混频器、通信设备、太赫兹混频二极管及其设计方法与流程

1.本技术涉及太赫兹通信技术领域，尤其涉及一种混频器、通信设备、太赫兹混频二极管及其设计方法。


背景技术：

2.肖特基二极管是太赫兹固态电路的核心器件。肖特基二极管因具有高频特性好、噪声电平低、开关响应迅速、动态范围大、结构相对简单等优点，被广泛应用于毫米波及太赫兹电路。二极管对太赫兹固态电路的性能起着决定性的影响。能否准确的模拟二极管的各项参量是设计太赫兹固态电路的关键。
3.目前，对二极管的理论分析均停留在“电磁”建模方面，而混频器虽然不需要大功率进行驱动，但长时间工作后二极管的热效应也同样影响着二极管的性能。因此，目前亟需一种针对太赫兹混频二极管设计方法，来提升用于太赫兹频段的混频二极管的性能。
4.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供了一种混频器、通信设备、太赫兹混频二极管及其设计方法，旨在提升用于太赫兹频段的混频二极管的性能。
6.一方面，本技术实施例提供了一种太赫兹混频二极管设计方法，包括：
7.根据待设计的目标二极管的设计参数，建立所述目标二极管的器件三维模型；
8.基于所述器件三维模型，施加驱动功率，以进行热仿真；
9.对热仿真的器件三维模型进行热场分析，获得所述器件三维模型的温度分布数据：
10.对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律；
11.基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计。
12.可选地，所述基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计的步骤，包括：
13.根据所述驱动功率，计算得到所述器件三维模型的阳极的阳极温度；
14.在所述阳极温度大于温度阈值的情况下，确定所述阳极的形状为柱形；其中，所述温度阈值基于所述热量分布规律确定。
15.可选地，所述根据所述驱动功率，计算得到所述器件三维模型的阳极的阳极温度的步骤之后，还包括：
16.在所述阳极温度小于等于所述温度阈值的情况下，确定所述阳极的形状为长方体或四棱台。
17.可选地，所述对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律的步骤之后，还包括：
18.基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的电路基片进行设计。
19.可选地，所述基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的电路基片进行设计的步骤，包括：
20.对更换不同的电路基片的器件三维模型分别进行热仿真，获得各电路基片分别对应的阳极结温度；
21.基于各电路基片分别对应的阳极结温度，获得各电路基片分别对应的二极管热电阻；
22.根据各电路基片分别对应的二极管热电阻，从不同的电路基片中确定热电阻最小的目标电路基片。
23.可选地，所述热量分布规律包括：所述器件三维模型中阳极产生的热量通过二极管衬底传输到焊盘，再通过电路基片散热。
24.可选地，所述热量分布规律，还包括：
25.所述器件三维模型中阳极产生的热量通过衬底传输到焊盘，再通过混频器金属腔体散热。
26.再一方面，本技术实施例提供了一种太赫兹混频二极管，所述太赫兹混频二极管基于前述的太赫兹混频二极管设计方法获得。
27.再一方面，本技术实施例提供了一种混频器，所述混频器包括前述的太赫兹混频二极管。
28.再一方面，本技术实施例提供了一种通信设备，所述通信设备包括前述的混频器。
29.本技术的实施例提供一种混频器、通信设备、太赫兹混频二极管及其设计方法，该方法包括：根据待设计的目标二极管的设计参数，建立所述目标二极管的器件三维模型；基于所述器件三维模型，施加驱动功率，以进行热仿真；对热仿真的器件三维模型进行热场分析，获得所述器件三维模型的温度分布数据：对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律；基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计。也即，该方法通过热仿真和热场分析，获得温度分布规律，从而可以知道二极管内部的热量的耗散通道，以此为依据来对二极管的阳极进行设计，能够尽可能的缓解热效应的影响，从而提高二极管的性能。
附图说明
30.为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1是本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
32.图2是本技术实施例提供的一种太赫兹混频二极管设计方法的流程示意图；
33.图3是本技术实施例提供的一种在仿真软件中建立的热仿真模型；
34.图4是本技术实施例提供的一种器件三维模型的截面结构示意图；
35.图5是图4中的器件三维模型热仿真时阳极位置对应产生的沟道涡流效应的热成像图；
36.图6是本技术实施例提供的电路基片分别为石英基片和aln基片时在不同耗散功
