一种滤波装置及其制作方法与流程

1.本技术涉及滤波技术领域，尤其涉及一种滤波装置及其制作方法。


背景技术：

2.射频滤波器是从不同波长的电信号中选出或滤除特定波长电磁波的器件，可用在电子消费产品、通信基站、汽车电子等领域。
3.随着滤波器的应用越来越广泛，滤波器的实现方式也越来越多。其中，集成无源器件(ipd，integrated passive device)技术是利用薄膜电感、电容构成滤波器，能够实现高频、大宽带的性能要求。声学谐振器根据结构不同可以分为声表面波(saw)滤波器和体声波(baw)滤波器，其中，体声波滤波器是利用压电薄膜材料的压电效应和声波传播的物理特性制成的一种换能式无源带通滤波器。相较于利用集成无源器件技术制作的滤波器，声学谐振器虽然不能实现大带宽的要求，但由于其较高q值的优势，可以实现滤波器的快速滚降。因此，在5g领域设计滤波器时，可以结合二者各自的优势，获得高性能的滤波装置。但目前结合两者各自优势的高性能滤波装置的体积较大。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种滤波装置及其制作方法，以使得所述滤波装置既能实现大带宽的要求，又具有较高q值，可以实现滤波器的快速滚降，还体积较小。
5.具体的，本技术实施例提供了如下技术方案：
6.一种滤波装置，包括：声学谐振器和至少一个电容滤波器，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极；
7.其中，所述声学谐振器包括：压电层；位于所述压电层第一侧的第一区域的第一电极；位于所述压电层第二侧的第二区域的第二电极；位于所述第二电极远离所述压电层一侧的第一谐振腔以及位于所述第一电极远离所述压电层一侧的第二谐振腔；
8.在第一方向上，所述第一区域和所述第二区域部分交叠，部分不交叠，所述第一谐振腔至少部分区域与所述压电层接触，所述第二谐振腔至少部分区域与所述压电层接触。
9.可选的，还包括：
10.位于所述第二电极远离所述压电层一侧表面的第一介质层；
11.位于所述第一介质层远离所述第二电极一侧的截止边界层，所述截止边界层具有第一凸起和第二凸起，其中，所述第一凸起与所述压电层裸露区域接触，所述第二凸起与所述第一介质层接触，所述压电层、所述第一介质层、所述第一凸起、所述第二凸起以及所述截止边界层限定的区域为所述声学谐振器的第一谐振腔；
12.位于所述截止边界层朝向所述压电层一侧，且位于所述第一凸起远离所述第二凸起一侧的第一牺牲层；
13.位于所述截止边界层朝向所述压电层一侧，且位于所述第二凸起远离所述第一凸起一侧的第二牺牲层；
14.位于所述截止边界层远离所述第一介质层一侧的第一键合层(键合层a)以及第一衬底(衬底b)；
15.位于所述第一电极远离所述压电层一侧的第二衬底(衬底c)，所述第二衬底包括中心区域和边缘区域；
16.位于所述第二衬底与所述压电层之间，且位于所述边缘区域的第二键合层(键合层b)，所述第二键合层部分区域与所述第一电极接触，部分区域与所述压电层接触，所述第二衬底、第二键合层、第一电极以及所述压电层限定的区域为所述声学谐振器的第二谐振腔。
17.可选的，还包括：
18.位于所述第一介质层远离所述压电层一侧表面的第三电极，所述第三电极位于所述第二凸起远离所述第一凸起的一侧，所述第三电极、所述第一介质层和所述第二电极构成第一电容滤波器。
19.可选的，所述声学谐振器还包括：位于所述第二衬底远离所述压电层一侧，且与所述第一电极电连接的第一信号引线；位于所述第二衬底远离所述压电层一侧，且与所述第二电极电连接的第二信号引线；
20.所述滤波装置还包括：
21.覆盖所述第一信号引线和所述第二信号引线的第二介质层；
22.位于所述第二介质层远离所述第二衬底一侧的第四电极和/或第五电极；
23.在所述第一方向上，所述第四电极与所述第二信号引线至少部分交叠，所述第四电极、所述第二信号引线以及所述第二介质层构成第二电容滤波器；
24.在所述第一方向上，所述第五电极与所述第一信号引线至少部分交叠，所述第五电极、所述第二信号引线以及所述第二介质层构成第三电容滤波器。
25.可选的，所述滤波装置包括第四电极和所述第五电极，所述滤波装置还包括：第一电极引出结构和第二电极引出结构；
26.其中，所述第一电极引出结构与所述第一信号引线电连接，或与所述第五电极电连接；
27.所述第二电极引出结构与所述第二信号引线电连接，或与所述第四电极电连接。
28.一种滤波装置的制作方法，包括：制作声学谐振器和至少一个电容滤波器，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极中的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极；
29.其中，所述声学谐振器包括：压电层；位于所述压电层第一侧的第一区域的第一电极；位于所述压电层第二侧的第二区域的第二电极；位于所述第二电极远离所述压电层一侧的第一谐振腔以及位于所述第一电极远离所述压电层一侧的第二谐振腔；
30.在第一方向上，所述第一区域和所述第二区域部分交叠，部分不交叠，所述第一谐振腔至少部分区域与所述压电层接触，所述第二谐振腔至少部分区域与所述压电层接触。
31.可选的，还包括：
32.制作第一介质层，所述第一介质层位于所述第二电极远离所述压电层一侧表面；
33.制作第三电极，所述第三电极位于所述第一介质层远离所述压电层一侧表面，且所述第三电极位于所述第一谐振腔的一侧，与所述第一介质层、所述第二电极构成第一电容滤波器；
34.制作牺牲层，所述牺牲层位于所述第三电极远离所述第一介质层的一侧，所述牺牲层具有第一通孔(通孔a181)和第二通孔(通孔a182)；
35.制作截止边界层，所述截止边界层位于所述牺牲层远离所述第一介质层一侧，所述截止边界层还填充所述第一通孔(通孔a181)和所述第二通孔(通孔a182)，以在所述第一通孔形成第一凸起，在所述第二通孔形成第二凸起，其中，所述第一凸起与所述压电层裸露区域接触，所述第二凸起与所述第一介质层接触；
36.释放所述牺牲层位于所述第一凸起和所述第二凸起之间的部分，保留所述牺牲层位于所述第一凸起远离所述第二凸起一侧的部分，形成第一牺牲层以及位于所述第二凸起远离所述第一凸起一侧的部分，形成第二牺牲层，所述压电层、所述第一介质层、所述第一凸起、所述第二凸起以及所述截止边界层限定的区域为所述声学谐振器的第一谐振腔。
