一种高功率微波屏蔽复合材料及其制备方法与流程

1.本技术涉及电子材料的技术领域，特别是一种高功率微波屏蔽复合材料及其制备方法。


背景技术：

2.高功率微波(high power microwave，hpm)是指频段在0.3—300ghz、峰值功率大于100mw或平均功率大于1mw的电磁脉冲。
3.如今，强电磁脉冲的峰值功率可达到mw甚至gw级别，并且可以同时攻击多个目标，电子元件在经受如此高强度的电磁冲击后，会在瞬间出现大规模故障、烧毁等问题，进而导致设备与系统的失效甚至瘫痪，造成极大的经济损失与严重的后果。此外，hpm对人体同样会造成极大损伤。在中华人民共和国生态环境部于1989年制定的gb9175-88“环境电磁波卫生标准”中曾指出，若暴露于功率密度达200mw/cm2的电磁波下便可致小鼠脑、肝等器官内细胞氧化；若短时间经过hpm辐照，可直接将生物烧伤或烧死，严重时还会导致生物失去活动能力。
4.目前主要的电磁防护手段有滤波技术、超快限幅技术以及使用高性能电磁防护材料三种。滤波是最常用的频域防护技术之一，通过滤波器限制电磁波的频带输出，将威胁电子设备运行的带外信号滤除，可以有效抑制带外电磁信号耦合，广泛用于雷达、通信以及空基武器装备等电磁防护中，但由于滤波技术只能针对某一频段，很难应对目前多频段覆盖的hpm毁伤武器。在超快限幅技术方面，发达国家很早便开展了相关器件的研发，使常规限幅器响应时间大幅提升，但是峰值能量泄漏问题目前还没有得到很好的解决。高性能电磁防护材料属于空域电磁防护技术，将具有电气敏感性的电子设备与电磁辐射干扰隔离，以保证内部器件与人员的安全，并且使用时无需对保护对象进行修改，具有不影响仪器正常运转的优势。因此高性能的hpm防护材料成为当下的研究热点。
5.目前主流的电磁防护填料(主要包括导电聚合物，碳基材料，金属纳米材料与二维过渡金属碳化物和/或氮化物)本身均具有较高电导率，无论其填料组份如何，表面普遍都覆盖有连续的导电层，而面对不同频段、不同功率的电磁波，在表面会激发起不同电流密度的面电流，造成局部过热、短路甚至打火等现象，尤其面对高功率电磁脉冲的冲击时，其功率密度可能会达到10w/cm2以上，严重威胁着周边人员与设备的安全。因此，开发出表面低电导的hpm防护材料，成为了当下相关领域的研究热点与难点。


技术实现要素：

6.本技术针对以上技术问题，提供一种表面低电导的hpm屏蔽复合材料及其制备方法。该复合材料包括基团化碳纳米管(cnt)与mxene以及甲基乙烯基有机硅橡胶(mvq)基底，采用热压成型、化学改性等技术手段，制备出一种“cnt-mxene”的叠层复合材料。“cnt-mxene”的叠层复合材料利用cnt层与mxene层的协同复合作用，使得在未引入磁性金属的情况下，具备更优的hpm屏蔽效能，整体填料负载量降低，表面直流电导率减小。该表面低电导
的屏蔽材料制备对高功率微波复合材料发展与应用具有重要意义。特别地，由于导电填料的低负载量，使其具有较低的表面电导率，避免了局部短路、过热等危害，为hpm防护提供支撑。
7.第一方面，提供了一种hpm屏蔽复合材料，包括第一cnt复合层与第一mxene复合层，第一cnt复合层与第一mxene复合层层叠设置；cnt复合层由改性mvq与改性cnt混合而成，mvq的改性和cnt的改性用于实现cnt在mvq中的均匀分散；mxene复合层由改性mvq与改性mxene混合而成，mvq的改性和mxene的改性用于实现mxene在mvq中的均匀分散。
8.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述hpm屏蔽复合材料还包括第二cnt复合层，第一cnt复合层、第一mxene复合层和第二cnt复合层依次层叠设置构成三明治层叠结构。
9.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，所述hpm屏蔽复合材料还包括第二mxene复合层，第一mxene复合层、第一cnt复合层和第二mxene复合层依次层叠设置构成三明治层叠结构。
10.结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，改性cnt指羟基化的cnt，改性mvq指羟基化的mvq，改性mxene指羟基化或羧基化的mxene。
11.第二方面，提供了一种hpm屏蔽复合材料的制备方法，包括：
12.在第一cnt复合层上对第一mxene复合层的密炼产物进行固化，或者在第一mxene复合层上对第一cnt复合层的密炼产物进行固化；
