高频组件和通信装置的制作方法

1.本发明涉及高频组件和通信装置，更详细而言，涉及具备第1滤波器和第2滤波器的高频组件和具备高频组件的通信装置。


背景技术：

2.在专利文献1中公开了一种高频功率放大组件(高频组件)，其具备将彼此不同的通信频段的通信频带作为通带的两个发送滤波器(第1滤波器和第2滤波器)。在该高频功率放大组件中，两个发送滤波器能够同时工作。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：国际公开第2016/117482号


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.在专利文献1所记载的高频功率放大组件中，在进行利用两个发送滤波器(第1滤波器和第2滤波器)这两者的同时发送时，第1发送滤波器发热，从而第1发送滤波器(第1滤波器)的发热影响第2发送滤波器(第2滤波器)。其结果，存在第2发送滤波器的特性由于该影响而劣化的情况。
8.本发明的目的在于，提供能够抑制在使用第1滤波器和第2滤波器这两者进行的同时发送时由在第1滤波器产生的热的影响引起的第2滤波器的特性的劣化的高频组件和通信装置。
9.用于解决问题的方案
10.本发明的一方案的高频组件包括安装基板、第1滤波器和第2滤波器、树脂层、屏蔽层以及导体。所述安装基板具有彼此相对的第1主面和第2主面。所述第1滤波器安装于所述安装基板的所述第1主面，将第1频带作为通带。所述第2滤波器安装于所述安装基板的所述第1主面，将第2频带作为通带。所述树脂层设于所述基板的所述第1主面，覆盖所述第1滤波器和所述第2滤波器的至少局部。所述屏蔽层设于所述树脂层的外表面。所述导体设于所述基板的所述第1主面，与所述第1滤波器和所述基板接触。所述屏蔽层设于所述树脂层的所述外表面。能够进行利用所述第1滤波器和所述第2滤波器这两者的同时发送。所述导体在所述第1滤波器的与所述第2滤波器那侧不同的一侧与所述屏蔽层接触。
11.本发明的一方案的通信装置包括上述的一方案的高频组件和信号处理电路。所述信号处理电路连接于所述高频组件，对高频信号进行信号处理。
12.发明的效果
13.本发明的高频组件和通信装置能够抑制在使用第1滤波器和第2滤波器这两者进行的同时发送时由在第1滤波器产生的热引起的第2滤波器的特性的劣化。
附图说明
14.图1是实施方式的高频组件和通信装置的框图。
15.图2是上述的高频组件的俯视图。
16.图3是图2的z1-z1剖视图。
17.图4是表示能够同时工作的两个发送滤波器和与该两个发送滤波器对应的导体的配置的一例的俯视图。
18.图5是表示图4的z2-z2截面的主要部分的剖视图。
19.图6是说明在上述的发送滤波器产生的热传递的情形的说明图。
20.图7是说明变形例1的导体的形状的俯视图。
21.图8是说明变形例2的导体的形状的俯视图。
22.图9是说明变形例3的导体的形状的俯视图。
23.图10是说明变形例4的导体的形状的俯视图。
24.图11的a是说明变形例5的导体的结构的俯视图。图11的b是表示图11的a的z3-z3截面的主要部分的剖视图。
25.图12是说明变形例6的导体的结构的剖视图。
26.图13的a是说明变形例7的导体、信号线以及发送滤波器的配置关系的俯视图。图13的b是图13的a的z4-z4剖视图。
具体实施方式
27.在以下的实施方式等中参照的图1～图13均是示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自之比不限于一定反映实际的尺寸比。
28.(实施方式)
29.(1)概要
30.如图4和图5所示，实施方式的高频组件1包括安装基板30(基板)、发送滤波器7a和发送滤波器7d、树脂层32a、屏蔽层33以及导体401、404。安装基板30具有彼此相对的第1主面35和第2主面36。发送滤波器7a安装于安装基板30的第1主面35，将第1频带作为通带。发送滤波器7d安装于安装基板30的第1主面35，将第2频带作为通带。树脂层32a设于安装基板30的第1主面35，覆盖发送滤波器7a、7d的至少局部。屏蔽层33设于树脂层32a的外表面。导体401设于安装基板30的第1主面35，与发送滤波器7a和安装基板30接触。导体404设于安装基板30的第1主面35，与发送滤波器7b和安装基板30接触。能够进行利用发送滤波器7a和发送滤波器7d这两者的同时发送。导体401从发送滤波器7a(第1滤波器)向与发送滤波器7d(第2滤波器)那侧不同的一侧延伸并与屏蔽层33接触。导体404从发送滤波器7a(第1滤波器)向与发送滤波器7a(第2滤波器)那侧不同的一侧延伸并与屏蔽层33接触。根据该结构，能够利用导体401、404抑制在利用发送滤波器7a、7d这两者进行的同时发送时由在发送滤波器7a、7d产生的热的影响引起的发送滤波器7d、7a的特性劣化的情况。
31.(2)详细说明
32.以下，参照图1～图6，详细地说明实施方式的高频组件1和通信装置100。
33.(2-1)通信装置的结构
34.如图1所示，通信装置100是具备高频组件1的通信装置。通信装置100例如是便携
终端(例如智能手机)，但不限于此，例如也可以是可佩戴终端(例如智能手表)。高频组件1例如是能够与4g(第4代移动通信)标准和5g(第5代移动通信)标准对应的组件。4g标准例如是3gpp lte标准(lte：long term evolution)。5g标准例如是5g nr(new radio)。高频组件1是能够与载波聚合和双连接对应的组件。
35.通信装置100除了包括高频组件1以外，还包括信号处理电路2和多个(在图示例中是3个)天线3a～3c。
36.高频组件1构成为将从信号处理电路2输入的发送信号(高频信号)放大并向天线3a～3c输出。另外，高频组件1构成为将从天线3a～3c输入的接收信号(高频信号)放大并向信号处理电路2输出。高频组件1例如由信号处理电路2控制。
37.信号处理电路2以如下方式构成：连接于高频组件1，对在与高频组件1之间收发的发送信号和接收信号进行信号处理。在此，上述的发送信号是从天线3a～3c发送的信号，上述的接收信号是由天线3a～3c接收的信号。信号处理电路2包括基带信号处理电路21和rf信号处理电路22。
38.基带信号处理电路21例如是bbic(baseband integrated circuit)。基带信号处理电路21根据从外部输入的基带信号(例如声音信号和图像信号)来生成发送信号，将生成的发送信号向rf信号处理电路22输出。另外，基带信号处理电路21将从rf信号处理电路22接收的接收信号向外部输出。该输出信号(接收信号)例如作为图像信号用于图像显示，或者作为声音信号用于通话。
39.rf信号处理电路22例如是rfic(radio frequency integrated circuit)，对高频信号(发送信号和接收信号)进行信号处理。rf信号处理电路22例如对从基带信号处理电路21输出的发送信号进行上变频等信号处理并向高频组件1输出。另外，rf信号处理电路22例如对从高频组件1接收的接收信号进行下变频等信号处理并向基带信号处理电路21输出。
40.(2-2)高频组件的电路结构
41.如图1所示，高频组件1在天线3a～3c与信号处理电路2之间传递高频信号(接收信号和发送信号)。
42.高频组件1包括多个(在图示例中是两个)功率放大器5a、5b、多个(在图示例中是4个)低噪声放大器6a～6d、多个(在图示例中是4个)发送滤波器7a～7d以及多个(在图1的例子中是4个)接收滤波器8a～8d。另外，高频组件1包括多个(在图示例中是两个)输出匹配电路10a、10b、多个(在图示例中是4个)匹配电路11a～11d以及多个(在图示例中是3个)匹配电路12a～12c。另外，高频组件1包括第1开关14、第2开关15、第3开关16、控制器17以及多个(在图示例中是8个)外部连接端子18a～18j。另外，高频组件1包括多个(在图示例中是两个)发送信号用的信号路径t1～t4和多个(在图示例中是4个)接收信号用的信号路径r1～r4。
43.外部连接端子18a～18j包含天线端子18a～18c、信号输出端子18d～18f、信号输入端子18g～18i以及多个接地端子18j(参照图3)。天线端子18a～18c分别是供天线3a～3c连接的端子。信号输出端子18d～18f是将高频组件1处理后的接收信号向rf信号处理电路22输出的端子，经由电路而连接于信号处理电路2的多个(在图示例中是3个)输入部。信号输入端子18g、18h是输入来自信号处理电路2的rf信号处理电路22的发送信号的端子。信号输入端子18g、18h经由电路而连接于rf信号处理电路22的多个(在图示例中是两个)输出
部。信号输入端子18i是输入来自信号处理电路2的控制信号的端子，经由电路而连接于rf信号处理电路22的输出部。外部连接端子18j是接地端子(以下，记作接地端子18j。)，是与通信装置100所具备的接地电极电连接而被施加接地电位的端子。
44.信号路径t1是使信号输入端子18g和第1开关14的选择端子14h相连的信号路径。在信号路径t1中，功率放大器5a、输出匹配电路10a以及发送滤波器7a从信号输入端子18g侧朝向第1开关14侧依次设置。信号输入端子18g的输入信号(即发送信号)流经信号路径t1，从而被进行功率放大器5a、输出匹配电路10a以及发送滤波器7a各自的处理并向第1开关14输出。