37.可选的，还包括：
38.制作第二键合层(键合层b)，所述第二键合层位于所述第一电极远离所述压电层的一侧，所述第二键合层还覆盖所述压电层裸露表面；
39.在所述第二键合层远离所述压电层一侧键合第二衬底(衬底c)；
40.释放所述第二键合层的预设区域，以使得所述第二衬底、第二键合层、第一电极以及所述压电层限定的区域为所述声学谐振器的第二谐振腔。
41.可选的，还包括
42.在所述第二衬底远离所述压电层一侧制作第一信号引线和第二信号引线，所述第一信号引线与所述第一电极电连接，所述第二信号引线与所述第二电极电连接。
43.可选的，还包括：
44.在所述第一信号引线和所述第二信号引线远离所述第二衬底一侧制作第二介质层，所述第二介质层还覆盖所述第二衬底裸露区域；
45.在所述第二介质层远离所述第二衬底一侧形成第四电极和/或第五电极；
46.在所述第一方向上，所述第四电极与所述第二信号引线至少部分交叠，所述第四电极、所述第二信号引线以及所述第二介质层构成第二电容滤波器；
47.在所述第一方向上，所述第五电极与所述第一信号引线至少部分交叠，所述第五电极、所述第二信号引线以及所述第二介质层构成第三电容滤波器。
48.与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
49.本技术实施例所提供的滤波装置及其制作方法，包括：声学谐振器和至少一个电容滤波器，从而使得所述滤波装置既包括声学谐振器，又包括电容滤波器，因此，本技术实施例所提供的滤波装置既能实现大带宽的要求，又具有较高q值，可以实现滤波器的快速滚降。
50.而且，本技术实施例所提供的滤波装置及其制作方法中，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极，从而将声学谐振器和电容滤波器制作在一个晶圆上，同时复用部分结构，以减小所述滤波装置的体积。
附图说明
51.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
52.图1-图34为本技术一个实施例所提供的滤波装置的制作过程中各结构示意图；
53.图35为本技术一个实施例所提供的滤波装置的性能曲线示意图。
具体实施方式
54.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
55.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。
56.其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
57.正如背景技术部分所述，目前结合高频、大宽带以及较高q值的高性能滤波装置的体积较大。
58.这是由于目前在制作结合高频、大宽带以及较高q值的高性能滤波装置时，是在一个晶圆上制作具有高频、大宽带性能的滤波器，在另一个晶圆上制作具有较高q值的滤波器，然后再通过共用基板将两个滤波器封装在一起，从而得到结合高频、大宽带以及较高q值的高性能滤波装置。
59.有鉴于此，本技术实施例提供了一种滤波装置及其制作方法，以既具有高频、大宽带的性能，又具有较高q值，还体积小。
60.下面结合具体实施例，对本技术实施例所提供的滤波装置及其制作方法进行描述。为了便于理解，本技术先对所述滤波装置的制作方法进行描述。
61.实施例一
62.本技术实施例所提供的滤波装置的制作方法包括：制作声学谐振器和至少一个电容滤波器，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极中的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极，从而将声学谐振器和电容滤波器制作在一个晶圆上，同时复用部分结构，以减小所述滤波装置的体积。
63.而且，本技术实施例所提供的滤波装置的制作方中，所述滤波装置既包括声学谐振器，又包括电容滤波器，因此，本技术实施例所提供的滤波装置既能实现大带宽的要求，又具有较高q值，可以实现滤波器的快速滚降。
64.需要说明的是，在本实施例中，所述声学谐振器包括：压电层；位于所述压电层第一侧的第一区域的第一电极；位于所述压电层第二侧的第二区域的第二电极；位于所述第
二电极远离所述压电层一侧的第一谐振腔以及位于所述第一电极远离所述压电层一侧的第二谐振腔；在第一方向上，所述第一区域和所述第二区域部分交叠，部分不交叠，所述第一谐振腔至少部分区域与所述压电层接触，所述第二谐振腔至少部分区域与所述压电层接触。
65.具体的，本技术实施例所提供的滤波装置的制作方法包括：
66.如图1所示，在衬底a100上依次制作过渡层110、种子层120、第一电极层130、压电层140和第二电极层150。其中，所述第一电极层用于制作第一电极，所述第二电极层用于制作第二电极。
67.可选的，在本技术的一个实施例中，所述衬底a100为硅衬底、绝缘体上的硅衬底、玻璃衬底、碳化硅衬底或砷化镓(gaas)衬底等；
68.过渡层110可以为氧化硅(sio2)层或氮化硅(sinx)层等，形成方式可以为热氧化工艺、物理气相沉积(pvd)工艺或化学气相沉积(cvd)工艺等；
69.种子层120可以为氮化铝(aln)层，形成方式为物理气相沉积(pvd)工艺，具体可为磁控溅射工艺；
70.所述第一电极层130可以为al层、cu层、mo层、au层或pt层，形成方式可以为物理气相沉积(pvd)工艺；同理，所述第二电极层150可以为al层、cu层、mo层、au层或pt层，形成方式可以为物理气相沉积(pvd)工艺；
71.压电层140可以为aln层、掺杂钪的氮化铝(alxsc1-xn)层、铌酸锂(linbo3)层，钽酸锂(litao3)层或石英层等，可以为多晶层，也可以为单晶层，形成方式为pvd或金属有机化学气相沉积(mocvd)等。
72.如图2所示，对所述第二电极层150的第三区域进行刻蚀，在所述第二电极层150中形成台阶结构151，以提高声学谐振器的性能。需要说明的是，在本实施例中，所述第三区域的边界到所述第二电极层的边界之间的距离大于零。