13.所述第一cnt复合层的密炼产物通过以下方式制备：
14.对cnt进行改性处理，得到改性cnt粉末；
15.对mvq进行改性处理，得到改性mvq；
16.在改性后的mvq预混物加入制备好的改性cnt，将其放入密炼机进行密炼；
17.所述第一mxene复合层的密炼产物通过以下方式制备：
18.对mxene进行改性处理，得到改性mxene粉末；
19.对mvq进行改性处理，得到改性mvq；
20.在改性后的mvq预混物加入制备好的改性mxene，将其放入密炼机进行密炼。
21.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述对cnt进行改性处理，包括：
22.将cnt分散液放入甲醇中，并缓慢加入硼氢化钠，缓慢搅拌充分反应；
23.通过聚四氟乙烯膜对共混液进行过滤，随后用去离子水冲洗直到滤液ph值呈中性，干燥后得到改性的cnt。
24.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述对mxene进行改性处理，包括：
25.将ti3alc2放入lif/hcl溶液进行蚀刻，得到ti3c2t
x
(mxene)分散液，经过中和、离心与干燥的过程得到mxene粉末；
26.使用clch2cooh溶液对mxene进行处理，完成其表面羧基化。
27.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述对mvq进行改性处理，包括：
28.在mvq中加入kh550溶液进行改性，实现橡胶基底的羟基化。
29.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一cnt复合层的制备过程满足以下至少一项：
30.cnt与硼氢化钠质量比为1:0.1～1:1000；
31.mvq与加入的kh550溶液质量比为1:0.1～1:1000；
32.改性cnt与改性mvq预混物质量比为1:0.1～1:10000；
33.加入改性cnt和改性mvq的预混物的固化温度为100℃～300℃。
34.结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，所述第一mxene复合层的制备过程满足以下至少一项：
35.lif/hcl溶液浓度为0.01m～20m；
36.ti3alc2粉末与lif/hcl溶液的质量比为1:0.1～1:100；
37.clch2cooh溶液浓度为0.01m～20m；
38.ti3alc2粉末与clch2cooh溶液质量比为1:0.1～1:100；
39.改性mxene与改性mvq预混物质量比为1:0.1～1:10000；
40.加入改性mxene和改性mvq的预混物的固化温度为100℃～300℃。
41.第三方面，提供了一种hpm屏蔽复合材料，所述hpm屏蔽复合材料通过如上述第二方面中的任意一种实现方式中所述的制备方法制备得到。
42.与现有技术相比，本技术提供的方案至少包括以下有益技术效果：
43.采用以上方法所制备的复合材料包括基团化碳纳米管(cnt)与mxene以及甲基乙烯基有机硅橡胶(mvq)基底，由于导电填料(cnt/mxene)的低负载量，使其具有较低的表面电导率，避免了局部短路、过热等危害；由于cnt层与mxene层的协同复合作用，使得在未引入磁性金属的情况下具，备更优的hpm屏蔽效能，整体填料负载量降低，表面直流电导率减小。
44.优选地，具有三明治结构的“cnt-mxene-cnt”复合材料在3mm厚度下，具备31.8db的hpm屏蔽效能，整体填料负载量1.5％，表面直流电导率仅为2.3μs/m。
45.本发明的一种表面低电导的高功率微波屏蔽材料具有普适性，对于绝大多数硫化固化剂都适用。
46.本发明的一种表面低电导的高功率微波屏蔽材料，由于采用硼氢化钠接枝改性，裸露的羟基大大增多，使得cnt在有机硅橡胶中分散性极好，避免了其团聚造成材料性能下降。
47.本发明的一种表面低电导的高功率微波屏蔽材料，由于采用clch2cooh接枝改性，裸露的羧基大大增多，使得mxene在有机硅橡胶中分散性极好，避免了其团聚造成材料性能下降。
48.本发明的一种表面低电导的高功率微波屏蔽材料，由于cnt与mxene层的协同复合作用，使得制备的复合材料在较低的填料装载量下仍具有较高的高功率微波屏蔽效能。
