光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法与流程

1.本发明涉及硅光芯片技术领域，特别是涉及一种光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法。


背景技术：

2.硅光芯片与单模光纤阵列(fiber array,fa)的光耦合是硅光器件封装的一个必要工艺。多通道的硅光集成芯片，在封装过程当中，需要与对应通道数的光纤阵列进行耦合固化。然而，现有技术中，硅光芯片在与单模光纤阵列进行耦合时，由于一些尚未发现的原因，导致耦合效率较低。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本发明提供了一种光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法，应用该光纤阵列与硅光芯片进行耦合，能够有效提高耦合效率，从而更加适于实用。
4.为了达到上述第一个目的，本发明提供的光纤阵列的技术方案如下：
5.本发明提供的光纤阵列包括上盖板、单模光纤尾纤和v-槽衬底，
6.所述上盖板为外形呈长方体的第一实体，
7.所述v-槽衬底为纵剖面呈直角梯形的第二实体，所述第二实体的第一斜面与竖直平面间具有二面角α，其中，1
°
≤α≤10
°
；
8.所述上盖板的底面与所述v-槽衬底的上平面之间具有水平间隙，
9.所述单模光纤尾纤沿水平方向布设于所述水平间隙中，使得所述单模光纤尾纤的出光面与所述第一斜面处于同一平面；
10.所述上盖板在与所述第一斜面相对应的面形成一回缩的第一竖直平面，令过所述第一斜面最底部交线的竖直平面为第二竖直平面，则所述第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离＞50μm。
11.本发明提供的光纤阵列还可采用以下技术措施进一步实现。
12.作为优选，所述上盖板的厚度取值范围为200μm-1000μm。
13.作为优选，所述v-槽衬底的厚度为500μm-2000μm。
14.作为优选，所述单模光纤尾纤的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同。
15.为了达到上述第二个目的，本发明提供的硅光集成封装芯片的技术方案如下：
16.本发明提供的硅光集成封装芯片包括硅光芯片、匹配固化胶和本发明提供的光纤阵列，
17.所述硅光芯片的顶部具有耦合通道，所述耦合通道的端面呈第二斜面；
18.所述v-槽衬底处于上方，而所述上盖板处于下方；
19.所述第一竖直平面的位置与所述硅光芯片的衬底的位置相对应，所述第一斜面的位置与所述第二斜面的位置相对应，使得所述硅光芯片与所述光纤阵列之间处于耦合位，所述匹配固化胶设置于所述硅光芯片与所述光纤阵列之间的耦合间隙内。
20.本发明提供的硅光集成封装芯片还可采用以下技术措施进一步实现。
21.作为优选，
22.所述第二斜面为在晶圆深刻蚀工艺过程中形成所致；
23.所述第一斜面与竖直平面间具有的二面角α的角度根据所述第二斜面的倾斜角度能够调整，使得所述第一斜面与第二斜面平行。
24.作为优选，所述第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离根据所述硅光芯片的衬底形状、第一斜面、第二斜面之间的距离能够调整，使得所述第一斜面与第二斜面之间无缝隙耦合。
25.为了达到上述第三个目的，本发明提供的硅光集成封装芯片的封装方法的技术方案如下：
26.本发明提供的硅光集成封装芯片的封装方法包括以下步骤：
27.取本发明提供的光纤阵列，使得所述光纤阵列的单模光纤尾纤的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同；
28.倒置所述光纤阵列，使得所述v-槽衬底处于上方，而所述上盖板处于下方；
29.将所述光纤阵列与所述硅光芯片分别置于耦合位，使得所述第一竖直平面的位置与所述硅光芯片的衬底的位置相对应，所述第一斜面的位置与所述第二斜面的位置相对应；
30.向所述光纤阵列与所述硅光芯片之间的耦合间隙内点加匹配固化胶，静待，使得所述光纤阵列与所述硅光芯片耦合固化，得到所述硅光集成封装芯片。
31.本发明提供的硅光集成封装芯片的封装方法还可采用以下技术措施进一步实现。
32.作为优选，
33.所述第二斜面为在晶圆深刻蚀工艺过程中形成所致；
34.所述取光纤阵列，使得所述光纤阵列的单模光纤尾纤的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同的步骤过程中，还包括以下步骤：
35.针对所述第一斜面进行角度抛光，使得所述第一斜面与第二斜面平行。