45.信号路径t2～t4分别是使信号输入端子18h和第1开关14的选择端子14i～14k相连的信号路径。信号路径t2～t4分别具有共用路径tc和独立路径t21、t31、t41。共用路径tc是在信号路径t2～t4之间共用的路径部分。独立路径t21、t31、t41分别是针对每个信号路径t2～t4独立设置的路径部分。共用路径tc使信号输入端子18h和第2开关15的共用端子15a相连。独立路径t21～t41分别使第2开关的选择端子15b～15d和第1开关14的选择端子14i～14k相连。在共用路径tc中，功率放大器5b和输出匹配电路10b从信号输入端子18h侧朝向第1开关14侧依次设置。在独立路径t21～t41中分别设有发送滤波器7b～7d。
46.信号路径t2～t4能够由第2开关15选择性地切换。更详细而言，由第2开关15从独立路径t21～t41中选择1个共用路径tc的连接目标，从而选择性地切换信号路径t2～t4。由第2开关15从信号路径t2～t4中选择1个，从而从发送滤波器7b～7c中选择1个在发送时使用的发送滤波器。此外，在本实施方式中，信号路径t2～t4由第2开关15选择1个，但也可以选择两个以上。
47.信号输入端子18h的输入信号(即发送信号)流经由第2开关15选择的信号路径(t2～t4中的任一者)，从而被进行功率放大器5b、输出匹配电路10b、以及由第2开关15选择的发送滤波器(7b～7d中的1个)各自的处理并向第1开关14输出。
48.信号路径r1～r4分别是使第1开关14的选择端子14d～14g和第3开关16的选择端子16d～16g相连的信号路径。在信号路径r1～r4中，接收滤波器8a～8d、匹配电路11a～11d以及低噪声放大器6a～6d从第1开关14侧朝向第3开关16侧依次设置。第1开关14的选择端子14d～14g的输出信号(即接收信号)流经信号路径r1～r4，从而被进行接收滤波器8a～8d、匹配电路11a～11d以及低噪声放大器6a～6d各自的处理并向第3开关16输出。
49.第1开关14是用于将信号路径t1～t4、r1～r4分别选择性地连接于3个天线3a～3c中的1个天线的开关。第1开关14例如是开关ic。
50.第1开关14具有多个(在图示例中是3个)共用端子14a～14c和多个(在图示例中是8个)选择端子14d～14k。3个共用端子14a～14c分别经由匹配电路12a～12c而连接于天线端子18a～18c。即，3个共用端子14a～14c分别经由匹配电路12a～12c和天线端子18a～18c而连接于天线3a～3c。8个选择端子14d～14k中的4个选择端子14d～14g分别连接于4个信号路径r1～r4。即，4个选择端子14d～14g分别经由信号路径r1～r4而连接于接收滤波器8a～8d的输入部。另一方面，剩余的4个选择端子14h～14k分别连接于4个信号路径t1～t4。即，剩余的4个选择端子14h～14k分别经由信号路径t1～t4而连接于发送滤波器7a～7d的输出部。
51.第1开关14根据来自控制器17的控制信号而从8个选择端子14d～14k(即8个信号
路径t1～t4、r1～r4)中分别选择3个共用端子14a～14c的连接目标(即3个天线3a～3c的连接目标)。第1开关14例如是能够进行一对一和一对多的连接的开关。
52.第2开关15是用于从信号路径t2～t4中选择在发送信号的发送中使用的信号路径的开关。第2开关15例如是开关ic。第2开关15具有共用端子15a和多个(在图示例中是3个)选择端子15b～15d。共用端子15a连接于共用路径tc。即，共用端子15a经由共用路径tc而连接于输出匹配电路10b的输出部。3个选择端子15b～15d分别连接于3个信号路径t2～t4。即，3个选择端子15b～15d分别经由信号路径t2～t4而连接于发送滤波器7b～7d的输入部。
53.第2开关15根据来自控制器17的控制信号而从3个选择端子15b～15d中选择1个共用端子15a的连接目标。由此，由第2开关15从信号路径t2～t4中选择1个在发送信号的发送中使用的信号路径。第2开关15在本实施方式中是进行一对一的连接的开关，但也可以是进行一对多的连接的开关。
54.第3开关16是用于从信号路径r1～r4中选择在接收信号的接收中使用的信号路径的开关。第3开关16例如是开关ic。第3开关16具有多个(在图示例中是3个)共用端子16a～16c和多个(在图示例中是4个)选择端子16d～16g。3个共用端子16a～16c分别连接于3个信号输出端子18d～18f。4个选择端子16d～16g分别连接于4个信号路径r1～r4。即，4个选择端子16d～16f分别经由信号路径r1～r4而连接于低噪声放大器6a～6d的输出部。
55.第3开关16根据来自控制器17的控制信号而从4个选择端子16d～16f(即4个信号路径r1～r4)中分别选择1个作为3个共用端子16a～16c的连接目标。信号路径r1～r4与共用端子16a～16c中的1个连接，从而被选择为使用的信号路径。第3开关16既可以是进行一对一的连接的开关，也可以是进行一对多的连接的开关。
56.功率放大器5a、5b分别设于信号路径t1、t2。更详细而言，功率放大器5b设于信号路径t2的共用路径tc。功率放大器5a、5b具有输入部和输出部。功率放大器5a、5b的输入部分别连接于信号输入端子18g、18h，功率放大器5a、5b的输出部分别连接于输出匹配电路10a、10b的输入部。功率放大器5a、5b将输入至输入部的发送信号放大并从输出部输出。功率放大器5a、5b由控制器17控制。
57.低噪声放大器6a～6d分别设于信号路径r1～r4。低噪声放大器6a～6d具有输入部和输出部。低噪声放大器6a～6d的输入部分别连接于匹配电路11a～11d的输出部。低噪声放大器6a～6d的输出部分别连接于第3开关16的选择端子16d～16g。低噪声放大器6a～6d将输入至输入部的接收信号放大并从输出部输出。低噪声放大器6a～6d由控制器17控制。
58.发送滤波器7a～7d分别设于信号路径t1～t4。更详细而言，发送滤波器7b～7d分别设于信号路径t2～t4的独立路径t21、t31、t41。发送滤波器7a～7d分别是将彼此不同的通信频段(例如第1通信频段(第1频带)、第2通信频段、第3通信频段以及第4通信频段(第2频带))的发送频带作为通带的滤波器。发送滤波器7a～7d具有输入部和输出部。发送滤波器7a的输入部连接于输出匹配电路10a的输出部，发送滤波器7a的输出部连接于第1开关14的选择端子14h。发送滤波器7b～7d的输入部分别连接于第2开关15的选择端子15b～15d，发送滤波器7b～7d的输出部分别连接于第1开关14的选择端子14i～14k。发送滤波器7a～7d分别将输入至输入部的发送信号限制为第1～第4通信频段的发送频带的信号并从输出部输出。
59.发送滤波器7a经由输出匹配电路10a而连接于功率放大器5a(放大器)。发送滤波
器7b～7d经由第2开关15和输出匹配电路10b而连接于功率放大器5b。即，发送滤波器7a和发送滤波器7b～7d连接于彼此不同的功率放大器5a、5b。
60.接收滤波器8a～8d分别设于信号路径r1～r4。接收滤波器8a～8d是将彼此不同的通信频段(例如第1～第4通信频段)的接收频带(通信频带)作为通带的滤波器。接收滤波器8a～8d具有输入部和输出部。接收滤波器8a～8d的输入部分别连接于第1开关14的选择端子14d～14f，接收滤波器8a～8d的输出部分别连接于匹配电路11a～11d的输入部。接收滤波器8a～8d分别将输入至输入部的接收信号限制为第1～第4通信频段的接收频带的信号并从输出部输出。
61.接收滤波器8a～8d分别经由匹配电路11a～11d而连接于低噪声放大器6a～6d(低噪声放大器)。即，接收滤波器8a～8d连接于彼此不同的低噪声放大器6a～6d。
62.发送滤波器7a～7d和接收滤波器8a～8d例如是弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用弹性表面波的表面弹性波(saw：surface acoustic wave)滤波器。此外，发送滤波器7a～7d和接收滤波器8a～8d不限定于saw滤波器，除了saw以外，例如也可以是baw(bulk acoustic wave)滤波器。
63.输出匹配电路10a设于信号路径t1。输出匹配电路10b设于共用路径tc。输出匹配电路10a是用于取得功率放大器5a与发送滤波器7a的阻抗匹配的电路，例如具有电感器。输出匹配电路10a连接于功率放大器5a的输出部与发送滤波器7a的输入部之间。输出匹配电路10b是用于取得功率放大器5b与发送滤波器7b～7d的阻抗匹配的电路，例如具有电感器。输出匹配电路10b连接于功率放大器5a的输出部与第2开关15的共用端子15a之间。
64.匹配电路11a～11d分别设于信号路径r1～r4。匹配电路11a～11d分别是用于取得低噪声放大器6a～6d与接收滤波器8a～8d的阻抗匹配的电路，例如具有电感器。匹配电路11a～11d分别连接于接收滤波器8a～8d的输出部与低噪声放大器6a～6d的输入部之间。
65.匹配电路12a～12c分别连接于第1开关14的共用端子14a～14c与天线端子18a～18c之间。匹配电路12a～12c分别是用于取得第1开关14与天线3a～3c之间的阻抗匹配的电路，例如具有电感器。
66.控制器17是根据来自信号处理电路2的控制信号而控制各电路部件(功率放大器5a、5b、低噪声放大器6a～6d、第1～第3开关14～16等)的控制装置。控制器17电连接于功率放大器5a、5b、低噪声放大器6a～6d、上述的各电路部件。另外，控制器17经由信号输入端子18i而连接于信号处理电路2的输出部。控制器17根据输入至信号输入端子18i的来自信号处理电路2的控制信号而控制上述的各电路部件。
67.(2-3)通信装置的工作
68.参照图1，说明通信装置100的工作。
