纳米棒发光元件和包括纳米棒发光元件的显示装置的制作方法

纳米棒发光元件和包括纳米棒发光元件的显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年12月30日在韩国提交的韩国专利申请第10-2021-0193152号的权益和优先权，其全部内容在此通过引用明确并入本技术中。
技术领域
3.本公开内容涉及纳米棒发光元件和包括该纳米棒发光元件的显示装置，并且更具体地，涉及允许修复过程的纳米棒发光元件和包括该纳米棒发光元件的显示装置。


背景技术：

4.在计算机监视器、tv和移动电话中使用的显示装置包括自身发光的有机发光显示器(oled)和需要单独的光源的液晶显示器(lcd)。
5.显示装置被应用于越来越多的各种领域，不仅包括计算机监视器和tv，而且还包括个人移动装置，因此，正在研究具有减小的体积和重量同时具有宽有效区域的显示装置。
6.在最近几年中，包括发光二极管(led)的显示装置已经作为下一代显示装置受到关注。由于led由无机材料而不是有机材料形成，因此其具有优异的可靠性，并且与液晶显示器或有机发光显示器相比具有更长的寿命。另外，led由于高耐冲击性而具有高发光速度、高发光效率和优异的稳定性，并且可以显示高亮度图像。


技术实现要素：

7.本公开内容的一个方面是提供一种能够通过控制子像素中光源的数目来改善亮度均匀性和发光效率的纳米棒发光元件，以及包括该纳米棒发光元件的显示装置。
8.本公开内容的另一方面是提供一种通过减少在修复过程中消耗的处理过程而允许降低显示装置的制造成本的纳米棒发光元件，以及包括该纳米棒发光元件的显示装置。
9.本公开内容的目的不限于以上提及的目的，并且本领域技术人员可以根据以下描述清楚地理解以上未提及的其他目的。
10.根据本公开内容的一个实施方式的纳米棒发光元件可以包括：具有棒形状的第一半导体层；第一有源层，其覆盖第一半导体层的侧表面的第一部分，第一部分从第一半导体层的上表面延伸；覆盖第一有源层的第二半导体层；第二有源层，其覆盖该侧表面的第二部分并且与第一有源层间隔开，第二部分从第一半导体层的下表面延伸；以及第三半导体层，其覆盖第二有源层并且与第二半导体层间隔开。
11.根据本公开内容的另一实施方式的显示装置可以包括：基板，其包括：包括多个子像素的有效区域以及围绕该有效区域的非有效区域；设置在基板上的第一晶体管；设置在第一晶体管上的平坦化层；设置在平坦化层上的第一对准线；位于第一对准线的两侧的第二对准线；第一绝缘层，其被设置成覆盖第二对准线；设置在第一对准线和第一绝缘层上的纳米棒发光元件；第二绝缘层，其设置在纳米棒发光元件上并且暴露第二半导体层和第三半导体层中的一个半导体层；以及第一连接线，其连接第一晶体管和一个半导体层。
12.根据本公开内容的又一实施方式的显示装置可以包括：基板；以及设置在基板上的多个子像素；其中，多个子像素中的一个包括多个纳米棒发光元件，多个纳米棒发光元件中的每个为上面所述的纳米棒发光元件。
13.实施方式的其他详细事项包括在在具体实施方式和附图中。
14.根据本公开内容，多个发光元件可以在基板的特定位置自对准。
15.根据本公开内容，可以通过在一个发光元件中形成两个发光区域并且选择性地使用这两个发光区域来改善亮度均匀性。
16.根据本公开内容，通过将第一电极设置在发光元件的中心部分并且将多个第二电极设置在发光元件的两侧，可以利于修复配置并且可以减少在修复过程中消耗的处理过程。
17.根据本公开内容的效果不限于上面例示的内容，并且本说明书中包括更多的各种效果。
附图说明
18.图1a至图1j是用于说明根据本公开内容的实施方式的发光元件的制造方法的过程视图。
19.图2是根据本公开内容的另一实施方式的发光元件的立体图。
20.图3是根据本公开内容的实施方式的显示装置的示意性平面图。
21.图4a至图4d是用于说明根据本公开内容的实施方式的显示装置的制造方法的视图。
22.图5是根据本公开内容的实施方式的显示装置的平面图。
23.图6是沿图5的线vi-vi’截取的截面图。
24.图7是根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的平面图。
25.图8是沿图7的线viii-viii’截取的截面图。
26.图9是根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置的平面图。
27.图10是沿图9的线ix-ix’截取的截面图。
28.图11是根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置的平面图。
29.图12是沿图11的线xi-xi’截取的截面图。
具体实施方式
30.通过参照下面结合附图详细描述的实施方式，本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的实施方式，而且将以各种各样的形式实现。实施方式仅作为示例提供。因此，本公开内容将仅由所附权利要求书的范围来限定。
31.用于描述本公开内容的实施方式的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开内容的主题晦涩难懂。本文所使用的诸如“包括”、“具有”和“由
……
组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否
则对单数形式的任何引用都可以包括复数形式。
32.即使未明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
33.当使用诸如“在...上”、“在...上方”、“在...下方”和“邻接”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，除非这些术语与“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部分可以位于两个部分之间。
34.当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接置于其他元件上或置于其间。
35.尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各个部件，但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
36.在整个说明书中，相同附图标记通常标示相同的元件。
37.为了便于描述，示出了附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度，但是本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。
