一种滤波器温度模拟电路的制作方法

1.本技术实施例涉及模拟集成电路技术领域，涉及但不限于一种滤波器温度模拟电路。


背景技术：

2.无线通信协议从3g（generation）到4g、5g发展过程中，射频信号的传输频率越来越高，由于频率的提高，功率器件的高功率增加了滤波器因发热而烧毁的风险。为了保证射频前端模组的可靠性，需要持续监控滤波器的功率，保护其在极端条件下因过度发热被烧毁。
3.目前，现有技术往往是直接检测功率器件的温度，如采用热敏电阻或三极管等对温度敏感器件对温度采样，并将温度信号转化为便于处理的电信号，从而实现对温度变化的快速响应和对功率器件的保护。但在射频前端模块中，由于制作工艺的限制，滤波器中无法集成三极管，因此无法直接检测滤波器的温度，而热敏电阻灵敏度较低，检测精度难以保证。


技术实现要素：

4.基于相关技术中的问题，本技术实施例提供一种滤波器温度模拟电路。
5.本技术实施例的技术方案是这样实现的：本技术实施例提供一种滤波器温度模拟电路，所述电路至少包括电流模拟模块和热阻模拟模块；所述电流模拟模块，一端与电源电连接，另一端与所述热阻模拟模块电连接，所述电流模拟模块用于模拟并输出所述滤波器的滤波器电流；其中，所述滤波器电流随滤波器温度变化发生变化；所述热阻模拟模块，与所述电流模拟模块串联，所述热阻模拟模块用于模拟所述滤波器的热敏电阻，还用于根据所述滤波器电流输出与所述滤波器温度相关的滤波器电压。
6.在一些实施例中，所述电流模拟模块至少包括第一晶体管和电流模块；所述第一晶体管的第一端与所述电源电连接，所述第一晶体管的第二端分别与所述热阻模拟模块和所述电流模块的正极电连接，所述电流模块的负极接地；所述第一晶体管的第三端与第一控制端口电连接；其中，所述第一控制端口用于为所述第一晶体管的第三端提供电压。
7.在一些实施例中，所述电流模拟模块还包括第二晶体管；所述第二晶体管的第一端与所述第一晶体管的第二端和所述电流模块的正极电连接，所述第二晶体管的第二端与所述热阻模拟模块电连接，所述第二晶体管的第三端与第二控制端口电连接；其中，所述第二控制端口用于为所述第二晶体管的第三端提供电压。
8.在一些实施例中，所述电路还包括第三晶体管；所述电路用于与功率放大器电连
接，所述功率放大器的输出端与滤波器电连接；所述功率放大器至少包括放大晶体管；所述第三晶体管的第一端与电源电连接，所述第三晶体管的第二端与放大晶体管的第三端连接，所述第三晶体管的第三端与所述第一控制端口连接；其中，所述第一晶体管第二端的输出电流与所述第三晶体管第二端的输出电流成比例关系，所述第三晶体管第二端的输出电流为所述放大晶体管的偏置电流；所述第一晶体管第二端的输出电流用于模拟所述放大晶体管的偏置电流；所述电流模块的输出电流用于模拟所述放大晶体管的静态电流。
9.在一些实施例中，所述第二晶体管的电流为所述第一晶体管的第二端的输出电流与所述电流模块的输出电流之间的差值，所述第二晶体管的电流用于模拟所述滤波器电流。
10.在一些实施例中，所述电路还包括热容模拟模块，所述热容模拟模块至少包括模拟电容；所述热阻模拟模块至少包括模拟电阻；所述模拟电阻一端与所述电流模拟模块连接，另一端与所述模拟电容连接；所述模拟电容的另一端接地；所述模拟电容与所述模拟电阻并联；所述模拟电容用于模拟所述滤波器的热容。
11.在一些实施例中，所述电路还包括运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和运放输出端；所述第三晶体管的第二端分别与所述运算放大器的第一输入端和功率放大器电连接，所述运算放大器的第二输入端与所述第一晶体管的第二端电连接，所述运算放大器的运放输出端与所述第二控制端口电连接。
12.在一些实施例中，所述电路还包括第四晶体管、控制晶体管和第一电流模块；所述第四晶体管的第一端与电源电连接；所述第四晶体管的第二端与所述控制晶体管的第一端电连接，所述控制晶体管的第二端接地，所述控制晶体管的第三端与第三控制端口连接，所述第三控制端口用于为所述控制晶体管的第三端提供电压；所述第四晶体管的第三端分别与所述第一控制端口、所述第三晶体管的第三端电连接；所述第一电流模块的正极分别与所述第四晶体管的第二端和第三端电连接，所述第一电流模块的负极接地。