率情况下的阳极结温度与热电阻的线性关系图。
具体实施方式
37.应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
38.本技术实施例的主要解决方案是：提供一种混频器、通信设备、太赫兹混频二极管及其设计方法，该方法包括：根据待设计的目标二极管的设计参数，建立所述目标二极管的器件三维模型；基于所述器件三维模型，施加驱动功率，以进行热仿真；对热仿真的器件三维模型进行热场分析，获得所述器件三维模型的温度分布数据：对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律；基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计。
39.现有技术中，太赫兹波是指频率在0.1～10thz范围的电磁波，其频谱位于毫米波与红外光波之间，兼具了微波和光波的特性并具有独特的特点，这使得太赫兹技术成为电子学和光子学研究的重要扩展。相较于微波、毫米波，太赫兹波波长更短、频段更高；相较于光波，具有更强的穿透特性以及较低的光子能量；太赫兹波一系列独特的优越特性使其具有巨大的应用前景，可广泛应用于射电天文、太赫兹通信、大气与环境监测、雷达成像、以及医学诊断等领域。
40.肖特基二极管是太赫兹固态电路的核心器件。肖特基二极管最早由德国物理学家walter schottky在1937年提出，是基于金属-半导体结的多载流子器件。肖特基势垒二极管又称为表面势垒二极管，基本结构为金属-半导体结。金属-半导体结中，能带在接触面处不连续，载流子注入后具有多余的能量，所以该结构也称为热载流子二极管或热电子二极管。肖特基二极管因具有高频特性好、噪声电平低、开关响应迅速、动态范围大、结构相对简单等优点，被广泛应用于毫米波及太赫兹电路。
41.经分析，二极管的寄生串联电阻和结电容对太赫兹固态电路的性能起着决定性的影响。能否准确的模拟二极管的各项参量是设计太赫兹固态电路的关键。在微波毫米波频段，二极管封装尺寸远小于电路的尺寸，其封装几乎不会对太赫兹电路中的场分布造成影响，此时，将二极管的寄生参数代入模拟等效电路可以较为准确的模拟二极管的特性。在目前太赫兹电路研究中，热效应往往被忽视。随着工作时间的上升，二极管的阳极热效应愈发明显，且混频器中二极管的不同管芯由于加工、装配的不一致性，导致热效应不同，二极管管芯结构、数量等均可造成输出功率的不一致性，从而对混频电路造成不良影响。
42.当工作频率上升至太赫兹频段，器件寄生参量的影响加剧，需要分别建立相应电磁模型和电路模型，引入器件阳极尺寸变化、各结构材料特性变化等因素，以获得高精度的器件模型。目前，国际上已对太赫兹肖特基二极管精确建模技术进行了一些研究。2004年，美国学者开展了反向并联二极管对的三维建模研究，将平面模型改进为立体模型，并考虑了寄生参数的影响；2011年，瑞典查尔姆斯大学提出了平面肖特基二极管三维电磁模型，同时分析了二极管寄生参数对混频器变频损耗性能的影响，基于此改进了混频器的性能；2014年，芬兰阿尔托大学研究了肖特基二极管的非线性温度寄生参数，将其引入器件封装模型，并证明了此模型可以提升倍频器的倍频效率。
43.目前对二极管的理论分析均停留在“电磁”建模方面，未对其进行热仿真。而混频器虽然不需要大功率进行驱动，但长时间工作后二极管的热效应也同样影响着二极管的性
能。随着工作时间的上升，二极管的阳极热效应愈发明显，且混频器中二极管的不同管芯由于加工、装配的不一致性，导致热效应不同，二极管管芯结构、数量等均可造成输出功率的不一致性，从而对混频电路造成不良影响。热效应积累后，二极管噪声性能也会相应变差，影响着混频器的噪声温度，从而恶化收发前端的灵敏度。所以对太赫兹二极管的热、电、磁多维度器件模型建立是进行混频二极管的关键。
44.为此，本技术提供一种解决方案，通过热仿真和热场分析，获得温度分布规律，从而可以知道二极管内部的热量的耗散通道，以此为依据来对二极管的阳极进行设计，能够尽可能的缓解热效应的影响，从而提高二极管的性能。
45.参照图1，图1为本技术实施例方案涉及的硬件运行环境的电子设备结构示意图。
46.如图1所示，该电子设备可以包括：处理器1001，例如中央处理器(central processing unit，cpu)，通信总线1002、用户接口1003，网络接口1004，存储器1005。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(display)、输入单元比如键盘(keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如无线保真(wireless-fidelity，wi-fi)接口)。存储器1005可以是高速的随机存取存储器(random access memory，ram)存储器，也可以是稳定的非易失性存储器(non-volatile memory，nvm)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。