69.在通信装置100中，能够以两个通信频段(例如，第2～第4通信频段中的1个通信频段和第1通信频段这两个通信频段)同时发送发送信号。在该情况下，由第2开关15从信号路径t2～t4中选择在发送信号的发送中使用的1个信号路径(例如信号路径t2)。另外，由第1开关14从3个天线3a～3c中选择连接于信号路径t1的天线(例如天线3b)和连接于由第2开关15选择的信号路径(例如信号路径t2)的天线(例如天线3c)。
70.然后，从信号处理电路2的两个输出部向高频组件1的两个信号输入端子18g、18h输出发送信号。然后，输入至信号输入端子18g的发送信号经由信号路径t1而由各处理部
(功率放大器5a、输出匹配电路10a以及发送滤波器7a)进行处理，经由第1开关14和匹配电路12b而从天线3b发送。另一方面，输入至信号输入端子18h的发送信号经由由第2开关15选择的信号路径t2而由各处理部(功率放大器5b、输出匹配电路10b以及发送滤波器7b)进行处理，经由第1开关14和匹配电路12c而从天线3c发送。
71.在通信装置100中，在这样以两个通信频段(例如第2～第4通信频段中的1个和第1通信频段)同时发送发送信号的情况下，与两个通信频段对应的两个发送滤波器(例如发送滤波器7b～7d中的1个和发送滤波器7a)同时工作。即，能够进行利用上述的两个发送滤波器这两者的同时发送。
72.此外，在本实施方式中，例示了发送信号以两个发送频段同时发送的情况，但发送信号也可以以3个以上的发送频段同时发送。在该情况下，能够进行利用与3个以上的发送频段对应的3个以上的发送滤波器的同时发送。
73.另外，在通信装置100中，能够以两个通信频段(例如第1～第4通信频段中的两个通信频段)同时接收接收信号。在该情况下，由第3开关16从信号路径r1～r4中选择接收信号的接收所使用的两个信号路径(例如信号路径r1、r2)。选择的两个信号路径r1、r2分别由第3开关16例如经由共用端子16a、16b而连接于信号输出端子18d、18e。另外，由第1开关14从3个天线3a～3c中选择连接于由第3开关16选择的信号路径(例如信号路径r1、r2)的天线(例如天线3a)。
74.然后，当由天线3a接收接收信号时，由天线3a接收的接收信号经由匹配电路12a和第1开关14而在第1开关14处向由第3开关16选择的两个信号路径r1、r2分支地流动。流经信号路径r1的接收信号经由接收滤波器8a、匹配电路11a、低噪声放大器6a、第3开关16、信号输出端子18d而向信号处理电路2的输入部输出。流经信号路径r2的接收信号经由接收滤波器8b、匹配电路11b、低噪声放大器6b、第3开关16、信号输出端子18e而向信号处理电路2的输入部输出。然后，输出至信号处理电路2的上述的输入部的接收信号由信号处理电路2处理并向外部输出。
75.在通信装置100中，在这样以两个通信频段(例如第1通信频段和第2通信频段)同时接收接收信号的情况下，与两个通信频段对应的两个接收滤波器(例如接收滤波器8a、8b)同时工作。即，能够进行利用上述的两个接收滤波器这两者的同时接收。
76.此外，在本实施方式中，例示了接收信号以两个通信频段同时接收的情况，但接收信号也可以以3个以上的通信频段同时接收。
77.(2-4)高频组件的构造
78.接下来，参照图2和图3，说明高频组件1的构造。
79.如图2和图3所示，高频组件1包括安装基板30(基板)、多个电路部件31、树脂层32a、32b以及屏蔽层33。
80.如图3所示，安装基板30是用于安装多个电路部件的基板，例如是矩形的板状。安装基板30具有在安装基板30的厚度方向d1上彼此相对的第1主面35和第2主面36。第1主面35和第2主面36例如是矩形形状(参照图2)。
81.安装基板30是包含多个介电体层和多个导电层的多层基板。多个介电体层和多个导电层在安装基板30的厚度方向d1上层叠。多个导电层形成为针对每层确定的预定图案。多个导电层包含接地层。在高频组件1中，接地端子18j和接地层经由安装基板30所具有的
导通孔导体(日文：
ビア
導体)等而电连接。安装基板30例如是ltcc(low temperature co-fired ceramics)基板。安装基板30不限于ltcc基板，例如，也可以是印刷布线板、htcc(high temperature co-fired ceramics)基板、树脂多层基板。
82.在以下的说明中，存在将安装基板30的厚度方向d1记作第1方向d1的情况。另外，将与第1方向d1正交的某一方向(例如与安装基板30的第1主面35的两组对边中的一组对边平行的方向)记作第2方向d2。另外，将与第1方向d1和第2方向d2这两者正交的方向(例如与第1主面35的两组对边中的另一组对边平行的方向)设为第3方向d3。
83.另外，在图2中，存在将纸面上第2方向d2的上侧和下侧简记为“后侧”和“前侧”，将第3方向d3的左侧和右侧简记为“左侧”和“右侧”的情况。另外，在图3中，存在将纸面上第1方向d1的上侧和下侧简记为“上侧”和“下侧”的情况。
84.多个电路部件31安装于安装基板30的第1主面35或第2主面36。在本说明书等中，“安装”包含电路部件31配置于安装基板30的第1主面35或第2主面36的情况(机械连接)和电路部件31与安装基板30(的适当的导体部)电连接的情况。
85.如图2所示，多个电路部件31包含控制器17、功率放大器5a、5b、发送滤波器7a～7d、接收滤波器8a～8d、输出匹配电路10a、10b、匹配电路11a～11d以及匹配电路12a～12c。上述电路部件安装于安装基板30的第1主面35。上述电路部件的外周形状分别在从安装基板30的厚度方向d1俯视时是例如四边形状。
86.安装基板30的第1主面35具有第1单半区域35l和第2单半区域35r。第1单半区域35l是第1主面35的第3方向d3的一侧(左侧、第1侧)的一半区域。第2单半区域35r是第1主面35的第3方向d3的另一侧(右侧、第2侧)的一半区域。
87.在安装基板30的第1单半区域35l主要配置有与发送相关的电路部件(功率放大器5a、5b、发送滤波器7a～7d、输出匹配电路10a、10b以及控制器17)。更详细而言，在第1单半区域35l的第2方向d2的一侧(上侧)从第3方向d3的一侧(左侧)朝向另一侧(右侧)配置有控制器17和发送滤波器7a。另外，在第1单半区域35l的第2方向d2的中央从第3方向d3的一侧(左侧)朝向另一侧(右侧)配置有功率放大器5a、功率放大器5b以及输出匹配电路10a。另外，在第1单半区域35l的第2方向d2的另一侧(下侧)从第3方向d3的一侧(左侧)朝向另一侧(右侧)配置有输出匹配电路10b、发送滤波器7b、发送滤波器7c以及发送滤波器7d。
88.在安装基板30的第2单半区域35r主要配置有与接收相关的电路部件(接收滤波器8a～8d、匹配电路11a～11d以及匹配电路12a～12c)。更详细而言，在第2单半区域35r的中央呈两行两列地排列配置有接收滤波器8a～8d。另外，在第2单半区域35r的第2方向d2的一侧(上侧)沿着第3方向d3排列地配置有匹配电路11a和匹配电路11b。另外，在第2单半区域35r的第3方向d3的另一侧(右侧)沿着第2方向d2排列地配置有匹配电路11c和匹配电路11d。另外，在第2单半区域35r的第2方向d2的另一侧(下侧)沿着第3方向d3排列地配置有匹配电路12a～12c。
89.这样，与发送相关的电路部件和与接收相关的电路部件分开地配置于第1单半区域35l和第2单半区域35r。由此，能够抑制在与发送相关的电路部件和与接收相关的电路部件之间相互的信号(发送信号和接收信号)干涉的情况。
90.另外，多个电路部件31还包含第1开关14、第2开关15、第3开关16以及低噪声放大器6a～6d。上述电路部件31安装于安装基板30的第2主面36。
91.如图3所示，树脂层32a(以下，也称为第1树脂层32a)设于安装基板30的第1主面35。第1树脂层32a覆盖配置于安装基板30的第1主面35的多个电路部件31。即，树脂层32a覆盖能够在同时发送时同时工作的发送滤波器7a～7b的至少局部。第1树脂层32a密封上述的多个电路部件31。此外，在图2中省略第1树脂层32a。
92.另外，树脂层32b(以下，也称为第2树脂层32b)设于安装基板30的第2主面36。第2树脂层32b覆盖安装于安装基板30的第2主面36的多个电路部件31。第2树脂层32b密封上述的多个电路部件31。更详细而言，对于第2树脂层32b而言，针对安装于第2主面36的多个外部连接端子18a～18j，暴露顶端面且覆盖顶端面以外的部分，针对电路部件31，覆盖电路部件31的整体。第2树脂层32b包含树脂。第2树脂层32b也可以除了树脂以外还包含填料。第2树脂层32b的材料既可以是与第1树脂层32a的材料相同的材料，也可以是与第1树脂层32a的材料不同的材料。
93.屏蔽层33例如是金属。屏蔽层33设于第1树脂层32a的外表面(外周面和顶面)、第2树脂层32b的外周面以及安装基板30的外周面。屏蔽层33覆盖第1树脂层32a的外表面的整体、安装基板30的外周面的整体以及第2树脂层32b的外周面的局部(第1方向d1的安装基板30侧的部分)。屏蔽层33与安装基板30的接地层接触。由此，在高频组件1中，能够使屏蔽层33的电位与接地层的电位(接地电位)相同。
94.(2-5)发送滤波器的散热路径
95.在高频组件1中，如上述(参照图2)那样，与发送相关的电路部件31和与接收相关的电路部件31分开地配置于第1单半区域35l和第2单半区域35r。在本实施方式中，多个发送滤波器7a～7d中的例如发送滤波器7a、7d能够在同时发送时同时工作。即，能够进行利用发送滤波器7a、7d这两者的同时发送。能够在同时发送时同时工作的发送滤波器7a、7d限制于第1单半区域35l内地配置，从而相互靠近地配置。在本实施方式中，设计了发送滤波器7a、7d的散热路径，使得即使能够同时工作的发送滤波器7a、7d相互靠近地配置，彼此的发热也不相互影响。以下，参照图4和图5，详细地说明该设计。