13.在一些实施例中，所述电路还包括基准电压模拟模块和比较器；所述比较器包括第三输入端、第四输入端和比较输出端；所述比较器的第三输入端与所述热阻模拟模块电连接，第四输入端与所述基准电压模拟模块电连接，所述比较输出端与所述第三控制端口电连接；所述基准电压模块用于生成基准电压。
14.在一些实施例中，所述电路还包括分压电阻；所述分压电阻一端与所述热阻模拟模块电连接，另一端接地，所述分压电阻与所述热阻模拟模块并联。
15.本技术实施例提供一种保护电路，所述保护电路包括上述滤波器温度模拟电路。
16.本技术实施例提供一种射频芯片，所述射频芯片包括上述滤波器温度模拟电路或
保护电路。
17.本技术实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括上述的滤波器温度模拟电路或保护电路或射频芯片。
18.本技术实施例提供的滤波器温度模拟电路，通过电流模拟模块模拟并输出所述滤波器的滤波器电流，通过热阻模拟模块和滤波器电流输出与滤波器温度相关的滤波器电压。如此，本技术实施例通过滤波器温度模拟电路模拟滤波器的电流和滤波器的热敏电阻和热敏电容等元器件，以模拟滤波器发热情况，从而输出与滤波器温相关的电信号，间接获得滤波器的温度，无需在滤波器中集成温度检测元件，既降低了成本，也减小了滤波器的尺寸。
附图说明
19.图1是本技术实施例提供的射频前端结构示意图；图2是本技术实施例提供的滤波器温度模拟电路的结构示意图一；图3是本技术实施例提供的滤波器温度模拟电路的结构示意图二；图4是本技术实施例提供的滤波器温度模拟电路的结构示意图三；图5是本技术实施例提供的滤波器温度模拟电路的结构示意图四。
具体实施方式
20.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，所描述的实施例不应视为对本技术的限制，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
21.在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。除非另有定义，本技术实施例所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术实施例的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本技术实施例所使用的术语只是为了描述本技术实施例的目的，不是旨在限制本技术。
22.基于相关技术中存在的问题，本技术实施例提供一种滤波器温度模拟电路，通过模拟滤波器发热情况，从而间接获得滤波器温度，无需在滤波器中集成温度检测元件，既降低了成本，也减小了滤波器的尺寸。
23.请参阅图1，图1是本技术实施例提供的射频前端结构示意图，如图1所示，滤波器温度模拟电路101与功率放大器102连接，功率放大器102与滤波器103连接，射频信号输入功率放大器102，经功率放大器102放大和滤波器103滤波后输出。滤波器温度模拟电路101可以通过模拟功率放大器102输入至滤波器103的电流，和模拟滤波器103的热敏电阻和热敏电容等元器件，来得到滤波器103发热情况，从而间接获得与滤波器103的温度相关的电信号（例如电压信号）。
24.接下来请参照图2，图2是本技术实施例提供的滤波器温度模拟电路示意图，如图2所示，滤波器温度模拟电路至少包括电流模拟模块201和热阻模拟模块202。
25.所述电流模拟模块201，一端与电源vdd电连接，另一端与所述热阻模拟模块202电连接，所述电流模拟模块201用于模拟并输出所述滤波器的滤波器电流iw；其中，所述滤波
器电流随滤波器温度变化发生变化。