73.具体的，在本技术的一个实施例中，对所述第二电极层进行刻蚀的工艺可以为干法刻蚀工艺，也可以为湿法刻蚀工艺，但本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
74.如图3所示，在所述第二电极层150远离所述衬底a100的一侧形成第一介质层160，可选的，所述第一介质层160的形成工艺为沉积工艺，具体可以为pvd或cvd等，所述第一介质层的材料可以为sio2、sinx或aln等，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
75.需要说明的是，在本技术实施例中，所述第一介质层160为所述第二电极层150的保护层，防止所述第二电极层150被氧化，可选的，所述第一介质层还同时作为为后续形成的电容滤波器的电容介质层。
76.如图4所示，对所述第二电极层150的第四区域以及所述第一介质层160位于所述第二电极层第四区域表面的部分进行刻蚀，得到下电极图案结构，所述下电极图案结构包括所述第二电极层剩余部分(即第二电极152)以及所述第一介质层位于所述第二电极152表面的部分，在平行于所述衬底a所在的平面内，所述第四区域位于所述台阶结构的第一侧。可选的，对所述第一介质层和所述第二电极层进行刻蚀的工艺可以为湿法刻蚀工艺，也可以为干法刻蚀工艺。
77.在所述第一介质层远离所述压电层一侧表面制作第三电极，所述第三电极位于所述第一谐振腔的一侧，与所述第一介质层、所述第二电极构成第一电容滤波器。具体的，在
所述第一介质层远离所述压电层一侧表面制作第三电极包括：
78.如图5所示，在所述下电极图案结构表面第五区域形成第三电极170，也即在所述第一介质层160远离所述压电层140一侧表面的第五区域形成第三电极170，在平行于所述衬底a100所在的平面内，所述第五区域位于所述台阶结构151的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，需要说明的是，在本实施例中，所述第三电极170与所述第一介质层160、所述第二电极152构成第一电容滤波器。可选的，所述第三电极的材料可以为al、cu、mo、au或pt等，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
79.具体的，在本技术的一个实施例中，在所述下电极图案结构表面第五区域形成第三电极包括：
80.在所述下电极图案结构表面以及所述压电层裸露表面形成第三电极层，所述第三电极层的形成工艺可以为pvd、电镀或化学镀等；
81.对所述第三电极层进行刻蚀，去除所述第三电极层位于所述压电层表面的部分以及所述第三电极层位于所述下电极图案结构表面的一部分，保留所述第三电极层位于所述下电极图案结构表面的一部分(即保留所述第三电极层位于所述下电极图案结构表面第五区域的部分)，形成第三电极，可选的，所述第三电极层的刻蚀工艺可以为湿法刻蚀，也可以为干法刻蚀。
82.如图6所示，在所述下电极图案结构远离所述压电层140一侧形成牺牲层180，所述牺牲层180还覆盖所述压电层140裸露部分和所述第三电极170，即在所述第三电极170远离所述第一介质层160的一侧形成牺牲层，所述牺牲层在所述衬底a上的投影与所述衬底a重合，可选的，所述牺牲层180的材料可以为sio2、psg、usg、a-si或光刻胶等；所述牺牲层180的形成工艺可以为pvd、cvd或旋涂等。
83.如图7所示，对所述牺牲层180进行刻蚀，在所述牺牲层180中形成通孔a181(即第一通孔)和通孔b182(即第二通孔)，其中，所述通孔a181曝露所述压电层140部分表面，所述通孔b182曝露所述第一介质层160部分表面。具体的，所述牺牲层180的刻蚀工艺可以干法刻蚀，也可以为湿法刻蚀。
84.如图8所示，在所述牺牲层180远离所述第一介质层160一侧形成截止边界层190，所述截止边界层190还填充所述通孔a181(第一通孔)和所述通孔b182(第二通孔)，即所述截止边界层190覆盖所述牺牲层180以及所述通孔a181侧壁、所述通孔a181底部和所述通孔b182侧壁、所述通孔b182底部。需要说明的是，在本实施例中，所述截止边界层190具有朝向压电层140的第一凸起和第二凸起，所述第一凸起对应所述通孔a181，与所述压电层裸露区域接触，所述第二凸起对应所述通孔b182，与所述第一介质层接触。
85.还需要说明的是，在本实施例中，所述截止边界层190和所述牺牲层180为不同材料，以使得刻蚀牺牲层180时的化学物质不会对截止边界层190造成损伤。可选的，所述截止边界层190的材料可以为sio2或多晶硅(poly-si)，形成工艺可以为pvd，cvd等。
86.如图9所示，在所述截止边界层190远离所述压电层140一侧形成键合层a200(即第一键合层)，所述键合层a200覆盖所述截止边界层190表面，还填充所述通孔a和所述通孔b。可选的，所述键合层a的材料可以为sio2,形成工艺可以为pvd或cvd等，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
87.如图10所示，在所述键合层a200远离所述截止边界层190一侧键合衬底b210(即第
一衬底)。
88.如图11所示，将上述制作得到的各结构组成的晶圆翻转，从所述衬底a100远离所述衬底b210一侧，去除所述衬底a100和所述过渡层110，可选的，所述衬底a100和所述过渡层110的去除工艺可以为研磨(grinding)或化学机械抛光(cmp)的方式，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
89.如图12所示，对所述种子层120和所述第一电极层130位于第六区域的部分进行刻蚀，裸露所述压电层140部分表面，形成上电极图案结构，所述上电极图案包括第一电极131以及所述种子层位于所述第一电极131表面的部分。可选的，所述种子层120和所述第一电极层130的刻蚀工艺可以为湿法刻蚀，也可以为干法刻蚀。
90.如图13所示，在所述压电层140裸露部分形成通孔c1401，所述通孔c1401贯穿所述压电层140，裸露所述第二电极152部分表面，以便于第二电极152的引出。可选的，所述通孔c1401的形成工艺可以为湿法刻蚀工艺，也可以为干法刻蚀工艺。
