一种玻璃基指纹芯片的减薄方法与流程

1.本发明涉及指纹芯片技术领域，具体涉及一种玻璃基指纹芯片的减薄方法。


背景技术：

2.指纹是人类手指末端指腹上由凹凸的皮肤所形成的纹路，由于其具有终身不变性、唯一性和方便性，已几乎成为生物特征识别的代名词。
3.对于电容式的玻璃基指纹芯片来说，玻璃基板的厚度、均匀度和光滑度对于指纹芯片的识别灵敏度具有重要的影响。
4.常规的玻璃刻蚀液以氢氟酸为主，采用其来减薄指纹芯片的玻璃基板容易产生厚度不均匀，表面不光滑等问题，无法满足指纹芯片玻璃基板的使用要求。
5.另外，如何保护玻璃基板非接触面上的导电线路、指纹识别阵列、ic芯片等结构在玻璃基板减薄过程中不被破坏，是有待解决的问题。


技术实现要素：

6.本发明所要解决的技术问题在于，提供一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，减薄速度快，减薄后的玻璃基板厚度均匀、表面光滑。
7.本发明还要解决的技术问题在于，提供一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，提高玻璃基指纹芯片的减薄良率。
8.为了实现上述目的，本发明提供了一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，包括以下步骤；s101、将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上，所述保护层的厚度比ic芯片的厚度大50μm或以上，且所述保护层的拉伸强度≥50mpa；s102、将所述指纹芯片浸泡在减薄液中，并去硼硅玻璃基板表面的反应产物；其中，所述减薄液包括以下重量份的原料：20~25份氢氟酸、10~15份氢补充剂、8~12份氟补充剂、1~5份氨基羧酸盐络合剂、1~3份表面活性剂和35~60份纯水；s103、将所述指纹芯片取出清洗，得到减薄后的玻璃基指纹芯片。
9.作为上述方案的改进，所述将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上的方法包括：在非接触面和/或保护层上涂覆密封胶；将保护层盖合在非接触面上并压合保护层，以使保护层和非接触面形成密封连接。
10.作为上述方案的改进，在将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上之前，还包括以下步骤：提供指纹芯片和保护层；其中，所述指纹芯片包括硼硅玻璃基板、指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口，所述硼硅玻璃基板具有相背设置的接触面和非接触面，所述指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口设置在非接触面上；
所述保护层开设有凹槽，所述凹槽用于容纳所述ic芯片。
11.作为上述方案的改进，所述硼硅玻璃基板的线膨胀系数为（3.0
±
0.1）
×
10-6
/k，折射率为1.52~1.58，透光率≥93%。
12.作为上述方案的改进，所述保护层由高分子聚合物制成，所述高分子聚合物选自聚醚醚酮、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、聚苯硫醚和聚砜中的至少一种，且所述高分子聚合物的密度为1.2-2.4g/cm3。
13.作为上述方案的改进，所述保护层的厚度比ic芯片的厚度大50~100μm。
14.作为上述方案的改进，所述氢补充剂包括硫酸、硝酸和盐酸，其中，所述硫酸、硝酸和盐酸的质量比为1:（3~5）：1：（1~2）。
15.作为上述方案的改进，所述氨基酸盐络合剂选用氨三乙酸钠、乙二胺四乙酸盐和二乙烯三胺五羧酸盐中的一种或几种；和/或，所述氟补充剂选用氟化铵和/或氟化氢铵。
16.作为上述方案的改进，所述去除基板表面的反应产物的方法包括：采用超声波来振动减薄液，以去除所述基板表面的反应产物；和/或，采用搅拌的方法来搅拌减薄液，以去除所述基板表面的反应产物。
17.作为上述方案的改进，所述硼硅玻璃基板减薄前的厚度为200~500μm，减薄后的厚度为50~100μm。
18.通过上述技术方案，本发明具有如下优势：本发明针对硼硅玻璃基板所研发的玻璃减薄液和减薄方法具有优秀的减薄效果。首先，减薄速度快，刻蚀速率达到6μm/min以上；其次，减薄后的玻璃基板厚度均匀性佳，厚度均匀性k%＜5%；再次，减薄后的玻璃基板表面光滑；最后，减薄良率高，玻璃基板非接触面上的导电线路、指纹识别阵列、ic芯片等结构在玻璃基板减薄过程中不被破坏。