96.如图4所示，高频组件1在安装基板30的第1主面35处具备与发送滤波器7a、7d对应的导体401、404。导体401、404分别构成对应的发送滤波器7a、7d的散热路径。在图4中，在第1主面35处，仅图示电路部件31中的发送滤波器7a、7d和导体401、404。
97.如图4所示，发送滤波器7a、7d分别在安装基板30的第1主面35处例如配置于第3方向d3的中央且是第2方向d2的两侧的端部。在安装基板30的第1主面35设有构成发送滤波器7a的散热路径的导体401和构成发送滤波器7d的散热路径的导体404。导体401、404是安装基板30所具有的布线导体之外的构件，但也可以由安装基板30所具有的布线导体构成。
98.导体401、404与对应的发送滤波器7a、7d和安装基板30接触(参照图5)。另外，导体401、404从对应的发送滤波器7a、7d向与另一个发送滤波器7d、7a那侧不同的一侧延伸并与屏蔽层33接触(参照图4)。即，导体401、404在对应的发送滤波器7a、7d的与另一个发送滤波器7d、7a那侧不同的一侧与屏蔽层33接触。更详细地说明，导体401、402与发送滤波器7a、7d对应。导体401在对应的发送滤波器7a的与发送滤波器7d那侧不同的一侧与屏蔽层33接触。导体404在对应的发送滤波器7b的与发送滤波器7a那侧不同的一侧与屏蔽层33接触。
99.在图4和图5的例子中，屏蔽层33具有覆盖树脂层32a的外表面(顶面和4个侧面)的多个面部(顶面331和4个侧面332～335)。在以下的说明中，在不区分屏蔽层33的顶面331和
4个侧面332～335时，存在将上述5个面一并记作面部331～335的情况。
100.更详细而言，在图4的例子中，在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时，导体401、404分别从对应的发送滤波器7a、7d向与另一个发送滤波器7d、7a那侧相反的一侧延伸。并且，导体401、404分别与屏蔽层33的4个侧面332～335中的位于导体401、404所延伸的方向的侧面(例如侧面332、333)接触。即，导体401从对应的发送滤波器7a向上侧延伸并与屏蔽层33的上侧的侧面332接触。导体404从对应的发送滤波器7b向下侧延伸并与屏蔽层33的下侧的侧面333接触。
101.换言之，在图4的例子中，导体401、404分别向屏蔽层33的4个侧面332～335中的最靠近对应的发送滤波器7a、7d的侧面332、333那侧延伸并与最靠近的侧面332、333接触。在本实施方式中，发送滤波器7a、7d分别最靠近屏蔽层33的4个侧面332～335中的后侧的侧面332和前侧的侧面333。并且，导体401、404分别向屏蔽层33的4个侧面332～335中的最靠近对应的发送滤波器7a、7d的侧面332、333那侧延伸并与最靠近的侧面332、333接触。
102.此外，上述的“屏蔽层33的4个侧面332～335中的最靠近对应的发送滤波器7a、7d的侧面”是在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)观察的俯视时4个侧面332～335中的从发送滤波器7a、7d的中心向各侧面332～335引出的垂线的长度最短的侧面。另外，上述的“导体401、404向最靠近对应的发送滤波器7a、7d的侧面332、333那侧延伸”是导体401、404沿着从对应的发送滤波器7a、7d的中心向最靠近的侧面332、333引出的垂线延伸。因而，在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时，在导体401、404与上述的最靠近的侧面332、333接触的状态下，导体401、404所延伸的方向与最靠近的侧面332、333正交。
103.另外，更详细而言，在图5的例子中，在以与安装基板30的厚度方向(第1方向d1)平行的截面剖切的剖视时，导体401、404与安装基板30的第1主面35接触并沿着第1主面35延伸。另外，导体401、404在安装基板30的第1主面35处延伸至对应的发送滤波器7a、7d的配置区域(换言之投影区域)的内部，经由连接构件(例如钎焊凸块)41而与对应的发送滤波器7a、7d的背面接触。更详细而言，发送滤波器7a、7d具有支承idt电极71c的支承基板71，以支承基板71位于安装基板30与idt电极71c之间的方式安装于安装基板30。导体401、404经由连接构件41而与发送滤波器7a、7d的支承基板71接触。
104.在此，参照图5，对发送滤波器7a、7d的结构和发送滤波器7a、7d相对于安装基板30的安装构造补充说明。此外，图5表示发送滤波器7a的剖视图，但由于发送滤波器7a、7d是彼此相同的结构且是相同的安装构造，因此将图5兼用作发送滤波器7d的剖视图。此外，其他发送滤波器7b、7c的结构和安装构造也与发送滤波器7a、7d的结构和安装构造相同。在本实施方式中，发送滤波器7a、7d分别除了支承基板71以外还具有间隔层72、盖构件73、贯通电极74以及多个连接端子75(例如钎焊凸块)。
105.在支承基板71的一个主面71a设有包含idt电极(梳形电极)71c的电路部(功能部)和多个焊盘电极(日文：
パッド
電極)71d。即，支承基板71支承idt电极71c。多个焊盘电极71d是用于将上述的电路部与外部基板(例如安装基板30)电连接的电极，与上述的电路部电连接。间隔层72是设于支承基板71与盖构件73之间且确保收纳上述的电路部(idt电极71c)的空间的构件。间隔层72由具有电绝缘性的构件(例如环氧树脂或聚酰亚胺等)形成为例如矩形框状。间隔层72设为在支承基板71的主面71a处包围上述的电路部(idt电极71c)的周围。
106.盖构件73由具有电绝缘性的构件(例如环氧树脂或聚酰亚胺等)形成为例如平板
状。盖构件73以封闭间隔层72的上表面开口的方式配置于间隔层72。贯通电极74是将设于支承基板71的两侧的主面71a、71b的焊盘电极71d与连接端子75电连接的导电构件，设为在支承基板71处沿着厚度方向贯通。连接端子75是将支承基板71与安装基板30的布线导体电连接的导电构件，例如是钎焊凸块。连接端子75设为在支承基板71的主面71b处与贯通电极74接触，并且在安装基板30的第1主面35处与安装基板30的布线导体接触。
107.这样，发送滤波器7a、7d以使支承基板71侧相对于idt电极71c而言朝向安装基板30的状态安装于安装基板30。在发送滤波器7a、7d中，在发送滤波器7a、7d发热时，支承基板71发热。更详细而言，idt电极71c发热，支承基板71发热。因此，发送滤波器7a、7d以使支承基板71侧朝向安装基板30的状态安装于安装基板30。由此，能够使在发送滤波器7a、7d产生的热经由连接构件41而向对应的导体401、404有效地传递。
108.此外，发送滤波器7b、7c也与发送滤波器7a、7d同样地构成且同样地安装于安装基板30。
109.如图6所示，设想在同时发送时发送滤波器7a、7d同时工作，同时从发送滤波器7a、7d产生热q1、q2的情况。在该情况下，在发送滤波器7a产生的热q1由对应的导体401从发送滤波器7a向与另一个发送滤波器7d那侧不同的一侧流动并传递至屏蔽层33，从屏蔽层33散热。另外，同样，在发送滤波器7d产生的热q2由对应的导体404从发送滤波器7d向与另一个发送滤波器7a那侧不同的一侧流动并传递至屏蔽层33，从屏蔽层33散热。这样，由导体401、404形成发送滤波器7a、7d的散热路径，从而能够将发送滤波器7a、7d的散热路径(导体401、404)形成为难以受到在另一个发送滤波器7d、7a产生的热q2、q1的影响。由此，能够提高发送滤波器7a、7d的散热性，其结果，即使在当同时发送时发送滤波器7a、7d同时工作而同时发热的情况下，也能够抑制发送滤波器7a、7d的特性劣化的情况。
110.并且，发送滤波器7a、7d的散热性提高，从而能够抑制在发送滤波器7a、7d产生的热q1、q2影响另一个发送滤波器7d、7a的情况。由此，能够提高另一个发送滤波器7d、7a的散热性，其结果，即使在当同时发送时发送滤波器7a、7d同时工作而同时发热的情况下，也能够抑制另一个发送滤波器7d、7a的特性劣化的情况。这样，能够抑制发送滤波器7a、7d各自的特性的劣化。
111.在上述的说明中，作为能够在同时发送时同时工作的发送滤波器，举出发送滤波器7a～7d中的发送滤波器7a、7d为例而进行了说明。在本实施方式中，在高频组件1中，与对应于发送滤波器7a、7d的导体401、404同样，还包括对应于发送滤波器7b、7c的导体(未图示)。在本实施方式中，发送滤波器7a、7b也能够在同时发送时同时工作，发送滤波器7a、7b各自的导体的关系也基于与发送滤波器7a、7d的导体的关系同样的思想而形成。同样，发送滤波器7a、7c也能够在同时发送时同时工作，发送滤波器7a、7c各自的导体的关系也基于与发送滤波器7a、7d的导体的关系同样的思想而形成。由此，能够提高能够在同时发送时同时工作的发送滤波器7a～7d的散热性，能够防止上述发送滤波器7a～7d的特性的劣化。
112.(3)主要的效果
113.以上，实施方式的高频组件1包括安装基板30(基板)、发送滤波器(例如7a、7d)、树脂层32a、屏蔽层33以及导体(例如401、404)。安装基板30具有彼此相对的第1主面35和第2主面36。发送滤波器7a安装于安装基板30的第1主面35，将第1频带作为通带。发送滤波器7d安装于安装基板30的第1主面35，将第2频带作为通带。树脂层32a设于安装基板30的第1主