36.作为优选，所述取光纤阵列，使得所述光纤阵列的单模光纤尾纤的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同的步骤过程中，还包括以下步骤：
37.根据所述硅光芯片的衬底形状，缩短所述上盖板，调整所述第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离，使得所述第一斜面与第二斜面之间无缝隙耦合。
38.本发明提供的光纤阵列缩短上盖板4形成一缩回的第一竖直平面，在这种情况下，当硅光芯片8与光纤阵列耦合时，可以借助该缩回的第一竖直平面与硅光芯片的晶圆在深刻蚀工艺过程中形成的凸台3相适配，从而缩小光纤阵列的单模光纤尾纤6的出光面与硅光芯片8顶部具有的耦合通道之间的距离；并且，本发明提供的光纤阵列还将光纤阵列的单模光纤尾纤6的出光面调整为一斜面，在本发明提供的光纤阵列与硅光芯片耦合时，单模光纤尾纤6的出光面处的斜面与硅光芯片8晶圆深刻蚀过程中于顶部形成所致的斜面相匹配，从而增加光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8的耦合接触面积。经过实验证实，与现有技术相比，本发明提供的光纤阵列在与硅光芯片8耦合后，耦合损失大幅降低。因此，采用本发明提供的硅光集成封装芯片的封装方法耦合封装所得的硅光集成封装芯片能够显著提高耦合效率。
附图说明
39.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
40.附图1为本发明实施例提供的硅光集成封装芯片在硅光晶圆加工流程中涉及的硅光晶圆与深刻蚀之间的结构关系示意图；
41.附图2为本发明实施例提供的硅光集成封装芯片在硅光晶圆加工流程中涉及的硅光晶圆裂片过程的结构示意图；
42.附图3为本发明实施例提供的硅光集成封装芯片在硅光晶圆加工流程中涉及的硅光晶圆分粒后的结构示意图；
43.附图4为带有凸台的硅光晶圆与光纤阵列耦合后的典型剖面结构示意图；
44.附图5为硅光晶圆在深刻蚀工艺过程中形成的斜面角度与现有技术中的光纤阵列耦合后的典型剖面结构示意图；
45.附图6为本发明实施例提供的光纤阵列纵剖面结构示意图；
46.附图7为本发明实施例提供的光纤阵列俯视图；
47.附图8为本发明实施例提供的光纤阵列与硅光晶圆耦合后的典型剖面结构示意图；
48.附图9为本发明实施例提供的光纤阵列在与硅光芯片耦合后的耦合损失变化趋势、现有技术中的光纤阵列在与硅光芯片耦合后的耦合损失变化趋势的对比图(其中，横坐标1-6表示不同编号的硅光集成封装芯片)；
49.附图标记说明：
50.1-硅光晶圆，2-深刻蚀，3-凸台，4-上盖板，5-v-槽衬底，6-单模光纤尾纤，7-匹配固化胶，8-硅光芯片，9-硅光芯片与光纤耦合模斑转换器。
具体实施方式
51.有鉴于此，本发明提供了一种光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法，应用该光纤阵列与硅光芯片进行耦合，能够有效提高耦合效率，从而更加适于实用。
52.发明人经过艰苦卓绝的努力，发现，
53.硅光集成芯片与单模光纤阵列(fiber array,fa)的光耦合是硅光器件封装的一个必要工艺。任何多通道的硅光集成芯片，在封装过程当中，必须与对应通道数的光纤阵列，通过点匹配胶水进行耦合固化，以增强组件结构的稳固性，确保耦合效率不变。而在这种耦合组件当中，可分为边缘耦合组件，以及表面光栅耦合组件。相比之下，边缘耦合的方式更为重要通用，因为其耦合性能对光波长以及偏振的不敏感，所以更能保证器件的整体良率。
54.现有技术缺点一：
55.参见附图1-附图3，在生产适合边缘耦合的硅光芯片的晶圆微纳加工过程中，会进行深刻蚀(大约在100-150μm深度)，以露出每颗芯片边缘的耦合器件与光纤阵列进行耦合封装。因此在晶圆进行划片分粒后，在芯片边缘经常都会出现一个台阶，或凸台，而凸台的宽度一般在30μm以上。
56.参见附图4，此凸台为目前硅光晶圆工艺普遍会出现的结构，基本上对芯片内部的器件没任何影响，因此往往被无视。近几年，在硅光器件封装需求日增的情况下，此副产物的影响开始受关注。这是因为在与光纤阵列进行耦合封装时，基于凸台最小有30-40μm的宽度，而光纤阵列的整体厚度也大于1mm，造成光纤阵列无法靠近芯片上的耦合结构，因此光纤阵列的耦合效率将会大大降低。
57.现有技术缺点二：
58.光纤阵列一般在与硅光芯片进行耦合对准之后，将进行点胶固化封装，以稳固之间的耦合。这两种器件之间的距离，除了会影响耦合对准，也会造成之间存在大体积的胶水，而这点胶工艺的不完美，比如胶水内部存在杂质或者微气泡，都将会增加耦合损耗。