附图说明
19.图1是本发明玻璃基指纹芯片的减薄方法的实施例流程图；图2是本发明指纹芯片的剖面图；图3是本发明保护层的结构示意图；图4是本发明实施例2的玻璃基指纹芯片减薄后的实物图；图5是本发明对比例1的玻璃基指纹芯片减薄后的实物图；图6是本发明对比例2的玻璃基指纹芯片减薄后的实物图。
实施方式
20.在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
21.参见图1，图1为本发明玻璃基指纹芯片的减薄方法的实施例流程图，其包括：s101、将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上；在将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上之前，还包括以下步
骤，提供指纹芯片和保护层。
22.参见图2，本发明的指纹芯片包括硼硅玻璃基板1、指纹识别阵列2、ic芯片3、连接线路4和对外接口5。其中，硼硅玻璃基板1具有相对设置的接触面11和非接触面12，其中接触面11为与手指接触的一面，指纹识别阵列2、ic芯片3、连接线路4和对外接口5设置在非接触面12上。
23.本发明的硼硅玻璃基板具有非常低的热膨胀系数和良好的抗断裂性能，因此对于提高指纹芯片的良率起着重要的作用。此外，本发明的硼硅玻璃基板还具有低色散和相对较低的折射率，对于提高指纹芯片的灵敏度同样起到重要的作用。
24.本发明硼硅玻璃基板的线膨胀系数为（3.0
±
0.1）
×
10-6
/k，折射率为1.52~1.58，透光率≥93%。本发明的硼硅玻璃基板中硼的含量为6%~15%，硅含量为70%~80%。
25.本发明采用硼硅玻璃基板来作为指纹芯片的基板，与蓝宝石基板相比，硼硅玻璃基板具有价格便宜、可做成任意尺寸、可进行大规模生产、可做出大面积的掌纹识别传感器的优点。为了同时兼顾指纹芯片“可有效识别和采集信号”和“厚度满足可靠性”的这两个条件，硼硅玻璃基板的厚度优选为50~100μm。
26.但基于现有的运输条件、以及需要在硼硅玻璃基板上制作指纹识别阵列、ic芯片、连接线路、对外接口等，若直接采用50~100μm的硼硅玻璃基板来制作指纹芯片，则硼硅玻璃基板在制作过程中容易碎裂，严重影响良率。
27.根据实验得出，用来制作指纹芯片的硼硅玻璃基板厚度在200μm或以上，制作指纹识别阵列、ic芯片、连接线路、对外接口这些结构时发生碎裂的情形明显降低。另外，硼硅玻璃基板的厚度也不能太大，这样会增加硼硅玻璃基板的减薄时间，降低生产效率。优选地，所述硼硅玻璃基板减薄前的厚度为200~500μm。更优地，所述硼硅玻璃基板减薄前的厚度为300~400μm。
28.参见图3，保护层6开设有凹槽61，该凹槽61用于容纳ic芯片。由于设置在非接触面上的ic芯片高度一般为100~700μm，而指纹识别阵列、连接线路、对外接口这些结构的高度一般小于20μm，为了降低指纹芯片的整体厚度，以及提高非接触面和保护层之间的密封性，本发明在保护层朝向非接触面的一侧开设用于容纳ic芯片的凹槽。
29.本发明的保护层具有以下两个作用：
①
密封和保护作用，与非接触面形成密封连接，保护非接触面上的结构不被减薄液破坏；
②
支撑作用，增加指纹芯片的整体强度，作为硼硅玻璃基板的支撑结构。
30.为了实现保护层上述两个作用，本发明保护层需满足以下特性：1、保护层由高分子聚合物制成，高分子聚合物选自聚醚醚酮、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、聚苯硫醚和聚砜中的至少一种，且高分子聚合物的密度为1.2-2.4g/cm3。
31.研究发现，上述材料制成的保护层不仅耐得住减薄液的腐蚀，而且容易制成精度符合要求的保护层，更好地与非接触面形成密封连接。
32.2、保护层的厚度比ic芯片的厚度大50μm或以上，且保护层的拉伸强度≥50mpa。
33.由于保护层需要开设用于容纳ic芯片的凹槽，因此保护层的厚度要大于ic芯片的厚度，但保护层的厚度过大，则会增加指纹芯片的整体厚度以及增加生产成本。经过研究发现，当保护层的厚度比ic芯片的厚度大50μm或以上且保护层的拉伸强度≥70mpa时，保护层在后续压合、封装加热等步骤中不易发生变形，且经过减薄液浸泡后，也不会发生变形、产
