低于14v-v
beon-q3
，且存在电流流出pnp型三极管q3，其中v
beon-q3
是pnp型三极管q3的发射结导通电压阈值。由于第二电阻器r2在接地gnd处的电压为14v，显然不可能出现pnp型三极管q3的基极电压低于14v-v
beon-q3
，且存在电流流出pnp型三极管q3的情况。因此，pnp型三极管q3也不能向第一nmosfet q1和第二nmosfet q2的栅极提供驱动电压。
45.在本公开的实施例中，当防反接电路100处于正常连接状态时，输出端out能够为待供电的控制电路提供适当的工作电压，而当防反接电路100处于反接状态时，第一防反接单元101和第二防反接单元103能够阻止电流流向输入端in，从而防止对控制电路造成损坏，实现有效的反接保护。此外，由于采用nmosfet方案实现防反接，即能够兼顾较小的直流导通电阻，从而抑制板卡产生更多的热损耗，又可以降低设计成本。
46.根据本公开的实施例还提供了一种电源电路，包括电池电源，被配置为提供正电源电压vin；以及如上所述的任意一种防反接电路100，防反接电路100的输入端in连接至电池电源。在电源电路应用于车辆上的情况下，电池电源可以是整车蓄电池供电电源。在电源电路应用于其他应用场景下的情况下，电池电源可以是相应的供电电源。
47.根据本公开的实施例还提供了一种车辆，包括：根据本公开的实施例的电源电路；以及车辆控制器，连接至防反接电路100的输出端out。车辆控制器可以在电源电路的供电下实现各种控制功能。
48.以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术改进，或者使本技术领域的其他普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

技术特征：
1.一种防反接电路(100)，其特征在于，包括：输入端和输出端；第一nmosfet和第二nmosfet，串联连接在所述输入端与所述输出端之间，所述第一nmosfet的漏极连接至所述输入端，所述第一nmosfet的源极连接至所述第二nmosfet的源极，所述第二nmosfet的漏极连接至所述输出端；第一防反接单元(101)，连接至所述输入端，并且被配置为在所述防反接电路(100)处于正常连接状态时导通，而在所述防反接电路(100)处于反接状态时关断；升压电路(102)，连接至所述第一防反接单元(101)，并且被配置为在所述防反接电路(100)处于正常连接状态时将正电源电压升压至比所述正电源电压高的驱动电压；以及第二防反接单元(103)，连接至所述升压电路(102)以及所述第一nmosfet和所述第二nmosfet的栅极，并且被配置为在所述防反接电路(100)处于正常连接状态时将所述驱动电压提供至所述第一nmosfet和所述第二nmosfet的栅极，而在所述防反接电路(100)处于反接状态时使所述第一nmosfet和所述第二nmosfet关断。2.根据权利要求1所述的防反接电路(100)，其特征在于，所述第一防反接单元(101)包括第一二极管，所述第一二极管的阳极连接至所述输入端，并且所述第一二极管的阴极连接至所述升压电路(102)。3.根据权利要求1所述的防反接电路(100)，其特征在于，所述升压电路(102)包括：开关电路(1021)，连接至所述第一防反接单元(101)，并且被配置为根据所述正电源电压在开关节点处交替地提供高电压和低电压；以及电荷泵(1022)，连接至所述开关节点，并且被配置为基于所述高电压和所述低电压生成所述驱动电压。4.根据权利要求3所述的防反接电路(100)，其特征在于，所述电荷泵(1022)包括：第二二极管，所述第二二极管的阳极连接至升压电源；第三二极管，所述第三二极管的阳极连接至所述第二二极管的阴极，所述第三二极管的阴极连接至所述第二防反接单元(103)；第一电容器，其一端连接至所述开关节点，其另一端连接至所述第二二极管的阴极；以及第二电容器，其一端连接至所述第三二极管的阴极以生成所述驱动电压，其另一端连接至接地。5.根据权利要求1所述的防反接电路(100)，其特征在于，所述升压电路(102)包括：升压变换器，连接在所述第一防反接单元(101)与所述第二防反接单元(103)之间，并且被配置为在所述防反接电路(100)处于正常连接状态时将所述正电源电压升压至所述驱动电压。6.根据权利要求1所述的防反接电路(100)，其特征在于，所述第二防反接单元(103)包括：pnp型三极管，其发射极连接至所述升压电路(102)的输出节点以接收所述驱动电压，其集电极连接至所述第一nmosfet和所述第二nmosfet的栅极；第一电阻器和第二电阻器，串联连接在所述升压电路(102)的输出节点与接地之间，所述第一电阻器与所述第二电阻器之间的中间节点连接至所述pnp型三极管的基极；
第三电阻器，连接至所述第一nmosfet和所述第二nmosfet的栅极；以及第四二极管，其阳极连接至所述第三电阻器，其阴极连接至接地。7.一种电源电路，其特征在于，包括：电池电源，被配置为提供正电源电压；以及根据权利要求1至6中任一项所述的防反接电路(100)，所述防反接电路(100)的输入端连接至所述电池电源。8.一种车辆，其特征在于，包括：根据权利要求7所述的电源电路；以及车辆控制器，连接至所述防反接电路(100)的输出端。

技术总结
本公开的实施例提供了一种防反接电路、电源电路以及车辆。该防反接电路包括：输入端和输出端；第一和第二NMOSFET，串联在输入端与输出端之间，第一NMOSFET的漏极连接至输入端，第一NMOSFET的源极连接至第二NMOSFET的源极，第二NMOSFET的漏极连接至输出端；第一防反接单元，连接至输入端，以在防反接电路处于正常连接状态时导通，而在防反接电路处于反接状态时关断；升压电路，连接至第一防反接单元，以在防反接电路处于正常连接状态时将正电源电压升压至比正电源电压高的驱动电压；第二防反接单元，连接至升压电路以及第一和第二NMOSFET的栅极，以在防反接电路处于正常连接状态时将驱动电压提供至第一和第二NMOSFET的栅极，而在防反接电路处于反接状态时使第一和第二NMOSFET关断。NMOSFET关断。NMOSFET关断。


技术研发人员：陈振兴 郑会强 邓召凯 黄岩
受保护的技术使用者：上海桔晟科技有限公司
技术研发日：2022.10.25
技术公布日：2023/9/1