26.所述热阻模拟模块202，与所述电流模拟模块201串联，所述热阻模拟模块202用于模拟所述滤波器的热敏电阻，还用于根据所述滤波器电流输出与所述滤波器温度相关的滤波器电压vw。
27.本技术实施例通过滤波器温度模拟电路模拟滤波器的电流和滤波器的热敏电阻和热敏电容等元器件，以模拟滤波器发热情况，从而与滤波器温相关的电信号，间接获得滤波器的温度，无需在滤波器中集成温度检测元件，既降低了成本，也减小了滤波器的尺寸。
28.在一些实施例中，如图3所示，所述电流模拟模块至少包括第一晶体管mp1和电流模块i
qc
。
29.所述第一晶体管mp1的第一端与所述电源vdd电连接，所述第一晶体管mp2的第二端分别与所述热阻模拟模块202和所述电流模块i
qc
的正极电连接，所述电流模块的负极接地。所述第一晶体管mp1的第三端与第一控制端口a电连接；其中，所述第一控制端口a用于为所述第一晶体管mp1的第三端提供电压或电流。
30.在一些实施例中，晶体管的第一端为源极，第二端为漏极，第三端为栅极。电流模块可以是电流源，电流源的内阻相对负载阻抗很大，因此负载阻抗波动不会改变电流源提供的电流大小。
31.在一些实施例中，如图4所示，所述电流模拟模块还包括第二晶体管mp2。其中，所述第二晶体管mp2的第一端与所述第一晶体管mp1的第二端和所述电流模块i
qc
的正极电连接，所述第二晶体管mp2的第二端与所述热阻模拟模块202电连接，所述第二晶体管mp2的第三端与第二控制端口b电连接，所述第二控制端口b用于为所述第二晶体管mp2的第三端提供电压。
32.在本技术实施例中，如图5所示，滤波器温度模拟电路还包括电流镜电路，滤波器温度模拟电路通过电流镜电路与功率放大器301电连接，所述功率放大器301的输出端与滤波器302电连接，输入射频信号rf
in
经功率放大器301和滤波器302输出。
33.在一些实施例中，如图5所示，所述功率放大器至少包括放大晶体管q，所述电路还包括第三晶体管mp3。其中，所述第三晶体管mp3的第一端与电源vdd电连接，所述第三晶体管mp3的第二端与放大晶体管q的第三端b（即基极）连接，所述第三晶体管mp3的第三端与所述第一控制端口a连接。需要说明的是，功率放大器也可以包括mos管，此处不做限制。
34.在一些实施例中，所述第一晶体管mp1和第三晶体管mp3构成电流镜电流，因此，所述第一晶体管mp1第二端的输出电流i1与所述第三晶体管mp3第二端的输出电流i
hbt
成比例关系，且所述第三晶体管mp3第二端的输出电流i
hbt
为所述放大晶体管q的偏置电流。
35.在一些实施例中，第一晶体管mp1和第三晶体管mp3相同时，所述第一晶体管mp1第二端的输出电流i1与所述第三晶体管mp3第二端的输出电流i
hbt
相等。
36.在一些实施例中，由于第一晶体管mp1第二端的输出电流i1与所述第三晶体管mp3第二端的输出电流i
hbt
成比例关系或者相等，因此，所述第一晶体管mp1第二端的输出电流i1可以用于模拟所述放大晶体管q的偏置电流，所述电流模块i
qc
的输出电流i2可以用于模拟所述放大晶体管q的静态电流。所述第二晶体管mp2的电流等于所述第一晶体管mp1的第二端的输出电流i1与所述电流模块i
qc
的输出电流i2之间的差值，所述第二晶体管mp2的电流用于模拟所述滤波器电流，即功率放大器流入滤波器的电流。
37.在一些实施例中，如图5所示，所述电路还包括热容模拟模块，所述热容模拟模块至少包括模拟电容c1，所述热阻模拟模块202至少包括模拟电阻r1。所述模拟电阻r1一端与所述电流模拟模块连接，另一端与所述模拟电容c1连接；所述模拟电容c1的另一端接地；所述模拟电容c1与所述模拟电阻r1并联。
38.在本技术实施例中，在确定了滤波器电流之后，模拟电阻r1将电流转换为电压，可以得到滤波器温度相关的电压v
sns
。
39.在一些实施例中，所述模拟电容用于模拟所述滤波器的热容，滤波器的热容可以用于对信号进行滤波，使输出信号较为平滑，不会出现太大的波动；也可以用于模拟滤波器温度上升的延迟时间，功率增加导致温度增加是有时间的，时间是由热容决定的。
