传感检测电路及其检测方法、传感检测芯片及显示面板与流程

传感检测电路及其检测方法、传感检测芯片及显示面板
【技术领域】
1.本技术涉及传感器技术领域，其特别涉及一种传感检测电路及其检测方法、传感检测芯片及显示面板。


背景技术：

2.在传感技术领域，传感灵敏度是判定传感检测电路性能的重要指标。但是在现有技术中，当传感检测电路中以晶体管作为对传感信号进行转化、放大的器件时，由于晶体管存在阈值漂移的问题，传感检测电路对传感信号的检测灵敏度受到极大影响。
3.【申请内容】
4.有鉴于此，本技术实施例提供了一种传感检测电路及其检测方法、传感检测芯片及显示面板。
5.第一方面，本技术提供一种传感检测电路，包括第一晶体管、第一电容、读取模块及偏置补偿模块；第一晶体管包括沟道区、第一栅极和第二栅极，第一栅极用于接收传感器输出的传感信号；第一电容的一个极板与第一晶体管的第二栅极电连接、另一个极板与第一固定电位信号端电连接；读取模块与第一晶体管电连接且用于控制第一晶体管向传感检测电路的输出端输出感应电流；偏置补偿模块与第一晶体管电连接且用于将偏置电压写入第一晶体管的第二栅极。
6.第二方面，本技术提供一种传感检测电路的检测方法，用于通过第一方面提供的传感检测电路对传感器输出的传感信号进行检测；检测方法包括多个工作周期，多个工作周期中包括至少一个第一工作周期，第一工作周期包括偏置补偿阶段、积分阶段及读取阶段；在偏置补偿阶段，偏置补偿模块开启，偏置电压写入第一晶体管的第二栅极；在积分阶段，偏置补偿模块及读取模块均关断，且第一晶体管的第一栅极接收传感器输出的传感信号；在读取阶段，读取模块开启，第一晶体管的输出端与传感检测电路的输出端电导通。
7.第三方面，本技术提供一种传感检测芯片，包括如第一方面提供的传感检测电路。
8.第四方面，本技术提供一种显示面板，包括如第一方面提供的传感检测电路。
9.在本技术实施例提供的传感检测电路中，用于对传感器输出的传感信号进行转化、放大的第一晶体管中的第一栅极用于接收传感信号且第二栅极用于接收偏置电压，第二栅极接收的偏置电压可以将第一晶体管的阈值电压回调至初始状态，进而使得第一晶体管的亚阈值区域相对稳定。则第一晶体管可以在对传感器进行检测的过程中，始终处于具有极佳的信号转化及放大能力的亚阈值区域，因此传感检测电路能够维持高灵敏度的检测状态。
【附图说明】
10.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
11.图1为本技术实施例提供的一种传感检测电路的应用示意图；
12.图2为本技术实施例提供的一种传感检测电路的模块示意图；
13.图3为图2所示传感检测电路中第一晶体管的结构示意图；
14.图4为与本技术相关的第一晶体管的转移特性曲线；
15.图5为本技术实施例提供的传感检测电路中第一晶体管的一种结构示意图；
16.图6为本技术实施例提供的传感检测电路中第一晶体管的一种结构示意图；
17.图7为本技术实施例提供的传感检测电路中第一晶体管的一种结构示意图；
18.图8为本技术实施例提供的传感检测电路中第一晶体管的一种结构示意图；
19.图9为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
20.图10为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
21.图11为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
22.图12为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
23.图13为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
24.图14为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
25.图15为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
26.图16为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
27.图17为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
28.图18为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
29.图19为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
30.图20为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
31.图21为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
32.图22为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
33.图23为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
34.图24为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
35.图25为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
36.图26为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
37.图27为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
38.图28为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
39.图29为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
40.图30为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
41.图31为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
42.图32为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
43.图33为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
44.图34为图33对应的一种工作时序图；
45.图35为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
46.图36为图35对应的一种工作时序图；
47.图37为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
48.图38为图37对应的一种工作时序图；
49.图39为图33对应的一种工作时序图；