59.现有技术缺点三：
60.参见附图5，在晶圆工艺中所制作出来的深刻蚀侧壁，一般都呈现出偏差于直角的倾斜度。而普遍的光纤阵列侧壁都是被磨成直角，因此就算没有凸台，光纤阵列仍然无法完美的和硅光芯片的侧壁角度进行吻合。
61.为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
62.本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，具体的理解为：可以同时包含有a与b，可以单独存在a，也可以单独存在b，能够具备上述三种任一种情况。
63.光纤阵列
64.参见附图6和附图7，本发明实施例提供的光纤阵列包括上盖板4、单模光纤尾纤6和v-槽衬底5。上盖板4为外形呈长方体的第一实体，v-槽衬底5为纵剖面呈直角梯形的第二实体，第二实体的第一斜面与竖直平面间具有二面角α，其中，1
°
≤α≤10
°
。上盖板4的底面与v-槽衬底5的上平面之间具有水平间隙，单模光纤尾纤6沿水平方向布设于水平间隙中，使得单模光纤尾纤6的出光面与第一斜面处于同一平面；上盖板4在与第一斜面相对应的面形成一回缩的第一竖直平面，令过第一斜面最底部交线的竖直平面为第二竖直平面，则第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离＞50μm。
65.本发明实施例提供的光纤阵列缩短上盖板4形成一缩回的第一竖直平面，在这种情况下，当硅光芯片8与光纤阵列耦合时，可以借助该缩回的第一竖直平面与硅光芯片的晶圆在深刻蚀工艺过程中形成的凸台3相适配，从而缩小光纤阵列的单模光纤尾纤6的出光面与硅光芯片8顶部具有的耦合通道之间的距离；并且，本发明实施例提供的光纤阵列还将光纤阵列的单模光纤尾纤6的出光面调整为一斜面，在本发明提供的光纤阵列与硅光芯片耦合时，单模光纤尾纤6的出光面处的斜面与硅光芯片8晶圆深刻蚀过程中于顶部形成所致的斜面相匹配，从而增加光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8的耦合接触面积。经过实验证实，与现有技术相比，本发明实施例提供的光纤阵列在与硅光芯片8耦合后，耦合损失大幅降低。因此，采用本发明实施例提供的硅光集成封装芯片的封装方法耦合封装所得的硅光集成封装芯片能够显著提高耦合效率。
66.其中，上盖板4的厚度取值范围为200μm-1000μm。在这种情况下，能够保证上盖板4对光纤阵列的单模光纤尾纤6的夹持强度。
67.其中，v-槽衬底5的厚度为500μm-2000μm，在这种情况下，能够保证v-槽衬底5对光纤阵列的单模光纤尾纤6的夹持强度。
68.其中，单模光纤尾纤6的数量与待封装的硅光芯片8的对应通道数量相同，在这种情况下，能够保证光纤阵列在与硅光芯片8耦合后的出光效率。
69.硅光集成封装芯片
70.参见附图8，本发明实施例提供的硅光集成封装芯片包括硅光芯片8、匹配固化胶7和本发明实施例提供的光纤阵列。硅光芯片8的顶部具有耦合通道，耦合通道的端面呈第二斜面。v-槽衬底5处于上方，而上盖板4处于下方；第一竖直平面的位置与硅光芯片8的衬底的位置相对应，第一斜面的位置与第二斜面的位置相对应，使得硅光芯片8与光纤阵列之间处于耦合位，匹配固化胶7设置于硅光芯片8与光纤阵列之间的耦合间隙内。
71.本发明实施例提供的硅光集成封装芯片所使用的光纤阵列缩短上盖板4形成一缩回的第一竖直平面，在这种情况下，当硅光芯片8与光纤阵列耦合时，可以借助该缩回的第一竖直平面与硅光芯片的晶圆在深刻蚀工艺过程中形成的凸台3相适配，从而缩小光纤阵列的单模光纤尾纤6的出光面与硅光芯片8顶部具有的耦合通道之间的距离；并且，该光纤阵列还将光纤阵列的单模光纤尾纤6的出光面调整为一斜面，在本发明实施例提供的硅光集成封装芯片中，单模光纤尾纤6的出光面处的斜面与硅光芯片8晶圆深刻蚀过程中于顶部形成所致的斜面相匹配，从而增加光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8的耦合接触面积。经过实验证实，与现有技术相比，本发明实施例提供的硅光集成封装芯片耦合损失大幅降低。因此，本发明实施例提供的硅光集成封装芯片能够显著提高耦合效率。
72.其中，第二斜面为在晶圆深刻蚀工艺过程中形成所致。第一斜面与竖直平面间具有的二面角α的角度根据第二斜面的倾斜角度能够调整，使得第一斜面与第二斜面平行。在这种情况下，能够增加光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8的接触面积，降低光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的耦合损失，提高光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的耦合效率。