38.本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此粘附或组合且可以以技术上不同的方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地实施。
39.在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的实施方式的可拉伸显示装置。
40.图1a至图1j是用于说明根据本公开内容的实施方式的发光元件的制造方法的过程视图。
41.参照图1a，在生长基板wf上形成缓冲层bf和绝缘层il。缓冲层bf覆盖生长基板wf，使得湿气或杂质不会从生长基板wf扩散到上部结构。缓冲层bf可以通过金属有机化学气相沉积(mocvd)形成。然后，在缓冲层bf上形成绝缘层il。绝缘层il可以包括多个孔。也就是说，绝缘层il可以被图案化并且设置在缓冲层bf上。因此，缓冲层bf的上表面可以被绝缘层il的孔部分地暴露。
42.参照图1b，第一半导体层131形成在缓冲层bf的从绝缘层il的孔暴露的上表面上。例如，可以通过金属有机化学气相沉积(mocvd)使用构成第一半导体层131的材料生长棒状半导体晶体来形成第一半导体层131。第一半导体层可以替选地被描述为半导体棒。因此，贯穿本公开内容，术语“第一半导体层”和“第一半导体棒”被可交换地使用。
43.第一半导体层131可以是通过用n型杂质掺杂特定材料而形成的层。第一半导体层131可以是其中诸如氮化镓(gan)、磷化铟铝(inalp)或砷化镓(gaas)的材料掺杂有n型杂质的层。n型杂质可以是硅(si)、锗(ge)、锡(sn)等，但本公开内容不限于此。
44.参照图1c，可以在第一半导体层131上形成有源材料层132m。有源材料层132m可以被设置成围绕第一半导体层131的上表面和侧表面。有源材料层132m可以具有单层或多量子阱(mqw)结构，并且可以由例如氮化铟镓(ingan)、氮化镓(gan)等形成，但本公开内容限于此。有源材料层132m可以通过例如金属有机化学气相沉积(mocvd)形成。在这种情况下，有源材料层132m可以通过继承第一半导体层131的结晶度来生长。
45.参照图1d，第二半导体材料层133m形成在有源材料层132m上。第二半导体材料层133m可以被设置成围绕有源材料层132m的上表面和侧表面。第二半导体材料层133m可以是通过用p型杂质掺杂特定材料而形成的层。例如，第二半导体材料层133m可以是其中诸如氮化镓(gan)、磷化铟铝(inalp)或砷化镓(gaas)的材料掺杂有p型杂质的层。另外，p型杂质可
以是镁(mg)、锌(zn)、铍(be)等，但本公开内容不限于此。例如，第二半导体材料层133m可以通过金属有机化学气相沉积(mocvd)形成。因此，第二半导体材料层133m可以通过继承有源材料层132m的结晶度来生长。
46.参照图1e，第一临时保护层pr1形成在生长基板wf上的未设置第一半导体层131、有源材料层132m和第二半导体材料层133m的部分上。第一临时保护层pr1可以通过例如涂覆光致抗蚀剂(pr)并且通过灰化工艺执行蚀刻来形成，但是本公开内容不限于此。在这种情况下，第一临时保护层pr1被设置成仅覆盖从第二半导体材料层133m的下表面延伸的侧表面的一部分。
47.参照图1f，掩模ms形成在第一临时保护层pr1和第二半导体材料层133m上。掩模ms形成在第二半导体材料层133m的侧表面和上表面的从第一临时保护层pr1暴露的一部分上。例如，掩模ms可以由氧化硅(sio2)形成。
48.参照图1g，去除设置在绝缘层il与掩模ms之间的第一临时保护层pr1。因此，可以暴露绝缘层il的上表面以及从第二半导体材料层133m的下表面延伸的侧表面的一部分。
49.参照图1h，第二临时保护层pr2形成在绝缘层il上。在这种情况下，第二临时保护层pr2形成在暴露第二半导体材料层133m的侧表面的一部分的高度处。
50.参照图1i，去除第二半导体材料层133m的侧表面的从第二临时保护层pr2和掩模ms暴露的一部分以及有源材料层132m的侧表面与暴露的第二半导体材料层133m交叠的一部分。作为去除第二半导体材料层133m和有源材料层132m的方法，例如，可以使用感应耦合等离子体(ipc)蚀刻方法，但是本公开内容不限于此。因此，可以将第二半导体材料层133m分离为第二半导体层133a和第三半导体层133b，并且可以将有源材料层132m分离为第一有源层132a和第二有源层132b。
51.接下来，去除第二临时保护层pr2，并且将设置在生长基板wf上的第一半导体层131、第一有源层132a、第二有源层132b、第二半导体层133a和第三半导体层133b与生长基板wf分离，由此可以形成如图1j所示的纳米棒发光元件130。具体地，去除第二临时保护层pr2，并且基于第二有源层132b和第三半导体层133b与绝缘层il之间的边界切割第一半导体层131，从而可以形成具有棒形状的纳米棒发光元件130。
52.参照图1j，发光元件130可以是包括第一半导体层131、第一有源层132a、第二有源层132b、第二半导体层133a和第三半导体层133b的哑铃状纳米棒发光元件130。
53.第一有源层132a覆盖从第一半导体层131的上表面延伸的侧表面的一部分，并且覆盖第一半导体层131的整个上表面。第一有源层132a可以从第一半导体层131、第二半导体层133a和第三半导体层133b接收空穴和电子并且发光。第一有源层132a可以具有单层或多量子阱(mqw)结构，并且可以由例如氮化铟镓(ingan)，氮化镓(gan)等形成，但本公开内容不限于此。
54.第二有源层132b覆盖从第一半导体层131的下表面延伸的侧表面的一部分，并且与第一有源层132a间隔开。也就是说，位于第一半导体层131的侧表面的中心部分中的部分区域可以通过第一有源层132a和第二有源层132b暴露于外部。第二有源层132b可以由与第一有源层132a相同的材料形成。参照图1a至图1i，第二有源层132b的下表面是与生长基板wf分离的部分。因此，第二有源层132b可以暴露第一半导体层131的下表面。
55.第二半导体层133a覆盖第一有源层132a。因此，第二半导体层133a可以覆盖第一
半导体层131的整个上表面。第二半导体层133a可以由与第二半导体材料层133m相同的材料形成。
56.第三半导体层133b覆盖第二有源层132b并且与第二半导体层133a间隔开。也就是说，位于第一半导体层131的侧表面的中心部分中的部分区域可以通过第三半导体层133b和第二半导体层133a暴露于外部。在这种情况下，第三半导体层133b可以由与第二半导体层133a相同的材料形成。