面35，覆盖发送滤波器7a、7d的至少局部。屏蔽层33设于树脂层32a的外表面。导体401设于安装基板30的第1主面35，与发送滤波器7a和安装基板30接触。导体404设于安装基板30的第1主面35，与发送滤波器7d和安装基板30接触。能够进行利用发送滤波器7a、7d这两者的同时发送。导体401在发送滤波器7a(第1滤波器)的与发送滤波器7d(第2滤波器)那侧不同的一侧与屏蔽层33接触。导体404在发送滤波器7d(第1滤波器)的与发送滤波器7a(第2滤波器)那侧不同的一侧与屏蔽层33接触。根据该结构，能够抑制在利用发送滤波器7a、7d这两者进行的同时发送时由在发送滤波器7a产生的热的影响引起的发送滤波器7d的特性劣化的情况。另外，能够抑制发送滤波器7a的特性由于在发送滤波器7d产生的热的影响而劣化的情况。
114.(4)变形例
115.说明上述的实施方式的变形例。
116.(4-1)变形例1
117.本变形例例示上述的实施方式的导体401、404的延伸设置方向的变形例。如图7所示，在本变形例中，在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时，导体401从对应的发送滤波器7a向与发送滤波器7a、7d的排列方向(第2方向d2)正交的方向(第3方向d3)的一侧延伸。并且，导体401与屏蔽层33的多个侧面332～335中的位于导体401所延伸的方向的侧面334接触。
118.另外，在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时，导体404从对应的发送滤波器7d向在与发送滤波器7a、7d的排列方向(第2方向d2)正交的方向(第3方向d3)上与导体401相反的一侧延伸。并且，导体404与屏蔽层33的多个侧面332～335中的位于导体404所延伸的方向的侧面335接触。此外，也可以是，导体404向与导体401相同的方向延伸，并同与导体401相同的侧面334接触。另外，与上述的实施方式的情况同样，导体404从对应的发送滤波器7d向屏蔽层33的前侧的侧面333那侧延伸并与侧面333接触。
119.即，导体404具有两个构成导体404a、404b。两个构成导体404a、404b在安装基板30的第1主面35处在对应的发送滤波器7d所配置的配置区域(投影区域)的内侧相互连结。构成导体404a从对应的发送滤波器7d向屏蔽层33的前侧的侧面333那侧延伸并与前侧的侧面333接触。构成导体404b在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时从对应的发送滤波器7d向与构成导体404a正交的方向的一侧(例如右侧)延伸，与屏蔽层33的右侧的侧面335接触。此外，也可以是，构成导体404b向与导体401相同的方向延伸，并同与导体401相同的侧面334接触。即，两个构成导体404a、404b与屏蔽层33的多个面部331～335中的彼此不同的侧面333、335接触。
120.这样，导体404与屏蔽层33的多个面部331～335中的两个以上的面部(在图7的例子中是两个侧面333、335)接触。由此，能够进一步提高发送滤波器7d的散热性。
121.根据本变形例，能够进一步提高发送滤波器7d的散热性，其结果，能够进一步抑制由在发送滤波器7d产生的热引起的发送滤波器7a的特性的劣化。
122.(4-2)变形例2
123.本变形例例示上述的实施方式的导体401、404的配置和延伸设置方向的变形例。如图8所示，在本变形例中，能够在同时发送时同时工作的两个发送滤波器7a、7d例如在安装基板30的第1主面35的中央处沿着前后方向(第2方向d2)排列地配置。
124.导体401从对应的发送滤波器7a向屏蔽层33的上侧的侧面332那侧延伸并与上侧的侧面332接触。
125.导体404从对应的发送滤波器7d向屏蔽层33的3个侧面332～335各自的那侧延伸并与3个侧面332～335接触。更详细而言，导体404具有3个构成导体404a、404b、404c。3个构成导体404a、404b、404c在安装基板30的第1主面35处在对应的发送滤波器7d的配置区域(投影区域)的内侧相互连结。
126.构成导体404a从对应的发送滤波器7d向屏蔽层33的前侧的侧面333那侧延伸并与前侧的侧面333接触。构成导体404b、404c在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时从对应的发送滤波器7d向与构成导体404a正交的方向(左右方向、第3方向d3)的两侧延伸，与屏蔽层33的左右两侧的侧面334、335接触。这样，导体404与两个以上的面部(在图8的例子中是3个侧面333、334、335)接触，从而能够进一步提高发送滤波器7d的散热性。其结果，能够进一步抑制由在发送滤波器7d产生的热引起的发送滤波器7a的特性的劣化。
127.(4-3)变形例3
128.本变形例例示上述的实施方式的导体401、404的配置和延伸设置方向的变形例。如图9所示，在本变形例中，能够同时工作的两个发送滤波器7a、7d中的一个发送滤波器7d配置于安装基板30的第1主面35的角部35s(更详细而言是角部35s的附近)。另一个发送滤波器7a配置于安装基板30的第1主面35的适当位置(例如中央附近)。
129.与变形例2的情况同样，导体401从对应的发送滤波器7a向屏蔽层33的后侧的侧面332那侧延伸并与后侧的侧面332接触。
130.导体404从对应的发送滤波器7d向屏蔽层33的两个侧面333、335侧延伸并与侧面332、335接触。更详细而言，导体404具有两个构成导体404a、404b和延伸设置部404d。
131.两个构成导体404a、404b在安装基板30的第1主面35处在对应的发送滤波器7d的配置区域(投影区域)的内侧相互连结。构成导体404a从对应的发送滤波器7d向屏蔽层33的前侧的侧面333那侧延伸并与前侧的侧面333接触。构成导体404b在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时从对应的发送滤波器7d向与构成导体404a正交的方向的一侧(例如右侧)延伸并与屏蔽层33的右侧的侧面335接触。侧面333、335是屏蔽层33的4个侧面332～335中的面对角部35s的两个侧面。
132.延伸设置部404d在安装基板30的第1主面35处以与两个构成导体404a、404b的顶端部连结的方式沿着角部35s呈l字状形成。延伸设置部404d与屏蔽层33的4个侧面332～335中的面对角部35s的两个侧面333、335接触。另外，在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时，延伸设置部404d(导体404)沿着两个侧面333、335延伸。
133.更详细而言，延伸设置部404d具有第1延伸设置部50和第2延伸设置部51。第1延伸设置部50是沿着屏蔽层33的前侧的侧面333并与侧面333接触的部分，沿着安装基板30的左右方向(第3方向d3)延伸。在图9的例子中，第1延伸设置部50在第3方向d3上例如从安装基板30的角部35s延伸至与角部35s侧相反的一侧的端部。第2延伸设置部51是沿着屏蔽层33的右侧的侧面335与侧面335接触的部分，沿着安装基板30的前后方向(第2方向d2)延伸。在图9的例子中，第2延伸设置部51在第2方向d2上例如从角部35s延伸至发送滤波器7d的端部7a的附近。安装基板30的端部7a是安装基板30的第2方向d2的两端部中的距角部35s较远的一个端部。
134.根据本变形例，在发送滤波器7d配置于安装基板30的第1主面35的角部35s的情况下，能够利用导体404有效地使对应的发送滤波器7d与屏蔽层33的多个侧面332～335中的面对角部35s的两个侧面(例如侧面333、335)接触。由此，能够进一步提高发送滤波器7d的散热性。其结果，能够进一步抑制由在发送滤波器7d产生的热引起的发送滤波器7a的特性的劣化。
135.(4-4)变形例4
136.在本变形例中，说明在上述的实施方式中在3个发送滤波器(例如7a～7c)能够在同时发送时同时工作的情况下与3个发送滤波器7a～7c对应的导体401～403的一例。如图10所示，在本变形例中，3个发送滤波器7a、7b、7c在安装基板30的第1主面35处例如在第3方向d3的中央处沿着第2方向d2排列地配置。
137.导体401在对应的发送滤波器7a的与其他发送滤波器7b、7c各自那侧不同的一侧与屏蔽层33接触。导体402在对应的发送滤波器7b的与其他发送滤波器7a、7c各自那侧不同的一侧与屏蔽层33接触。导体403在对应的发送滤波器7c的与其他发送滤波器7a、7b各自那侧不同的一侧与屏蔽层33接触。
138.在图10的例子中，导体401从对应的发送滤波器7a向屏蔽层33的上侧的侧面332那侧延伸并与上侧的侧面332接触。导体402从对应的发送滤波器7b向屏蔽层33的右侧的侧面335那侧延伸并与右侧的侧面335接触。导体403从对应的发送滤波器7c向屏蔽层33的下侧的侧面333那侧延伸并与下侧的侧面333接触。
139.根据本变形例，即使在3个发送滤波器7a～7c能够在同时发送时同时工作的情况下，也能够与上述的实施方式同样地提高3个发送滤波器7a～7c的散热性，其结果，能够抑制发送滤波器7a～7c的特性的劣化。
140.(4-5)变形例5