91.如图14所示，在所述种子层120中形成通孔d1201，所述通孔d1201裸露所述第一电极131部分表面，以便于第一电极131的引出。具体的，所述通孔d1201的形成工艺可以为湿法刻蚀工艺，也可以为干法刻蚀工艺。
92.如图15所示，在所述通孔d内形成第一导通层230，所述第一导通层230覆盖所述通孔d侧壁和所述通孔d底部，还延伸至覆盖所述种子层120部分表面；在所述通孔c内形成第二导通层220，所述第二导通层220覆盖所述通孔c侧壁和所述通孔c底部，还延伸至覆盖所述压电层140部分表面。需要说明的是，在本实施例中，所述第一导通层与所述第一电极电连接，且相较于所述第一电极，所述第一导通层具有更高的导电率；所述第二导通层与所述第二电极电连接，且相较于所述第二电极，所述第二导通层具有更高的导电率。
93.可选的，在本技术的一个实施例中，所述第一导通层的材料可以为au、cu或al等，形成方式可以为pvd或电镀等；同理，所述第二导通层的材料可以为au、cu或al等，形成方式可以为pvd或电镀等。
94.可选的，所述第二导通层和所述第一导通层同时形成，以简化所述滤波装置的形成工艺，具体的，在本技术的一个实施例中，所述第一导通层和所述第二导通层的形成方法包括：
95.在所述种子层远离所述压电层一侧形成导通层，所述导通层覆盖所述种子层表面、所述通孔d表面、所述压电层裸露表面以及所述通孔c表面；
96.对所述导通层进行刻蚀，形成第一导通层和第二导通层，其中，所述第一导通层覆盖所述通孔d侧壁和所述通孔d底部，还延伸至覆盖所述种子层部分表面，所述第二导通层覆盖所述通孔c侧壁和所述通孔c底部，还延伸至覆盖所述压电层部分表面。
97.需要说明的是，在本实施例中，所述导通层的刻蚀工艺可以为湿法刻蚀工艺，也可以为干法刻蚀工艺。
98.如图16所示，释放牺牲层180的预设区域，在声学谐振器下方形成第一谐振腔1801，其中，所述预设区域位于所述第一凸起和第二凸起之间，即释放所述牺牲层180位于所述第一凸起和所述第二凸起之间的部分，保留所述牺牲层位于所述第一凸起远离所述第二凸起一侧的部分，形成第一牺牲层以及位于所述第二凸起远离所述第一凸起一侧的部分，形成第二牺牲层，所述第一谐振腔1801为所述压电层140、所述第一介质层160、所述第
一凸起、所述第二凸起以及所述截止边界层190限定的区域。
99.可选的，在本技术的一个实施例中，释放牺牲层的预设区域，在声学谐振器下方形成第一谐振腔包括：利用液相刻蚀或气相刻蚀的方法，释放牺牲层的预设区域，在声学谐振器下方形成第一谐振腔。
100.具体的，在本技术的一个实施例中，利用液相刻蚀或气相刻蚀的方法，释放牺牲层的预设区域，在声学谐振器下方形成第一谐振腔包括：
101.利用氢氟酸溶液(hf)或缓冲氧化物刻蚀液(boe)等液相刻蚀溶液，刻蚀所述牺牲层的预设区域，在声学谐振器下方形成第一谐振腔；
102.或，利用气态氟化氢(hf)或二氟化氙(xef2)等气体，刻蚀所述牺牲层的预设区域，在声学谐振器下方形成第一谐振腔。
103.如图17所示，形成键合层b240(第二键合层)，所述键合层b240位于所述第一电极131远离所述压电层140的一侧，即所述键合层b240位于所述种子层120远离所述压电层140一侧，所述键合层b240还覆盖所述压电层140裸露表面，所述键合层b具有通孔e2401和通孔f2402，其中，所述通孔e2401曝露所述第二导通层220表面部分区域，所述通孔f2402曝露所述第一导通层230表面部分区域。
104.可选的，在本技术的一个实施例中，所述键合层b的材料为sio2或sinx等，形成工艺可以为pvd或cvd等；在本技术的另一个实施例中，所述键合层b为类光刻胶的干膜物质，通过旋涂、光刻等工艺形成，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
105.在上述任一实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，所述通孔e和所述通孔f可以通过湿法刻蚀工艺形成，也可以通过干法刻蚀工艺形成，还可以通过曝光和显影工艺形成，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
106.如图18所示，在所述键合层b远离所述种子层120一侧键合衬底c250(第二衬底)，如图19所示，并在所述声学谐振器上方形成第二谐振腔2400，可选的，所述衬底c的材料可以为硅、玻璃、sic、gaas等，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
107.如图20所示，对所述衬底c250进行减薄，并在所述衬底c250中形成通孔g2501和通孔h2502，所述通孔g2501与所述通孔e2401连通，组成通孔m，所述通孔h2502与所述通孔f2402连通，组成通孔n。可选的，在本技术的一个实施例中，所述通孔g2501和通孔h2502的形成工艺为湿法刻蚀工艺，具体的，利用氢氧化钾溶液(koh)对所述衬底c进行湿法刻蚀，在所述衬底c中形成通孔g2501和通孔h2502；在本技术的另一个实施例中，所述通孔g2501和通孔h2502的形成工艺为干法刻蚀工艺，具体的，利用深反应离子刻蚀(drie)工艺，对所述衬底c进行干法刻蚀，在所述第三衬底中形成通孔g2501和通孔h2502。
108.如图21所示，在所述通孔n表面形成第一金属电极270，所述第一金属电极270与所述第一导通层230电连接，在所述通孔m表面形成第二金属电极260，所述第二金属电极260与所述第二导通层220电连接。需要说明的是，在本实施例中，所述通孔m表面包括所述通孔m底部和所述通孔m侧壁，所述通孔n表面包括所述通孔n底部和所述通孔n侧壁。
109.可选的，在本技术的一个实施例中，所述第二金属电极除位于所述通孔m表面外，还延伸至覆盖所述衬底c表面部分区域，所述第一金属电极除位于所述通孔n表面外，还延伸至覆盖所述衬底c表面部分区域。
110.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，在所述通孔n表面形成第一金
属电极，所述第一金属电极与所述第一导通层电连接，在所述通孔m表面形成第二金属电极，所述第二金属电极与所述第二导通层电连接包括：