57.参照图1a至图1i，第三半导体层133b的下表面是与生长基板wf分离的部分。因此，第三半导体层133b可以暴露第一半导体层131的下表面。
58.通常，在纳米棒发光元件的情况下，在一个发光元件中仅存在一个发光区域。也就是说，一个n型半导体层、一个有源层和一个p型半导体层只有一个发光区域。因此，在作为发光元件的部件的n型半导体层、有源层和p型半导体层中的任一个在显示装置的制造过程期间被损坏或未正常对准的情况下，则出现相应的发光元件不发光的缺陷。当发光元件如上所述不发光时，修复过程可能非常复杂并且实际上是不可行的，因为需要再次执行制造过程来修复显示装置。
59.因此，根据本公开内容的实施方式的发光元件130被配置成包括两个发光区域，使得即使在显示装置100中也可以容易地执行修复处理。发光元件130可以包括：由n型半导体材料形成的第一半导体层131、第一有源层132a、以及由p型半导体材料形成的第二半导体层133a形成的一个发光区域，以及由n型半导体材料形成的第一半导体层131、第二有源层132b、以及由p型半导体材料形成的第三半导体层133b的另一个发光区域。因此，即使构成两个发光区域中的一个的部件被损坏或未正常对准，发光元件130也可以使用另一个发光区域发光。因此，根据本公开内容的实施方式的发光元件130可以被配置成包括两个发光区域，并且这两个发光区域可以选择性地发光，使得当在显示装置100中使用时，在修复处理方面是非常有利的，并且允许亮度均匀性的改善。稍后将参照图3至图11提供对显示装置100中的修复过程的更详细描述。
60.图2是根据本公开内容的另一实施方式的发光元件的立体图。图2的发光元件230与图1a至图1j的发光元件130的不同之处仅在于第一有源层232a和第二半导体层233a，但基本上与图1a至图1j的发光元件130相同。因此，将省略其冗余的描述。
61.参照图2，发光元件230的第一有源层232a和第二半导体层233a可以暴露第一半导体层131的上表面。具体地，可以在图1a至图1i的制造过程之后添加切割发光元件230的上部部分的一部分的过程。也就是说，为了制造对称结构的发光元件230，切割位于发光元件230的上部部分的第一有源层232a和第二半导体层233a，使得可以暴露第一半导体层131的上表面。
62.根据本公开内容的另一实施方式的发光元件230被配置成包括两个发光区域，使得即使在显示装置200中也可以容易地执行修复处理。也就是说，发光元件230可以包括：由n型半导体材料形成的第一半导体层131、第一有源层232a、以及由p型半导体材料形成的第二半导体层233a形成的一个发光区域，以及由n型半导体材料形成的第一半导体层131、第二有源层132b、以及由p型半导体材料形成的第三半导体层133b形成的另一个发光区域。因此，根据本公开内容的另一实施方式的发光元件230可以被配置成包括两个发光区域，并且这两个发光区域可以选择性地发光，使得当在显示装置100中使用时，在修复处理方面是非
常有利的，并且允许亮度均匀性的改善。
63.图3是根据本公开内容的实施方式的显示装置的示意性平面图。在图3中，为了便于说明，仅示出了显示装置100的各个部件中的基板110、有效区域aa、非有效区域na和多个子像素sp。
64.基板110是用于支承显示装置100中包括的各种部件的部件并且可以由绝缘材料形成。例如，基板110可以由玻璃、树脂等形成。此外，基板110可以形成为包括聚合物或塑料，并且可以由具有柔性的材料形成。
65.基板110包括有效区域aa和非有效区域na。
66.有效区域aa是其中设置多个子像素sp以显示图像的区域。多个子像素sp中的每一个是发光的独立单元，并且在多个子像素sp中的每一个中形成发光元件130和驱动电路。例如，多个子像素sp可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和/或白色子像素，但本公开内容不限于此。
67.同时，多个发光元件130设置在一个子像素sp中。在这种情况下，多个发光元件130可以全部发射相同颜色的光。稍后将参照图4a至图4d描述将多个发光元件130设置在一个子像素中的过程。
68.非有效区域na是其中不显示图像的区域，并且是其中设置有用于驱动设置在有效区域aa中的子像素sp的各种线、驱动器ic等的区域。例如，诸如栅极驱动器ic和数据驱动器ic的各种ic和驱动电路可以设置在非有效区域na中。同时，非有效区域na可以形成在基板110的后表面(也就是说，没有子像素sp的表面)上，或者可以省略，并且不限于附图中所示的。
69.在下文中，将参照图4a至图4d描述显示装置100的制造方法中的发光元件130的自对准工艺。
70.图4a至图4d是用于说明根据本公开内容的实施方式的显示装置的制造方法的视图。图4a至图4d仅示出了显示装置100的制造方法中的发光元件130的自对准工艺。
71.尽管在图4a至图4b中未示出，但是可以在基板110上设置各种线和晶体管，并且可以设置用于使晶体管的上部部分平坦化的平坦化层114。因此，在图4b和图4d中仅示出了平坦化层114和设置在平坦化层114上的部件。
72.参照图4a，第一对准电极121e以及从第一对准电极121e延伸的第一对准线121可以设置在平坦化层114上。而且，第二对准电极122e以及从第二对准电极122e延伸的第二对准线122可以设置在平坦化层114上的第一对准线121的两侧上。第一对准线121和第二对准线122可以从外部接收电信号，用于发光元件130的自对准。另外，第一绝缘层115设置在第二对准线122上。设置第一绝缘层115以绝缘第二对准线122。
73.第一对准电极121e、第二对准电极122e、第一对准线121和第二对准线122可以由导电材料(例如，诸如铜(cu)、铬(cr)、钼(mo)、钼钛(moti)等的材料)形成，但是本公开内容不限于此。
74.当制造显示装置100时，第一绝缘层115可以用作防止由于多个第一对准线121与多个第二对准线122之间的迁移而引起的短路缺陷的绝缘层。第一绝缘层115可以由单层或多层的氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)构成，但本公开内容不限于此。
75.参照图4b，将分散有多个发光元件130的溶液sl施加到其上形成有多个第一对准
线121、多个第二对准线122和第一绝缘层115的基板110上。由于发光元件130自由地分散在溶液sl中，它们可能不在特定方向上对准。
76.然后，可以通过向多个第一对准线121和多个第二对准线122施加电压来使多个发光元件130自对准。
