抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管的制作方法

1.本发明涉及场效应晶体管技术领域，具体为抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管。


背景技术：

2.场效应晶体管是利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，被应用于大规模和超大规模集成电路中，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者，场效应晶体管利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流，又称单极型晶体管。
3.公号cn213816130u的中国专利公开了一种场效应晶体管，包括封装外壳、多根引脚、安装固定座、芯片，所述芯片设置在所述封装外壳内，所述引脚插入所述封装外壳内与所述芯片连接，所述安装固定座设置在所述封装外壳远离所述引脚的一侧面，所述安装固定座开设有螺纹孔；所述封装外壳的上表面通过转轴转动连接有引脚保护结构，所述引脚保护结构包括l形散热板体、若干阵列设置在所述l形散热板体靠向所述封装外壳一表面的散热翅片，各所述散热翅片的下表面与所述封装外壳的上表面接触。
4.上述这种场效应晶体管，虽然通过设置引脚保护结构，从而避免其在运输过程中因为引脚的损坏而导致产品报废，并且具有良好的散热功能，从而降低其能耗，但是，由于场效应晶体管在工作过程中容易受到外界电磁的干扰，会影响到的正常工作，而且该场效应晶体管采用封装结构无法进行全方位的防护，容易导致场效应晶体管受到空气中腐蚀性气体及湿气的影响，对其内部的芯片及电路产生一定的腐蚀，造成电气性能下降，使用寿命缩短，因此亟需改进。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，包括场效应晶体管主体、引脚、安装片、下塑封壳和第二屏蔽网，所述引脚皆安装在场效应晶体管主体的底端，所述安装片固定在场效应晶体管主体的顶端，且所述安装片的内部皆设置有安装孔，所述下塑封壳设置在场效应晶体管主体的下方，且所述下塑封壳的内壁上固定有第一屏蔽网，所述第二屏蔽网设置在场效应晶体管主体的上方，且所述第二屏蔽网的内壁上固定有第二凹槽，所述下塑封壳靠近第二屏蔽网一侧的外壁上皆设置有定位卡槽，所述定位卡槽位置处的第二屏蔽网外壁上设置有定位凸块，定位凸块与定位卡槽紧密卡合，所述下塑封壳和第二屏蔽网内部的一侧皆设置有散热结构。
7.优选的，所述下塑封壳的底端皆固定有等间距的第一护套，且所述第一护套位置处的上塑封壳底端固定有第二护套，第二护套与第一护套相互配合，便于将引脚引出。
8.优选的，所述下塑封壳的顶端设置有第一凹槽，且所述第一凹槽位置处的上塑封
壳顶端设置有第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽相互配合，便于将安装片引出。
9.优选的，所述下塑封壳和上塑封壳的外表面上皆涂覆有石墨烯涂层，具有电磁屏蔽功能，进一步提升了抗干扰性能。
10.优选的，所述第一屏蔽网和第二屏蔽网为紫铜材质，电磁屏蔽效果好。
11.优选的，所述第一凹槽、第二凹槽、第一护套、第二护套的内壁上皆粘黏有橡胶内衬，提高了第一凹槽、第二凹槽、第一护套、第二护套的密封性。
12.优选的，所述散热结构包括导热片、导热硅脂、散热鳍片，所述导热片皆设置在下塑封壳和上塑封壳内部的一侧，所述导热硅脂涂覆在导热片的表面，导热硅脂与场效应晶体管主体紧密贴合，具有利于散热的作用。
13.优选的，所述导热片为铜材质，导热效果好。
14.优选的，所述散热鳍片皆固定在导热片远离导热硅脂一侧的外壁上，散热鳍片远离导热片的一端分别与下塑封壳和上塑封壳的内壁粘黏，便于散热。
15.与现有技术相比，本发明的有益效果是：该抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管不仅抗干扰性能好，具有塑封防护功能，保障了电气性能，而且散热效果好；
16.(1)通过设置有第一屏蔽网、第二屏蔽网、石墨烯涂层，由于第一屏蔽网和第二屏蔽网分别固定在下塑封壳和上塑封壳的内表面上，第一屏蔽网和第二屏蔽网为紫铜材质，具有电磁屏蔽效果，从而起到了抗干扰的作用，由于石墨烯涂层涂覆在下塑封壳和上塑封壳的外表面上，石墨烯涂层具有电磁屏蔽功能，进一步提升了抗干扰性能；
17.(2)通过设置有下塑封壳、上塑封壳、定位卡槽、定位凸块、第一护套、第二护套、第一凹槽、第二凹槽，将下塑封壳和上塑封壳分别套在场效应晶体管主体的下方和上方，使得场效应晶体管主体底端的引脚从第一护套和第二护套中穿出，场效应晶体管主体顶端的安装片从第一凹槽和第二凹槽中穿出，橡胶内衬的设置提高了第一凹槽、第二凹槽、第一护套、第二护套的密封性，再将下塑封壳和上塑封壳合并，使得定位凸块卡进定位卡槽中，进而使得下塑封壳和上塑封壳形成密闭的整体，即可对场效应晶体管主体进行塑封封装，下塑封壳和上塑封壳可对场效应晶体管主体进行防护，防止场效应晶体管主体内部的芯片及电路受到空气中腐蚀性气体及湿气的影响，防止被腐蚀，保障了电气性能，延长了使用寿命；