111.在所述衬底c表面以及所述通孔m表面、所述通孔n表面沉积第一金属层；
112.对所述第一金属层进行刻蚀，保留所述第一金属层位于所述通孔m表面的部分以及所述第一金属层位于所述通孔表面n的部分，形成第一金属电极和第二金属电极。
113.如图22所示，在所述衬底c250(第二衬底)远离所述压电层140一侧制作第一信号引线290和第二信号引线280，所述第一信号引线290与所述第一电极131电连接，所述第二信号引线280与所述第二电极152电连接，具体的，在所述第一金属电极270表面形成第一信号引线290，所述第一信号引线290依次通过第一金属电极280、第一导通层230与所述第一电极131电连接，在所述第二金属电极260表面形成第二信号引线280，所述第二信号引线280依次通过第二金属电极260和第二导通层220与所述第二电极152电连接。需要说明的是，在本技术实施例中，所述第一信号引线和所述第二信号引线为所述声学谐振器的信号引线，可选的，所述第一信号引线和所述第二信号引线还可以作为后续制作的电容下电极。
114.可选的，在本技术的一个实施例中，所述第一信号引线的材料可以为cu、al、au或ag等，同理，所述第二信号引线的材料也可以为cu、al、au或ag等。可选的，所述第二信号引线和所述第一信号引线为同一材料，以使得所述第二信号引线和所述第一信号引线可以同时制作，但本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
115.具体的，在本技术的一个实施例中，在所述第一金属电极表面形成第一信号引线，在所述第二金属电极表面形成第二信号引线包括：
116.在所述第一金属电极表面、所述第二金属电极表面以及所述衬底c表面形成第二金属层；
117.对所述第二金属层进行刻蚀，去除所述第二金属层位于所述衬底c表面的部分，保留所述第二金属层位于所述第二金属电极表面的部分以及所述第二金属层位于所述第一金属电极表面的部分，得到位于所述第二金属电极表面的第二信号引线以及位于所述第一金属电极表面的第一信号引线。
118.可选的，在本技术的一个实施例中，所述第二金属层的形成工艺可以为pvd，包括蒸镀、溅射，或电镀等；所述第二金属层的刻蚀工艺可以为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
119.如图23所示，在所述第二信号引线280和所述第一信号引线290远离所述衬底c一侧形成第二介质层300，所述第二介质层300覆盖所述第二信号引线280、第一信号引线290以及所述衬底c裸露表面。需要说明的是，在本实施例中，所述第二介质层为后续形成的电容滤波器的电容介质层。可选的，所述第二介质层的材料可以为sio2或sinx等，形成工艺可以为cvd等，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
120.继续如图23所示，在所述第二介质层300远离所述衬底c一侧形成第四电极层310。
121.如图24所示，对所述第四电极层310进行刻蚀，形成第四电极3101和第五电极3102，在所述第一方向上，所述第四电极3101与所述第二信号引线280至少部分交叠，所述第四电极3101、所述第二信号引线280以及所述第二介质层300构成第二电容滤波器；
122.在所述第一方向上，所述第五电极3102与所述第一信号引线290至少部分交叠，所述第五电极3102、所述第二信号引线290以及所述第二介质层300构成第三电容滤波器。
123.需要说明的是，在本实施例中，所述第四电极在所述第二介质层所在平面内投影位于所述第二信号引线在所述第二介质层所在平面内的投影范围内，且所述第四电极的投影面积小于所述第二信号引线的投影面积；同理，所述第五电极在所述第二介质层所在平面内投影位于所述第一信号引线在所述第二介质层所在平面内的投影范围内，且所述第五电极的投影面积小于所述第一信号引线的投影面积。
124.还需要说明的是，图24示出的滤波装置中既包括第二电容滤波器，又包括第三电容滤波器，但本技术对此并不做限定，在本技术的其他实施例中，所述滤波装置还可以只包括第二电容滤波器，或只包括第三电容滤波器，具体视情况而定。
125.可选的，所述第四电极层的刻蚀工艺可以为干法刻蚀工艺，也可以为湿法刻蚀工艺。
126.如图25-图32所示，制作第一电极引出结构和第二电极引出结构，其中，所述第一电极引出结构用于实现第一电极与外界的电连接，所述第二电极引出结构用于实现第二电极和外界的电连接。其中，所述第二电极引出结构可以与所述第二信号引线电连接，以实现第二电极的引出，也可以与所述第四电极电连接，以实现第二电极的引出；同理，所述第一电极引出结构可以与所述第一信号引线电连接，实现第一电极的引出，也可以与所述第五电极电连接，实现第一电极的引出。
127.具体的，如图25所示，对所述第二介质层300进行刻蚀，在所述第二介质层300中形成通孔p3001，所述通孔p曝露所述第一信号引线290部分区域，以便于第三电容滤波器的下电极的引出，也即第一信号引线290的引出，从而便于后续实现第一电极与外界的电连接。具体的，所述第二介质层300的刻蚀工艺可以为干法刻蚀工艺，也可以湿法刻蚀工艺，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
128.如图26所示，在所述第二介质层300远离所述衬底c一侧形成第三介质层320，所述第三介质层320覆盖所述第二介质层300、第四电极3101和第五电极3102。可选的，所述第三介质层的材料可以为光敏有机材料，如聚酰亚胺(简写为pi)、苯并环丁烯(bcb)等，形成时通过旋涂的方式制作得到。
129.如图27所示，对所述第三介质层320进行刻蚀，在所述第三介质层320中形成通孔q3201和通孔r3202，其中，所述通孔q3201与所述通孔p3001连通，组成通孔s，所述通孔s曝露所述第一信号引线290部分区域，所述通孔r3202贯穿所述第三介质层，曝露所述第四电极3101部分区域，具体的，在本技术一个实施例中，通过对所述第三介质层进行曝光、显影得到所述第通孔q3201和通孔r3202。