50.图40为图35对应的一种工作时序图；
51.图41为图37对应的一种工作时序图；
52.图42为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图；
53.图43为图42对应的一种工作时序图；
54.图44为本技术实施例提供的一种传感检测芯片的示意图；
55.图45为本技术实施例提供的一种显示面板的示意图；
56.图46为本技术实施例提供的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
57.为了更好的理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术实施例进行详细描述。
58.应当明确，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
59.在本技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
60.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
61.本说明书的描述中，需要理解的是，本技术权利要求及实施例所描述的“基本上”、“近似”、“大约”、“约”、“大致”“大体上”等词语，是指在合理的工艺操作范围内或者公差范围内，可以大体上认同的，而不是一个精确值。
62.应当理解，尽管在本技术实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述区域等，但这些区域等不应限于这些术语。这些术语仅用来将区域等彼此区分开。例如，在不脱离本技术实施例范围的情况下，第一区域也可以被称为第二区域，类似地，第二区域也可以被称为第一区域。
63.本案申请人通过细致深入研究，对于现有技术中所存在的问题，而提供了一种解决方案。
64.图1为本技术实施例提供的一种传感检测电路的应用示意图。
65.如图1所示，传感检测电路01与传感器02电连接，传感检测电路01用于接收传感器02输出的感测信号并可以对该信号进行信号转化、放大及输出。
66.需要说明的是，本技术实施例中所涉及的传感器02包括但不限于用于实现压力、温度、光学、生化/离子检测等功能的传感器02。此外，传感器02实现的功能不同，其结构也可以不同，对应地，传感检测电路01与传感器02的连接方式可以不同，本技术对此不作限定。例如，当传感器02为光学传感器时，如图1所示，传感器02具体可以为光敏二极管，传感检测电路01可以与光敏二极管的阴极电连接。
67.图2为本技术实施例提供的一种传感检测电路的模块示意图，图3为图2所示传感检测电路中第一晶体管的结构示意图。
68.如图2所示，传感检测电路01包括第一晶体管t1，结合图2与图3，第一晶体管t1包括沟道区chl1、第一栅极g1，第一栅极g1与半导体层sc的沟道区chl1交叠。
69.第一晶体管t1的第一栅极g1用于接收传感器02输出的传感信号。当第一晶体管t1接收到传感器02的传感信号而开启时，第一晶体管t1输出检测电流且检测电流的大小取决于传感器02向第一晶体管t1的第一栅极g1传输的传感信号的大小。
70.此外，传感检测电路01还包括读取模块11，读取模块11与第一晶体管t1电连接且用于控制第一晶体管t1向传感检测电路01的输出端out输出感应电流。即在传感检测电路01的读取阶段，读取模块11开启且第一晶体管t1产生的检测电流通过读取模块11输出至传感检测电路01的输出端out。
71.第一晶体管t1还包括第一极e1和第二极e2，第一极e1可以用于接收固定电位信号，第二极e2可以与读取模块11电连接。
72.而传感检测电路01能够对传感器02输出的感测信号进行信号转化、放大主要是利用第一晶体管t1在亚阈值区域具有电压电流转化、信号放大的能力。
73.图4为与本技术相关的第一晶体管的转移特性曲线。
74.如图4所示，当第一晶体管t1工作在亚阈值区域a1时，随着其栅-源电压vgs的增加，第一晶体管t1输出的电流id呈指数规律上升，即第一晶体管t1的栅极电压的稍许改变即可使第一晶体管t1输出的电流id极大改变，此时第一晶体管t1的信号放大能力极佳。
75.当第一晶体管t1的亚阈值摆幅较大时，即第一晶体管t1的亚阈值区域a1较为平缓，此时第一晶体管t1的亚阈值区域a1的范围较大，但是第一晶体管t1的信号放大能力差导致传感器检测电路02的检测灵敏度相应降低。可以理解的是，亚阈值摆幅大的第一晶体管t1的亚阈值区域a1的范围依然有限。
76.当第一晶体管t1的亚阈值摆幅较小时，即第一晶体管t1的亚阈值区域a1较为陡峭，此时第一晶体管t1具备更好的信号放大能力，但是第一晶体管t1的亚阈值区域a1的范围较为有限。
77.采用第一晶体管t1作为传感前端对传感信号进行原位放大时，第一晶体管t1的阈值漂移会使得第一晶体管t1的亚阈值区域a1发生改变。
78.例如，第一晶体管t1接收到传感器02输出的不同传感信号时，该些不同的传感信号会使得传感器02产生不同的阈值漂移，进而使得第一晶体管t1的亚阈值区域a1发生改变。那么，该些传感信号中产生时间靠前的传感信号传输至第一晶体管t1时，第一晶体管t1可能工作在亚阈值区域a1；但是该些传感信号中产生时间靠后的传感信号传输至第一晶体管t1时，第一晶体管t1可能并未工作在亚阈值区域a1。此时，第一晶体管t1的灵敏度发生改变，即第一晶体管t1在工作过程中出现了灵敏度降低的问题。
79.并且上述问题在采用第一晶体管t1的亚阈值摆幅较小的传感检测电路中表现尤甚，因为亚阈值摆幅小的第一晶体管t1的较窄的亚阈值区域a1在漂移后很容易与第一晶体管t1固有的亚阈值区域a1不同。
80.为了解决上述问题，结合图2与图3，本技术实施例所提供的传感检测电路01中的第一晶体管t1还包括第二栅极g2，第一栅极g1与第二栅极g2分别位于第一晶体管t1的沟道区chl1的两侧，可以理解为，第一晶体管t1为包括顶、底双栅的晶体管。
81.其中，第一栅极g1、第二栅极g2中，一者可以为第一晶体管t1的顶栅，另一者可以
为第一晶体管t1的底栅。需要说明的是，图3所示意的第一晶体管t1的第一栅极g1为顶栅且第二栅极g2为底栅，但是，第一晶体管t1的第一栅极g1也可以为底栅且第二栅极g2也可以为顶栅。
82.第二栅极g2用于为第一晶体管t1提供的偏置电压，即第二栅极g2通过对第一晶体管t1进行偏置电压补偿，将第一晶体管t1的阈值电压回调到初始状态或者说回调至接近初始状态，进而可以在传感检测电路01的工作阶段的不同时段，使得第一晶体管t1的亚阈值区域a1均处于较为稳定的位置。那么，第一晶体管t1可以保持稳定及较高的信号放大能力，也就是，传感检测电路01具备稳定及较高的信号放大能力。
83.如图2所示，为了实现第二栅极g2对第一晶体管t1的偏置电压补偿，传感检测电路01还包括偏置补偿模块12，偏置补偿模块12与第一晶体管t1电连接且用于将偏置电压写入第一晶体管t1的第二栅极g2。
84.此外，如图2所示，传感检测电路01还包括第一电容cst1，第一电容cst1的一个极板与第一晶体管t1的第二栅极g2电连接、另一个极板与第一固定电位信号端p1电连接，第一电容cst1用于保持第一晶体管t1的第二栅极g2的电位。
