一种OLED器件支撑柱的结构的制作方法

一种oled器件支撑柱的结构
技术领域
1.本实用新型属于oled器件技术领域，具体涉及一种oled器件支撑柱的结构。


背景技术：

2.在有机发光二极管（organiclightemittingdiode）oled显示器具备低功耗，宽视角，响应速度快，超轻期薄，抗震性好等特点，使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置；
3.oled器件支撑柱（pointsupporting简称：ps），ps制备在oled器件结构中的像素定义层上面，其作用是为了支撑蒸镀mask（掩膜板），防止mask（掩膜板）刮伤像素定义层以及下层的发光层和封装层；
4.在oled器件制备过程中，颗粒磁性，水氧对器件的影响很大，然而在蒸镀和薄膜封装工艺中，ps极易与蒸镀的mask（遮挡板）产生碰撞划伤，其摩擦产生的颗粒磁性容易对发光层膜层膜质和厚度产生影响，并且影薄膜封装工艺中薄膜无法覆盖大颗粒磁性，导致水氧的侵入器件，影响器件的寿命甚至导致器件失效，为此，我们提出一种oled器件支撑柱的结构，以解决上述背景技术中提到的问题。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种oled器件支撑柱的结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种oled器件支撑柱的结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板上沉积有金属遮光层，所述金属遮光层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，且金属遮光层上面沉积一层缓冲层，所述缓冲层上沉积溅射一层有源层；
7.所述有源层上沉积一层栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上溅射一层金属栅极，所述栅极绝缘层和金属栅极采用同一套光罩，经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，所述金属栅极上沉积一层钝化层，所述钝化层经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案；
8.所述钝化层的开孔图案上溅射一层金属层，金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极和金属漏极，所述金属源极和金属漏极通过钝化层的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层进行欧姆搭接，并且金属源极与下层的金属遮光层搭接在一起；
9.所述金属源极和金属漏极上沉积一层平坦层，所述平坦层经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案，所述平坦层的开孔图案上溅射一层电极层，所述电极层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，所述电极层上涂布一层像素定义层，所述像素定义层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案；
10.所述像素定义层上涂布有支撑柱本体，所述支撑柱本体中的胶水中掺杂磁性颗粒，所述像素定义层的图案开孔处制备沉积oled发光器件，并形成隔离封装盖板隔离水氧。
11.所述金属遮光层的材料为金属mo，其厚度范围为0.1um-0.2um。
12.所述缓冲层的材料为sio2或者sin
x
，其厚度范围为0.3um-0.6um。
13.所述有源层为igzo，igzto或者izo，所述有源层溅射的厚度范围为0.03um-0.06um。
14.所述栅极绝缘层的材料为sio2或者sin
x
，其厚度范围为0.3um-0.6um。
15.所述钝化层的材料为sio2或者sin
x
，其厚度范围为0.3um-0.6um。
16.所述像素定义层的材料为聚胺、聚酰胺、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚氨酯、聚硅烷中的任意一种，其厚度范围为2um-3um。
17.所述支撑柱本体的材料为有机树脂，亚克力、环氧树脂、硅树脂中的任意一种，其厚度范围为2um-4um。
18.一种oled器件支撑柱的结构的制作方法，具体包括以下步骤：
19.s1、在玻璃基板上通过pvd溅射上金属遮光层，并且在玻璃基板的玻璃开孔处以及孔壁上溅射遮光层的膜层，再在缓冲层上通过pvd溅射一层有源层，有源层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案；
20.s2、在步骤s1的基础之上通过pecvd沉积一层栅极绝缘层，然后再通过pvd溅射一层金属栅极，栅极绝缘层和金属栅极采用同一套光罩，经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，再在金属栅极通过pecvd沉积一层钝化层，钝化层经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案；