141.在本变形例中，说明在上述的实施方式中例如与发送滤波器7d对应的导体404与屏蔽层33的顶面331接触的情况。如图11的a和图11的b所示，在本变形例中，高频组件1具备导电性的分隔构件56。分隔构件56例如是分隔屏蔽件(compartment shield)。更详细而言，分隔构件56例如是设于安装基板30的第1主面35的适当位置且分隔高频组件1的内部(由安装基板30和屏蔽层33包围的部分)的构件。分隔构件56由具有导电性的构件(例如金属等)形成。分隔构件56呈壁状设于安装基板30的第1主面35。分隔构件56例如在安装基板30的第1主面35处在发送滤波器7a、7d的右侧沿着第2方向d2设置(参照图11的a)。分隔构件56的顶面56a与屏蔽层33的顶面331的背侧接触(参照图11的b)。
142.在本变形例中，导体404包含导体主体49和分隔构件56。导体主体49设于安装基板30的第1主面35，与对应的发送滤波器7d和分隔构件56接触。更详细而言，导体主体49例如是带状，沿着安装基板30的第1主面35接触。与实施方式的导体401、404和发送滤波器7a、7d的接触方式同样地，导体主体49的一端部配置于对应的发送滤波器7d的配置区域的内侧，经由连接构件41(例如钎焊凸块)而与发送滤波器7d的支承基板71接触。导体主体49的另一端部与分隔构件56接触。在图10的例子中，导体主体49的另一端部配置于分隔构件56与安装基板30之间。这样，导体404利用现有的分隔构件56而构成。
143.在这样构成的导体404中，在发送滤波器7d产生的热q2依次在支承基板71、连接构件41、导体主体49以及分隔构件56传递，从分隔构件56的顶面56a向屏蔽层33的顶面331传
递，从屏蔽层33散热。
144.根据本变形例，能够在不使发送滤波器7d的顶面7s与屏蔽层33的顶面331的背侧接触的前提下将发送滤波器7d的热q2向屏蔽层33的顶面331散热。并且，仅通过向现有的分隔构件56添加导体主体49(即简单的结构)，就能够将发送滤波器7d的热q2向屏蔽层33的顶面331散热。
145.(4-6)变形例6
146.变形例5的导体404利用壁状的分隔构件56，但本变形例的导体404(第1导体)利用具有内部收纳部555的分隔构件55。更详细而言，如图12所示，在本变形例中，分隔构件55由具有导电性的构件(例如铜等)形成为例如长方体形的箱状。在分隔构件55的内部形成有能够收纳安装有电子部件的电路基板53的空间(内部收纳部555)。即，本变形例的分隔构件55是将高频组件1的内部(由安装基板30和屏蔽层33包围的部分)分隔成分隔构件55的内部和外部的构件。分隔构件55安装于安装基板30的第1主面35。分隔构件55的顶面55a与屏蔽层33的顶面331的背侧接触。
147.更详细而言，分隔构件55具有基板551、屏蔽壁552以及连接构件553。屏蔽壁552由具有导电性的构件(例如铜等)形成为例如下表面开口的箱状。屏蔽壁552以基板551封闭屏蔽壁552的下表面开口的方式设于基板551。由基板551和屏蔽壁552包围的空间构成收纳电路基板53的内部收纳部555。电路基板53安装于基板551。连接构件553是将基板551与安装基板30电连接的构件，例如是钎焊凸块。连接构件553包含接地用的连接构件。分隔构件55的内部在本实施方式中是中空的，但也可以填充有树脂层。屏蔽壁552的顶面552a(即分隔构件55的顶面55a)与屏蔽层33的顶面331的背侧接触。
148.在本变形例中，与发送滤波器7d对应的导体404包含导体主体49和分隔构件55。导体主体49与变形例5的导体主体49同样地形成。即，导体主体49形成为例如带状，沿着安装基板30的第1主面35接触，与上述的实施方式的情况同样地，导体主体49的一端部经由连接构件41(例如钎焊凸块)而与发送滤波器7d接触。并且，导体主体49的另一端部配置于安装基板30的第1主面35的分隔构件55的配置区域的内侧，经由连接构件556(例如钎焊凸块)而与分隔构件55的背面(即基板551的背面)接触。连接构件556也可以经由基板551内的布线导体而与屏蔽壁552接触。即，导体主体49也可以经由连接构件556和基板551内的布线导体而与屏蔽壁552接触。这样，在本变形例中也与变形例5的情况同样，导体404利用现有的分隔构件55而构成。
149.在这样构成的导体404中，与变形例5同样，在发送滤波器7d产生的热q2依次在支承基板71、连接构件41、导体主体49以及分隔构件55传递，从分隔构件55的顶面55a向屏蔽层33的顶面331传递，从顶面331散热。
150.在本变形例中也与变形例5同样，能够在不使发送滤波器7d的顶面与屏蔽层33的顶面331接触的前提下将发送滤波器7d的热向屏蔽层33的顶面331散热。并且，仅通过向现有的分隔构件55添加导体主体49(即简单的结构)，就能够将发送滤波器7d的热向屏蔽层33的顶面331散热。
151.在本变形例中，也可以是，还在分隔构件55的内部收纳部555的底面(基板551的前表面551a)设有导体54(第2导体)。导体54是将电路基板53与屏蔽壁552电连接的构件。电路基板53经由导体54而与屏蔽壁552接触。利用该导体54，在电路基板53产生的热q3经由导体
54和屏蔽壁552而向屏蔽层33的顶面331传递，从顶面331散热。即，分隔构件55兼用作发送滤波器7d的散热路径和电路基板53的散热路径。由此，当在分隔构件55的内部收纳有电路基板53的情况下，电路基板53的热也能够经由导体54、分隔构件55以及屏蔽层33而散热。
152.(4-7)变形例7
153.在本变形例中，如图13的a和图13的b所示，设于安装基板30的内部的信号线(例如81、82)与构成滤波器(例如发送滤波器7b和接收滤波器8a)的散热路径的导体(例如402、501)相互重叠。此外，在图13的a和图13的b中，仅图示发送滤波器7a～7d中的发送滤波器7a、7b，并且仅图示接收滤波器8a～8d中的接收滤波器8a。
154.更详细而言，如图13的b所示，在本变形例中，安装基板30例如是多层基板。在安装基板30的第1主面35安装有滤波器(发送滤波器7a、7b和接收滤波器8a)和与上述各滤波器(发送滤波器7a、发送滤波器7b、接收滤波器8a)对应的导体401、402、501。
155.导体401、402、501设于安装基板30的第1主面35(参照图13的a)。导体401的一端部延伸至对应的发送滤波器7a的配置区域内并经由连接构件41而与对应的发送滤波器7a接触。导体401的另一端部从对应的发送滤波器7a向与发送滤波器7b那侧和接收滤波器8a那侧不同的一侧(左侧)延伸并与屏蔽层33的侧面334接触。导体402的一端部延伸至对应的发送滤波器7b的配置区域内并经由连接构件41而与对应的发送滤波器7b接触。导体402的另一端部从对应的发送滤波器7b向与发送滤波器7a那侧和接收滤波器8a那侧不同的一侧(后侧)延伸并与屏蔽层33的侧面332接触。导体501的一端部延伸至对应的接收滤波器8a的配置区域内并经由连接构件41而与对应的接收滤波器8a接触。导体501的另一端部从对应的接收滤波器8a向与发送滤波器7a那侧和发送滤波器7b那侧不同的一侧(后侧)延伸并与屏蔽层33的侧面332接触。
156.在安装基板30的第2主面36安装有第1开关14。在安装基板30的内部设有多个信号线81～83。多个信号线81～83例如是传输发送信号或接收信号的信号线。信号线81、82分别例如将发送滤波器7a、7b与第1开关14的选择端子14h、14i电连接。信号线83将接收滤波器8a与第1开关14的选择端子14d电连接。
157.信号线81从发送滤波器7a通过安装基板30的内部并通过导体402的下侧而连接于第1开关14的选择端子14h。信号线82从发送滤波器7b通过安装基板30的内部并通过导体403的下侧而连接于第1开关14的选择端子14i。信号线83从接收滤波器8a通过安装基板30的内部而连接于第1开关14的选择端子14d。此外，信号线81～83设于安装基板30的内部，但只要设于安装基板30的内部和第2主面36中的至少一者即可。
158.如图13的a和图13的b所示，在本变形例中，在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时，信号线81的至少局部与导体402相互重叠。也可以是，在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)俯视时，信号线81的至少局部与导体501相互重叠。另外，信号线82的至少局部与导体501相互重叠。
159.在本变形例中，在从安装基板30的厚度方向(第1方向d1)观察时，信号线81与导体402相互重叠。因此，能够利用导体402抑制从信号线81产生的噪声(电磁波)向发送滤波器7b传输的情况。另外，能够利用导体402抑制从发送滤波器7b产生的噪声向信号线81传输的情况。同样，信号线82与导体501相互重叠。因此，能够利用导体501抑制从信号线82产生的噪声向接收滤波器8a传输的情况。另外，能够利用导体501抑制从接收滤波器8a产生的噪声
向信号线82传输的情况。其结果，能够使信号线81和发送滤波器7b相互电磁屏蔽。另外，能够使信号线82和接收滤波器8a相互电磁屏蔽。
160.(4-8)其他变形例
161.在上述的实施方式中，例示了发送滤波器7a、7d在同时发送时同时工作的情况，但在接收滤波器8a～8d在同时接收时同时工作的情况下，也可以如上述的实施方式的导体401、404那样由导体构成同时工作的接收滤波器8a～8d的散热路径。
162.在上述的实施方式中，在发送滤波器7a～7d和接收滤波器8a～8d同时工作的情况(同时收发的情况)下，也可以组合同时工作的发送滤波器7a～7d和接收滤波器8a～8d来应用本发明。
