一种贴膜方法与流程

55kpa。
22.在一些实施例中，在所述之后通过所述上腔平台吹出气体，以使所述胶膜落到所述晶圆背面之后，还包括：
23.抬升所述上腔平台。
24.本申请技术方案，至少包括如下优点：
25.1、通过在贴膜过程中避免上腔平台和晶圆的接触，转而通过从上腔平台吹出气体的方式令胶膜落到晶圆背面，避免了上腔平台的震动导致晶圆破裂的可能性；
26.2、通过对胶膜的加热使胶膜软化，有助于进一步提高贴膜效果。
附图说明
27.为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1是本申请一个示例性实施例提供的用于体现设备腔体内结构的示意图；
29.图2是本申请一个示例性实施例提供的一种贴膜方法的流程示意图；
30.图3是本申请一个示例性实施例提供的用于体现s11执行完成后设备腔体内结构的示意图；
31.图4是本申请一个示例性实施例提供的用于体现s13执行过程中设备腔体内结构的示意图；
32.图5是本申请一个示例性实施例提供的用于体现s13执行完成后设备腔体内结构的示意图；
33.图6是本申请一个示例性实施例提供的用于体现s14执行过程中设备腔体内结构的示意图；
34.图7是本申请一个示例性实施例提供的另一种贴膜方法的流程示意图。
35.附图标记说明：1、设备腔体；2、上腔平台、3、下腔平台；4、胶膜；5、晶圆；6、气阀。
具体实施方式
36.下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
37.在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
38.在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可
以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
39.此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
40.本申请实施例公开一种贴膜方法，该方法主要基于现有的真空贴膜机，参考图1，真空贴膜机的设备腔体1内设置有上腔平台2和下腔平台3。其中，上腔平台1用于吸附待贴合的胶膜4，下腔平台3位于上腔平台2下方，用于放置晶圆5。
41.参照图2，本申请实施例公开的贴膜方法主要包括以下内容：
42.s11：通过上腔平台吸附胶膜，将待贴膜的晶圆放置到下腔平台上。
43.示例性的，可以通过上腔平台2吸附待贴合的胶膜4，并将待贴膜的晶圆5放置到下腔平台2上，放置完成后可以如图3所示。
44.s12：摆动上腔平台，在摆动过程中，胶膜与晶圆之间存在间距。
45.示例性的，在贴膜过程中，设备腔体1内部使用真空泵制造负压。之后，控制上腔平台2摆动，不同于现有技术，在摆动过程中，上腔平台2并不会下降，确保胶膜4和晶圆5之间始终存在间距，避免了摆动的上腔平台2和晶圆5背面的支撑环的直接接触，减小了胶膜4破损的可能性。
46.s13：通过上腔平台吹出气体，以使胶膜落到晶圆背面。
47.示例性的，参照图4和图5，可以通过真空贴膜机内配置有的连通于上腔平台2的通气组件向上腔平台2通入气体，使得气体进入上腔平台2和胶膜4之间，胶膜4在气压的作用下落到下方的晶圆5的背面。其中，图4中的箭头代表气流。
48.示例性的，上腔平台2的材质为多孔陶瓷，且气体是从上腔平台2的气孔中吹出的。
49.进一步的，在向上腔平台2通入气体的过程中，吹气压力为45-55kpa，例如50kpa，从而避免气量过大造成正面贴敷，且能够利用多孔陶瓷的特性使得晶圆5和胶膜4的中间部分优先贴合，随后依次向边缘延展贴合，进一步优化贴膜效果。
50.s14：向设备腔体内充入大气。
51.示例性的，参照图1和图6，可以通过于真空贴膜机内配置有的气阀6向真空的设备腔体1内通入大气，其中，气阀6同样可以连通于上述中的通气组件。由于胶膜4和下腔平台3之间仍为真空，胶膜4在大气压力的作用下被压实在晶圆5背面，保证了贴膜效果。
52.可选的，参照图7，在一些实施例中，在s11之前，还可以包括以下处理：
53.s21：加热上腔平台。
54.示例性的，可以对上腔平台2进行加热，加热的目标温度范围为55-65℃，加热完成后，再进行胶膜吸附操作，并在后续贴膜过程中使得上腔平台2的温度保持在目标温度范围内。加热后的上腔平台2能够使得吸附的胶膜4软化，增强后续的贴膜效果。
55.示例性的，上腔平台2上可以安装有加热电阻丝，在对加热电阻丝进行加热的过程中，温度被传导至上腔平台2，从而实现对上腔平台2上的胶膜4的加热。
56.本申请实施例所公开的贴膜方法，通过在贴膜过程中避免上腔平台2和晶圆5的接触，转而通过从上腔平台2吹出气体的方式令胶膜4落到晶圆5背面，避免了上腔平台2的震动导致晶圆5破裂的可能性，同时，通过对胶膜4的加热使胶膜4软化，有助于进一步提高贴
膜效果。
57.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。


技术特征：
1.一种贴膜方法，所述方法基于真空贴膜机，所述真空贴膜机的设备腔体(1)内设置有：上腔平台(2)，用于吸附待贴合的胶膜(4)；下腔平台(3)，位于所述上腔平台(2)下方，用于放置晶圆(5)；其特征在于，所述方法包括：通过所述上腔平台(2)吸附胶膜(4)，将待贴膜的晶圆(5)放置到所述下腔平台(3)上；摆动所述上腔平台(2)，在摆动过程中，所述胶膜(4)与所述晶圆(5)之间存在间距；通过所述上腔平台(2)吹出气体，以使所述胶膜(4)落到所述晶圆(5)背面；向所述设备腔体(1)内充入大气。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述通过所述上腔平台(2)吸附胶膜(4)，将待贴膜的晶圆(5)放置到所述下腔平台(3)上之前，还包括：加热所述上腔平台(2)。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述上腔平台(2)上设置有用于加热所述上腔平台(2)的加热电阻丝。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述加热所述上腔平台(2)的步骤中，所述上腔平台(2)的目标温度范围为55℃-65℃。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述上腔平台(2)的材质为多孔陶瓷。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述通过所述上腔平台(2)吹出气体的步骤中，所述气体是通过材质为多孔陶瓷的上腔平台(2)的气孔中吹出的。7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，在所述通过所述上腔平台(2)吹出气体的步骤中，吹气压力为45-55kpa。

技术总结
本申请公开了一种贴膜方法，所述方法基于真空贴膜机，所述真空贴膜机的设备腔体内设置有：上腔平台，用于吸附待贴合的胶膜；下腔平台，位于所述上腔平台下方，用于放置晶圆；所述方法包括：通过所述上腔平台吸附胶膜，将待贴膜的晶圆放置到所述下腔平台上；摆动所述上腔平台，在摆动过程中，所述胶膜与所述晶圆之间存在间距；通过所述上腔平台吹出气体，以使所述胶膜落到所述晶圆背面；向所述设备腔体内充入大气。本申请通过采用上述技术方案，能够解决超薄晶圆在贴膜过程中易破损的问题。决超薄晶圆在贴膜过程中易破损的问题。决超薄晶圆在贴膜过程中易破损的问题。


技术研发人员：陈阳 席亚荣 吕剑 谭秀文 王毓阳
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2023.04.13
技术公布日：2023/9/14