21.s3、在步骤s2的基础之上在钝化层的开孔图案上溅射一层金属层，金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极和金属漏极，所述金属源极和金属漏极通过钝化层的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层进行欧姆搭接，并且金属源极与下层的金属遮光层搭接在一起；
22.再通过pecvd在金属源极和金属漏极上沉积一层平坦层，平坦层经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案，然后在平坦层的开孔图案上通过pvd溅射一层电极层，最后在电极层上涂布一层像素定义层，像素定义层经过过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，像素定义层经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案；
23.s4、在步骤s3的基础之上在像素定义层上通过涂布机涂布有机薄膜，形成支撑柱本体，在制备支撑柱本体时，在有机胶水中掺杂磁性颗粒，磁性颗粒和胶水形成混合物，经过固化之后形成具有缓冲和磁性的支撑柱本体。
24.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型提供的一种oled器件支撑柱的结构，本实用新型可以增加玻璃基板与蒸镀mask（掩膜板）的吸附力，减少了蒸镀mask（掩膜板）和玻璃基板的缝隙，减少蒸镀薄膜的阴影区域的长度，避免混色异常的出现，并且避免了玻璃基板在mask（掩膜板）上滑落和mask（掩膜板）摩擦划伤的风险，消除了支撑柱摩擦产出的颗粒影响器件的制备，提高了器件蒸镀发光层的膜质，提高了薄膜封装的效果，延长了器件的寿命。
附图说明
25.图1为本实用新型玻璃基板、金属遮光层、缓冲层和有源层设置的结构示意图；
26.图2为本实用新型栅极绝缘层、金属栅极和钝化层设置的结构示意图；
27.图3为本实用新型金属漏极、平坦层、电极层和像素定义层设置的结构示意图；
28.图4为本实用新型磁性颗粒和oled发光器件设置的结构示意图。
29.图中：1、玻璃基板；2、金属遮光层；3、缓冲层；4、有源层；5、金属源极；6、栅极绝缘
层；7、金属栅极；8、金属漏极；9、钝化层；10、平坦层；11、电极层；12、像素定义层；13、支撑柱本体；14、磁性颗粒；15、oled发光器件。
具体实施方式
30.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
31.本实用新型提供了如图1-4的一种oled器件支撑柱的结构，包括玻璃基板1，所述玻璃基板1上沉积有金属遮光层2，所述金属遮光层2经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，且金属遮光层2上面沉积一层缓冲层3，所述缓冲层3上沉积溅射一层有源层4；
32.所述有源层4上沉积一层栅极绝缘层6，所述栅极绝缘层6上溅射一层金属栅极7，所述栅极绝缘层6和金属栅极7采用同一套光罩，经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，所述金属栅极7上沉积一层钝化层9，所述钝化层9经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案；
33.所述钝化层9的开孔图案上溅射一层金属层，金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极5和金属漏极8，所述金属源极5和金属漏极8通过钝化层9的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层4进行欧姆搭接，并且金属源极5与下层的金属遮光层2搭接在一起；
34.所述金属源极5和金属漏极8上沉积一层平坦层10，所述平坦层10经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案，所述平坦层10的开孔图案上溅射一层电极层11，所述电极层11经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，所述电极层11上涂布一层像素定义层12，所述像素定义层12经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案；
35.所述像素定义层12上涂布有支撑柱本体13，所述支撑柱本体13 中的胶水中掺杂磁性颗粒14，所述像素定义层12的图案开孔处制备沉积oled发光器件15，并形成隔离封装盖板隔离水氧。
36.一种oled器件支撑柱的结构的制作方法，具体包括以下步骤：