77.具体地，可以通过向多个第一对准线121和多个第二对准线122施加交流(ac)电压来形成电场。通过该电场，发光元件130可以被介电极化并且具有极性。另外，介电偏振发光元件130可以通过介电泳(dep)(也就是说，电场)，在特定方向上移动或固定。因此，可以使用介电泳将多个发光元件130对准并且固定在多个第一对准线121与多个第二对准线122之间。
78.参照图4c和图4d，多个发光元件130的中心部分可以朝向第一对准线121对准，并且多个发光元件130的两端可以朝向与第一对准线121相邻的第二对准线122对准。
79.在这种情况下，当形成用于对准发光元件130的电场时，可以容易地将不同的电压施加到多个第一对准线121和多个第二对准线122。例如，尽管附图中未示出，但是在显示装置100的制造过程中，从外部向第一对准电极121e和第二对准电极122e施加电压，第一对准电极121e和第二对准电极122e分别通过单独的部件连接至多个第一对准线121和多个第二对准线122，从而可以形成电场。因此，可以通过向多个第一对准线121和多个第二对准线122施加不同的电压来形成用于对准多个发光元件130的电场。因此，如图4c和图4d所示，多个发光元件130的中心部分可以朝向第一对准线121对准，并且多个发光元件130的两端可以朝向与第一对准线121相邻的第二对准线122对准。
80.在下文中，为了更详细地描述多个子像素sp，将一起参照图5和图6。
81.图5是根据本公开内容的实施方式的显示装置的平面图。图6是沿图5的线vi-vi’截取的截面图。图5仅示出了多个子像素sp中的一个子像素sp。
82.参照图5和图6，缓冲层111、第一驱动晶体管dt1、栅极绝缘层112、层间绝缘层113、平坦化层114、第一对准线121、第二对准线122、第一绝缘层115、多个发光元件130和第一连接线123设置在基板110上。
83.缓冲层111设置在基板110上。缓冲层111可以减少湿气或杂质通过基板110渗透。例如，缓冲层111可以由单层或多层的氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)形成，但不限于此。然而，取决于基板110的类型或薄膜晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但本公开内容不限于此。
84.第一驱动晶体管dt1设置在缓冲层111上。第一驱动晶体管dt1包括第一有源层act1、第一栅极电极ge1、第一源极电极se1和第一漏极电极de1。
85.首先，第一有源层act1设置在缓冲层111上。第一有源层act1可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但是本公开内容不限于此。
86.栅极绝缘层112设置在第一有源层act1上。栅极绝缘层112是用于使第一有源层act1和栅极电极ge绝缘的绝缘层，并且可以包括单层或多层的氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)，但本公开内容不限于此。
87.第一栅极电极ge1设置在栅极绝缘层112上。第一栅极电极ge1可以由导电材料形成，例如，可以由铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、镍(ni)、钛(ti)、铬(cr)或它们的合金形成，但本公开内容不限于此。
88.层间绝缘层113设置在第一栅极电极ge1上。用于将第一源极电极se1和第一漏极电极de1中的每一个连接至第一有源层act1的接触孔形成在层间绝缘层113中。层间绝缘层113是用于保护层间绝缘层113以下的部件的绝缘层，并且可以由单层或多层氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)构成，但是本公开内容不限于此。
89.第一源极电极se1和第一漏极电极de1设置在层间绝缘层113上。第一源极电极se1和第一漏极电极de1中的每一个可以通过形成在层间绝缘层113中的接触孔电连接至第一有源层act1。第一源极电极se1和第一漏极电极de1可以由导电材料形成，例如，可以由铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、镍(ni)、钛(ti)、铬(cr)或它们的合金形成，但本公开内容不限于此。
90.平坦化层114设置在第一驱动晶体管dt1上。平坦化层114是保护平坦化层114以下的部件的绝缘层，并且可以使第一驱动晶体管dt1的上部部分平坦化。平坦化层114可以由单层或多层构成，例如可以由基于丙烯酰基的有机材料形成，但本公开内容不限于此。
91.多个第一对准线121和多个第二对准线122设置在平坦化层114上。即使在上述制造过程之后，第一对准线121也可以用作施加低电位电压(例如，比第一连接线123接收的电位电压低的电位电压)的线。也就是说，由于通过连接至第一对准线121的第一对准电极121e施加低电位电压，并且第一对准线121与发光元件130的第一半导体层131接触，所以发光元件130可以通过第一对准线121接收低电位电压。然而，由于第二对准线122被第一绝缘层115覆盖，所以第二对准线122不用作在显示装置100中施加电压的线。
92.此外，第一对准电极121e、第二对准电极122e和第一连接电极123e可以设置在平坦化层114上。第一对准电极121e、第二对准电极122e和第一连接电极123e可以同时全部由与第一对准线121和第二对准线122相同的材料形成，但是本公开内容不限于此。第一对准电极121e可以连接至第一对准线121，第二对准电极122e可以连接至第二对准线122，并且第一连接电极123e可以连接至作为第一驱动晶体管dt1的输出端子的第一漏极电极de1。
93.第一绝缘层115设置在第二对准线122上以覆盖第二对准线122。在这种情况下，如图6所示，第一绝缘层115可以被设置成覆盖第一连接电极123e的上表面的除了接触孔之外的区域。
94.多个发光元件130设置在第一绝缘层115上。多个发光元件130中的每一个设置在多个第二对准线122之间的空间中。多个发光元件130的中心部分可以朝向第一对准线121对准，并且多个发光元件130的两端可以朝向与第一对准线121相邻的第二对准线122对准。在这种情况下，位于发光元件130的中心部分的第一半导体层131与第一对准线121接触，但是第二半导体层133a和第三半导体层133b通过第一绝缘层115与第二对准线122绝缘。
95.第二绝缘层116设置在多个发光元件130上。第二绝缘层116可以使多个发光元件130的上部部分平坦化。第二绝缘层116可以由单层或多层构成，例如可以由基于丙烯酰基的有机材料形成，但不限于此，并且可以由无机材料形成。