生翘曲，有效提高指纹芯片的良率，且能通过100w次的可靠性按压测试。
34.优选地，保护层的厚度比ic芯片的厚度大50~100μm。
35.将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上的方法包括：（1）在非接触面和/或保护层上涂覆密封胶；（2）将保护层盖合在非接触面上并压合保护层，以使保护层和非接触面形成密封连接。
36.s102、将指纹芯片浸泡在减薄液中，并去除硼硅玻璃基板表面的反应产物；具体的，本发明的减薄液包括以下重量份的原料：20~25份氢氟酸、10~15份氢补充剂、8~12份氟补充剂、1~5份氨基羧酸盐络合剂、1~3份表面活性剂和35~60份纯水。
37.本发明减薄液中的20~25份氢氟酸主要与硼硅玻璃基板起反应，由于在使用过程中氢氟酸的含量会不断降低，因此本发明在减薄液中加入10~15份氢补充剂来增加减薄液中氢离子的浓度，提高蚀刻效率，并尽可能地溶解金属氟化物沉淀；另外加入8~12份氟补充剂可以让减薄液中氢氟酸的浓度保持在适宜的水平，从而保证相对均匀的刻蚀速率；其次加入1~5份氨基羧酸盐络合剂可以与溶液中的金属离子形成络合物，增大金属化合物的溶解度，避免其附着在硼硅玻璃基板表面，提高硼硅玻璃基板表面的光滑度；最后加入1~3份表面活性剂能够降低硼硅玻璃基板的表面张力，使减薄液容易浸润硼硅玻璃基板的表面，从而提高蚀刻速率，同时也能减少硼硅玻璃基板减薄过程中的放大效应，增大硼硅玻璃基板表面的平整度。
38.氢补充剂可以采用硫酸、硝酸、盐酸、草酸等，但经验申请人的研究发现，针对本发明的硼硅玻璃，本发明氢补充剂包括硫酸、硝酸和盐酸，其中，硫酸、硝酸和盐酸的质量比为1:（3~5）：1：（1~2）。
39.优选地，硫酸、硝酸和盐酸的质量比为（3~4）：1：2。
40.为了与氢补充剂配合，本发明的氟补充剂可以选用氟化铵和/或氟化氢铵，但不限于此。
41.针对本发明的硼硅玻璃基板，本发明氨基酸盐络合剂选用氨三乙酸钠、乙二胺四乙酸盐和二乙烯三胺五羧酸盐中的一种或几种。
42.优选地，硼硅玻璃基板的刻蚀速率为6~10μm/min。刻蚀速率是指硼硅玻璃基板浸泡在减薄液中每分钟厚度减少的值。研究发现，若硼硅玻璃基板的刻蚀速率过快，则硼硅玻璃基板表面容易附着大量的反应产物，使得硼硅玻璃基板的表面粗糙不平；若硼硅玻璃基板的刻蚀速率过慢，则影响生产效率。
43.需要说明的是，减薄液的浓度越高，对硼硅玻璃基板的蚀刻速率越快，但硼硅玻璃基板表面越容易发生反应产物附着的问题，这样硼硅玻璃基板的表面容易粗糙。为了同时兼顾蚀刻速率和硼硅玻璃基板表面光滑度，首先本发明通过调整减薄液的配方以获得合适浓度的的减薄液；其次将硼硅玻璃基板浸泡在减薄液中并及时去除硼硅玻璃基板表面的反应产物。
44.去除硼硅玻璃基板表面的反应产物的方法包括：采用超声波来振动减薄液，以去除硼硅玻璃基板表面的反应产物；和/或，采用搅拌的方法来搅拌减薄液，以去除硼硅玻璃基板表面的反应产物。
45.其中，搅拌的方法可以采用磁力搅拌、机械搅拌或手动搅拌的方法。优选地，本发明的搅拌方法采用磁力搅拌。
46.优选地，去除硼硅玻璃基板表面的反应产物的方法包括：采用超声波来振动减薄液同时采用搅拌的方法来搅拌减薄液。
47.s103、将指纹芯片取出清洗，得到减薄后的玻璃基指纹芯片。
48.具体的，指纹芯片从减薄液取出来后用纯水冲洗，以去除硼硅玻璃基板表面的反应产物和减薄液。清洗完成后，可以自然风干、吹干或烘干，本发明不作具体限定。
49.硼硅玻璃基板减薄后的厚度为100μm或以下。优选地，硼硅玻璃基板减薄后的厚度为50~100μm。
50.申请人发现，将硼硅玻璃基板从300μm减薄至50μm的过程中，由于要蚀刻减薄的程度较大，现有的玻璃蚀刻液往往会因蚀刻过快而使在硼硅玻璃基板的表面出现局部过蚀现象，从而导致硼硅玻璃基板表面出现一些凹坑、进一步导致硼硅玻璃基板的厚度均匀性较差。
51.另外，硼硅玻璃基板减薄过程中所产生的难溶解产物若不及时、有效地去除，很容易附着在硼硅玻璃基板的表面形成麻点，使硼硅玻璃基板的表面变得粗糙不光滑。而硼硅玻璃基板的厚度均匀性较差、表面光滑度较差又会导致最终制作的玻璃基指纹芯片所获得的指纹图像不清晰，无法满足使用要求。
52.本发明针对硼硅玻璃基板所研发的玻璃减薄液和减薄方法具有优秀的减薄效果。首先，减薄速度快，刻蚀速率达到6μm/min以上；其次，减薄后的玻璃基板厚度均匀性佳，厚度均匀性k%＜5%；再次，减薄后的玻璃基板表面光滑；最后，减薄良率高，玻璃基板非接触面上的导电线路、指纹识别阵列、ic芯片等结构在玻璃基板减薄过程中不被破坏。