130.需要说明的是，虽然图27示出的是通孔s曝露所述第一信号引线290部分区域，来实现第一电极与外界的电连接，但本技术对此并不做限定，在本技术的其他实施例中，还可以不选择通孔s曝露所述第一信号引线290部分区域，而是选择通孔q曝露所述第五电极3102部分区域，来实现第一电极与外界的电连接，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
131.同理，虽然图27示出的是第三介质层320中的通孔r3202曝露所述第四电极3101部分区域，来实现第二电极152与外界的电连接，但本技术对此并不做限定，在本技术的其他实施例中，第三介质层320中的通孔r3202还可以不选择曝露第四电极3101的部分区域，来实现第二电极与外界的电连接，而是选择曝露所述第二信号引线280的部分区域，来实现第
二电极与外界的电连接，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
132.如图28所示，在所述第三介质层320远离所述第二介质层300一侧形成第五电极层330，所述第五电极层330覆盖所述第三介质层320，还填充所述通孔s和所述通孔r，可选的，所述第五电极层的材料可以为cu、al、au或ag，优选为cu，形成工艺可以为pvd，如溅射、蒸镀等，也可以为电镀，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
133.如图29所示，对所述第五电极层330进行图形化，形成第六电极3301和第七电极3302，其中，所述第六电极3301与所述第四电极3101电连接，所述第七电极3302与所述第一信号引线290电连接，具体的，所述第五电极层的图形化方法可以为湿法刻蚀，也可以为干法刻蚀。
134.如图30所示，在所述第六电极3301和第七电极3302远离所述第三介质层320一侧形成第四介质层340，所述第四介质层340具有通孔t3401和通孔u3402，所述通孔t曝露所述第六电极3301部分区域，所述通孔u3402曝露所述第七电极3302部分区域。可选的，所述第四介质层的材料可以为光敏有机材料，如聚酰亚胺(简写为pi)、苯并环丁烯(bcb)等，形成时通过旋涂的方式制作得到；所述通孔t3401和通孔u3402可以通过曝光、显影得到。
135.如图31所示，在所述第四介质层340远离所述第三介质层320一侧形成第六电极层350，所述第六电极层350还填充所述通孔t3401和通孔u3402；
136.如图32所示，对所述第六电极层350进行图形化，得到第八电极3501和第九电极3502，其中，所述第八电极3501通过所述通孔t3401与所述第六电极3301电连接，所述第九电极3502通过所述通孔u3402与所述第七电极3302电连接。
137.可选的，所述第六电极层的材料可以为cu、al、au或ag，优选为cu，形成工艺可以为pvd，如溅射、蒸镀等，也可以为电镀；所述第六电极层的图形化工艺可以为干法刻蚀工艺，也可以为湿法刻蚀工艺，本技术对此并不做限定，具体视情况而定。
138.需要说明的是，在本实施例中，所述第七电极和第九电极组成第一电极引出结构，所述第六电极和第八电极组成第二电极引出结构。
139.如图33所示，在所述第八电极3501和第九电极3502远离所述第四介质层340一侧形成第五介质层360，所述第五介质层360中具有通孔v3601和通孔w3602，其中，所述通孔v3601曝露所述第八电极3501表面部分区域，所述通孔w3602曝露所述第九电极3502表面部分区域。可选的，所述第五介质层的材料可以为光敏有机材料，如聚酰亚胺(简写为pi)、苯并环丁烯(bcb)等，形成时可以通过旋涂的方式制作得到；所述通孔v3601和通孔w3602通过曝光、显影得到。
140.需要说明的是，在本实施例中，所述通孔v3601和通孔w3602用于和外界电连接。
141.具体的，在本技术的一个实施例中，通过引线键合(wire bonding)的方式将第八电极3501和第九电极3502分别经过通孔v3601和通孔w3602与外界进行电信号的连接。
142.在本技术的另一个实施例中，如图34所示，在所述通孔v3601和通孔w3602内依次形成衬垫370，焊球380，然后通过凸点(bumping)方式与外界电连接。
143.如图35所示，图35示出了本技术实施例所提供的滤波装置的性能曲线示意图，其中横坐标为传输信号频率，纵坐标为传输信号的插入损耗。从图35可以看出，本技术实施例所提供的滤波装置工作在n79频段(4.4ghz-5ghz)。在紧邻的wifi5ghz频段(5.17ghz-5.835ghz)，抑制度可以迅速达到30db，性能得到了显著提升。
144.由上可知，利用本技术实施例所提供的滤波装置的制作方法制作的滤波装置，包括：声学谐振器和至少一个电容滤波器，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极，从而将声学谐振器和电容滤波器制作在一个晶圆上，同时复用部分结构，以减小所述滤波装置的体积。
145.而且，利用本技术实施例所提供的滤波装置的制作方法制作的滤波装置，既包括声学谐振器，又包括电容滤波器，因此，本技术实施例所提供的滤波装置既能实现大带宽的要求，又具有较高q值，可以实现滤波器的快速滚降。
146.此外，本技术实施例还提供利用上述任一实施例所提供的制作方法制作的滤波装置。
147.如图34所示，本技术实施例所提供的滤波装置包括：声学谐振器和至少一个电容滤波器，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极；
148.其中，所述声学谐振器包括：压电层140；位于所述压电层140第一侧的第一区域的第一电极131；位于所述压电层140第二侧的第二区域的第二电极152；位于所述第二电极152远离所述压电层140一侧的第一谐振腔以及位于所述第一电极131远离所述压电层140一侧的第二谐振腔；
149.在第一方向上，所述第一区域和所述第二区域部分交叠，部分不交叠，所述第一谐振腔至少部分区域与所述压电层接触，所述第二谐振腔至少部分区域与所述压电层接触。
150.可选的，在本技术的一个实施例中，所述滤波装置还包括：
151.位于所述第二电极152远离所述压电层140一侧表面的第一介质层160；