96.第二绝缘层116包括暴露多个发光元件130中的每一个的一端的接触孔。在图6中，示出了暴露发光元件130的第二半导体层133a的第二绝缘层116。然而，在对准发光元件130的过程中，可能无法预测发光元件130的第二半导体层133a和第三半导体层133b将在位于第一对准线121的左侧的第二对准线122和位于第一对准线121的右侧的第二对准线122之间对准的位置。也就是说，第二半导体层133a和第三半导体层133b中的一个与位于第一对准线121的左侧的第二对准线122对准，并且第二半导体层133a和第三半导体层133b中的另
一个与位于第一对准线121的右侧的第二对准线122对准。因此，可以将第三半导体层133b而不是第二半导体层133a设置在设置有第二绝缘层116的接触孔的位置处。因此，第二绝缘层116可以包括暴露第二半导体层133a和第三半导体层133b中的一个半导体层的接触孔。
97.另外，多个第一连接线123设置在第二绝缘层116上。多个第一连接线123可以通过第二绝缘层116的接触孔电连接至多个发光元件130。也就是说，第一连接线123可以通过第二绝缘层116的接触孔电连接至发光元件130的第二半导体层133a和第三半导体层133b中的一个。此外，第一连接线123可以连接至第一连接电极123e并且电连接至第一驱动晶体管dt1的第一漏极电极de1。因此，第一连接线123可以电连接第一驱动晶体管dt1和多个发光元件130，从而可以驱动多个发光元件130发光。
98.在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，通过将发光元件130配置成自对准，多个发光元件130可以在基板110的特定位置处自对准。
99.具体地，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，在其上形成有第一驱动晶体管dt1的基板110上，可以形成用于对准多个发光元件130的多个第一对准线121和多个第二对准线122，并且可以自对准多个发光元件130。具体地，可以通过向多个第一对准线121和多个第二对准线122施加ac电压而在基板110上形成电场。另外，施加到基板110上的多个发光元件130可以通过多个第一对准线121与多个第二对准线122之间的电场在多个第一对准线121和多个第二对准线122上自对准。因此，可以简化在特定位置处对准和转移多个发光元件130的转移过程。另外，可以在多个自对准发光元件130上形成多个第一连接线123，从而可以驱动多个发光元件130。
100.因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，通过将发光元件130配置成自对准，多个发光元件130在基板110上的特定位置处自对准，从而可以简化发光元件130的转移过程并且降低制造成本。
101.另外，根据本公开内容的实施方式的发光元件130被配置成包括两个发光区域。也就是说，发光元件130可以包括：由n型半导体材料形成的第一半导体层131、第一有源层132a、以及由p型半导体材料形成的第二半导体层133a形成的一个发光区域，以及由n型半导体材料形成的第一半导体层131、第二有源层132b、以及由p型半导体材料形成的第三半导体层133b形成的另一个发光区域。因此，当第一连接线123如图6所示连接至第二半导体层133a时，光可以通过由第一半导体层131，第一有源层132a和第二半导体层133a形成的发光区域发射。另外，尽管图中未示出，但是当第一连接线123连接至第三半导体层133b时，光可以通过由第一半导体层131、第二有源层132b和第三半导体层133b形成的发光区域发射。因此，在根据本公开内容的实施方式的显示装置100中，即使在发光元件130沿任何方向对准的情况下，发光元件130的两个发光区域中的一个也可以用于发光。
102.图7是根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的平面图。图8是沿图7的线viii-viii’截取的截面图。图7和图8的显示装置700与图5和图6的显示装置100的不同之处仅在于还包括第二连接线724以及第二绝缘层716、第一对准线121和发光元件130的连接关系，但是其其他配置与图5和图6的显示装置100的配置基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
103.首先，参照图8，发光元件130的第一半导体层131可以与第一对准线121间隔开。也就是说，在完成发光元件130的自对准过程之后，第一半导体层131可以与第一对准线121间
隔开，而不与第一对准线121接触。
104.参照图7和图8，第二连接线724可以被设置成将低电位电压传输至发光元件130。第二连接线724可以连接至第一对准电极121e并且接收低电位电压。此外，第二绝缘层716可以包括暴露第一半导体层131的接触孔。因此，第二绝缘层716可以暴露第一半导体层131的上部部分。第二连接线724可以设置在由第二绝缘层716暴露的第一半导体层131上并且与第一半导体层131接触。因此，第二连接线724连接被供应低电位电压的第一对准电极121e和发光元件130的第一半导体层131，使得低电位电压可以被传输至第一半导体层131。
105.由于发光元件130的制造过程中的误差或显示装置700中自对准发光元件130的过程中的误差，发光元件130可能不能精确地对准。例如，虽然发光元件130的第一半导体层131被设计成在完成自对准过程之后与第一对准线121接触，但是由于上述各种误差，第一半导体层131最终可能不与第一对准线121接触。在这种情况下，由于第一半导体层131没有被供应低电位电压，所以可能出现发光元件130不发光的缺陷。另外，在自对准多个发光元件130的过程中，也可能出现以下缺陷：多个发光元件130的一部分的第一半导体层131与第一对准线121接触，而多个发光元件130的另一部分的第一半导体层131不与第一对准线121接触。在这种情况下，由于在多个子像素sp之间可能出现正常连接的发光元件130的数目的差异，因此也可能出现在各个子像素sp中亮度不均匀的缺陷。
106.因此，在根据本公开内容的另一实施方式的显示装置700中，第二绝缘层716包括暴露第一半导体层131的上部部分的接触孔，并且传输低电位电压的第二连接线724与由第二绝缘层716暴露的第一半导体层131接触，使得低电位电压可以正常地传输至发光元件130。因此，即使当所有发光元件130的第一半导体层131由于各种误差而不与第一对准线121接触时，也可以通过第二连接线724将低电位电压传送至发光元件130的第一半导体层131。此外，即使当一些发光元件130的第一半导体层131未与第一对准线121接触时，由于可以非常容易地执行修复处理，使得相应的一些发光元件130的第一半导体层131通过第二连接线724接收低电位电压，所以可以改善子像素sp之间的亮度均匀性。另外，通过减少在一个子像素sp中自对准的多个发光元件130中的不发光的发光元件130的数目，可以使与输入的发光元件130的数目相比的发光效率最大化。