18.(3)通过设置有导热片、导热硅脂、散热鳍片，由于下塑封壳和上塑封壳的内部均设有散热结构，导热片表面的导热硅脂与场效应晶体管主体接触，具有散热的作用，导热片通过散热鳍片将场效应晶体管主体内部的热量向外传递，而且散热结构的设置使得下塑封壳和上塑封壳内形成散热空间，从而改善了散热效果，防止场效应晶体管主体的温度过高损坏。
附图说明
19.图1为本发明的正视剖面结构示意图；
20.图2为本发明的侧视剖面结构示意图；
21.图3为本发明的图2中a处放大结构示意图；
22.图4为本发明的下塑封壳和上塑封壳剖视示意图；
23.图5为本发明的图4中b处放大结构示意图；
24.图6为本发明的场效应晶体管主体正视结构示意图；
25.图7为本发明的场效应晶体管主体侧视结构示意图。
26.图中：1、场效应晶体管主体；2、引脚；3、安装片；4、安装孔；5、下塑封壳；6、第一屏蔽网；7、第一凹槽；8、第二凹槽；9、上塑封壳；10、第二屏蔽网；11、第一护套；12、第二护套；13、橡胶内衬；14、定位卡槽；15、定位凸块；16、散热结构；1601、导热片；1602、导热硅脂；1603、散热鳍片；17、石墨烯涂层。
具体实施方式
27.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
28.请参阅图1-7，本发明提供的一种实施例：抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，包括场效应晶体管主体1、引脚2、安装片3、下塑封壳5和上塑封壳9，引脚2皆安装在场效应晶体管主体1的底端，安装片3固定在场效应晶体管主体1的顶端，且安装片3的内部皆设置有安装孔4；
29.下塑封壳5设置在场效应晶体管主体1的下方，且下塑封壳5的内壁上固定有第一屏蔽网6，上塑封壳9设置在场效应晶体管主体1的上方，且上塑封壳9的内壁上固定有第二屏蔽网10，下塑封壳5靠近上塑封壳9一侧的外壁上皆设置有定位卡槽14，定位卡槽14位置处的上塑封壳9外壁上设置有定位凸块15，定位凸块15与定位卡槽14紧密卡合；
30.下塑封壳5和上塑封壳9内部的一侧皆设置有散热结构16；
31.下塑封壳5的底端皆固定有等间距的第一护套11，且第一护套11位置处的上塑封壳9底端固定有第二护套12，第二护套12与第一护套11相互配合，便于将引脚2引出；
32.下塑封壳5的顶端设置有第一凹槽7，且第一凹槽7位置处的上塑封壳9顶端设置有第二凹槽8，第二凹槽8与第一凹槽7相互配合，便于将安装片3引出；
33.下塑封壳5和上塑封壳9的外表面上皆涂覆有石墨烯涂层17，具有电磁屏蔽功能，进一步提升了抗干扰性能；
34.第一屏蔽网6和第二屏蔽网10为紫铜材质，电磁屏蔽效果好；
35.第一凹槽7、第二凹槽8、第一护套11、第二护套12的内壁上皆粘黏有橡胶内衬13，提高了第一凹槽7、第二凹槽8、第一护套11、第二护套12的密封性；
36.散热结构16包括导热片1601、导热硅脂1602、散热鳍片1603，导热片1601皆设置在下塑封壳5和上塑封壳9内部的一侧，导热硅脂1602涂覆在导热片1601的表面，导热硅脂1602与场效应晶体管主体1紧密贴合，具有利于散热的作用；
37.导热片1601为铜材质，导热效果好；
38.散热鳍片1603皆固定在导热片1601远离导热硅脂1602一侧的外壁上，散热鳍片1603远离导热片1601的一端分别与下塑封壳5和上塑封壳9的内壁粘黏，便于散热。
39.本技术实施例在使用时：首先，将下塑封壳5和上塑封壳9分别套在场效应晶体管主体1的下方和上方，使得场效应晶体管主体1底端的引脚2从第一护套11和第二护套12中穿出，场效应晶体管主体1顶端的安装片3从第一凹槽7和第二凹槽8中穿出，橡胶内衬13的设置提高了第一凹槽7、第二凹槽8、第一护套11、第二护套12的密封性，再将下塑封壳5和上
塑封壳9合并，使得定位凸块15卡进定位卡槽14中，进而使得下塑封壳5和上塑封壳9形成密闭的整体，即可对场效应晶体管主体1进行塑封封装，下塑封壳5和上塑封壳9可对场效应晶体管主体1进行防护，防止场效应晶体管主体1内部的芯片及电路受到空气中腐蚀性气体及湿气的影响，防止被腐蚀，保障了电气性能，延长了使用寿命，然后，由于第一屏蔽网6和第二屏蔽网10分别固定在下塑封壳5和上塑封壳9的内表面上，第一屏蔽网6和第二屏蔽网10为紫铜材质，具有电磁屏蔽效果，从而起到了抗干扰的作用，由于石墨烯涂层17涂覆在下塑封壳5和上塑封壳9的外表面上，石墨烯涂层17具有电磁屏蔽功能，进一步提升了抗干扰性能，并且，由于下塑封壳5和上塑封壳9的内部均设有散热结构16，导热片1601表面的导热硅脂1602与场效应晶体管主体1接触，具有散热的作用，导热片1601通过散热鳍片1603将场效应晶体管主体1内部的热量向外传递，而且散热结构16的设置使得下塑封壳5和上塑封壳9内形成散热空间，从而改善了散热效果，防止场效应晶体管主体1的温度过高损坏。