152.位于所述第一介质层160远离所述第二电极152一侧的截止边界层190，所述截止边界层190具有第一凸起和第二凸起，其中，所述第一凸起与所述压电层140裸露区域接触，所述第二凸起与所述第一介质层160接触，所述压电层140、所述第一介质层160、所述第一凸起、所述第二凸起以及所述截止边界层190限定的区域为所述声学谐振器的第一谐振腔；
153.位于所述截止边界层190朝向所述压电层140一侧，且位于所述第一凸起远离所述第二凸起一侧的第一牺牲层；
154.位于所述截止边界层190朝向所述压电层140一侧，且位于所述第二凸起远离所述第一凸起一侧的第二牺牲层；
155.位于所述截止边界层190远离所述第一介质层160一侧的第一键合层200(键合层a)以及第一衬底210(衬底b)；
156.位于所述第一电极131远离所述压电层140一侧的第二衬底250(衬底c)，所述第二衬底250包括中心区域和边缘区域；
157.位于所述第二衬底250与所述压电层140之间，且位于所述边缘区域的第二键合层240(键合层b)，所述第二键合层240部分区域与所述第一电极131接触，部分区域与所述压电层140接触，所述第二衬底250、第二键合层240、第一电极131以及所述压电层140限定的区域为所述声学谐振器的第二谐振腔。
158.具体的，在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，还包括：
159.位于所述第一介质层160远离所述压电层140一侧表面的第三电极170，所述第三电极170位于所述第二凸起远离所述第一凸起的一侧，所述第三电极170、所述第一介质层
160和所述第二电极152构成第一电容滤波器。
160.在上述任一实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，所述声学谐振器还包括：位于所述第二衬底250远离所述压电层140一侧，且与所述第一电极131电连接的第一信号引线290；位于所述第二衬底250远离所述压电层140一侧，且与所述第二电极152电连接的第二信号引线280；在本实施例中，所述滤波装置还包括：
161.覆盖所述第二信号引线280和所述第一信号引线290的第二介质层300；
162.位于所述第二介质层300远离所述第二衬底250一侧的第四电极3101和/或第五电极3102；
163.在所述第一方向上，所述第四电极3101与所述第二信号引线280至少部分交叠，所述第四电极3101、所述第二信号引线280以及所述第二介质层300构成第二电容滤波器；
164.在所述第一方向上，所述第五电极3102与所述第一信号引线290至少部分交叠，所述第五电极3102、所述第二信号引线290以及所述第二介质层300构成第三电容滤波器。
165.在上述实施例的基础上，在本技术的一个实施例中，所述滤波装置包括第四电极和所述第五电极，所述滤波装置还包括：第一电极引出结构和第二电极引出结构；其中，所述第一电极引出结构与所述第一信号引线电连接，或与所述第五电极电连接，用于将第一电极的电连接端引出，便于与外界电连接；所述第二电极引出结构与所述第二信号引线电连接，或与所述第四电极电连接，用于将第二电极的电连接端引出，便于与外界电连接。
166.可选的，在本技术的一个实施例中，所述滤波装置还包括：与所述第二电极引出结构和第一电极引出结构电连接的衬垫和焊球，具体的，所述滤波装置包括：
167.第一衬垫和第一焊球，所述第一衬垫与所述第一电极引出结构电连接，第一焊球与所述第一衬垫电连接，用于电连接第一电极引出结构和外界；
168.第二衬垫和第二焊球，所述第二衬垫与所述第二电极引出结构电连接，第二焊球与所述第二衬垫电连接，用于电连接第二电极引出结构和外界。
169.需要说明的是，由于所述滤波装置的细节结构在所述滤波装置的制作方法中已经进行了详细描述，这里不再详细赘述。
170.还需要说明的是，本技术实施例所提供的滤波装置及其方法虽然是以所述滤波装置包括三个电容滤波器为例进行描述的，但本技术对此并不做限定，在本技术的其他实施例中，所述滤波装置还可以包括其他数量个电容滤波器，具体视情况而定。
171.综上，本技术实施例所提供的滤波装置及其制作方法，包括：声学谐振器和至少一个电容滤波器，从而使得所述滤波装置既包括声学谐振器，又包括电容滤波器，因此，本技术实施例所提供的滤波装置既能实现大带宽的要求，又具有较高q值，可以实现滤波器的快速滚降。
172.而且，本技术实施例所提供的滤波装置及其制作方法中，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极，从而将声学谐振器和电容滤波器制作在一个晶圆上，同时复用部分结构，以减小所述滤波装置的体积。
173.本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
174.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。
对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种滤波装置，其特征在于，包括：声学谐振器和至少一个电容滤波器，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极；其中，所述声学谐振器包括：压电层；位于所述压电层第一侧的第一区域的第一电极；位于所述压电层第二侧的第二区域的第二电极；位于所述第二电极远离所述压电层一侧的第一谐振腔以及位于所述第一电极远离所述压电层一侧的第二谐振腔；在第一方向上，所述第一区域和所述第二区域部分交叠，部分不交叠，所述第一谐振腔至少部分区域与所述压电层接触，所述第二谐振腔至少部分区域与所述压电层接触。2.