163.在上述的实施方式中，安装基板30是矩形板状，但通常既可以是多边形的板状，也可以是圆形的板状。屏蔽层33的俯视的外形与安装基板30的俯视的外形相同。因此，在安装基板30的形状是多边形和圆形的情况下，屏蔽层33的俯视的外形也成为多边形和圆形。
164.上述的实施方式和变形例1～7也可以组合来实施。
165.在上述的实施方式中，能够在同时发送时同时工作的两个发送滤波器7a、7d分别连接于功率放大器5a、5b。在该情况下，也可以是，功率放大器5a的最大输出比功率放大器5b的最大输出大。并且，在该情况下，也可以是，仅在能够同时工作的两个发送滤波器7a、7d中的连接于最大输出较大的功率放大器5a的发送滤波器7a设有导体401，省略连接于最大输出较小的功率放大器5b的发送滤波器7d的导体404。另外，也可以将连接于最大输出较大的功率放大器5a的发送滤波器7a的导体401的散热性能设定得比连接于最大输出较小的功率放大器5b的发送滤波器7d的导体404的散热性能高。
166.即，在功率放大器5a的最大输出比功率放大器5b的最大输出大的情况下，功率放大器5a的发热量比功率放大器5b的发热量大。并且，若功率放大器5a的发热较大，则该热向功率放大器5b流入，从而存在功率放大器5b的特性发生劣化的情况。对于连接于功率放大器5a、5b的发送滤波器7a、7d而言也是同样的。即，连接于最大输出较大的功率放大器5a的发送滤波器7a的发热比连接于最大输出较小的功率放大器5b的发送滤波器7d的发热大。因此，在本变形例中，在发热较大的发送滤波器7a设置导体401来提高发送滤波器7a的散热性，从而抑制由发送滤波器7a的发热引起的发送滤波器7d的特性的劣化。
167.此外，在本变形例中，着眼于功率放大器5a、5b的最大输出，但也可以着眼于功率放大器5a、5b的功率等级。此外，功率等级是由最大输出功率等定义的终端的输出功率的分类，值越小，表示与越高的功率的输出对应。高功率等级的最大输出功率比非高功率等级的最大输出功率大。最大输出功率的测量例如以由3gpp等定义的方法进行。在上述的说明中，功率放大器5a对应于高功率等级，功率放大器5b对应于非高功率等级。即，也可以是，仅在连接于功率等级较小的功率放大器5a的发送滤波器7a设置导体401，省略连接于功率等级较小的功率放大器5b的发送滤波器7d的导体404。
168.(5)方式
169.在本说明书中公开了以下的方式。
170.第1方式的高频组件(1)包括安装基板(30)、第1滤波器(例如7a)和第2滤波器(例如7d)、树脂层(32a)、屏蔽层(33)以及导体(例如401)。安装基板(30)具有彼此相对的第1主面(35)和第2主面(36)。第1滤波器(7a)安装于安装基板(30)的第1主面(35)，将第1频带作
为通带。第2滤波器(7d)安装于安装基板(30)的第1主面(35)，将第2频带作为通带。树脂层(32a)设于安装基板(30)的第1主面(35)，覆盖第1滤波器(7a)和第2滤波器(7d)的至少局部。屏蔽层(33)设于树脂层(32a)的外表面。能够进行利用第1滤波器(7a)和第2滤波器(7d)这两者的同时发送或同时接收。导体(401)设于安装基板(30)的第1主面(35)，与第1滤波器(7a)和安装基板(30)接触。导体(401)在第1滤波器(7a)的与第2滤波器(7d)那侧不同的一侧与屏蔽层(33)接触。
171.根据该结构，能够利用导体(例如401)抑制在利用第1滤波器(例如7a)和第2滤波器(例如7d)这两者的同时发送时由在第1滤波器(7a)产生的热的影响引起的第2滤波器(7d)的特性的劣化。更详细而言，能够利用导体(401)将第1滤波器(7a)的散热路径构成为难以受到在第2滤波器(7d)产生的热的影响。由此，第1滤波器(7a)的散热性提高，能够抑制第1滤波器(7a)的热影响第2滤波器(7d)的情况。其结果，能够抑制由第1滤波器(7a)的热引起的第2滤波器(7d)的特性的劣化。另外，通过由导体(401)构成第1滤波器(7a)的散热路径，能够抑制流经第1滤波器(7a)的散热路径的热影响第2滤波器(7d)的情况。由此，第2滤波器(7d)的散热性提高，能够抑制第2滤波器(7d)的热影响第1滤波器(7a)的情况。其结果，能够抑制由第2滤波器(7d)的热引起的第1滤波器(7a)的特性的劣化。
172.在第1方式的基础上，第2方式的高频组件(1)还包括第1功率放大器(5a)和第2功率放大器(5b)。第1功率放大器(5a)与第1滤波器(7a)连接。第2功率放大器(5b)与第2滤波器(7d)连接。
173.根据该结构，即使将本发明应用于具备连接于第1滤波器(7a)和第2滤波器(7d)的第1功率放大器(5a)和第2功率放大器(5b)的结构，也能够抑制第1滤波器(7a)和第2滤波器(7d)各自的特性的劣化。
174.在第3方式的高频组件(1)中，在第2方式的基础上，第1功率放大器(例如7a)的最大输出比第2功率放大器(例如7d)的最大输出大。
175.根据该结构，能够利用导体(404)提高连接于最大输出较大的第1功率放大器(5a)的第1滤波器(7a)的散热性。
176.在第4方式的高频组件(1)中，在第1～第3方式中任一方式的基础上，第1滤波器(例如7a)是弹性波滤波器。第1滤波器(7a)具有idt电极(71c)和支承基板(71)。支承基板(71)支承idt电极(71c)。第1滤波器(例如7a)以支承基板(71)位于安装基板(30)与idt电极(71c)之间的方式安装于安装基板(30)。
177.根据该结构，在支承基板(71)发热的第1滤波器(例如7a)中，能够将在支承基板(71)产生的热有效地向导体(401)传递。由此，能够进一步提高第1滤波器(例如7a)的散热性。
178.在第5方式的高频组件(1)中，在第1～第4方式中任一方式的基础上，屏蔽层(33)具有覆盖树脂层(32a)的外表面的多个面部(331～335)。导体(401)与多个面部(331～335)中的位于第1滤波器(例如7a)的与第2滤波器(7d)那侧不同的一侧的面部接触。
179.根据该结构，即使在屏蔽层(33)具有多个面部(331～335)的情况(即安装基板(30)的第1主面(35)是多边形的情况)下应用本发明，也能够抑制第1滤波器(7a)和第2滤波器(7d)各自的特性的劣化。
180.在第6方式的高频组件(1)中，在第5方式的基础上，多个面部(331～335)包含屏蔽
层(33)的多个侧面(332～335)。导体(例如401)与多个侧面(332～335)中的最靠近第1滤波器(例如7a)的侧面接触。
181.根据该结构，能够使导体(例如401)(即第1滤波器(例如7a)的散热路径)最短。由此，能够提高第1滤波器(例如7a)的散热性。
182.在第7方式的高频组件(1)中，在第5或第6方式的基础上，导体(例如401)与屏蔽层(33)的多个面部(331～335)中的两个以上的面部接触。
183.根据该结构，能够提高第1滤波器(例如7a)的散热性。
184.在第8方式的高频组件(1)中，在第5～第7方式中任一方式的基础上，多个面部(331～335)包含屏蔽层(33)的多个侧面(332～335)。安装基板(30)的第1主面(35)具有角部(35s)。第1滤波器(例如7d)配置于安装基板(30)的第1主面(35)的角部(35s)。导体(例如404)在安装基板(30)的第1主面(35)处沿着角部(35s)形成，并且与屏蔽层(33)的多个侧面(332～335)中的面对角部(35s)的两个侧面(例如333、335)接触。
185.根据该结构，在第1滤波器(例如7d)配置于安装基板(30)的第1主面(35)的角部(35s)的情况下，能够利用导体(例如404)有效地使第1滤波器(7d)与屏蔽层(33)的多个侧面(332～335)中的面对角部(35s)的两个侧面(例如333、335)接触。由此，能够提高第1滤波器(例如7d)的散热性。
186.在第9方式的高频组件(1)中，在第8方式的基础上，在从安装基板(30)的厚度方向(d1)俯视时，导体(404)沿着两个侧面(例如333、335)中的各侧面延伸。
187.根据该结构，能够将导体(404)形成为沿着角部(35s)的形状(例如l字)接触。
188.在第10方式的高频组件(1)中，在第1～第9方式中任一方式的基础上，在安装基板(30)中，在安装基板(30)的内部和第2主面(36)中的至少一者设有供发送信号或接收信号流动的信号线(例如81)。在从安装基板(30)的厚度方向(d1)俯视时，信号线(例如81)的至少局部与导体(例如402)相互重叠。
189.根据该结构，能够利用导体(例如402)使第1滤波器(例如7b)和信号线(例如81)相互电磁屏蔽。更详细而言，能够利用导体(402)抑制来自信号线(81)的电磁噪声向导体(402)侧(即第1滤波器(7b)侧)传输的情况。另外，能够利用导体(402)抑制来自第1滤波器(7b)的电磁噪声向信号线(81)传输的情况。
190.在第11方式的高频组件(1)中，在第1～第10方式中任一方式的基础上，导体(404)包含导体主体(49)和导电性的分隔构件(56、55)。导体主体(49)沿着安装基板(30)的第1主面(35)设置，与第1滤波器(7a)接触。分隔构件(56、55)设于安装基板(30)的第1主面(35)，与导体主体(49)和屏蔽层(33)接触。
191.根据该结构，能够在不使第1滤波器(例如7d)(的例如顶面)与屏蔽层(33)(的例如顶面(331))接触的前提下将第1滤波器(7d)的热向屏蔽层(33)(的例如顶面(331))散热。并且，仅通过向现有的分隔构件(56、55)添加导体主体(49)(即简单的结构)，就能够将第1滤波器(例如7d)的热向屏蔽层(33)(的例如顶面(331))散热。