47.本领域技术人员可以理解，图1中示出的结构并不构成对电子设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
48.如图1所示，作为一种存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、数据存储模块、网络通信模块、用户接口模块以及电子程序。
49.在图1所示的电子设备中，网络接口1004主要用于与网络服务器进行数据通信；用户接口1003主要用于与用户进行数据交互；本发明电子设备中的处理器1001、存储器1005可以设置在电子设备中，所述电子设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的太赫兹混频二极管设计装置，并执行本技术实施例提供的太赫兹混频二极管设计方法。
50.参见图2，本技术的实施例提供了一种太赫兹混频二极管设计方法，用于前述实施例中的电子设备，该电子设备可以是终端设备，例如，计算机设备、手机、平板电脑等。本实施例中，混频二极管是指用于混频器中的二极管，一般是指肖特基二极管，肖特基二极管是太赫兹固态电路的核心器件。
51.该方法包括：
52.s20、根据待设计的目标二极管的设计参数，建立所述目标二极管的器件三维模型；
53.在具体实施过程中，目标二极管是指想要设计获得的二极管，要设计获得该二极管，需要首先根据基础的性能需要准备设计参数，并在此基础上进行参数的调整设计。
54.器件三维模型是指热仿真模型，可以在现有的仿真软件中建立。参见图3，图3为本实施例中一种在仿真软件中建立的热仿真模型。图中，对二极管阳极结进行编号，由靠近腔体到靠近基片的两个阳极分别为管芯1、管芯2，二极管设置在电路基片上。
55.s40、基于所述器件三维模型，施加驱动功率，以进行热仿真；
56.在具体实施过程中，为了模拟真实场景，提高仿真的准确性，驱动功率可以是与该
二极管的实际应用场景中的功率相同或相似的驱动功率。在仿真软件中对器件三维模型施加了驱动功率后，二极管会产生热效应。
57.需要说明的是，本实施例中在进行热仿真时，设定器件三维模型中的个结构和参数一定，例如，阳极的形状、衬底和电路基片都已确定。此外，本实施例中主要针对热效应分析，进行热仿真的过程进行说明，电、磁仿真这些必要的过程按照现有技术执行即可，本实施例中不做赘述。
58.s60、对热仿真的器件三维模型进行热场分析，获得所述器件三维模型的温度分布数据；
59.在具体实施过程中，在对器件三维模型进行热仿真的时，对其进行热场分析，可以获得器件三维模型的温度分布数据。
60.s80、对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律。
61.在具体实施过程中，经仿真分析发现，器件三维模型中二极管阳极产生的热量的两个主要的耗散通道，其一是通过二极管衬底传输到焊盘，再通过电路基片散热，另一个是通过衬底传输到焊盘，在通过混频器金属腔体散热。根据这一分析结果可以得到，作为热量传输媒介的二极管衬底和散热点的电路基片对二极管热特性影响最大。其中，衬底是指二极管的基片，电路基片是指设置二极管的基片。
62.在一种可选地的实施方式中，所述热量分布规律包括：所述器件三维模型中阳极产生的热量通过二极管衬底传输到焊盘，再通过电路基片散热。
63.在一种可选地的实施方式中，所述热量分布规律，还包括：
64.所述器件三维模型中阳极产生的热量通过衬底传输到焊盘，再通过混频器金属腔体散热。
65.参见图4-图5，图4为器件三维模型的截面结构示意图；图5为图4中的器件三维模型热仿真时阳极位置对应产生的沟道涡流效应的热成像图。
66.具体的，图4中的器件三维模型对应的二极管结构中，衬底为半绝缘gaas材料，阳极为柱形，图4中的二极管结构为现有常规的二极管结构，其具体的结构和原理本实施例中不再赘述。
67.经分析可知，在二极管中，电流会在块状导体中闭合，形成一个“闭合电路”。结合图5中的热成像图分析可知，在二极管阳极环绕区域中，就会在阳极沟道的位置产生沟道涡流效应，即在图5中红色框区域，以图5中的位置关系为基础，从俯视阳极的角度(即从图5上方垂直观察的角度)，涡流以阳极为中心，逆时针旋转。这种涡流会产生热量，而阳极由于采用金属材料(常为金)，电阻率很低，这时产生的涡流会很大，从而导致产生的热量很高，从仿真结果看，在阳极附近会产生很高的热量。图5中阳极金手指就是指阳极。
68.s100、基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计。
69.在具体实施过程中，在获得二极管的热量分布规律后，则可以针对性的进行设计，当然，阳极的涉及只是其中的一个部分的设计，在进行阳极设计时，需要假设其它结构和参数均不发生变化来进行比较。
70.作为一个可选地实施例，所述基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计的步骤，包括：
71.根据所述驱动功率，计算得到所述器件三维模型的阳极的阳极温度；
72.在所述阳极温度大于温度阈值的情况下，确定所述阳极的形状为柱形；其中，所述温度阈值基于所述热量分布规律确定。