107.图9是根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置的平面图。图10是沿图9的线ix-ix’截取的截面图。图9和图10的显示装置900与图5和图6的显示装置100的不同之处仅在于还包括第二驱动晶体管dt2、第三绝缘层917、第三连接电极925e和第三连接线925以及第二绝缘层916，但是其其他配置与图5和图6的显示装置100的配置基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
108.第二驱动晶体管dt2设置在基板110和缓冲层111上。第二驱动晶体管dt2包括第二有源层act2、第二栅极电极ge2、第二源极电极se2和第二漏极电极de2。
109.首先，第二有源层act2设置在缓冲层111上。第二有源层act2可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但是不限于此。
110.栅极绝缘层112设置在第二有源层act2上。栅极绝缘层112是用于使第二有源层act2和第二栅极电极ge2绝缘的绝缘层，并且可以包括单层或多层的氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)，但本公开内容不限于此。
111.第二栅极电极ge2设置在栅极绝缘层112上。第二栅极电极ge2可以由导电材料形
成，例如，可以由铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、镍(ni)、钛(ti)、铬(cr)或它们的合金形成，但是不限于此。
112.层间绝缘层113设置在第二栅极电极ge2上。用于将第二源极电极se2和第二漏极电极de2中的每一个连接至第二有源层act2的接触孔形成在层间绝缘层113中。层间绝缘层113是用于保护层间绝缘层113以下的部件的绝缘层，并且可以由单层或多层氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)构成，但是本公开内容不限于此。
113.第二源极电极se2和第二漏极电极de2设置在层间绝缘层113上。第二源极电极se2和第二漏极电极de2中的每一个可以通过形成在层间绝缘层113中的接触孔电连接至第二有源层act2。第二源极电极se2和第二漏极电极de2可以由导电材料形成，例如，可以由铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、镍(ni)、钛(ti)或铬(cr)或它们的合金形成，但本公开内容不限于此。
114.平坦化层114设置在第二驱动晶体管dt2上，并且第三连接电极925e设置在平坦化层114上。第三连接电极925e可以连接至作为第二驱动晶体管dt2的输出端子的第二漏极电极de2。
115.参照图10，第三绝缘层917被设置成覆盖第一连接线123和第二绝缘层916。在这种情况下，第二绝缘层916和第三绝缘层917可以暴露与和第一连接线123接触的半导体层不同的半导体层。例如，如图10所示，当与第一连接线123接触的半导体层是第二半导体层133a时，第二绝缘层916和第三绝缘层917还可以包括暴露第三半导体层133b的接触孔。
116.参照图10，多个第三连接线925设置在第三绝缘层917上。也就是说，第三连接线925可以设置在与第一连接线123的层不同的层上。多个第三连接线925可以通过第二绝缘层916和第三绝缘层917的接触孔电连接至多个发光元件130。也就是说，第三连接线925可以通过第二绝缘层916和第三绝缘层917的接触孔电连接至发光元件130的第二半导体层133a和第三半导体层133b中与第一连接线123所连接至的一个半导体层不同的另一个半导体层。也就是说，当第一连接线123连接至第二半导体层133a时，第三连接线925可以连接至第三半导体层133b，并且当第一连接线123连接至第三半导体层133b时，第三连接线925可以连接至第二半导体层133a。另外，第三连接线925可以连接至第三连接电极925e并且电连接至第二驱动晶体管dt2的第二漏极电极de2。因此，第三连接线925可以电连接第二驱动晶体管dt2和多个发光元件130，使得可以驱动多个发光元件130发光。
117.第一驱动晶体管dt1和第二驱动晶体管dt2可以被独立地驱动或者可以被一起驱动。例如，可以独立地驱动第一驱动晶体管dt1，而不管是否驱动第二驱动晶体管dt2。替选地，第一驱动晶体管dt1和第二驱动晶体管dt2可以连接至相同的线，从而可以以相同的方式驱动第一驱动晶体管dt1和第二驱动晶体管dt2。
118.在根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置900中，发光元件130被配置成包括两个发光区域，使得其可以包括允许容易修复的结构。也就是说，发光元件130可以包括：由n型半导体材料形成的第一半导体层131、第一有源层132a、以及由p型半导体材料形成的第二半导体层133a形成的一个发光区域，以及由n型半导体材料形成的第一半导体层131、第二有源层132b、以及由p型半导体材料形成的第三半导体层133b形成的另一个发光区域。因此，即使当第一连接线123如图10所示连接至第二半导体层133a时，修复也是可能的。例如，由第一半导体层131、第一有源层132a和第二半导体层133a形成的发光区域可能由于制
造工艺等而有缺陷，因此光可能不能从其正常发射。替选地，因为第一连接线123不正常连接至第二半导体层133a，所以发光元件130可以不正常发光。在根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置900中，为了解决当第一连接线123被设计成连接至第二半导体层133a时出现的缺陷，可以另外设置连接至与第二半导体层133a不同的第三半导体层133b的第三连接线925。因此，当在由第一半导体层131、第一有源层132a和第二半导体层133a形成的发光区域中出现缺陷时，发光元件130可以通过由第一半导体层131、第二有源层132b和第三半导体层133b形成的发光区域正常地发光。此外，即使出现第一连接线123未正常连接至第二半导体层133a的缺陷，第三半导体层133b和第二驱动晶体管dt2也可以通过第三连接线925连接，使得发光元件130可以正常地发光。因此，根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置900可以包括可修复结构，该可修复结构包括具有两个发光区域的发光元件130。