53.下面将以具体实施例来进一步阐述本发明
实施例1
54.一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，包括以下步骤：s101、提供指纹芯片，该指纹芯片包括硼硅玻璃基板、指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口，其中，硼硅玻璃基板具有相背设置的接触面和非接触面，指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口设置在非接触面上，其中，硼硅玻璃基板的线膨胀系数为（3.0
±
0.1）
×
10-6
/k，折射率为1.52~1.58，透光率≥93%，厚度为200μm；s102、提供保护层，该保护层开设有用于容纳ic芯片的凹槽，其中保护层的厚度比ic芯片的厚度大100μm，拉伸强度为120mpa，该保护层由密度为1.4g/cm3聚醚醚酮制成；s103、将密封胶涂覆在非接触面上，凹槽与ic芯片对位，并将保护层压合在非接触面上；s104、将指纹芯片浸泡在减薄液中，并采用超声波和磁力搅拌的方法来振动和搅拌减薄液，以去除硼硅玻璃基板表面的反应产物；其中，减薄液包括以下重量份的原料：20份氢氟酸、6份硫酸、2份硝酸、4份盐酸、10份氟化铵、1份乙二胺四乙酸盐、1份表面活性剂和56份纯水；s105、将指纹芯片取出用纯水清洗，得到减薄后的玻璃基指纹芯片。
实施例2
55.一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，包括以下步骤：
s101、提供指纹芯片，该指纹芯片包括硼硅玻璃基板、指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口，其中，硼硅玻璃基板具有相背设置的接触面和非接触面，指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口设置在非接触面上，其中，硼硅玻璃基板的线膨胀系数为（3.0
±
0.1）
×
10-6
/k，折射率为1.52~1.58，透光率≥93%，厚度为300μm；s102、提供保护层，该保护层开设有用于容纳ic芯片的凹槽，其中保护层的厚度比ic芯片的厚度大80μm，拉伸强度为100mpa，该保护层由密度为1.5g/cm3聚酰亚胺制成；s103、将密封胶涂覆在非接触面上，凹槽与ic芯片对位，并将保护层压合在非接触面上；s104、将指纹芯片浸泡在减薄液中，并采用超声波和磁力搅拌的方法来振动和搅拌减薄液，以去除硼硅玻璃基板表面的反应产物；其中，减薄液包括以下重量份的原料：22份氢氟酸、8份硫酸、2份硝酸、4份盐酸、5份氟化铵、7份氟化氢铵、1份氨三乙酸钠、1份乙二胺四乙酸盐、1份二乙烯三胺五羧酸盐、2份表面活性剂和47份纯水；s105、将指纹芯片取出用纯水清洗，得到减薄后的玻璃基指纹芯片。
实施例3
56.一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，包括以下步骤：s101、提供指纹芯片，该指纹芯片包括硼硅玻璃基板、指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口，其中，硼硅玻璃基板具有相背设置的接触面和非接触面，指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口设置在非接触面上，其中，硼硅玻璃基板的线膨胀系数为（3.0
±
0.1）
×
10-6
/k，折射率为1.52~1.58，透光率≥93%，厚度为400μm；s102、提供保护层，该保护层开设有用于容纳ic芯片的凹槽，其中保护层的厚度比ic芯片的厚度大60μm，拉伸强度为137mpa，该保护层由密度为1.7g/cm3聚苯硫醚制成；s103、将密封胶涂覆在非接触面上，凹槽与ic芯片对位，并将保护层压合在非接触面上；s104、将指纹芯片浸泡在减薄液中，并采用超声波和磁力搅拌的方法来振动和搅拌减薄液，以去除硼硅玻璃基板表面的反应产物；其中，减薄液包括以下重量份的原料：23份氢氟酸、10份硫酸、2份硝酸、4份盐酸、7份氟化铵、6份氟化氢铵、1份氨三乙酸钠、2份乙二胺四乙酸盐、1份二乙烯三胺五羧酸盐、2份表面活性剂和42份纯水；s105、将指纹芯片取出用纯水清洗，得到减薄后的玻璃基指纹芯片。