85.本技术实施例所提供的传感检测电路01的至少一个工作周期包括偏置补偿阶段、积分阶段及读取阶段。
86.在偏置补偿阶段，偏置补偿模块12开启且将偏置电压写入第一晶体管t1的第二栅极g2。
87.在积分阶段，栅极g2的电位保持稳定进而使得第一晶体管t1的阈值电压被回调至初始状态，并且此时第一晶体管t1的第一栅极g1接收传感器02输出的传感信号。
88.在读取阶段，读取模块11开启使得第一晶体管t1的输出端与传感检测电路01的输出端out电导通，使得第一晶体管t1产生的感应电流通过传感检测电路01的输出端out输出。
89.需要说明的是，在传感检测电路01的上电之初，读取模块11即可开启，并且将传感检测电路01输出的感应电流作为参考电流。将传感检测电路01的后续工作周期在读取阶段输出的感应电流与参考电流进行比较分析，进而确定传感器02所接收的被测量信息的变化。当然，参考电流的选择可以是灵活的，并不限于传感检测电路01在上电之初输出的感应电流。
90.在本技术实施例提供的传感检测电路01中，用于对传感器02输出的传感信号进行转化、放大的第一晶体管t1中的第一栅极g1用于接收传感信号且第二栅极g2用于接收偏置电压，第二栅极g2接收的偏置电压可以将第一晶体管t1的阈值电压回调至初始状态，进而使得第一晶体管t1的亚阈值区域相对稳定。则第一晶体管t1可以在对传感器02进行检测的过程中，始终处于具有极佳的信号转化及放大能力的亚阈值区域，因此传感检测电路01能够维持高灵敏度的检测状态。
91.图5为本技术实施例提供的传感检测电路中第一晶体管的一种结构示意图，图6为本技术实施例提供的传感检测电路中第一晶体管的一种结构示意图。
92.在本技术的一个实施例中，第一栅极g1远离第一晶体管t1的沟道区chl1的一侧设置有第一绝缘层nc1且第一绝缘层nc1上设置有过孔hl1，第一栅极g1通过设置在第一过孔hl1内的导电结构接收传感器02输出的传感信号。即第一栅极g1与其所电连接的传感器02
设置在不同层，且第一栅极g1与其所电连接的传感器02通过设置在第一绝缘层nc1上的过孔hl1实现电连接。
93.在一种实现方式中，如图5所示，第一栅极g1可以设置在第一晶体管t1的沟道区chl1远离衬底03的一侧，则第一绝缘层nc1可以设置在第一晶体管t1远离衬底03的一侧，传感器02也可以设置在第一晶体管t1远离衬底03的一侧。在本实现方式中，第一栅极g1可以为第一晶体管t1的顶栅且第二栅极g2可以为第一晶体管t1的底栅。
94.在一种实现方式中，如图6所示，第一栅极g1可以设置在第一晶体管t1的沟道区chl1靠近衬底03的一侧，则第一绝缘层nc1可以设置在第一晶体管t1靠近衬底03的一侧，传感器02也可以设置在第一晶体管t1靠近衬底03的一侧。在本实现方式中，第一栅极g1可以为第一晶体管t1的底栅且第二栅极g2可以为第一晶体管t1的顶栅。
95.在本技术的一个实施例中，第一栅极g1与第一晶体管t1的沟道区chl1之间的单位面积电容容值为c1，第二栅极g2与第一晶体管t1的沟道区chl1之间的单位面积电容容值为c2，即，第一晶体管t1的第一栅极g1与对应的沟道区chl1之间的单位面积电容不小于第二栅极g2与对应的沟道区chl1之间的单位面积电容。即第一栅极g1与第一晶体管t1的沟道区chl1之间所形成的电容的单位面积电容容值大于第二栅极g2与第一晶体管t1的沟道区chl1之间所形成的电容的单位面积电容容值。
96.当时，有利于增大第一晶体管t1转移特性曲线中的竖向摆幅。且c1与c2之间的比值越大，第一晶体管t1转移特性曲线中的竖向摆幅越大，第一晶体管t1对信号的放大能力越强，传感检测电路01的检测灵敏度越高。
97.当时，虽然不会增大第一晶体管t1转移特征曲线中的竖向摆幅，但是也利于通过第二栅极g2接收的偏置电压实现对第一晶体管t1阈值电压漂移的抵消效果。
98.第一晶体管t1中，如图5及图6所示，第一栅极g1与沟道区chl1之间包括第二绝缘层nc2，第二栅极g2与沟道区chl1之间包括第三绝缘层nc3。
99.在本实施例对应的一种技术方案中，第二绝缘层nc2的介电常数大于第三绝缘层nc3的介电常数。通过设置第一栅极g1与沟道区chl1之间的绝缘层的介电常数大于第二栅极g2与沟道区chl1之间的绝缘层的介电常数，可以使得c1与c2满足：
100.其中，第二绝缘层nc2可以采用金属氧化物(例如，氧化铝、二氧化铪等)、有机材料(例如，聚偏二氟乙烯等)等至少一种材料制备。第一绝缘层nc1可以采用氮化硅、氧化硅等至少一种材料制备。
101.图7为本技术实施例提供的传感检测电路中第一晶体管的一种结构示意图，图8为本技术实施例提供的传感检测电路中第一晶体管的一种结构示意图。
102.在本实施例对应的一种技术方案中，如图7及图8所示，第一栅极g1与第一晶体管t1的沟道区chl1之间的距离h1小于第二栅极g2与第一晶体管t1的沟道区chl1之间的距离h2。该技术方案可以通过设置第二绝缘层nc2的厚度小于第三绝缘层nc3的厚度来实现。通过设置第一栅极g1与沟道区chl1之间的距离h1小于第二栅极g2与沟道区chl1之间的距离
h2，可以使得c1与c2满足：
103.在本实施例对应的一种技术方案中，第二绝缘层nc2的介电常数大于第三绝缘层nc3的介电常数，且第一栅极g1与第一晶体管t1的沟道区chl1之间的距离h1小于第二栅极g2与第一晶体管t1的沟道区chl1之间的距离h2。
104.图9为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图10为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
105.在本技术的一个实施例中，如图9及图10所示，读取模块11包括第二晶体管t2及第三晶体管t3。其中，第二晶体管t2的输入端用于接收第一电压v1且第二晶体管t2的输出端与第一晶体管t1的输入端(即第一电极e1)电连接，第三晶体管t3的输入端与第一晶体管t1的输出端(即第二电极e2)电连接且第三晶体管t3的输出端与传感检测电路01的输出端out电连接。
106.在传感检测电路01的读取阶段，读取模块11开启，即第二晶体管t2及第三晶体管t3均开启，此时，第一晶体管t1的输入端(即第一电极e1)接收第一电压v1，第一晶体管t1的输入端与栅极之间的压差使得第一晶体管t1开启或者不开启。其中，当第一晶体管t1开启时，第一晶体管t1产生检测电流且检测电流的大小可以反映传感器02所产生的传感信号的大小。当第一晶体管t1不开启时，则意味着传感器02未产生传感信号或者所产生的传感信号的大小未达到可以被传感检测电路01进行检测的大小。
107.在本实施例对应的一种技术方案中，如图9所示，第一晶体管t1可以为n沟道晶体管，且第一电压v1的电位小于传感检测电路01的输出端out的电位，以保证第二晶体管t2及第三晶体管t3开启时，第一晶体管t1可以产生检测电流。
108.其中，第一晶体管t1所包括的半导体层sc具体可以为金属氧化物半导体层。当第一晶体管t1包括金属氧化物半导体层时，则有机会将第一晶体管t1的亚阈值摆幅设计的更小，从而提高传感检测电路的检测灵敏度。