73.其中，第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离根据硅光芯片8的衬底形状、第一斜面、第二斜面之间的距离能够调整，使得第一斜面与第二斜面之间无缝隙耦合。在这种情况下，由于光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的距离更加接近，因此，能够更进一步降低光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的耦合损失，提高光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的耦合效率。
74.硅光集成封装芯片的封装方法
75.本发明提供的硅光集成封装芯片的封装方法包括以下步骤：
76.步骤s1：取本发明实施例提供的光纤阵列，使得光纤阵列的单模光纤尾纤6的数量与待封装的硅光芯片8的对应通道数量相同；
77.步骤s2：倒置光纤阵列，使得v-槽衬底5处于上方，而上盖板4处于下方；
78.步骤s3：将光纤阵列与硅光芯片8分别置于耦合位，使得第一竖直平面的位置与硅光芯片8的衬底的位置相对应，第一斜面的位置与第二斜面的位置相对应；
79.步骤s4：向光纤阵列与硅光芯片8之间的耦合间隙内点加匹配固化胶7，静待，使得
光纤阵列与硅光芯片8耦合固化，得到硅光集成封装芯片。
80.采用本发明实施例提供的硅光集成封装芯片的封装方法过程中，所使用的光纤阵列缩短上盖板4形成一缩回的第一竖直平面，在这种情况下，当硅光芯片8与光纤阵列耦合时，可以借助该缩回的第一竖直平面与硅光芯片的晶圆在深刻蚀工艺过程中形成的凸台3相适配，从而缩小光纤阵列的单模光纤尾纤6的出光面与硅光芯片8顶部具有的耦合通道之间的距离；并且，该光纤阵列还将光纤阵列的单模光纤尾纤6的出光面调整为一斜面，采用本发明实施例提供的硅光集成封装芯片的封装方法封装所得的硅光集成封装芯片中，单模光纤尾纤6的出光面处的斜面与硅光芯片8晶圆深刻蚀过程中于顶部形成所致的斜面相匹配，从而增加光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8的耦合接触面积。经过实验证实，与现有技术相比，采用本发明实施例提供的硅光集成封装芯片的封装方法封装所得的硅光集成封装芯片耦合损失大幅降低。因此，本发明实施例提供的硅光集成封装芯片的封装方法能够显著提高耦合效率。
81.其中，第二斜面为在晶圆深刻蚀工艺过程中形成所致。步骤s1取光纤阵列，使得光纤阵列的单模光纤尾纤6的数量与待封装的硅光芯片8的对应通道数量相同的步骤过程中，还包括以下步骤：
82.针对第一斜面进行角度抛光，使得第一斜面与第二斜面平行。
83.在这种情况下，能够增加光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8的接触面积，降低光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的耦合损失，提高光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的耦合效率。
84.其中，步骤s1取光纤阵列，使得光纤阵列的单模光纤尾纤6的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同的步骤过程中，还包括以下步骤：
85.根据硅光芯片8的衬底形状，缩短上盖板4，调整第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离，使得第一斜面与第二斜面之间无缝隙耦合。
86.在这种情况下，由于光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的距离更加接近，因此，能够更进一步降低光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的耦合损失，提高光纤阵列的单模光纤尾纤6与硅光芯片8之间的耦合效率。
87.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
88.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

技术特征：
1.一种光纤阵列，其特征在于，包括上盖板、单模光纤尾纤和v-槽衬底，所述上盖板为外形呈长方体的第一实体，所述v-槽衬底为纵剖面呈直角梯形的第二实体，所述第二实体的第一斜面与竖直平面间具有二面角α，其中，1