37.s1、在玻璃基板1上通过pvd（物理气相沉积）溅射上金属遮光层2，并且在玻璃基板1的玻璃开孔处以及孔壁上溅射遮光层的膜层，再在缓冲层3上通过pvd（物理气相沉积）溅射一层有源层4，有源层4经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案；
38.金属遮光层2的材料不限于金属mo，其厚度范围0.1um-0.2um，优选为0.15um；
39.缓冲层3的材料不限于sio2，sin
x
等，其厚度范围0.3um-0.6um，优选为0.4um；
40.有源层4的所选金属氧化物材料不限于igzo，igzto，izo等高迁移率材料，有源层4溅射的厚度范围为0.03um-0.06um，优选为0.04um。
41.s2、在步骤s1的基础之上通过pecvd（化学气相沉积）沉积一层栅极绝缘层6，然后再通过pvd（物理气相沉积）溅射一层金属栅极7，栅极绝缘层6和金属栅极7采用同一套光罩，经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，再在金属栅极7通过pecvd（化学气相沉积）沉积一层钝化层9，钝化层9经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案；
42.栅极绝缘层6的材料不限于sio2,sin
x
等，其厚度范围0.3um-0.6um，优选为0.4um；
43.金属栅极7为叠层薄膜结构，由al/mo或者cu/moti组成，其中al/mo结构中al的膜
厚范围为0.3um-0.4um，优选为0.33um，mo的膜厚范围0.02um-0.08um，优选为0.06um，其中cu/moti结构中cu的厚度范围为0.4um-0.6um，优选为0.42um，moti的厚度范围为0.2um-0.4um，优选为0.3um；
44.钝化层9的材料不限于sio2，sin
x
等，其厚度范围0.3um-0.6um，优选为0.4um。
45.s3、在步骤s2的基础之上在钝化层9的开孔图案上溅射一层金属层，金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极5和金属漏极8，所述金属源极5和金属漏极8通过钝化层9的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层4进行欧姆搭接，并且金属源极5与下层的金属遮光层2搭接在一起；
46.再通过pecvd（化学气相沉积）在金属源极5和金属漏极8上沉积一层平坦层10，平坦层10经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案，然后在平坦层10的开孔图案上通过pvd（物理气相沉积）溅射一层电极层11，最后在电极层11上涂布一层像素定义层12，像素定义层12经过过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，像素定义层12经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案；
47.金属源极5、金属漏极8和金属栅极7为相同的叠层薄膜结构，由al/mo或者cu/moti组成，其中al/mo结构中al的膜厚范围为0.3um-0.4um，优选为0.33um，mo的膜厚范围0.02um-0.08um，优选为0.06um，其中cu/moti结构中cu的厚度范围为0.4um-0.6um，优选为0.42um，moti的厚度范围为0.2um-0.4um，优选为0.3um；
48.平坦层10的材料不限于sio2，sin
x
等，其厚度范围0.3um-0.6um，优选为0.4um；
49.金属氧化物材料不限于ito，azo等金属氧化物材料，电极层11溅射的厚度范围为0.05um-0.1um，优选为0.075um；
50.像素定义层12的厚度范围2um-3um，优选为2.4um，像素定义层12的材料不限于聚合物，聚合物包括聚胺、聚酰胺、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚氨酯、聚硅烷中的任意一种；
51.s4、在步骤s3的基础之上在像素定义层12上通过涂布机&ijp（喷墨打印）涂布有机薄膜，形成支撑柱本体13，在制备支撑柱本体13时，在有机胶水中掺杂磁性颗粒14，磁性颗粒14和胶水形成混合物，经过固化之后形成具有缓冲和磁性的支撑柱本体13；
52.有机薄膜经过曝光显影蚀刻脱膜形成支撑柱本体13，最后在像素定义层12的图案开孔处制备沉积oled发光器件15；
53.磁性颗粒14材料不限于铁粉芯，铁硅铝粉芯，软磁体粉芯，优选为f3o4颗粒，其大小范围50nm-150nm，优选为100nm；
54.支撑柱本体13的材料不限于有机树脂，亚克力、环氧树脂或者硅树脂，其厚度范围为2um-4um，优选为3um。