109.在本实施例对应的一种技术方案中，如图10所示，第一晶体管t1可以为p沟道晶体管，且第一电压v1的电位大于传感检测电路01的输出端out的电位，以保证第二晶体管t2及第三晶体管t3开启时，第一晶体管t1可以产生检测电流。
110.本实施例中，第二晶体管t2的输入端可以与第一固定电位信号端p1电连接，则第二晶体管t2的输入端可接收并输出至第一晶体管t1的输入端的第一电压v1具体可以为第一固定电位信号端p1的恒定电位。
111.图11为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图12为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
112.在本技术的一个实施例中，如图11及图12所示，偏置补偿模块12包括第四晶体管t4及第五晶体管t5。其中，第四晶体管t4的输入端用于接收第二电压v2且第四晶体管t4的输出端与第一晶体管t1的输入端(即第一电极e1)电连接，第五晶体管t5的输入端与第一晶体管t1的输出端(即第二电极e2)电连接且第五晶体管t5的输出端与第一晶体管t1的第二栅极g2电连接。
113.在传感检测电路01的偏置补偿阶段，偏置补偿模块12开启，即第四晶体管t4及第五晶体管t5开启，则第二电压v2通过第四晶体管t4、第一晶体管t1及第五晶体管t5传输至
第一晶体管t1的第二栅极g2。此时，偏置电压写入第二栅极g2。
114.需要说明的是，在将第二电压v2写入第一晶体管t1的第二栅极g2的过程中，由于压降以及第四晶体管t4及第五晶体管t5的阈值电压的限制，第一晶体管t1的第二栅极g2在偏置补偿阶段接收到的偏置电压与第二电压v2略有不同，在忽略压降及阈值电压等影响的情况下，偏置电压即为第二电压v2。
115.还需要说明的是，偏置电压可以根据实际情况确定，即偏置电压可以根据实际应用情况有所变化。例如，传感检测电路长期处于第一环境时所用的偏置电压与传感检测电路长期处于第二环境时所用的偏置电压不同，其中，第一环境中的待检测信号与第二环境的待检测信号强度明显不同。
116.图13为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图14为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
117.在本技术对应的一种技术方案中，如图11及图12所示，第五晶体管t5可以为p沟道晶体管。
118.在本技术对应的一种技术方案中，如图13及图14所示，第五晶体管t5可以为n沟道晶体管，则第一晶体管t1的第二栅极g2电位通过第五晶体管t5产生漏流的风险降低。
119.进一步地，第五晶体管t5的半导体层具体可以为金属氧化物半导体层。
120.一种实现方式中，如图13所示，第一晶体管t1及第五晶体管t5均为n沟道晶体管。进一步地，两者的半导体层均可以为金属氧化物半导体层。
121.图15为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图16为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
122.在本技术的一个实施例中，如图15及图16所示，本技术实施例提供的传感检测电路01还包括第一复位模块13，第一复位模块13与第一晶体管t1的第二栅极g2电连接且用于对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位。
123.第一复位模块13对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位的主要原因在于，当偏置电压需要通过开启的第一晶体管t1写入第一晶体管t1的第二栅极g2时，在偏置补偿阶段之前对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位，以使第一晶体管t1的第二栅极g2复位至初始电位。此外，对第一晶体管t1的第二栅极g2以保证第一晶体管t1在偏置补偿阶段可以保持开启状态。
124.虽然在偏置补偿阶段所在工作周期的上一工作周期，传感器02输出的传感信号可能使得第一晶体管t1由亚阈值区域向开启状态偏移，但是也可能使得第一晶体管t1由亚阈值区域向关断状态偏移。当传感器02输出的传感信号使得第一晶体管由亚阈值区域向关断状态偏移时，依赖于上一工作周期中传感信号使得第一晶体管t1保持开启，进而将偏置电压写入第一晶体管t1的第二栅极g2则难以实现。因此，需要设置第一复位模块13，以在偏置补偿阶段将偏置电压写入第一晶体管t1的第二栅极g2。
125.在偏置补偿阶段之前，可以先进行复位阶段，此时第一复位模块13开启对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位。对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位的原因还在于，使第一晶体管t1的第二栅极g2在偏置补偿阶段之前保持预设电位，进而使得偏置补偿模块12对第一晶体管t1的第二栅极t2的补偿更加精准。否则偏置电压叠加第一晶体管t1的第二栅极g2的非预设电压会导致偏置补偿不精准，甚至可能导致补偿过度的问题。
126.图17为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图18为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
127.在本实施例的一种实现方式中，如图17及图18所示，第一复位模块13包括第六晶体管t6，第六晶体管t6的输入端用于接收复位电压vref且第六晶体管t6的输出端与第一晶体管t1的第二栅极g2电连接。
128.则在复位阶段，第六晶体管t6开启，将复位电压vref写入第一晶体管t1的第二栅极g2。
129.图19为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图20为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
130.在本技术对应的一种技术方案中，如图17及图18所示，第六晶体管t6可以为p沟道晶体管。
131.在本技术对应的一种技术方案中，如图19及图20所示，第六晶体管t6可以为n沟道晶体管，则第一晶体管t1的第二栅极g2电位通过第六晶体管t6产生漏流的风险降低。
132.进一步地，第六晶体管t6的半导体层具体可以为金属氧化物半导体层。
133.一种实现方式中，如图19所示，第一晶体管t1及第六晶体管t6均为n沟道晶体管。进一步地，两者的半导体层均可以为金属氧化物半导体层。
134.如图16、图18及图20所示，当第一晶体管t1为p沟道晶体管时，第二电压v2的电位大于复位电压vref的电位。则第一晶体管t1为p沟道晶体管时，第一晶体管t1的第二栅极g2在复位阶段接收到的复位电压的电位小于第一晶体管t1的第二栅极g2在偏置补偿阶段接收到的偏置电压的电位。