根据权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第二电极远离所述压电层一侧表面的第一介质层；位于所述第一介质层远离所述第二电极一侧的截止边界层，所述截止边界层具有第一凸起和第二凸起，其中，所述第一凸起与所述压电层裸露区域接触，所述第二凸起与所述第一介质层接触，所述压电层、所述第一介质层、所述第一凸起、所述第二凸起以及所述截止边界层限定的区域为所述声学谐振器的第一谐振腔；位于所述截止边界层朝向所述压电层一侧，且位于所述第一凸起远离所述第二凸起一侧的第一牺牲层；位于所述截止边界层朝向所述压电层一侧，且位于所述第二凸起远离所述第一凸起一侧的第二牺牲层；位于所述截止边界层远离所述第一介质层一侧的第一键合层以及第一衬底；位于所述第一电极远离所述压电层一侧的第二衬底，所述第二衬底包括中心区域和边缘区域；位于所述第二衬底与所述压电层之间，且位于所述边缘区域的第二键合层，所述第二键合层部分区域与所述第一电极接触，部分区域与所述压电层接触，所述第二衬底、第二键合层、第一电极以及所述压电层限定的区域为所述声学谐振器的第二谐振腔。3.根据权利要求2所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层远离所述压电层一侧表面的第三电极，所述第三电极位于所述第二凸起远离所述第一凸起的一侧，所述第三电极、所述第一介质层和所述第二电极构成第一电容滤波器。4.根据权利要求2所述的滤波装置，其特征在于，所述声学谐振器还包括：位于所述第二衬底远离所述压电层一侧，且与所述第一电极电连接的第一信号引线；位于所述第二衬底远离所述压电层一侧，且与所述第二电极电连接的第二信号引线；所述滤波装置还包括：覆盖所述第二信号引线和所述第一信号引线的第二介质层；位于所述第二介质层远离所述第二衬底一侧的第四电极和/或第五电极；在所述第一方向上，所述第四电极与所述第二信号引线至少部分交叠，所述第四电极、所述第二信号引线以及所述第二介质层构成第二电容滤波器；在所述第一方向上，所述第五电极与所述第一信号引线至少部分交叠，所述第五电极、所述第二信号引线以及所述第二介质层构成第三电容滤波器。5.根据权利要求4所述的滤波装置，其特征在于，所述滤波装置包括第四电极和所述第
五电极，所述滤波装置还包括：第一电极引出结构和第二电极引出结构；其中，所述第一电极引出结构与所述第一信号引线电连接，或与所述第五电极电连接；所述第二电极引出结构与所述第二信号引线电连接，或与所述第四电极电连接。6.一种滤波装置的制作方法，其特征在于，包括：制作声学谐振器和至少一个电容滤波器，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极中的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极；其中，所述声学谐振器包括：压电层；位于所述压电层第一侧的第一区域的第一电极；位于所述压电层第二侧的第二区域的第二电极；位于所述第二电极远离所述压电层一侧的第一谐振腔以及位于所述第一电极远离所述压电层一侧的第二谐振腔；在第一方向上，所述第一区域和所述第二区域部分交叠，部分不交叠，所述第一谐振腔至少部分区域与所述压电层接触，所述第二谐振腔至少部分区域与所述压电层接触。7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括：制作第一介质层，所述第一介质层位于所述第二电极远离所述压电层一侧表面；制作第三电极，所述第三电极位于所述第一介质层远离所述压电层一侧表面，且所述第三电极位于所述第一谐振腔的一侧，与所述第一介质层、所述第二电极构成第一电容滤波器；制作牺牲层，所述牺牲层位于所述第三电极远离所述第一介质层的一侧，所述牺牲层具有第一通孔和第二通孔；制作截止边界层，所述截止边界层位于所述牺牲层远离所述第一介质层一侧，所述截止边界层还填充所述第一通孔和所述第二通孔，以在所述第一通孔形成第一凸起，在所述第二通孔形成第二凸起，其中，所述第一凸起与所述压电层裸露区域接触，所述第二凸起与所述第一介质层接触；释放所述牺牲层位于所述第一凸起和所述第二凸起之间的部分，保留所述牺牲层位于所述第一凸起远离所述第二凸起一侧的部分，形成第一牺牲层以及位于所述第二凸起远离所述第一凸起一侧的部分，形成第二牺牲层，所述压电层、所述第一介质层、所述第一凸起、所述第二凸起以及所述截止边界层限定的区域为所述声学谐振器的第一谐振腔。8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括：制作第二键合层，所述第二键合层位于所述第一电极远离所述压电层的一侧，所述第二键合层还覆盖所述压电层裸露表面；在所述第二键合层远离所述压电层一侧键合第二衬底；释放所述第二键合层的预设区域，以使得所述第二衬底、第二键合层、第一电极以及所述压电层限定的区域为所述声学谐振器的第二谐振腔。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括在所述第二衬底远离所述压电层一侧制作第一信号引线和第二信号引线，所述第一信号引线与所述第一电极电连接，所述第二信号引线与所述第二电极电连接。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一信号引线和所述第二信号引线远离所述第二衬底一侧制作第二介质层，所述第二介质层还覆盖所述第二衬底裸露区域；在所述第二介质层远离所述第二衬底一侧形成第四电极和/或第五电极；
在所述第一方向上，所述第四电极与所述第二信号引线至少部分交叠，所述第四电极、所述第二信号引线以及所述第二介质层构成第二电容滤波器；在所述第一方向上，所述第五电极与所述第一信号引线至少部分交叠，所述第五电极、所述第二信号引线以及所述第二介质层构成第三电容滤波器。

技术总结
本申请实施例公开了一种滤波装置及其制作方法，该滤波装置包括声学谐振器和至少一个电容滤波器，从而使得所述滤波装置既包括声学谐振器，又包括电容滤波器，因此，本申请实施例所提供的滤波装置既能实现大带宽的要求，又具有较高Q值，可以实现滤波器的快速滚降。而且，该滤波装置中，所述声学谐振器包括多个电极，所述多个电极的至少一个电极的至少部分区域复用为所述电容滤波器的部分电极，从而将声学谐振器和电容滤波器制作在一个晶圆上，同时复用部分结构，以减小所述滤波装置的体积。以减小所述滤波装置的体积。以减小所述滤波装置的体积。


技术研发人员：梁骥 唐供宾 邹洁
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：2023.06.30
技术公布日：2023/10/7