119.同时，即使当在发光区域中或通过第一连接线123和第二半导体层133a的连接中没有缺陷时，第三连接线925和第三半导体层133b也可以彼此连接。
120.在这种情况下，可以独立地驱动第一驱动晶体管dt1和第二驱动晶体管dt2。例如，在第一时间段期间，可以驱动第一驱动晶体管dt1以通过由第一半导体层131、第一有源层132a和第二半导体层133a形成的发光区域发光，并且在第二时间段期间，可以驱动第二驱动晶体管dt2以通过由第一半导体层131、第二有源层132b和第三半导体层133b形成的发光区域发光。如上所述，当交替地驱动第一驱动晶体管dt1和第二驱动晶体管dt2时，可以交替地使用两个发光区域。因此，在根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置900中，可以高效地使用发光元件130的两个发光区域，并且因此可以提高发光元件的寿命。
121.此外，可以一起驱动第一驱动晶体管dt1和第二驱动晶体管dt2。也就是说，第一驱动晶体管dt1和第二驱动晶体管dt2可以在所有时间段期间以相同的方式一起驱动。因此，在根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置900中，由于发光元件130的两个发光区域被配置成同时发光，所以可以提高亮度并且可以提高发光效率。
122.图11是根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置的平面图；图12是沿图11的线xi-xi’截取的截面图。图11和图12的显示装置1100与图9和图10的显示装置900的不同之处仅在于第四连接线1125，以及省略了第三绝缘层917，但是其其他配置与图9和图10的显示装置900的配置基本相同。因此，将省略其冗余的描述。
123.参照图12，第二绝缘层1116可以暴露与和第一连接线123接触的半导体层不同的半导体层。例如，如图12所示，当与第一连接线123接触的半导体层是第二半导体层133a时，第二绝缘层1116还可以包括暴露第三半导体层133b的接触孔。
124.参照图11和图12，多个第四连接线1125设置在第二绝缘层1116上。也就是说，第四连接线1125可以设置在与第一连接线123相同的层上。多个第四连接线1125可以通过第二绝缘层1116的接触孔电连接至多个发光元件130。也就是说，第四连接线1125可以通过第二绝缘层1116的接触孔电连接至发光元件130的第二半导体层133a和第三半导体层133b中与第一连接线123所连接至的一个半导体层不同的另一个半导体层。也就是说，当第一连接线123连接至第二半导体层133a时，第四连接线1125可以连接至第三半导体层133b，并且当第一连接线123连接至第三半导体层133b时，第四连接线1125可以连接至第二半导体层133a。另外，第四连接线1125可以连接至第三连接电极925e并且电连接至第二驱动晶体管dt2的第二漏极电极de2。因此，第四连接线1125可以电连接第二驱动晶体管dt2和多个发光元件
130，使得可以驱动多个发光元件130发光。
125.在根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置1100中，发光元件130被配置成包括两个发光区域，使得其可以包括允许容易修复的结构。也就是说，在根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置1100中，为了解决当第一连接线123被设计成连接至第二半导体层133a时出现的缺陷，可以另外设置连接至与和第二半导体层133a不同的第三半导体层133b的第四连接线1125。因此，当在由第一半导体层131、第一有源层132a和第二半导体层133a形成的发光区域中出现缺陷时，发光元件130可以通过由第一半导体层131、第二有源层132b和第三半导体层133b形成的发光区域正常地发光。此外，即使出现第一连接线123未正常连接至第二半导体层133a的缺陷，第三半导体层133b和第二驱动晶体管dt2也可以通过第四连接线1125连接，使得发光元件130可以正常地发光。因此，根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置1100可以包括可修复结构，该可修复结构包括具有两个发光区域的发光元件130。
126.另外，在根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置1100中，第一连接线123和第四连接线1125同时形成，使得用于修复的第四连接线1125可以在与连接线123相同的处理中形成。也就是说，用于修复的第四连接线1125在与第一连接线123相同的层上由相同的材料形成，使得第一连接线123和第四连接线1125可以通过单个掩模工艺同时形成。也就是说，当没有出现缺陷时，无需驱动连接至第四连接线1125的第二驱动晶体管dt2，因此可以同时形成第一连接线123和第四连接线1125。因此，在根据本公开内容的又另一实施方式的显示装置1100中，由于可以在没有附加过程的情况下形成用于修复的第四连接线1125，所以可以减少在修复过程中消耗的处理过程，并且可以降低制造成本。
127.本公开内容的实施方式还可以如下进行描述：
128.根据本公开内容的实施方式的纳米棒发光元件可以包括：具有棒形状的第一半导体层；第一有源层，其覆盖第一半导体层的侧表面的第一部分，第一部分从第一半导体层的上表面延伸；覆盖第一有源层的第二半导体层；第二有源层，其覆盖该侧表面的第二部分并且与第一有源层间隔开，第二部分从第一半导体层的下表面延伸；以及第三半导体层，其覆盖第二有源层并且与第二半导体层间隔开。
129.第一有源层和第二有源层由相同的材料形成。
130.第二半导体层和第三半导体层可以由相同的材料形成。
131.第一有源层还可以覆盖第一半导体层的整个上表面。
132.第一有源层暴露第一半导体层的上表面。
133.第二有源层可以暴露第一半导体层的下表面。
134.根据本公开内容的另一实施方式的显示装置可以包括：基板，其包括：包括多个子像素的有效区域以及围绕该有效区域的非有效区域；设置在基板上的第一晶体管；设置在第一晶体管上的平坦化层；设置在平坦化层上的第一对准线；位于第一对准线的两侧的第二对准线；第一绝缘层，其被设置成覆盖第二对准线；设置在第一对准线和第一绝缘层上的纳米棒发光元件；第二绝缘层，其设置在纳米棒发光元件上并且暴露第二半导体层和第三半导体层中的一个半导体层；以及第一连接线，其连接第一晶体管和一个半导体层。