135.如图15、图17及图19所示，当第一晶体管t1为n沟道晶体管时，第二电压v2的电位小于复位电压vref的电位。则第一晶体管t1为n沟道晶体管时，第一晶体管t1的第二栅极g2在复位阶段接收到的复位电压的电位大于第一晶体管t1的第二栅极g2在偏置补偿阶段接收到的偏置电压。
136.在本技术的一种实施例中，当传感检测电路包括第一晶体管t1、第五晶体管t5及第六晶体管t6时，第一晶体管t1、第五晶体管t5及第六晶体管t6中的至少一者所包括的半导体层为金属氧化物半导体层。
137.图21为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图22为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
138.在本技术的一个实施例中，如图21及图22所示，传感检测电路还包括第二复位模块14，第二复位模块14与第一晶体管t1的输出端电连接且用于对第一晶体管t1的输出端进行复位。
139.在复位阶段，第二复位模块14可以与第一复位模块13同时开启，且同时对第一晶体管t1的第二栅极g2及第一晶体管t1的输出端进行复位。
140.图23为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图24为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图25为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图26为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
141.在本技术对应的一种技术方案中，如图23-图26所示，第二复位模块14包括第七晶体管t7，第七晶体管t7的输入端用于接收复位电压vref且第七晶体管t7的输出端与第一晶
体管t1的输出端电连接。
142.一种实现方式中，如图23及图24所示，第七晶体管t7为p沟道晶体管。
143.一种实现方式中，如图25及图26所示，第七晶体管t7为n沟道晶体管。
144.在本技术方案中，同一传感检测电路01中，第六晶体管t6的输入端与第七晶体管t7的输入端可以电连接且均接收复位电压vref。
145.此外，同一传感检测电路01中，第六晶体管t6的输入端与第七晶体管t7的输入端也可以分别接收不同的复位电压vref。
146.图27为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图28为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
147.在本技术的一个实施例中，如图27及图28所示，传感检测电路01还包括控制模块15，控制模块15的输入端用于接收传感器02输出的传感信号且控制模块15的输出端与第一晶体管t1的第一栅极g1电连接。在本实施例中，在第一晶体管t1的第一栅极g1与传感器02的输出端之间设置控制模块15，控制模块15用于控制第一晶体管t1的第一栅极g1与传感器02的输出端之间的导通状态。
148.在积分阶段t2，控制模块15开启，将传感器02输出的传感信号传输至第一晶体管t1的第一栅极g1。
149.在其他阶段，控制模块15可以关断。例如，控制模块15在复位阶段t0关断，避免传感器02输出的信号影响第一晶体管t1的栅极g1及第一晶体管t1的输出端的复位效果。例如，控制模块15在偏置补偿阶段t1关断，避免传感器02输出的信号影响第一晶体管t1的偏置补偿效果。例如，控制模块15在读取阶段t3关断，避免传感器02输出的信号影响实际传感检测电路01输出的检测信号。
150.图29为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图30为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图31为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图32为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图。
151.在本技术对应的一种技术方案中，如图29-图32所示，控制模块15包括第八晶体管t8和第二电容cst2。第八晶体管t8的输入端用于接收传感器02输出的传感信号且第八晶体管t8的输出端与第一晶体管t1的第一栅极g1电连接。第二电容cst2的一个极板与第八晶体管t8的输出端电连接、另一个极板与第二固定电位信号端p2电连接，其中，第二固定电位信号端p2可以接地。
152.一种实现方式中，如图29及图30所示，第八晶体管t8为p沟道晶体管。
153.一种实现方式中，如图31及图32所示，第八晶体管t8为n沟道晶体管。
154.本技术实施例还提供一种传感检测电路的检测方法，用于通过上述任意实施例所提供的传感检测电路01对传感器02输出的传感信号进行检测。其中，检测方法包括多个工作周期，且多个工作周期中包括至少一个第一工作周期f1，第一工作周期f1包括偏置补偿阶段t1、积分阶段t2及读取阶段t3。
155.在偏置补偿阶段t1中，偏置补偿模块12开启，且第二电压v2通过开启的偏置补偿模块12写入第一晶体管t1的第二栅极g2，即偏置电压写入第一晶体管t1的第二栅极g2。
156.在积分阶段t2中，偏置补偿模块12及读取模块11均关断，且第一晶体管的第一栅极接收传感器02输出的传感信号。
157.在读取阶段t3，读取模块11开启，第一晶体管t1的输出端与传感检测电路01的输出端out电导通，则第一晶体管t1产生的检测电流通过开启的读取模块11输出至传感检测电路01的输出端out，进而被读取。
158.以下以读取模块11包括第二晶体管t2、第三晶体管t3，偏置补偿模块12包括第四晶体管t4及第五晶体管t5为例进行说明，其中，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4及第五晶体管t5的连接方式已在上述实施例中说明，在此不再赘述。
159.图33为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图34为图33对应的一种工作时序图。
160.结合图33与图34，以第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4及第五晶体管t5为p沟道晶体管为例进行说明。其中，第四晶体管t4的栅极及第五晶体管t5的栅极均连接第一扫描线s1、第二晶体管t2的栅极及第三晶体管t3的栅极均连接第二扫描线s2为例进行说明。
161.在偏置补偿阶段t1中，第一扫描线s1传输低使能信号，则第四晶体管t4及第五晶体管t5均开启，即偏置补偿模块12开启。第四晶体管t4的输入端接收的第二电压v2通过开启的第四晶体管t4及第五晶体管t5传输至第一晶体管t1的第二栅极g2。