技术特征：
1.抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于，包括场效应晶体管主体(1)、引脚(2)、安装片(3)、下塑封壳(5)和上塑封壳(9)，所述引脚(2)皆安装在场效应晶体管主体(1)的底端，所述安装片(3)固定在场效应晶体管主体(1)的顶端，且所述安装片(3)的内部皆设置有安装孔(4)，所述下塑封壳(5)设置在场效应晶体管主体(1)的下方，且所述下塑封壳(5)的内壁上固定有第一屏蔽网(6)，所述上塑封壳(9)设置在场效应晶体管主体(1)的上方，且所述上塑封壳(9)的内壁上固定有第二屏蔽网(10)，所述下塑封壳(5)靠近上塑封壳(9)一侧的外壁上皆设置有定位卡槽(14)，所述定位卡槽(14)位置处的上塑封壳(9)外壁上设置有定位凸块(15)，定位凸块(15)与定位卡槽(14)紧密卡合，所述下塑封壳(5)和上塑封壳(9)内部的一侧皆设置有散热结构(16)。2.根据权利要求1所述的抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于：所述下塑封壳(5)的底端皆固定有等间距的第一护套(11)，且所述第一护套(11)位置处的上塑封壳(9)底端固定有第二护套(12)，第二护套(12)与第一护套(11)相互配合。3.根据权利要求1所述的抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于：所述下塑封壳(5)的顶端设置有第一凹槽(7)，且所述第一凹槽(7)位置处的上塑封壳(9)顶端设置有第二凹槽(8)，第二凹槽(8)与第一凹槽(7)相互配合。4.根据权利要求1所述的抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于：所述下塑封壳(5)和上塑封壳(9)的外表面上皆涂覆有石墨烯涂层(17)。5.根据权利要求1所述的抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于：所述第一屏蔽网(6)和第二屏蔽网(10)为紫铜材质。6.根据权利要求3所述的抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于：所述第一凹槽(7)、第二凹槽(8)、第一护套(11)、第二护套(12)的内壁上皆粘黏有橡胶内衬(13)。7.根据权利要求1所述的抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于：所述散热结构(16)包括导热片(1601)、导热硅脂(1602)、散热鳍片(1603)，所述导热片(1601)皆设置在下塑封壳(5)和上塑封壳(9)内部的一侧，所述导热硅脂(1602)涂覆在导热片(1601)的表面，导热硅脂(1602)与场效应晶体管主体(1)紧密贴合。8.根据权利要求7所述的抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于：所述导热片(1601)为铜材质。9.根据权利要求7所述的抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，其特征在于：所述散热鳍片(1603)皆固定在导热片(1601)远离导热硅脂(1602)一侧的外壁上，散热鳍片(1603)远离导热片(1601)的一端分别与下塑封壳(5)和上塑封壳(9)的内壁粘黏。

技术总结
本发明公开了抗干扰且具有塑封结构的场效应晶体管，包括场效应晶体管主体、引脚、安装片、下塑封壳和第二屏蔽网，引脚皆安装在场效应晶体管主体的底端，安装片固定在场效应晶体管主体的顶端，下塑封壳设置在场效应晶体管主体的下方，且下塑封壳的内壁上固定有第一屏蔽网，第二屏蔽网设置在场效应晶体管主体的上方，且第二屏蔽网的内壁上固定有第二凹槽，下塑封壳靠近第二屏蔽网一侧的外壁上皆设置有定位卡槽，定位卡槽位置处的第二屏蔽网外壁上设置有定位凸块，下塑封壳和第二屏蔽网内部的一侧皆设置有散热结构。本发明不仅抗干扰性能好，具有塑封防护功能，保障了电气性能，而且散热效果好。热效果好。热效果好。


技术研发人员：焦庆
受保护的技术使用者：先之科半导体科技（东莞）有限公司
技术研发日：2023.07.19
技术公布日：2023/10/15