一种Micro-OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法与流程

一种micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法
技术领域
1.本发明属于oled显示的技术领域。更具体地，本发明涉及一种micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法。


背景技术：

2.micro-oled技术是进眼显示设备最佳方案之一，正逐步成为vr、ar产品的主流显示器。micro-oled技术基础是有机发光二极管(oled)，该技术原理为oled在电压/电流驱动型下被点亮，显示设备通过对电压/电流的控制实现对像素(pixel)的控制，从而显示不同的画面。
3.为了精准控制画面，就需对器件的电压/电流进行精准控制，但由于像素定义层(pixel definition layer，pdl)膜层通常为化学气相沉积(cvd)制备的sio/sin膜层，这就导致pdl处存在轻微漏电流现象，引发像素无法精确控制，如像素整体微发光或像素边缘发光等现象，进而导致显示器出现颜色不均、残影等异常。
4.对现有技术进行检索，得到与本发明相关的技术文献检索结果：
5.中国专利文献：“像素电路及其驱动方法、阵列基板及显示装置”，专利(申请)号为：201980001352.x。其记载的技术方案为：
[0006]“该像素电路(10)包括第一调节电路(100)和第二调节电路(200)。第一调节电路(100)被配置为接收第一数据信号(data1)以及发光控制信号(em)以控制用于驱动发光元件(300)发光的驱动电流的大小；第二调节电路(200)被配置为接收第二数据信号(data2)以及时间控制信号(tc)以控制驱动电流施加于发光元件(300)的时间；其中，时间控制信号(tc)在发光控制信号(em)允许驱动电流产生的时间段内变化”；
[0007]“该像素电路(10)可以控制驱动电流施加于发光元件(300)的时间，在保证发光元件(300)工作在较高电流密度的前提下，通过控制发光元件(300)的发光时间，使得发光元件(300)可以实现各种灰阶显示”。
[0008]
但是，上述公开的技术方案并未能解决现有技术存在的“pdl处存在轻微漏电流现象，引发像素无法精确控制，如像素整体微发光或像素边缘发光等现象，进而导致显示器出现颜色不均、残影等异常”的问题和缺陷。