162.在积分阶段t2中，第一扫描线s1及第二扫描线s2均不传输使能信号，则第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4及第五晶体管t5均关断。
163.在读取阶段t3中，第二扫描线s2传输低使能信号，则第二晶体管t2及第三晶体管t3均开启。第二晶体管t2的输入端接收的第一电压v1传输至第一晶体管t1的输入端，则第一晶体管t1产生电流，并且第一晶体管t1产生的电流通过开启的第三晶体管t3由传感检测电路01的输出端out输出。第一晶体管t1所产生的电流大小与其第一栅极g1、第二栅极g2的电压相关。
164.当传感检测电路01还包括第一复位模块13时，第一工作周期f1还包括复位阶段t0。在复位阶段t0，第一复位模块13开启，对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位。
165.结合图33与图34，以第一复位模块13包括第六晶体管t6为例进行说明，其中，第六晶体管t6也可以为p沟道晶体管，第六晶体管t6的栅极连接第三扫描线s3。
166.在复位阶段t0中，第三扫描线s3传输低使能信号，第六晶体管t6开启且将其输入端接收的复位电压vref传输至第一晶体管t1的第二栅极g2，以对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位。
167.当传感检测电路01还包括第二复位模块14时，第二复位模块14也可以在复位阶段t0与第一复位模块13同时开启，对第一晶体管t1的输出端进行复位。需要说明的是，第一复位模块13与第二复位模块14可以同时开启，也可以不同时开启，本技术实施例以两者同时开启为例进行说明。
168.结合图33与图34，以第二复位模块14包括第七晶体管t7为例进行说明，其中，第七晶体管t7也可以为p沟道晶体管，第七晶体管t7的栅极也连接第三扫描线s3。
169.在复位阶段t0中，第三扫描线s3传输低使能信号，第七晶体管t7开启且将其输入端接收的复位电压vref传输至第一晶体管t1的输出端，以对第一晶体管t1的输出端进行复位。
170.图35为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图36为图35对应的一种
工作时序图。
171.结合图35与图36，以第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4及第五晶体管t5为n沟道晶体管为例进行说明。其中，第四晶体管t4的栅极及第五晶体管t5的栅极均连接第一扫描线s1、第二晶体管t2的栅极及第三晶体管t3的栅极均连接第二扫描线s2为例进行说明。
172.在偏置补偿阶段t1中，第一扫描线s1传输高使能信号，则第四晶体管t4及第五晶体管t5均开启，即偏置补偿模块12开启。第四晶体管t4的输入端接收的第二电压v2通过开启的第四晶体管t4及第五晶体管t5传输至第一晶体管t1的第二栅极g2。
173.在积分阶段t2中，第一扫描线s1及第二扫描线s2均不传输使能信号，则第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4及第五晶体管t5均关断。
174.在读取阶段t3中，第二扫描线s2传输高使能信号，则第二晶体管t2及第三晶体管t3均开启。第二晶体管t2的输入端接收的第一电压v1传输至第一晶体管t1的输入端，则第一晶体管t1产生电流，并且第一晶体管t1产生的电流通过开启的第三晶体管t3由传感检测电路01的输出端out输出。第一晶体管t1所产生的电流大小与其第一栅极g1、第二栅极g2的电压相关。
175.当传感检测电路01还包括第一复位模块13时，第一工作周期f1还包括复位阶段t0。在复位阶段t0，第一复位模块13开启，对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位。
176.结合图35与图36，以第一复位模块13包括第六晶体管t6为例进行说明，其中，第六晶体管t6也可以为n沟道晶体管，第六晶体管t6的栅极连接第三扫描线s3。
177.在复位阶段t0中，第三扫描线s3传输高使能信号，第六晶体管t6开启且将其输入端接收的复位电压vref传输至第一晶体管t1的第二栅极g2，以对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位。
178.当传感检测电路01还包括第二复位模块14时，第二复位模块14也可以在复位阶段t0与第一复位模块13同时开启，对第一晶体管t1的输出端进行复位。需要说明的是，第一复位模块13与第二复位模块14可以同时开启，也可以不同时开启，本技术实施例以两者同时开启为例进行说明。
179.结合图35与图36，以第二复位模块14包括第七晶体管t7为例进行说明，其中，第七晶体管t7也可以为n沟道晶体管，第七晶体管t7的栅极也连接第三扫描线s3。
180.在复位阶段t0中，第三扫描线s3传输高使能信号，第七晶体管t7开启且将其输入端接收的复位电压vref传输至第一晶体管t1的输出端，以对第一晶体管t1的输出端进行复位。
181.图37为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图38为图37对应的一种工作时序图。
182.结合图37与图38，以第一晶体管t1、第四晶体管t4及第五晶体管t5为n沟道晶体管且第二晶体管t2、第三晶体管t3为例进行说明。其中，第四晶体管t4的栅极及第五晶体管t5的栅极均连接第一扫描线s1、第二晶体管t2的栅极及第三晶体管t3的栅极均连接第二扫描线s2为例进行说明。
183.在偏置补偿阶段t1中，第一扫描线s1传输高使能信号，则第四晶体管t4及第五晶体管t5均开启，即偏置补偿模块12开启。第四晶体管t4的输入端接收的第二电压v2通过开
启的第四晶体管t4及第五晶体管t5传输至第一晶体管t1的第二栅极g2。
184.在积分阶段t2中，第一扫描线s1及第二扫描线s2均不传输使能信号，则第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4及第五晶体管t5均关断。
185.在读取阶段t3中，第二扫描线s2传输低使能信号，则第二晶体管t2及第三晶体管t3均开启。第二晶体管t2的输入端接收的第一电压v1传输至第一晶体管t1的输入端，则第一晶体管t1产生电流，并且第一晶体管t1产生的电流通过开启的第三晶体管t3由传感检测电路01的输出端out输出。第一晶体管t1所产生的电流大小与其第一栅极g1、第二栅极g2的电压相关。
186.当传感检测电路01还包括第一复位模块13时，第一工作周期f1还包括复位阶段t0。在复位阶段t0，第一复位模块13开启，对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位。
187.结合图37与图38，以第一复位模块13包括第六晶体管t6为例进行说明，其中，第六晶体管t6也可以为p沟道晶体管，第六晶体管t6的栅极连接第三扫描线s3。