49.本发明的一种表面低电导的高功率微波屏蔽材料，由于单位体积内cnt与mxene的装载量都很低，使其具有极佳的表面绝缘性能。
50.本发明的一种表面低电导的高功率微波屏蔽材料，由于未使用磁性金属，使其没有展现出磁性，不会干扰系统内电磁场分布情况。
51.本发明的一种表面低电导的高功率微波屏蔽材料，具有快速大规模制备、成本低廉、产品性能好、操作简单、环保等优点。
附图说明
52.图1为一种表面低电导的高功率微波屏蔽材料制备流程图。
具体实施方式
53.下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细的描述。
54.本发明提供一种表面低电导的hpm屏蔽复合材料，包括cnt复合层与mxene复合层，cnt复合层与mxene复合层层叠设置。
55.进一步地，本发明还提供一种三明治结构的表面低电导的hpm屏蔽复合材料，如图1所示，包括层叠设置的第一cnt复合层、mxene复合层和第二cnt复合层。这种三明治结构的表面低电导的hpm屏蔽复合材料尤其适合应用于31.8db的hpm屏蔽场景，在3mm厚度下，整体填料负载量1.5％，表面直流电导率仅为2.3μs/m。
56.在其他实施例中，根据hpm屏蔽需求，cnt复合层与mxene复合层的层叠设置方式可以有其他形式。
57.例如，本发明还提供一种表面低电导的hpm屏蔽复合材料，包括依次层叠设置的第一mxene复合层、cnt复合层和第二mxene复合层。
58.又如，本发明还提供一种表面低电导的hpm屏蔽复合材料，包括依次层叠设置的第一cnt复合层、第一mxene复合层、第二mxene复合层和第二cnt复合层。
59.又如，本发明还提供一种表面低电导的hpm屏蔽复合材料，包括依次层叠设置的第一mxene复合层、第一cnt复合层、第二cnt复合层和第二mxene复合层和第二cnt复合层。
60.又如，本发明还提供一种表面低电导的hpm屏蔽复合材料，包括依次层叠设置的第一cnt复合层、第一mxene复合层、第二cnt复合层和第二mxene复合层。
61.又如，本发明还提供一种表面低电导的hpm屏蔽复合材料，包括目标cnt复合层和目标mxene复合层，目标cnt复合层和目标mxene复合层之间设置有至少一层cnt复合层和/或至少一层mxene复合层。
62.上述cnt复合层由改性甲基乙烯基有机硅橡胶(mvq)与改性cnt混合而成。改性cnt可以指羟基化的cnt，改性mvq可以指羟基化的mvq。cnt和mvq还可以经其他基团化的处理，前提是采用的基团能够提升cnt在mvq的分散性。
63.cnt复合层的一种可能的制备方法如下。
64.步骤(1a)：将cnt分散液放入甲醇中，并缓慢加入硼氢化钠，缓慢搅拌充分反应。该步骤中采用硼氢化钠可以使cnt表面有相对较多的羟基。该步骤还可以通过等离子体机清洗或臭氧处理，以使cnt表面有相对较多的羟基。
65.步骤(2a)：通过聚四氟乙烯膜对共混液进行过滤，随后用去离子水冲洗直到滤液ph值呈中性，干燥后得到改性的cnt。
66.步骤(3a)：在mvq中加入kh550溶液进行改性，实现橡胶基底的羟基化。mvq还可以通过臭氧处理，以实现橡胶基底的羟基化。
67.步骤(4a)：在改性后的mvq预混物加入制备好的改性cnt，将其放入密炼机进行密炼，并将其放入平板硫化机中，升温固化。由此cnt的外露羟基可以与橡胶基底的羟基连接，增强cnt在mvq里分散性。
68.作为一种优选的实施方式，步骤(1a)中，cnt与硼氢化钠质量比为1:0.1～1:1000。
69.作为一种优选的实施方式，步骤(3a)中，甲基乙烯基硅橡胶基底与加入的kh550溶液质量比为1:0.1～1:1000。
70.作为一种优选的实施方式，步骤(3a)中，甲基乙烯基硅橡胶基底中加入的kh550溶液质量分数为1:0.1～1:100。
71.作为一种优选的实施方式，步骤(4a)中，改性cnt与改性mvq预混物质量比为1:0.1～1:10000。
72.作为一种优选的实施方式，步骤(4a)中，加入改性cnt和改性mvq的预混物的固化温度为100℃～300℃。
73.上述mxene复合层由改性甲基乙烯基有机硅橡胶(mvq)与改性mxene混合而成。改性mxene可以指羟基化或羧基化的mxene，改性mvq可以指羟基化的mvq。mxene和mvq还可以经其他基团化的处理，前提是采用的基团能够提升mxene在mvq的分散性。
74.mxene复合层的一种可能的制备方法如下。
75.步骤(1b)：将ti3alc2放入lif/hcl溶液进行蚀刻，得到ti3c2t