实施例4
57.一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，包括以下步骤：s101、提供指纹芯片，该指纹芯片包括硼硅玻璃基板、指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口，其中，硼硅玻璃基板具有相背设置的接触面和非接触面，指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口设置在非接触面上，其中，硼硅玻璃基板的线膨胀系数为（3.0
±
0.1）
×
10-6
/k，折射率为1.52~1.58，透光率≥93%，厚度为500μm；s102、提供保护层，该保护层开设有用于容纳ic芯片的凹槽，其中保护层的厚度比
ic芯片的厚度大50μm，拉伸强度为70mpa，该保护层由密度为1.24g/cm3聚砜制成；s103、将密封胶涂覆在非接触面上，凹槽与ic芯片对位，并将保护层压合在非接触面上；s104、将指纹芯片浸泡在减薄液中，并采用超声波和磁力搅拌的方法来振动和搅拌减薄液，以去除硼硅玻璃基板表面的反应产物；其中，减薄液包括以下重量份的原料：25份氢氟酸、9份硫酸、3份硝酸、6份盐酸、15份氟化氢铵、1份氨三乙酸钠、2份乙二胺四乙酸盐、2份二乙烯三胺五羧酸盐、2份表面活性剂和35份纯水；s105、将指纹芯片取出用纯水清洗，得到减薄后的玻璃基指纹芯片。
对比例1
58.与实施例2不同的是，对比例1步骤s102中保护层的厚度比ic芯片的厚度大20μm，拉伸强度为40mpa，该保护层由密度为1.25g/cm3聚乳酸制成。
对比例2
59.与实施例2不同的是，对比例2步骤s101中指纹芯片的基板为钢化玻璃基板，钢化玻璃基板的线膨胀系数为（1.0
±
0.1）
×
10-5
/k，折射率为1.45~1.50，透光率为80%~85%，厚度为300μm。
对比例3
60.与实施例2不同的是，对比例3步骤s104中将指纹芯片浸泡在减薄液中，采用磁力搅拌的方法搅拌减薄液，其中减薄液包括以下重量份的原料：15份氢氟酸、3份硫酸、3份硝酸、3份盐酸、5份氟化铵、7份氟化氢铵和64份纯水。
对比例4
61.与实施例2不同的是，对比例4步骤s104中将指纹芯片浸泡在减薄液中，采用磁力搅拌的方法搅拌减薄液，其中减薄液包括以下重量份的原料：30份氢氟酸、8份硫酸、4份硝酸、6份盐酸、8份氟化铵、8份氟化氢铵、1份氨三乙酸钠、1份乙二胺四乙酸盐、1份二乙烯三胺五羧酸盐、2份表面活性剂和31份纯水。
62.将实施例1~4和对比例1~4减薄后的玻璃基指纹芯片进行烘干，然后对烘干后的玻璃基指纹芯片进行厚度测试以及外观评价，测试结果如下表1所示和图4~图6所示。
63.其中，厚度均匀性的计算方法是：减薄后的玻璃基板按照九宫格方式测试九个位置的厚度，厚度均匀性k％＝(厚度最大值-厚度最小值)/平均值*100％，玻璃基板厚度均匀性要求≤10％。
64.另外，合格是指通过上述减薄方法加工得到了厚度为50μm、厚度均匀性合格、玻璃基板表面光洁度高、非接触面上指纹识别阵列、ic芯片、连接电路不被破坏的玻璃基指纹芯片。
65.需要说明的是，实施例1~4和对比例1~4中所采用的ic芯片厚度相同，所采用的密封胶均为双组分聚氨酯密封胶。
66.表1实施例1~4和对比例1~4减薄后的玻璃基板的效果评价表
67.从图4和图5可知，对比例1中的保护层厚度过小且拉伸强度低，减薄过程中保护层连同玻璃基板一起发生翘曲，指纹识别阵列发生损坏。由此可知保护层的厚度和拉伸强度对于减薄效果起着重要的影响。
68.从图4和图6可知，对比例2中的玻璃基板为钢化玻璃基板，减薄过程中由于受到应力的拉扯，玻璃基板产生了翘曲并与保护层发生脱离，减薄液渗入到非接触面，指纹识别阵列损坏和连接电路损坏。由此可知钢化玻璃不适合作为本发明玻璃基指纹芯片的基板。
69.从表1中实施例2和对比例3~4的结果可知，减薄液的组分和各组分中的比例对硼硅玻璃基板的减薄效果起着关键的作用。对比例3的减薄液中氢氟酸含量过少且缺少氨基羧酸盐络合剂和表面活性剂，因此其刻蚀速率低，厚度均匀性差，玻璃基板表面有较多的附作物和凹点，外观效果不合格。另外，对比例4的减薄液中氢氟酸的含量过多，刻蚀速率高，但厚度均匀性差，玻璃基板表面有较多的附作物和凹点，外观效果不合格。