188.在复位阶段t0中，第三扫描线s3传输低使能信号，第六晶体管t6开启且将其输入端接收的复位电压vref传输至第一晶体管t1的第二栅极g2，以对第一晶体管t1的第二栅极g2进行复位。
189.当传感检测电路01还包括第二复位模块14时，第二复位模块14也可以在复位阶段t0与第一复位模块13同时开启，对第一晶体管t1的输出端进行复位。需要说明的是，第一复位模块13与第二复位模块14可以同时开启，也可以不同时开启，本技术实施例以两者同时开启为例进行说明。
190.结合图37与图38，以第二复位模块14包括第七晶体管t7为例进行说明，其中，第七晶体管t7也可以为p沟道晶体管，第七晶体管t7的栅极也连接第三扫描线s3。
191.在复位阶段t0中，第三扫描线s3传输低使能信号，第七晶体管t7开启且将其输入端接收的复位电压vref传输至第一晶体管t1的输出端，以对第一晶体管t1的输出端进行复位。
192.为了清楚的描述传感检测电路01的工作过程，上述实施例对传感检测电路01所包括的晶体管的工作时序进行了描述。需要说明的是，传感检测电路包括多个晶体管，不同沟道类型的晶体管在传感检测电路中的组合方式存在多种，上述实施例仅对部分组合方式进行了说明，但是本技术对其他简单替换了不同沟道类型的晶体管的传感检测电路的方案也进行保护。
193.图39为图33对应的一种工作时序图，图40为图35对应的一种工作时序图，图41为图37对应的一种工作时序图。
194.在本技术的一个实施例中，结合图33与图39、图35与图40、图37与图41，传感检测电路01的多个工作周期中包括至少一个第二工作周期f2，第二工作周期f2包括积分阶段t2和读取阶段t3。第二工作周期f2相对于第一工作周期f1而言，可以不存在偏置补偿阶段t1。
195.其中，在第二工作周期f2的积分阶段t2，偏置补偿模块12及读取模块11均关断，且第一晶体管t1的第一栅极g1接收传感器02输出的传感信号。在第二工作周期f2的读取阶段t3，读取模块11开启，第一晶体管t1的输出端与传感检测电路01的输出端电导通。
196.当传感检测电路01还包括第一复位模块13时，第二工作周期f2还可以包括复位阶段t0。在第二工作周期f2的复位阶段t0中，第一复位模块13开启，对第一晶体管t1的第二栅
极g2进行复位。
197.当传感检测电路01还包括第二复位模块14时，在第二工作周期f2的复位阶段t0中，第二复位模块14开启，对第一晶体管t1的输出端进行复位。
198.在本实施例中，由于传感检测电路01在第一工作周期f1时包括偏置补偿阶段t1且在第二工作周期f2时不包括偏置补偿阶段t1，且传感检测电路01在第一工作周期f1及第二工作周期f2时均包括积分阶段t2和读取阶段t3，则传感检测电路01的积分阶段t2及读取阶段t3的频率均大于偏置补偿阶段t1的频率。进而可以节省功耗，且可以获得较高的检测频率。在传感检测电路01的检测频率较高时，第一晶体管t1在相邻工作周期中的阈值偏移不明显，则可以将偏置补偿阶段t1的频率设置为小于积分阶段t2和读取阶段t3的频率，进而可以节省功耗。
199.在本技术对应的一种技术方案中，第二工作周期f2的频率大于或等于第一工作周期f1的频率。
200.第二工作周期f2的频率等于第一工作周期f1的频率，可以理解为，第二工作周期f2与第一工作周期f1一一交替进行。
201.第二工作周期f2的频率大于第一工作周期f1的频率，可以理解为，相邻两个第一工作周期f1之间完成至少两个第二工作周期f2。
202.图42为本技术实施例提供的一种传感检测电路的示意图，图43为图42对应的一种工作时序图。
203.在本技术的一个实施例中，传感检测电路还包括控制模块15，控制模块15的输入端用于接收传感器02输出的传感信号且控制模块15的输出端与第一晶体管t1的第一栅极g1电连接。检测方法还包括在积分阶段t2，控制模块15开启，则控制模块15用于将传感器02输出的传感信号传输至第一晶体管t1的第一栅极g1。
204.结合图42与图43，以控制模块15包括第八晶体管t8且第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7及第八晶体管t8为p沟道晶体管为例进行说明。其中，第八晶体管t8的栅极连接第四扫描线s4为例进行说明。
205.在复位阶段t0中，第三扫描线s3传输低使能信号，第六晶体管t6及第七晶体管t7开启且分别将其输入端接收的复位电压vref传输至第一晶体管t1的第二栅极g2及第一晶体管t1的输出端，以对第一晶体管t1的第二栅极g2及第一晶体管t1的输出端进行复位。
206.在偏置补偿阶段t1中，第一扫描线s1传输低使能信号，则第四晶体管t4及第五晶体管t5均开启，即偏置补偿模块12开启。第四晶体管t4的输入端接收的第二电压v2通过开启的第四晶体管t4及第五晶体管t5传输至第一晶体管t1的第二栅极g2。
207.在积分阶段t2中，第四扫描线s4传输低使能信号，则第八晶体管t8开启，即控制模块15开启。第八晶体管t8将传感器02输出的传感信号传输至第一晶体管t1的第一栅极g1。
208.在读取阶段t3中，第二扫描线s2传输低使能信号，则第二晶体管t2及第三晶体管t3均开启。第二晶体管t2的输入端接收的第一电压v1传输至第一晶体管t1的输入端，则第一晶体管t1产生电流，并且第一晶体管t1产生的电流通过开启的第三晶体管t3由传感检测电路01的输出端out输出。第一晶体管t1所产生的电流大小与其第一栅极g1、第二栅极g2的电压相关。
209.图44为本技术实施例提供的一种传感检测芯片的示意图。
210.本技术实施例提供一种传感检测芯片，如图42所示，包括如上述任意一个实施例提供的传感检测电路01。
211.在本技术实施例提供的传感检测芯片能够维持高灵敏度的检测状态。
212.图45为本技术实施例提供的一种显示面板的示意图。
213.本技术实施例提供一种显示面板001，包括如上述任意一个实施提供的传感检测电路01。此外，显示面板001还可以包括传感器件02。
214.在本技术实施例提供的显示面板能够维持高灵敏度的检测状态。
215.图46为本技术实施例提供的一种显示装置的示意图。
216.如图46所示，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上述任意一个实施例提供的显示面板001。示例性的，显示装置可为手机、电脑、智能可穿戴设备(例如，智能手表)以及车载显示设备等电子设备，本发明实施例对此不作限定。
217.在本技术实施例提供的显示装置能够维持高灵敏度的检测状态。
218.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术保护的范围之内。

技术特征：