x
(mxene)分散液，经过中和、离心与干燥的过程得到mxene粉末。
76.步骤(2b)：使用clch2cooh溶液对mxene进行处理，完成其表面羧基化。如果替换为完成mxene表面羟基化，则可以采用以下任一项进行处理：硼氢化钠，等离子体，臭氧。对mxene进行羧基化处理，有利于使mxene在mvq中分散更优。
77.步骤(3b)：在mvq中加入kh550溶液进行改性，实现橡胶基底的羟基化。具体执行方式可以参照上文步骤(3a)。
78.步骤(4b)：将制备好的改性mxene加入改性mvq预混物中，将其放入密炼机进行密炼，并将其放入平板硫化机中，升温固化。由此mxene的外露羧基或羟基可以与橡胶基底的羟基连接，增强mxene在mvq里分散性。
79.作为一种优选的实施方式，步骤(1b)中，lif/hcl溶液浓度为0.01m～20m。
80.作为一种优选的实施方式，步骤(1b)中，ti3alc2粉末与lif/hcl溶液的质量比为1:0.1～1:100。
81.作为一种优选的实施方式，步骤(2b)中，clch2cooh溶液浓度为0.01m～20m。
82.作为一种优选的实施方式，步骤(2b)中，ti3alc2粉末与clch2cooh溶液质量比为1:0.1～1:100。
83.作为一种优选的实施方式，步骤(4b)中，改性mxene与改性mvq预混物质量比为1:0.1～1:10000。
84.作为一种优选的实施方式，步骤(4b)中，加入改性mxene和改性mvq的预混物的固化温度为100℃～300℃。
85.针对层叠设置的cnt复合层和mxene复合层，可以在其中一个复合层热压成型后，在其表面制备另一个复合层。下面以上述三明治结构的表面低电导的hpm屏蔽复合材料的制备方法为例，进行阐述。
86.步骤(1c)：将cnt分散液放入甲醇中，并缓慢加入硼氢化钠，缓慢搅拌充分反应；具体执行方式可以参照上文步骤(1a)。
87.步骤(2c)：通过聚四氟乙烯膜对共混液进行过滤，随后用去离子水冲洗直到滤液ph值呈中性，干燥后得到表面基团化的cnt；具体执行方式可以参照上文步骤(2a)。
88.步骤(3c)：将ti3alc2放入lif/hcl溶液进行蚀刻，得到ti3c2t
x
(mxene)分散液，经过中和、离心与干燥的过程得到mxene粉末；具体执行方式可以参照上文步骤(1b)。
89.步骤(4c)：使用clch2cooh溶液对mxene进行处理，完成其表面羧基化；具体执行方式可以参照上文步骤(2b)。
90.步骤(5c)：在mvq中加入kh550溶液进行改性，实现橡胶基底的羟基化；具体执行方式可以参照上文步骤(3a)。
91.步骤(6)：在改性后的mvq预混物加入制备好的表面基团化cnt，将其放入密炼机进行密炼，并将其放入平板硫化机中，升温固化；具体执行方式可以参照上文步骤(4a)。
92.步骤(7c)：将制备好的表面基团化mxene加入改性mvq预混物中，同样分三次对其进行密炼，并将其放入平板硫化机升温固化；具体执行方式可以参照上文步骤(4b)。
93.步骤(8c)：采用与步骤(6)同样的方式对cnt进行密炼，并将得到的mvq/cnt共混物加入步骤(7)固化后样品的模具，使用平板硫化机升温固化；具体执行方式可以参照上文步骤(4a)。
94.步骤(9c)：最后将样品充分冷却脱模，得到cnt-mxene-cnt层状结构。
95.作为一种优选的实施方式，步骤(9)中，得到cnt-mxene-cnt层状结构的脱模温度为-100℃～300℃。
96.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细描述。其中，cnt与mxene的填料量可以通过其添加量进行简单控制，样品尺寸根据实验要求而定，接下来本专利所涉及实施例中的cnt-mxene-cnt样品厚度均为3mm。
97.实施例1
98.按照如下步骤制备一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合薄膜：
99.(1)将cnt分散液放入甲醇中，并缓慢加入硼氢化钠，cnt与硼氢化钠质量比为1:5，缓慢搅拌充分反应；
100.(2)通过聚四氟乙烯膜对共混液进行过滤，随后用去离子水冲洗直到滤液ph值呈中性，干燥后得到表面基团化的cnt；
101.(3)将ti3alc2放入lif/hcl溶液进行蚀刻，lif/hcl溶液浓度为0.5m，ti3alc2粉末与lif/hcl溶液的质量比为1:1，得到ti3c2t