°
≤α≤10
°
；所述上盖板的底面与所述v-槽衬底的上平面之间具有水平间隙，所述单模光纤尾纤沿水平方向布设于所述水平间隙中，使得所述单模光纤尾纤的出光面与所述第一斜面处于同一平面；所述上盖板在与所述第一斜面相对应的面形成一回缩的第一竖直平面，令过所述第一斜面最底部交线的竖直平面为第二竖直平面，则所述第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离＞50μm。2.根据权利要求1所述的光纤阵列，其特征在于，所述上盖板的厚度取值范围为200μm-1000μm。3.根据权利要求1所述的光纤阵列，其特征在于，所述v-槽衬底的厚度为500μm-2000μm。4.根据权利要求1所述的光纤阵列，其特征在于，所述单模光纤尾纤的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同。5.一种硅光集成封装芯片，其特征在于，包括硅光芯片、匹配固化胶和权利要求1-4中任一所述的光纤阵列，所述硅光芯片的顶部具有耦合通道，所述耦合通道的端面呈第二斜面；所述v-槽衬底处于上方，而所述上盖板处于下方；所述第一竖直平面的位置与所述硅光芯片的衬底的位置相对应，所述第一斜面的位置与所述第二斜面的位置相对应，使得所述硅光芯片与所述光纤阵列之间处于耦合位，所述匹配固化胶设置于所述硅光芯片与所述光纤阵列之间的耦合间隙内。6.根据权利要求5所述的硅光集成封装芯片，其特征在于，所述第二斜面为在晶圆深刻蚀工艺过程中形成所致；所述第一斜面与竖直平面间具有的二面角α的角度根据所述第二斜面的倾斜角度能够调整，使得所述第一斜面与第二斜面平行。7.根据权利要求6所述的硅光集成封装芯片，其特征在于，所述第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离根据所述硅光芯片的衬底形状、第一斜面、第二斜面之间的距离能够调整，使得所述第一斜面与第二斜面之间无缝隙耦合。8.权利要求5-7中任一所述的硅光集成封装芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：取权利要求要求1-4中任一所述的光纤阵列，使得所述光纤阵列的单模光纤尾纤的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同；倒置所述光纤阵列，使得所述v-槽衬底处于上方，而所述上盖板处于下方；将所述光纤阵列与所述硅光芯片分别置于耦合位，使得所述第一竖直平面的位置与所述硅光芯片的衬底的位置相对应，所述第一斜面的位置与所述第二斜面的位置相对应；向所述光纤阵列与所述硅光芯片之间的耦合间隙内点加匹配固化胶，静待，使得所述光纤阵列与所述硅光芯片耦合固化，得到所述硅光集成封装芯片。
9.根据权利要求8所述的硅光集成封装芯片的封装方法，其特征在于，所述第二斜面为在晶圆深刻蚀工艺过程中形成所致；所述取权利要求要求1-4中任一所述的光纤阵列，使得所述光纤阵列的单模光纤尾纤的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同的步骤过程中，还包括以下步骤：针对所述第一斜面进行角度抛光，使得所述第一斜面与第二斜面平行。10.根据权利要求8所述的硅光集成封装芯片的封装方法，其特征在于，所述取权利要求要求1-4中任一所述的光纤阵列，使得所述光纤阵列的单模光纤尾纤的数量与待封装的硅光芯片的对应通道数量相同的步骤过程中，还包括以下步骤：根据所述硅光芯片的衬底形状，缩短所述上盖板，调整所述第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离，使得所述第一斜面与第二斜面之间无缝隙耦合。

技术总结
本发明公开了一种光纤阵列、硅光集成封装芯片和封装方法，属于硅光芯片技术领域。该光纤阵列包括上盖板、单模光纤尾纤和V-槽衬底。上盖板为外形呈长方体的第一实体，V-槽衬底为纵剖面呈直角梯形的第二实体，第二实体的第一斜面与竖直平面间具有二面角α；上盖板的底面与V-槽衬底的上平面之间具有水平间隙，单模光纤尾纤沿水平方向布设于水平间隙中，使得单模光纤的出光面与第一斜面处于同一平面；上盖板具有第一竖直平面，令过第一斜面最底部交线的竖直平面为第二竖直平面，则第一竖直平面、第二竖直平面之间的距离＞50μm。该硅光集成封装芯片包括硅光芯片、匹配固化胶和该光纤阵列。该光纤阵列能够有效提高与硅光芯片的耦合效率。效率。效率。


技术研发人员：李志伟 袁晓君
受保护的技术使用者：北京弘光向尚科技有限公司
技术研发日：2023.06.08
技术公布日：2023/10/8