55.综上所述，与现有技术相比，本实用新型可以增加玻璃基板1与蒸镀mask（掩膜板）的吸附力，减少了蒸镀mask（掩膜板）和玻璃基板1的缝隙，减少蒸镀薄膜的阴影区域的长度，避免混色异常的出现，并且避免了玻璃基板1在mask（掩膜板）上滑落，和mask（掩膜板）摩擦划伤的风险，消除了支撑柱摩擦产出的颗粒影响器件的制备，提高了器件蒸镀发光层的膜质，提高了薄膜封装的效果，延长了器件的寿命。
56.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均
应包含在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：
1.一种oled器件支撑柱的结构，包括玻璃基板（1），其特征在于：所述玻璃基板（1）上沉积有金属遮光层（2），所述金属遮光层（2）经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，且金属遮光层（2）上面沉积一层缓冲层（3），所述缓冲层（3）上沉积溅射一层有源层（4）；所述有源层（4）上沉积一层栅极绝缘层（6），所述栅极绝缘层（6）上溅射一层金属栅极（7），所述栅极绝缘层（6）和金属栅极（7）采用同一套光罩，经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，所述金属栅极（7）上沉积一层钝化层（9），所述钝化层（9）经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案；所述钝化层（9）的开孔图案上溅射一层金属层，金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极（5）和金属漏极（8），所述金属源极（5）和金属漏极（8）通过钝化层（9）的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层（4）进行欧姆搭接，并且金属源极（5）与下层的金属遮光层（2）搭接在一起；所述金属源极（5）和金属漏极（8）上沉积一层平坦层（10），所述平坦层（10）经过曝光显影蚀刻脱膜形成开孔图案，所述平坦层（10）的开孔图案上溅射一层电极层（11），所述电极层（11）经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案，所述电极层（11）上涂布一层像素定义层（12），所述像素定义层（12）经过曝光显影蚀刻脱膜形成图案；所述像素定义层（12）上涂布有支撑柱本体（13），所述支撑柱本体（13） 由胶水中掺杂磁性颗粒（14）的混合物固化成型，所述像素定义层（12）的图案开孔处制备沉积oled发光器件（15），并形成隔离封装盖板隔离水氧。2.根据权利要求1所述的一种oled器件支撑柱的结构，其特征在于：所述金属遮光层（2）的材料为金属mo，其厚度范围为0.1um-0.2um。3.根据权利要求1所述的一种oled器件支撑柱的结构，其特征在于：所述缓冲层（3）的材料为sio2或者sinx，其厚度范围为0.3um-0.6um。4.根据权利要求1所述的一种oled器件支撑柱的结构，其特征在于：所述有源层（4）为igzo，igzto或者izo，所述有源层（4）溅射的厚度范围为0.03um-0.06um。5.根据权利要求1所述的一种oled器件支撑柱的结构，其特征在于：所述栅极绝缘层（6）的材料为sio2或者sinx，其厚度范围为0.3um-0.6um。6.根据权利要求1所述的一种oled器件支撑柱的结构，其特征在于：所述钝化层（9）的材料为sio2或者sinx，其厚度范围为0.3um-0.6um。7.根据权利要求1所述的一种oled器件支撑柱的结构，其特征在于：所述像素定义层（12）的材料为聚胺、聚酰胺、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚氨酯、聚硅烷中的任意一种，其厚度范围为2um-3um。8.根据权利要求1所述的一种oled器件支撑柱的结构，其特征在于：所述支撑柱本体（13）的材料为有机树脂，亚克力、环氧树脂、硅树脂中的任意一种，其厚度范围为2um-4um。

技术总结
本实用新型公开了一种OLED器件支撑柱的结构，包括玻璃基板，玻璃基板上沉积有金属遮光层，且金属遮光层上面沉积一层缓冲层，缓冲层上沉积溅射一层有源层；有源层上沉积一层栅极绝缘层，栅极绝缘层上溅射一层金属栅极，金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极和金属漏极，金属源极和金属漏极通过钝化层的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层进行欧姆搭接，并且金属源极与下层的金属遮光层搭接在一起。本实用新型可以增加玻璃基板与掩膜板的吸附力，减少了掩膜板和玻璃基板的缝隙，减少蒸镀薄膜的阴影区域的长度，避免混色异常的出现，并且避免了玻璃基板在掩膜板上滑落和掩膜板摩擦划伤的风险。落和掩膜板摩擦划伤的风险。落和掩膜板摩擦划伤的风险。


技术研发人员：温质康 乔小平 苏智昱
受保护的技术使用者：福建华佳彩有限公司
技术研发日：2021.09.10
技术公布日：2023/9/1