x
(mxene)分散液，经过中和、离心与干燥的过程得到mxene粉末；
102.(4)使用clch2cooh溶液对mxene进行处理，完成其表面羧基化，clch2cooh溶液浓度为0.5m，ti3alc2粉末与clch2cooh溶液质量比为1:5；
103.(5)在甲基乙烯基硅橡胶基底中加入kh550溶液进行改性，橡胶基底与加入的kh550溶液质量比为1:10，实现橡胶基底的羟基化；
104.(6)分次在改性后的mvq预混物加入不同含量制备好的表面基团化cnt，将其放入密炼机进行密炼，并将其放入平板硫化机中，升温固化，表面基团化的cnt与改性后的mvq预混物质量比为1:100，固化温度为180℃；
105.(7)将制备好的表面基团化mxene加入改性mvq预混物中，同样分三次对其进行密炼，并将其放入平板硫化机升温固化，表面基团化的mxene与改性后的mvq预混物质量比为1:100，固化温度为160℃；
106.(8)采用与步骤(6)同样的方式对cnt进行密炼，并将得到的mvq/cnt共混物加入步
骤(7)中第二次固化后样品的磨具，使用平板硫化机升温固化；
107.(9)最后将样品充分冷却脱模，得到cnt-mxene-cnt层状结构，冷却温度25℃。
108.制备的cnt-mxene-cnt复合材料在3mm厚度下，具备31.8db的hpm屏蔽效能，整体填料负载量1.5％，表面直流电导率仅为2.3μs/m。
109.实施例2
110.按照如下步骤制备一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合薄膜：
111.本实施例中，除步骤(6)中表面基团化的cnt与改性后的mvq预混物质量比为1:50，其余步骤与实施例1相同，制备的cnt-mxene-cnt复合材料在3mm厚度下，具备22.5db的hpm屏蔽效能，整体填料负载量0.9％，表面直流电导率为1.7μs/m。
112.实施例3
113.按照如下步骤制备一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合薄膜：
114.本实施例中，除步骤(7)中表面基团化的mxene与改性后的mvq预混物质量比为1:50，其余步骤与实施例1相同，制备的cnt-mxene-cnt复合材料在3mm厚度下，具备28.9db的hpm屏蔽效能，整体填料负载量1.1％，表面直流电导率为1.9μs/m。
115.对比例1
116.按照如下步骤制备一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合薄膜：
117.本实施例中，除步骤(7)中平板硫化机固化温度设置为400℃，其余步骤与实施例1相同，制备的cnt-mxene-cnt复合材料无法固化。
118.对比例2
119.按照如下步骤制备一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合薄膜：
120.本实施例中，去除步骤(1)与(2)，其余步骤与实施例1相同，制备的cnt-mxene-cnt复合材料中cnt分散性较差，出现团聚现象，在3mm厚度下，具备21.8db的hpm屏蔽效能，整体填料负载量1.5％，表面直流电导率不均匀。
121.对比例3
122.按照如下步骤制备一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合薄膜：
123.本实施例中，去除步骤(4)，其余步骤与实施例1相同，制备的cnt-mxene-cnt复合材料中mxene分散性较差，出现团聚现象，在3mm厚度下，具备20.1db的hpm屏蔽效能，整体填料负载量1.5％，表面直流电导率不均匀。
124.本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此，本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

技术特征：