40.在一些实施例中，如图5所示，所述电路还包括运算放大器opamp，所述运算放大器opamp包括第一输入端1、第二输入端2和运放输出端out1。所述第三晶体管mp3的第二端分别与所述运算放大器opamp的第一输入端1和功率放大器301电连接，所述运算放大器opamp的第二输入端2与所述第一晶体管mp1的第二端电连接，所述运算放大器opamp的运放输出端out1与所述第二控制端口b（即第二晶体管mp2的第三端）电连接。
41.在一些实施例中，如图5所示，所述电路还包括第四晶体管mp4、控制晶体管mn1，和第一电流模块i
limit
。其中，所述第四晶体管mp4的第一端与电源vdd电连接，所述第四晶体管mp4的第二端与所述控制晶体管mn1的第一端电连接，所述控制晶体管mn1的第二端接地，所述控制晶体管mn1的第三端与第三控制端口c连接，所述第三控制端口c用于为所述控制晶体管mn1的第三端提供电压。所述第四晶体管mp4的第三端分别与所述第一控制端口a（即第一晶体管mp1的第三端）和所述第三晶体管mp3的第三端电连接。所述第一电流模块i
limit
的正极分别与所述第四晶体管mp4的第二端和第三端电连接，所述第一电流模块i
limit
的负极接地。其中，第四晶体管mp4与第三晶体管mp3、第一晶体管mp1形成电流镜，以使第三晶体管、第一晶体管成比例复制第四晶体管的电流；控制晶体管mn1用于调节第四晶体管mp4的电流，进而调节电流i
hbt
与i1。
42.在一些实施例中，热阻模拟模块202还包括模拟电阻r2。
43.在一些实施例中，所述电路还包括基准电压模拟模块303和比较器comp；所述比较器comp包括第三输入端3、第四输入端4和比较输出端out2。其中，所述比较器comp的第三输入端3与所述热阻模拟模块r2电连接，第四输入端4与所述基准电压模拟模块303电连接，所述比较输出端out2与所述第三控制端口c（即控制晶体管mn1）电连接。
44.在一些实施例中，所述基准电压模块303用于生成基准电压v
ref
，基准电压v
ref
是根据与温度成线性的电流进行转换得到的，用于与滤波器的热温度v
sns
进行比较。
45.在一些实施例中，电路还包括反相器inverter，反相器与比较器comp的比较输出端out2电连接。
46.在本技术实施例中，当滤波器温度低时，第一晶体管mp1和第三晶体管mp3通过两个电流镜电路，放大第四晶体管mp4的电流，得到第一晶体管mp1的电流i1和第三晶体管mp3的电流i
hbt
，此时，第一晶体管mp1的电流i1和第三晶体管mp3的电流i
hbt
都较小，使得第二晶体管mp2的电流也较小，经过热阻模拟模块（即模拟电阻r2）输出与温度相关的电压v
sns
至比较器comp的第三输入端3，基准电压模拟模块303输出基准电压v
ref
至比较器comp的第四输入端4，比较器comp对v
sns
和v
ref
进行比较。
47.在一些实施例中，当滤波器温度比较低时，v
sns
小于v
ref
，比较器comp的比较输出端out2输出低电平，经过反相器inverter转换为高电平，控制晶体管mn1导通，第四晶体管mp4的电流增加，镜像放大第四晶体管mp4电流的第一晶体管mp1、第三晶体管mp3的电流也增加，滤波器温度会上升，进而导致热阻模拟模块输出的与温度相关的电压v
sns
增加。当滤波器温度上升到一定温度时，v
sns
大于v
ref
，比较器comp的比较输出端out2输出高电平，经过反相器inverter转换为低电平，控制晶体管mn1截止，第三晶体管mp3的电流被限制，镜像放大第三晶体管mp3电流的第一晶体管mp1电流也被限制，以避免滤波器温度进一步升高，造成损坏。
48.在一些实施例中，所述电路还包括分压电阻r1；所述分压电阻r1一端与所述热阻模拟模块（即模拟电阻r2）电连接，另一端接地，所述分压电阻r1与所述热阻模拟模块并联。所述分压电阻r1用于将电流转换为电压。