1.一种传感检测电路，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括沟道区、第一栅极和第二栅极；所述第一栅极用于接收传感器输出的传感信号；第一电容，所述第一电容的一个极板与所述第一晶体管的所述第二栅极电连接、另一个极板与第一固定电位信号端电连接；读取模块，与所述第一晶体管电连接且用于控制所述第一晶体管向所述传感检测电路的输出端输出感应电流；偏置补偿模块，与所述第一晶体管电连接且用于将偏置电压写入所述第一晶体管的所述第二栅极。2.根据权利要求1所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一栅极远离所述第一晶体管的所述沟道区的一侧设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置有过孔；所述第一栅极通过设置在所述第一过孔内的导电结构接收所述传感器输出的传感信号。3.根据权利要求1所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一栅极与所述第一晶体管的所述沟道区之间的单位面积电容容值为c1，所述第二栅极与所述第一晶体管的所述沟道区之间的单位面积电容容值为c2；其中，4.根据权利要求3所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一栅极与所述第一晶体管的所述沟道区之间包括第二绝缘层，所述第二栅极与所述第一晶体管的沟道区之间包括第三绝缘层；其中，所述第二绝缘层的介电常数大于所述第三绝缘层的介电常数。5.根据权利要求3所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一栅极与所述第一晶体管的所述沟道区之间的距离小于所述第二栅极与所述第一晶体管的所述沟道区之间的距离。6.根据权利要求1所述的传感检测电路，其特征在于，所述读取模块包括第二晶体管和第三晶体管；所述第二晶体管的输入端用于接收第一电压、输出端与所述第一晶体管的输入端电连接；所述第三晶体管的输入端与所述第一晶体管的输出端电连接、输出端与所述传感检测电路的输出端电连接。7.根据权利要求6所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一晶体管为n沟道晶体管，且所述第一电压的电位小于所述传感检测电路的输出端的电位。8.根据权利要求6所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一晶体管为p沟道晶体管，且所述第一电压的电位大于所述传感检测电路的输出端的电位。9.根据权利要求1所述的传感检测电路，其特征在于，所述偏置补偿模块包括第四晶体管及第五晶体管；所述第四晶体管的输入端用于接收第二电压、输出端与所述第一晶体管的输入端电连接；所述第五晶体管的输入端与所述第一晶体管的输出端电连接、输出端与所述第一晶体管的所述第二栅极电连接。
10.根据权利要求9所述的传感检测电路，其特征在于，所述传感检测电路还包括：第一复位模块，与所述第一晶体管的所述第二栅极电连接且用于对所述第一晶体管的所述第二栅极进行复位。11.根据权利要求10所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一复位模块包括第六晶体管；所述第六晶体管的输入端用于接收复位电压、输出端与所述第一晶体管的所述第二栅极电连接。12.根据权利要求11所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一晶体管为n沟道晶体管，所述第二电压的电位小于所述复位电压的电位。13.根据权利要求12所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第五晶体管及所述第六晶体管中的至少一者所包括的半导体层为金属氧化物半导体层。14.根据权利要求11所述的传感检测电路，其特征在于，所述第一晶体管为p沟道晶体管，所述第二电压的电位大于所述复位电压的电位。15.根据权利要求10所述的传感检测电路，其特征在于，所述传感检测电路还包括：第二复位模块，与所述第一晶体管的输出端电连接且用于对所述第一晶体管的输出端进行复位。16.根据权利要求15所述的传感检测电路，其特征在于，所述第二复位模块包括第七晶体管；其中，所述第七晶体管的输入端用于接收复位电压、输出端与所述第一晶体管的输出端电连接。17.根据权利要求1所述的传感检测电路，其特征在于，还包括：控制模块，所述控制模块的输入端用于接收传感器输出的传感信号、输出端与所述第一晶体管的所述第一栅极电连接。18.根据权利要求17所述的传感检测电路，其特征在于，所述控制模块包括第八晶体管和第二电容；所述第八晶体管的输入端用于接收传感器输出的传感信号、输出端与所述第一晶体管的所述第一栅极电连接；所述第二电容的一个极板与所述第八晶体管的输出端电连接、另一个极板与第二固定电位信号端电连接。19.一种传感检测电路的检测方法，其特征在于，用于通过权利要求1-18任意一项所述的传感检测电路对传感器输出的传感信号进行检测；所述检测方法包括多个工作周期，所述多个工作周期中包括至少一个第一工作周期，所述第一工作周期包括：偏置补偿阶段，所述偏置补偿模块开启，所述偏置电压写入所述第一晶体管的所述第二栅极；积分阶段，所述偏置补偿模块及所述读取模块均关断，且所述第一晶体管的所述第一栅极接收传感器输出的传感信号；读取阶段，所述读取模块开启，所述第一晶体管的输出端与所述传感检测电路的输出端电导通。20.根据权利要求19所述的检测方法，其特征在于，所述多个工作周期中包括至少一个
第二工作周期，所述第二工作周期包括：积分阶段，所述偏置补偿模块及所述读取模块均关断，且所述第一晶体管的所述第一栅极接收传感器输出的传感信号；读取阶段，所述读取模块开启，所述第一晶体管的输出端与所述传感检测电路的输出端电导通。21.根据权利要求20所述的检测方法，其特征在于，所述第二工作周期的频率大于或等于所述第一工作周期的频率。22.根据权利要求19所述的检测方法，其特征在于，所述传感检测电路还包括：控制模块，所述控制模块的输入端用于接收传感器输出的传感信号、输出端与所述第一晶体管的所述第一栅极电连接；其中，所述检测方法还包括，在所述积分阶段，所述控制模块开启。23.一种传感检测芯片，其特征在于，包括如权利要求1-18任意一项所述的传感检测电路。24.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-18任意一项所述的传感检测电路。

技术总结
本申请实施例提供一种传感检测电路及其检测方法、传感检测芯片及显示面板，第一晶体管包括沟道区、第一栅极和第二栅极，第一栅极用于接收传感器输出的传感信号；第一电容的一个极板与第一晶体管的第二栅极电连接、另一个极板与第一固定电位信号端电连接；读取模块与第一晶体管电连接且用于控制第一晶体管向传感检测电路的输出端输出感应电流；偏置补偿模块与第一晶体管电连接且用于将偏置电压写入第一晶体管的第二栅极。第一晶体管中的第一栅极接收传感信号且第二栅极接收偏置电压，第二栅极接收的偏置电压能将第一晶体管的阈值电压回调至初始状态，使得第一晶体管的亚阈值区域相对稳定。域相对稳定。域相对稳定。


技术研发人员：黄钰坤 王林志 席克瑞 林柏全 贾振宇 李傲文 卢浩天
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司
技术研发日：2023.04.14
技术公布日：2023/7/13