70.以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，包括以下步骤；s101、将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上，所述保护层的厚度比ic芯片的厚度大50μm或以上，且所述保护层的拉伸强度≥50mpa；s102、将所述指纹芯片浸泡在减薄液中，并去硼硅玻璃基板表面的反应产物；其中，所述减薄液包括以下重量份的原料：20~25份氢氟酸、10~15份氢补充剂、8~12份氟补充剂、1~5份氨基羧酸盐络合剂、1~3份表面活性剂和35~60份纯水；s103、将所述指纹芯片取出清洗，得到减薄后的玻璃基指纹芯片。2.如权力要求1所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，所述将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上的方法包括：在非接触面和/或保护层上涂覆密封胶；将保护层盖合在非接触面上并压合保护层，以使保护层和非接触面形成密封连接。3.如权力要求1或2所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，在将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上之前，还包括以下步骤：提供指纹芯片和保护层；其中，所述指纹芯片包括硼硅玻璃基板、指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口，所述硼硅玻璃基板具有相背设置的接触面和非接触面，所述指纹识别阵列、ic芯片、连接电路和对外接口设置在非接触面上；所述保护层开设有凹槽，所述凹槽用于容纳所述ic芯片。4.如权力要求3所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，所述硼硅玻璃基板的线性膨胀系数为（3.0
±
0.1）
×
10-6
/k，折射率为1.52~1.58，透光率≥93%。5.如权力要求1所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，所述保护层由高分子聚合物制成，所述高分子聚合物选自聚醚醚酮、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、聚苯硫醚和聚砜中的至少一种，且所述高分子聚合物的密度为1.2-2.4g/cm3。6.如权力要求1或5所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，所述保护层的厚度比ic芯片的厚度大50~100μm。7.如权力要求1所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，所述氢补充剂包括硫酸、硝酸和盐酸，其中，所述硫酸、硝酸和盐酸的质量比为1:（3~5）：1：（1~2）。8.如权力要求1或7所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，所述氨基酸盐络合剂选用氨三乙酸钠、乙二胺四乙酸盐和二乙烯三胺五羧酸盐中的一种或几种；和/或，所述氟补充剂选用氟化铵和/或氟化氢铵。9.如权力要求1所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，所述去除基板表面的反应产物的方法包括：采用超声波来振动减薄液，以去除所述基板表面的反应产物；和/或，采用搅拌的方法来搅拌减薄液，以去除所述基板表面的反应产物。10.如权力要求1所述的玻璃基指纹芯片的减薄方法，其特征在于，所述硼硅玻璃基板减薄前的厚度为200~500μm，减薄后的厚度为50~100μm。

技术总结
本发明涉及指纹芯片领域，公开了一种玻璃基指纹芯片的减薄方法，包括以下步骤；S101、将保护层盖合在指纹芯片的硼硅玻璃基板的非接触面上；S102、将所述指纹芯片浸泡在减薄液中，并去硼硅玻璃基板表面的反应产物；S103、将所述指纹芯片取出清洗，得到减薄后的玻璃基指纹芯片。本发明的减薄方法减薄速度快，减薄后的玻璃基板厚度均匀、表面光滑。表面光滑。表面光滑。


技术研发人员：蓝梓淇 林剑 陈瑶
受保护的技术使用者：广东绿展科技有限公司
技术研发日：2023.06.05
技术公布日：2023/10/11