49.在一些实施例中，功率放大器至少包括偏置电路3011、放大晶体管q、滤波电容c2和电感l1，其中，偏置电路3011分别与第三晶体管mp3的第二端、电源vdd和放大晶体管q的第三端b（即基极）连接，射频输入信号rf
in
经滤波电容c2后，输入放大晶体管q，经放大晶体管放大后输出至滤波器302滤波，滤波后输出rf
out
。放大晶体管q的集电极还连接电感l1，电感l1避免将射频信号中的高次谐波泄露至电源vcc。
50.本技术实施例通过电流模拟模块模拟并输出所述滤波器的滤波器电流，通过热阻模拟模块和滤波器电流输出与滤波器温度相关的滤波器电压。如此，本技术实施例通过滤波器温度模拟电路模拟滤波器的电流和滤波器的热敏电阻和热敏电容等元器件，以模拟滤波器发热情况，从而得到与滤波器温相关的电信号，间接获得滤波器的温度，无需在滤波器中集成温度检测元件，既降低了成本，也减小了滤波器的尺寸。
51.电流模拟模块用于模拟与q连接的滤波器的电流。其中，mp1的电流用于模拟放大晶体管q的偏置电流，i
qc
用于模拟放大晶体管q的静态电流，从而使两者的差值mp2的电流可以模拟得到流经滤波器的电流。其中，i
qc
为不受温度影响的电流基准。
52.滤波器热阻模拟模块和热容模拟模块用于模拟滤波器的热阻和热容，进而通过模拟滤波器的电流、热阻、热容得到与滤波器的热温度相关的电压v
sns
。从而实现通过电路模拟滤波器发热情况，从而间接获得滤波器温度的目的。
53.以上所述，仅为本技术的实施例而已，并非用于限定本技术的保护范围。凡在本技术的精神和范围之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均包含在本技术的保护范围之内。
54.应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本技术的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一些实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本技术的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。上述本技术实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
55.需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法或者装置不仅包括那些要素，而且还包
括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。
56.以上所述，仅为本技术的实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种滤波器温度模拟电路，其特征在于，所述电路至少包括电流模拟模块和热阻模拟模块；所述电流模拟模块，一端与电源电连接，另一端与所述热阻模拟模块电连接，所述电流模拟模块用于模拟并输出所述滤波器的滤波器电流；其中，所述滤波器电流随滤波器温度变化发生变化；所述热阻模拟模块，与所述电流模拟模块串联，所述热阻模拟模块用于模拟所述滤波器的热敏电阻，还用于根据所述滤波器电流输出与所述滤波器温度相关的滤波器电压。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流模拟模块至少包括第一晶体管和电流模块；所述第一晶体管的第一端与所述电源电连接，所述第一晶体管的第二端分别与所述热阻模拟模块和所述电流模块的正极电连接，所述电流模块的负极接地；所述第一晶体管的第三端与第一控制端口电连接；其中，所述第一控制端口用于为所述第一晶体管的第三端提供电压。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电流模拟模块还包括第二晶体管；所述第二晶体管的第一端与所述第一晶体管的第二端和所述电流模块的正极电连接，所述第二晶体管的第二端与所述热阻模拟模块电连接，所述第二晶体管的第三端与第二控制端口电连接；其中，所述第二控制端口用于为所述第二晶体管的第三端提供电压。