73.可以理解的是，阳极的形状包括柱形、长方体或四棱台等，各有优缺点，本领域技术人熟知，长方体或四棱台结构尺寸相对与柱形更小，可以减小寄生电阻。柱形加工简单，尺寸相对更大，但寄生电阻较高。因此，基于此认知一般不采用柱形阳极，而采用长方体或四棱台。
74.但是基于本实施例前述的仿真分析发现，长方体或四棱台虽然可以降低寄生电阻，但长方体或四棱台阳极结构中，在拐角处的涡流效应更加明显，在同样驱动功率下产生的热量也越高。在实际工作中，需要避免阳极温度过高，在同样功率驱动下，可以基于现有的算法算出每个阳极的承载功率，进而计算出温度。并设置一个温度阈值(例如，70℃，可根据实际场景需要进行设置)，如果在某一个功率下，温度不到70℃，那么就可以选择长方体或四棱台阳极，这样寄生电阻较小，可以获得较低的损耗；但当温度较高时，易采用柱形阳极，虽然寄生电阻较高，但涡流效应不明显，热效应对二极管的恶化更低。
75.另外，从仿真结果看，涡流效应会随着尺寸的增加而变弱，因此，阳极结构改为柱形，可以缓解沟道涡流效应。因此，在本实施例的设计方法中，针对于太赫兹的混频器中的肖特基二极管，可以将阳极形状设计为柱形。此外，在实际加工过程中，长方体或四棱台的阳极都是基于柱形加工而来，因此，本实施例中对于柱形阳极的优势的研究，还有利于节省二极管的加工步骤，提高加工效率。
76.因此，作为一个可选地实施例，所述根据所述驱动功率，计算得到所述器件三维模型的阳极的阳极温度的步骤之后，还包括：
77.在所述阳极温度小于等于所述温度阈值的情况下，确定所述阳极的形状为长方体或四棱台。
78.由此可见，本实施的涉及方法通过热仿真和热场分析，获得温度分布规律，从而可以知道二极管内部的热量的耗散通道，以此为依据来对二极管的阳极进行设计，能够尽可能的缓解热效应的影响，从而提高二极管的性能。
79.在另一种实施例中，在前述实施例的基础上，所述对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律的步骤之后，还包括：
80.基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的电路基片进行设计。
81.在具体实施过程中，在前述实施例中的仿真分析中可知，电路基片对二极管热特性影响较大，因此，还可以根据基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的电路基片进行设计。
82.具体的，所述基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的电路基片进行设计的步骤，包括：
83.对更换不同的电路基片的器件三维模型分别进行热仿真，获得各电路基片分别对应的阳极结温度；
84.基于各电路基片分别对应的阳极结温度，获得各电路基片分别对应的二极管热电阻；
85.根据各电路基片分别对应的二极管热电阻，从不同的电路基片中确定热电阻最小的目标电路基片。
86.具体的，在进行电路基片的仿真设计时，可以假设二极管的结构和参数不发生改变，对更换不同的电路基片的器件三维模型分别进行热仿真。通过在阳极端口馈入特定的热功率，可以仿真得到对应的阳极结温度，继而计算得到二极管的热电阻。由于热电阻与阳极结温度成正比的线性关系，而热电阻的大小是表征二极管性能好坏的参数，热电阻越低，代表电路基片的热导率越高，因此，可以选择仿真时阳极结温度较低的电路基片。
87.例如，在试验中，参见图6，图6为电路基片分别为石英基片和aln基片时在不同耗散功率情况下的阳极结温度与热电阻的线性关系图。图中显示，在下标为11、22、33的三种耗散功率的情况下，aln基片的热电阻均小于石英基片，可以选择aln基片作为电路基片。
88.在另一实施例中，本技术实施例提供了一种太赫兹混频二极管，所述太赫兹混频二极管基于前述实施例中的太赫兹混频二极管设计方法获得。
89.在另一实施例中，本技术实施例提供了一种混频器，所述混频器包括前述实施例中的太赫兹混频二极管。
90.在另一实施例中，本技术实施例提供了一种通信设备，所述通信设备包括前述实施例中的太赫兹混频器。
91.此外，在一种实施例中，本技术还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时实现前述实施例中方法的步骤。
92.在一些实施例中，计算机可读存储介质可以是fram、rom、prom、eprom、eeprom、闪存、磁表面存储器、光盘、或cd-rom等存储器；也可以是包括上述存储器之一或任意组合的各种设备。计算机可以是包括智能终端和服务器在内的各种计算设备。
93.在一些实施例中，可执行指令可以采用程序、软件、软件模块、脚本或代码的形式，按任意形式的编程语言(包括编译或解释语言，或者声明性或过程性语言)来编写，并且其可按任意形式部署，包括被部署为独立的程序或者被部署为模块、组件、子例程或者适合在计算环境中使用的其它单元。
94.作为示例，可执行指令可以但不一定对应于文件系统中的文件，可以可被存储在保存其它程序或数据的文件的一部分，例如，存储在超文本标记语言(html，hyper text markup language)文档中的一个或多个脚本中，存储在专用于所讨论的程序的单个文件中，或者，存储在多个协同文件(例如，存储一个或多个模块、子程序或代码部分的文件)中。