技术实现要素：

[0009]
本发明提供一种micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，其目的是有效抑制像素间的漏电流现象。
[0010]
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
[0011]
本发明micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的micro-oled包括像素定义层；所述的方法利用原子层沉积技术(ald)制备致密alo
x
，hfo2(氧化铪)或alo
x
/hfo2叠层膜，作为像素定义层(pdl)。
[0012]
所述的方法过程如下：
[0013]
步骤1、在带有cmos基板上制备出micro-oled的anode结构；
[0014]
步骤2、利用原子层沉积技术(ald)制备高介电常数(high k值)的像素定义层(pdl)；
[0015]
步骤3、利用涂胶/曝光/显影及etch工艺对ald方法制备的alo
x
，hfo2像素定义层(pdl)进行刻蚀，进而形成像素定义层标准结构。
[0016]
在所述的步骤2中，片源进入ald腔体，通入n2，100～2000sccm；通入前驱体-1，三甲基铝(tma)或四二乙基氨基铪(tdeah)，0.1～2s，清洗(purge)：5～100s，通入前驱体-2，水(h2o)，0.1～2s，清洗(purge)，5～200s；循环生长500～100000cycle(循环周期)，生长10～2000nm。
[0017]
或者，所述的步骤2替换为：使用plasma型(等离子体)ald工艺制备alo
x
，hfo2或alo
x
/hfo2叠层膜作为像素定义层(pdl)。
[0018]
本发明采用上述技术方案，通过ald方法制备的具备高介电常数的alo
x
，hfo2像素定义层(pdl)，有效抑制像素间的漏电流现象，从而精准控制像素点亮(开启)进而实现显示屏幕精细控制，解决或缓解像素边缘发光问题。
附图说明
[0019]
图1为本发明micro-oled的阳极结构示意图；
[0020]
图2为本发明在micro-oled的阳极结构上利用原子层沉积技术(ald)制备高介电常数(high k值)的像素定义层(pdl)示意图；
[0021]
图3为本发明micro-oled的高介电常数(high k值)像素定义层etch后的形貌示意图。
具体实施方式
[0022]
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，以帮助本领域的技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
[0023]
如图1至图3所示本发明的阳极结构。本发明为一种micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的micro-oled的阳极结构包括像素定义层。图中，anode为阳极；substrate为基板；pdl为像素定义层。
[0024]
为了解决现有技术存在的问题并克服其缺陷，实现有效抑制像素间的漏电流现象的发明目的，本发明采取的技术方案为：
[0025]
如图1至图3所示，本发明micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的方法利用原子层沉积技术(ald)制备致密alo
x
，hfo2(氧化铪)或alo
x
/hfo2叠层膜，作为像素定义层(pdl)。
[0026]
本发明的上述方法，利用原子层沉积技术(ald)制备致密alo
x
，hfo2(氧化铪)或alo
x
/hfo2叠层膜，作为像素定义层(pdl)，取代传统的化学气相沉积(cvd)方式制备的sio/sin(sio介电常数3.6～4，sin介电常数7～8)pdl，通过alo
x
，hfo2自身的高介电常数(alo
x
介电常数8～9，hfo2介电常数14～18)特性，有效抑制像素间的漏电流现象，从而精准控制像素点亮(开启)进而实现显示屏幕精细控制。
[0027]
所述的方法过程如下：
[0028]
步骤1、在带有cmos基板上制备出micro-oled的anode结构；如图1所示；
[0029]
步骤2、利用原子层沉积技术(ald)制备高介电常数(high k值)的像素定义层(pdl)；
[0030]
步骤3、如图3所示：利用涂胶/曝光/显影及etch工艺对ald方法制备的alo
x
，hfo2像素定义层(pdl)进行刻蚀，进而形成像素定义层标准结构。
[0031]
在所述的步骤2中，如图2所示：
[0032]
片源进入ald腔体，通入n2，100～2000sccm；通入前驱体-1，三甲基铝(tma)或四二乙基氨基铪(tdeah)，0.1～2s，清洗(purge)：5～100s；通入前驱体-2，水(h2o)，0.1～2s，清洗(purge)，5～200s；循环生长500～100000cycle(循环周期)，生长10～2000nm。
[0033]
所述的步骤2也可使用plasma型(等离子体)ald工艺制备alo
x
，hfo2或alo
x
/hfo2叠层膜作为像素定义层(pdl)。
[0034]
ald方法制备的alo
x
，hfo2像素定义层(pdl)介电常数比传统的化学气相沉积(cvd)方式制备的sio/sin大225～500％。抑制漏电流效果显著增强，从而让像素边缘发光等现象极大缓解或消失。
[0035]
综上所述，本发明通过ald方法制备的具备高介电常数的alo
x
，hfo2像素定义层(pdl)抑制像素间的漏电流情况，解决或缓解像素边缘发光问题。
[0036]
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，所述的micro-oled包括像素定义层；其特征在于：所述的方法利用原子层沉积技术制备致密alo
x
，hfo2或alo
x
/hfo2叠层膜，作为像素定义层。2.按照权利要求1所述的micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：所述的方法过程如下：步骤1、在带有cmos基板上制备出micro-oled的anode结构；步骤2、利用原子层沉积技术制备高介电常数的像素定义层；步骤3、利用涂胶/曝光/显影及etch工艺对ald方法制备的alo
x
，hfo2像素定义层进行刻蚀，进而形成像素定义层标准结构。3.按照权利要求2所述的micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：在所述的步骤2中，片源进入ald腔体，通入n2，100～2000sccm。4.按照权利要求3所述的micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：接着，通入前驱体-1，三甲基铝或四二乙基氨基铪，0.1～2s，清洗，5～100s。5.按照权利要求4所述的micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：然后，通入前驱体-2，水，0.1～2s，清洗，5～200s。6.按照权利要求5所述的micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：最后，循环生长500～100000cycle，生长10～2000nm。7.按照权利要求2所述的micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：所述的步骤2替换为：使用plasma型ald工艺制备alo
x
或hfo2膜层作为像素定义层。8.按照权利要求2所述的micro-oled有效抑制像素定义层漏电流的方法，其特征在于：所述的步骤2替换为：使用plasma型ald工艺制备alo
x
/hfo2叠层膜作为像素定义层。

技术总结
本发明公开了一种Micro-OLED有效抑制像素定义层漏电流的方法，利用原子层沉积技术制备致密AlO


技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：深圳市芯视佳半导体科技有限公司
技术研发日：2023.06.30
技术公布日：2023/10/11