135.第一对准线可以与第一半导体层接触。
136.第一对准线可以被配置成接收比第一连接线接收的电位电压低的低电位电压。
137.显示装置还可以包括设置在第一半导体层上并且与第一半导体层接触的第二连接线。
138.第二绝缘层可以暴露第一半导体层。
139.第二连接线可以与被第二绝缘层暴露的第一半导体层接触。
140.第一半导体层可以与第一对准线间隔开。
141.显示装置还可以包括：设置在基板上的第二晶体管；以及第三连接线，其连接第二晶体管与第二半导体层和第三半导体层中的另一个半导体层。
142.第二绝缘层可以暴露另一个半导体层。
143.第三连接线可以与被第二绝缘层暴露的另一个半导体层接触。
144.第一连接线和第三连接线可以设置在相同的层上并且由相同的材料形成。
145.显示装置还可以包括覆盖第一连接线和第二绝缘层的第三绝缘层，其中，第三绝缘层暴露另一个半导体层。
146.第三连接线可以与被第二绝缘层和第三绝缘层暴露的另一个半导体层接触。
147.第一连接线和第三连接线可以设置在不同的层上。
148.根据本公开内容的又一实施方式的显示装置可以包括：基板；以及设置在基板上的多个子像素；其中，多个子像素中的一个包括多个纳米棒发光元件，多个纳米棒发光元件中的每个为上面所述的纳米棒发光元件。
149.尽管已经参照附图详细地描述了本公开内容的实施方式，但是本公开内容不限于此，并且在不脱离本公开内容的技术构思的情况下，可以以许多不同的形式体现。因此，提供本公开内容的实施方式仅用于说明的目的，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且其等同范围中的所有技术构思都应被解释为落入本公开内容的范围内。

技术特征：
1.一种纳米棒发光元件，包括：具有棒形状的第一半导体层；第一有源层，其覆盖所述第一半导体层的侧表面的第一部分，所述第一部分从所述第一半导体层的上表面延伸；覆盖所述第一有源层的第二半导体层；第二有源层，其覆盖所述侧表面的第二部分并且与所述第一有源层间隔开，所述第二部分从所述第一半导体层的下表面延伸；以及第三半导体层，其覆盖所述第二有源层并且与所述第二半导体层间隔开。2.根据权利要求1所述的纳米棒发光元件，其中，所述第一有源层和所述第二有源层由相同的材料形成，其中，所述第二半导体层和所述第三半导体层由相同的材料形成。3.根据权利要求1所述的纳米棒发光元件，其中，所述第一有源层还覆盖所述第一半导体层的整个所述上表面。4.根据权利要求1所述的纳米棒发光元件，其中，所述第一有源层暴露所述第一半导体层的所述上表面。5.根据权利要求1所述的纳米棒发光元件，其中，所述第二有源层暴露所述第一半导体层的所述下表面。6.一种显示装置，包括：基板，其包括：包括多个子像素的有效区域，以及围绕所述有效区域的非有效区域；设置在所述基板上的第一晶体管；设置在所述第一晶体管上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的第一对准线；位于所述第一对准线的两侧的第二对准线；第一绝缘层，其被设置成覆盖所述第二对准线；根据权利要求1至5中任一项所述的纳米棒发光元件，其设置在所述第一对准线和所述第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置在所述纳米棒发光元件上并且暴露所述第二半导体层和所述第三半导体层中的一个半导体层；以及第一连接线，其连接所述第一晶体管和所述一个半导体层。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一对准线与所述第一半导体层接触。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一对准线被配置成接收比所述第一连接线接收的电位电压低的电位电压。9.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：第二连接线，其设置在所述第一半导体层上并且与所述第一半导体层接触，其中，所述第二绝缘层暴露所述第一半导体层，其中，所述第二连接线与被所述第二绝缘层暴露的所述第一半导体层接触。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一半导体层与所述第一对准线间隔开。11.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
设置在所述基板上的第二晶体管；以及第三连接线，其连接所述第二晶体管与所述第二半导体层和所述第三半导体层中的另一个半导体层，其中，所述第二绝缘层暴露所述另一个半导体层，其中，所述第三连接线与被所述第二绝缘层暴露的所述另一个半导体层接触。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一连接线和所述第三连接线设置在相同的层上并且由相同的材料形成。13.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：第三绝缘层，其覆盖所述第一连接线和所述第二绝缘层，其中，所述第三绝缘层暴露所述另一个半导体层，其中，所述第三连接线与被所述第二绝缘层和所述第三绝缘层暴露的所述另一个半导体层接触。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一连接线和所述第三连接线设置在不同的层上。15.一种显示装置，包括：基板；以及设置在所述基板上的多个子像素；其中，所述多个子像素中的一个包括多个纳米棒发光元件，所述多个纳米棒发光元件中的每个为根据权利要求1至5中任一项所述的纳米棒发光元件。

技术总结
本公开内容涉及的纳米棒发光元件和显示装置。根据本公开内容的实施方式的纳米棒发光元件可以包括：具有棒形状的第一半导体层；第一有源层，其覆盖第一半导体层的侧表面的第一部分，第一部分从第一半导体层的上表面延伸；覆盖第一有源层的第二半导体层；第二有源层，其覆盖该侧表面的第二部分并且与第一有源层间隔开，第二部分从第一半导体层的下表面延伸；以及第三半导体层，其覆盖第二有源层并且与第二半导体层间隔开。与第二半导体层间隔开。与第二半导体层间隔开。


技术研发人员：申裕燮 郭容硕 姜玟在
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：2022.11.08
技术公布日：2023/7/13