4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第三晶体管；所述电路用于与功率放大器电连接，所述功率放大器的输出端与滤波器电连接；所述功率放大器至少包括放大晶体管；所述第三晶体管的第一端与电源电连接，所述第三晶体管的第二端用于与所述放大晶体管的第三端相连接，所述第三晶体管的第三端与所述第一控制端口连接；其中，所述第一晶体管第二端的输出电流与所述第三晶体管第二端的输出电流成比例关系，所述第三晶体管第二端的输出电流为所述放大晶体管的偏置电流；所述第一晶体管第二端的输出电流用于模拟所述放大晶体管的偏置电流；所述电流模块的输出电流用于模拟所述放大晶体管的静态电流。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第二晶体管的电流为所述第一晶体管的第二端的输出电流与所述电流模块的输出电流之间的差值，所述第二晶体管的电流用于模拟所述滤波器电流。6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括热容模拟模块，所述热容模拟模块至少包括模拟电容；所述热阻模拟模块至少包括模拟电阻；所述模拟电阻一端与所述电流模拟模块连接，另一端与所述模拟电容连接；所述模拟电容的另一端接地；所述模拟电容与所述模拟电阻并联；所述模拟电容用于模拟所述滤波器的热容。7.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电路还包括运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端、第二输入端和运放输出端；所述第三晶体管的第二端分别与所述运算放大器的第一输入端和功率放大器电连接，所述运算放大器的第二输入端与所述第一晶体管的第二端电连接，所述运算放大器的运放输出端与所述第二控制端口电连接。
8.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第四晶体管、控制晶体管和第一电流模块；所述第四晶体管的第一端与电源电连接；所述第四晶体管的第二端与所述控制晶体管的第一端电连接，所述控制晶体管的第二端接地，所述控制晶体管的第三端与第三控制端口连接，所述第三控制端口用于为所述控制晶体管的第三端提供电压；所述第四晶体管的第三端分别与所述第一控制端口、所述第三晶体管的第三端电连接；所述第一电流模块的正极分别与所述第四晶体管的第二端和第三端电连接，所述第一电流模块的负极接地。9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述电路还包括基准电压模拟模块和比较器；所述比较器包括第三输入端、第四输入端和比较输出端；所述比较器的第三输入端与所述热阻模拟模块电连接，第四输入端与所述基准电压模拟模块电连接，所述比较输出端与所述第三控制端口电连接；所述基准电压模块用于生成基准电压。10.根据权利要求1至9任一项所述的电路，其特征在于，所述电路还包括分压电阻；所述分压电阻一端与所述热阻模拟模块电连接，另一端接地，所述分压电阻与所述热阻模拟模块并联。

技术总结
本申请实施例提供一种滤波器温度模拟电路，其中，所述电路至少包括电流模拟模块和热阻模拟模块；所述电流模拟模块，一端与电源电连接，另一端与所述热阻模拟模块电连接，所述电流模拟模块用于模拟并输出所述滤波器的滤波器电流；其中，所述滤波器电流随滤波器温度变化发生变化；所述热阻模拟模块，与所述电流模拟模块串联，所述热阻模拟模块用于模拟所述滤波器的热敏电阻，还用于根据所述滤波器电流输出与所述滤波器温度相关的滤波器电压。输出与所述滤波器温度相关的滤波器电压。输出与所述滤波器温度相关的滤波器电压。


技术研发人员：彭振飞 陆航
受保护的技术使用者：尚睿微电子（上海）有限公司
技术研发日：2023.06.09
技术公布日：2023/7/12