95.作为示例，可执行指令可被部署为在一个计算设备上执行，或者在位于一个地点的多个计算设备上执行，又或者，在分布在多个地点且通过通信网络互连的多个计算设备上执行。
96.需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
97.上述本技术实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
98.通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做
出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器/随机存取存储器、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台多媒体终端设备(可以是手机，计算机，电视接收机，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述的方法。
99.以上所揭露的仅为本技术的局部实施例而已，当然不能以此来限定本技术之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或局部流程，并依本技术权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

技术特征：
1.一种太赫兹混频二极管设计方法，其特征在于，包括：根据待设计的目标二极管的设计参数，建立所述目标二极管的器件三维模型；基于所述器件三维模型，施加驱动功率，以进行热仿真；对热仿真的器件三维模型进行热场分析，获得所述器件三维模型的温度分布数据：对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律；基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计的步骤，包括：根据所述驱动功率，计算得到所述器件三维模型的阳极的阳极温度；在所述阳极温度大于温度阈值的情况下，确定所述阳极的形状为柱形；其中，所述温度阈值基于所述热量分布规律确定。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述驱动功率，计算得到所述器件三维模型的阳极的阳极温度的步骤之后，还包括：在所述阳极温度小于等于所述温度阈值的情况下，确定所述阳极的形状为长方体或四棱台。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律的步骤之后，还包括：基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的电路基片进行设计。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的电路基片进行设计的步骤，包括：对更换不同的电路基片的器件三维模型分别进行热仿真，获得各电路基片分别对应的阳极结温度；基于各电路基片分别对应的阳极结温度，获得各电路基片分别对应的二极管热电阻；根据各电路基片分别对应的二极管热电阻，从不同的电路基片中确定热电阻最小的目标电路基片。6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述热量分布规律包括：所述器件三维模型中阳极产生的热量通过二极管衬底传输到焊盘，再通过电路基片散热。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述热量分布规律，还包括：所述器件三维模型中阳极产生的热量通过衬底传输到焊盘，再通过混频器金属腔体散热。8.一种太赫兹混频二极管，其特征在于，所述太赫兹混频二极管基于如权利要求1-7中任一项所述的太赫兹混频二极管设计方法获得。9.一种混频器，其特征在于，所述混频器包括如权利要求8所述的太赫兹混频二极管。10.一种通信设备，其特征在于，所述通信设备包括如权利要求9所述的混频器。

技术总结
本申请实施例公开了一种混频器、通信设备、太赫兹混频二极管及其设计方法，涉及太赫兹通信技术领域。该方法包括：根据待设计的目标二极管的设计参数，建立所述目标二极管的器件三维模型；基于所述器件三维模型，施加驱动功率，以进行热仿真；对热仿真的器件三维模型进行热场分析，获得所述器件三维模型的温度分布数据：对所述温度分布数据进行分析，获得所述器件三维模型的热量分布规律；基于所述热量分布规律，对所述器件三维模型的阳极进行设计。也即，该方法通过热仿真和热场分析，获得温度分布规律，从而可以知道二极管内部的热量的耗散通道，以此为依据来对二极管的阳极进行设计，能够尽可能的缓解热效应的影响，从而提高二极管的性能。二极管的性能。二极管的性能。


技术研发人员：尹千里 郑慧明 于馨菲 马飞 周闻达
受保护的技术使用者：四川太赫兹通信有限公司
技术研发日：2023.07.10
技术公布日：2023/10/6