1.一种高功率微波hpm屏蔽复合材料，其特征在于，包括第一cnt复合层与第一mxene复合层，第一cnt复合层与第一mxene复合层层叠设置；cnt复合层由改性mvq与改性cnt混合而成，mvq的改性和cnt的改性用于实现cnt在mvq中的均匀分散；mxene复合层由改性mvq与改性mxene混合而成，mvq的改性和mxene的改性用于实现mxene在mvq中的均匀分散。2.根据权利要求1所述的hpm屏蔽复合材料，其特征在于，所述hpm屏蔽复合材料还包括第二cnt复合层，第一cnt复合层、第一mxene复合层和第二cnt复合层依次层叠设置构成三明治层叠结构。3.根据权利要求1所述的hpm屏蔽复合材料，其特征在于，所述hpm屏蔽复合材料还包括第二mxene复合层，第一mxene复合层、第一cnt复合层和第二mxene复合层依次层叠设置构成三明治层叠结构。4.根据权利要求1至3中任一项所述的hpm屏蔽复合材料，其特征在于，改性cnt指羟基化的cnt，改性mvq指羟基化的mvq，改性mxene指羟基化或羧基化的mxene。5.一种hpm屏蔽复合材料的制备方法，其特征在于，包括：在第一cnt复合层上对第一mxene复合层的密炼产物进行固化，或者在第一mxene复合层上对第一cnt复合层的密炼产物进行固化；所述第一cnt复合层的密炼产物通过以下方式制备：对cnt进行改性处理，得到改性cnt粉末；对mvq进行改性处理，得到改性mvq；在改性后的mvq预混物加入制备好的改性cnt，将其放入密炼机进行密炼；所述第一mxene复合层的密炼产物通过以下方式制备：对mxene进行改性处理，得到改性mxene粉末；对mvq进行改性处理，得到改性mvq；在改性后的mvq预混物加入制备好的改性mxene，将其放入密炼机进行密炼。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述对cnt进行改性处理，包括：将cnt分散液放入甲醇中，并缓慢加入硼氢化钠，缓慢搅拌充分反应；通过聚四氟乙烯膜对共混液进行过滤，随后用去离子水冲洗直到滤液ph值呈中性，干燥后得到改性的cnt。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述对mxene进行改性处理，包括：将ti3alc2放入lif/hcl溶液进行蚀刻，得到ti3c2t
x
(mxene)分散液，经过中和、离心与干燥的过程得到mxene粉末；使用clch2cooh溶液对mxene进行处理，完成其表面羧基化。8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述对mvq进行改性处理，包括：在mvq中加入kh550溶液进行改性，实现橡胶基底的羟基化。9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一cnt复合层的制备过程满足以下至少一项：cnt与硼氢化钠质量比为1:0.1～1:1000；mvq与加入的kh550溶液质量比为1:0.1～1:1000；改性cnt与改性mvq预混物质量比为1:0.1～1:10000；加入改性cnt和改性mvq的预混物的固化温度为100℃～300℃。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一mxene复合层的制备过程满足以下至少一项：lif/hcl溶液浓度为0.01m～20m；ti3alc2粉末与lif/hcl溶液的质量比为1:0.1～1:100；clch2cooh溶液浓度为0.01m～20m；ti3alc2粉末与clch2cooh溶液质量比为1:0.1～1:100；改性mxene与改性mvq预混物质量比为1:0.1～1:10000；加入改性mxene和改性mvq的预混物的固化温度为100℃～300℃。

技术总结
本发明公开了一种高功率微波屏蔽复合材料及其制备方法。复合材料包括CNT复合层与MXene复合层，CNT复合层与MXene复合层层叠设置；CNT复合层由改性MVQ与改性CNT混合而成，MVQ的改性和CNT的改性用于实现CNT在MVQ中的均匀分散；MXene复合层由改性MVQ与改性MXene混合而成，MVQ的改性和MXene的改性用于实现MXene在MVQ中的均匀分散。制备方法通过对CNT、MVQ和MXene进行改性，使CNT在MVQ中分散良好，且MXene在MVQ中分散良好，从而制备出层叠设置的CNT复合层与MXene复合层。由此具备更优HPM屏蔽效能，整体填料负载量降低，表面直流电导率减小。率减小。率减小。


技术研发人员：白宇 吕长春 刘冠男 吴萱 宋敬群 尹禄高 徐晓莉 姜铁华 李帆 肖光亮 李晓菲 石彦超 郭华栋 肖玥 王璐 沈翔 陈策 范苑 刘靓 许哲琪 冯蕙心
受保护的技术使用者：北京宇航系统工程研究所
技术研发日：2023.06.02
技术公布日：2023/10/11