192.在第12方式的高频组件(1)中，在第11方式的基础上，将导体(404)设为第1导体(404)。分隔构件(55)具有收纳安装有电路部件的基板(53)的内部收纳部(555)。基板(53)经由设于分隔构件(55)的底面(即基板(551)的前表面(551a))的第2导体(54)而与分隔构件(55)接触。
193.根据该结构，在基板(53)收纳于分隔构件(55)的内部的情况下，基板(53)的热也能够经由第2导体(54)和分隔构件(55)而向屏蔽层(33)的顶面(331)散热。
194.在第13方式的高频组件(1)中，在第1～第12方式中任一方式的基础上，将导体(401)设为第1导体(401)。高频组件(1)还包括第3滤波器(7c)、第2导体(402)以及第3导体(403)。第3滤波器(7c)安装于安装基板(30)的第1主面(35)，将第3频带作为通带。第2导体(402)设于安装基板(30)的第1主面(35)，与第2滤波器(7b)和安装基板(30)接触。第3导体(403)安装于安装基板(30)的第1主面(35)，与第3滤波器(7c)和安装基板(30)接触。树脂层(32a)覆盖第1滤波器(7a)、第2滤波器(7b)以及第3滤波器(7c)的至少局部。能够进行利用第1滤波器(7a)、第2滤波器(7b)以及第3滤波器(7c)的同时发送。第1导体(401)在第1滤波器(7a)的与第2滤波器(7b)那侧和第3滤波器(7c)那侧不同的一侧与屏蔽层(33)接触。第2导体(402)在第2滤波器(7b)的与第1滤波器(7a)那侧和第3滤波器(7c)那侧不同的一侧与屏蔽层(33)接触。第3导体(403)在第3滤波器(7c)的与第1滤波器(7a)那侧和第2滤波器(7b)那侧不同的一侧与屏蔽层(33)接触。
195.根据该结构，能够将本发明应用于在同时发送中使用的第1～第3滤波器(7a～7c)。其结果，能够提高在同时发送中使用的第1～第3滤波器(7a～7c)各自的散热性。
196.第14方式的通信装置(100)包括第1～第13方式中任一方式的高频组件(1)和信号处理电路(2)，信号处理电路(2)连接于高频组件(1)，对高频信号进行信号处理。
197.根据该结构，能够提供具备具有上述的效果的高频组件(1)的通信装置(100)。
198.附图标记说明
199.1、高频组件；2、信号处理电路；3a～3c、天线；5a、功率放大器(第1功率放大器)；5b、功率放大器(第2功率放大器)；6a～6d、低噪声放大器；7a、发送滤波器(第1滤波器、第2滤波器)；7b、发送滤波器(第1滤波器、第2滤波器)；7c、发送滤波器(第3滤波器)；7d、发送滤波器(第1滤波器、第2滤波器)；8a～8b、接收滤波器；10a、10b、输出匹配电路；11a～11d、12a～12c、匹配电路；14、第1开关；14a～14c、共用端子；14d～14k、选择端子；15、第2开关；15a、共用端子；15b～15d、选择端子；16、第3开关；16a～16c、共用端子；16d～16g、选择端子；17、控制器；18a～19j、外部连接端子；21、基带信号处理电路；22、rf信号处理电路；30、安装基板(第1基板)；31、电路部件；32a、第1树脂层；32b、第2树脂层；33、屏蔽层；35、第1主面；35l、第1单半区域；35r、第2单半区域；35s、角部；36、第2主面；401、导体(第1导体)；402、导体(第2导体)；403、导体(第3导体)；404、导体(第1导体)；501、导体；41、连接构件；49、导体主体；50、第1延伸设置部；51、第2延伸设置部；53、电路基板(基板)；54、导体(第2导体)；55、56、分隔构件；55a、56a、顶面；71、支承基板；71a、71b、主面；71c、idt电极；71d、焊盘电极；72、间隔层；73、盖构件；74、贯通电极；75、连接端子；81～83、信号线；100、通信装置；331、顶面；331～335、面部；332～335、侧面；404a～404c、构成导体；404d、延伸设置部；551、基板；551a、前表面；552、屏蔽壁；552a、顶面；553、连接构件；555、内部收纳部；556、连接构件；d1、第1方向(厚度方向)；d2、第2方向；d3、第3方向；q1～q3、热；r1～r4、t1～t4、信号路径；tc、共用路径；t21、t31、t41、独立路径。

技术特征：
1.一种高频组件，其中，该高频组件包括：安装基板，其具有彼此相对的第1主面和第2主面；第1滤波器，其安装于所述安装基板的所述第1主面，将第1频带作为通带；第2滤波器，其安装于所述安装基板的所述第1主面，将第2频带作为通带；树脂层，其设于所述安装基板的所述第1主面，覆盖所述第1滤波器和所述第2滤波器的至少局部；屏蔽层，其设于所述树脂层的外表面；以及导体，其设于所述安装基板的所述第1主面，与所述第1滤波器和所述安装基板接触，能够进行利用所述第1滤波器和所述第2滤波器这两者的同时发送，所述导体在所述第1滤波器的与所述第2滤波器那侧不同的一侧与所述屏蔽层接触。2.根据权利要求1所述的高频组件，其中，该高频组件还包括：第1功率放大器，其连接于所述第1滤波器；以及第2功率放大器，其连接于所述第2滤波器。3.根据权利要求2所述的高频组件，其中，第1功率放大器的最大输出比第2功率放大器的最大输出大。4.根据权利要求1～3中任一项所述的高频组件，其中，所述第1滤波器是弹性波滤波器，所述第1滤波器具有idt电极和支承所述idt电极的支承基板，所述第1滤波器以所述支承基板位于所述安装基板与所述idt电极之间的方式安装于所述安装基板。5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频组件，其中，所述屏蔽层具有覆盖所述树脂层的所述外表面的多个面部，所述导体与所述多个面部中的位于所述第1滤波器的与所述第2滤波器那侧不同的一侧的面部接触。6.根据权利要求5所述的高频组件，其中，所述多个面部包含所述屏蔽层的多个侧面，所述导体与所述多个侧面中的最靠近所述第1滤波器的侧面接触。7.根据权利要求5或6所述的高频组件，其中，所述导体与所述屏蔽层的所述多个面部中的两个以上的面部接触。8.根据权利要求5～7中任一项所述的高频组件，其中，所述多个面部包含所述屏蔽层的多个侧面，所述安装基板的所述第1主面具有角部，所述第1滤波器配置于所述安装基板的所述第1主面的所述角部，所述导体在所述安装基板的所述第1主面处沿着所述角部形成，并且与所述屏蔽层的所述多个侧面中的面对所述角部的两个侧面接触。9.根据权利要求8所述的高频组件，其中，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述导体沿着所述两个侧面中的各侧面延伸。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的高频组件，其中，在所述安装基板中，在所述安装基板的内部和所述第2主面中的至少一者设有供发送信号或接收信号流动的信号线，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述信号线的至少局部与所述导体相互重叠。11.根据权利要求1～10中任一项所述的高频组件，其中，所述导体包含：导体主体，其沿着所述安装基板的所述第1主面设置，与所述第1滤波器接触；以及导电性的分隔构件，其设于所述安装基板的所述第1主面，与所述导体主体和所述屏蔽层接触。12.根据权利要求11所述的高频组件，其中，将所述导体设为第1导体，所述分隔构件具有收纳安装有电路部件的基板的内部收纳部，所述基板经由设于所述分隔构件的底面的第2导体而与所述分隔构件接触。13.根据权利要求1～12中任一项所述的高频组件，其中，将所述导体设为第1导体，该高频组件还包括：第3滤波器，其安装于所述安装基板的所述第1主面，将第3频带作为通带；第2导体，其设于所述安装基板的所述第1主面，与所述第2滤波器和所述安装基板接触；以及第3导体，其安装于所述安装基板的所述第1主面，与所述第3滤波器和所述安装基板接触，所述树脂层覆盖所述第1滤波器、所述第2滤波器以及所述第3滤波器的至少局部，能够进行利用所述第1滤波器、所述第2滤波器以及所述第3滤波器的同时发送，所述第1导体在所述第1滤波器的与所述第2滤波器那侧和所述第3滤波器那侧不同的一侧与所述屏蔽层接触，所述第2导体在所述第2滤波器的与所述第1滤波器那侧和所述第3滤波器那侧不同的一侧与所述屏蔽层接触，所述第3导体在所述第3滤波器的与所述第1滤波器那侧和所述第2滤波器那侧不同的一侧与所述屏蔽层接触。14.一种通信装置，其中，该通信装置包括：权利要求1～13中任一项所述的高频组件；以及信号处理电路，其连接于所述高频组件，对高频信号进行信号处理。

技术总结
抑制在利用第1滤波器和第2滤波器这两者的同时发送时由在第1滤波器产生的热的影响引起的第2滤波器的特性的劣化。高频组件包括安装基板(30)、第1滤波器(7A)、第2滤波器(7D)、屏蔽层(33)以及导体(401)。安装基板(30)具有彼此相对的第1主面(35)和第2主面。屏蔽层(33)设于覆盖第1滤波器(7A)和第2滤波器(7D)的树脂层的外表面。能够进行利用第1滤波器(7A)和第2滤波器(7D)这两者的同时发送。导体(401)设于安装基板(30)的第1主面(35)，与发送滤波器(7A)和安装基板(30)接触。导体(401)在第1滤波器(7A)的与第2滤波器(7D)那侧不同的一侧与屏蔽层(33)接触。蔽层(33)接触。蔽层(33)接触。


技术研发人员：田中塁
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2021.11.01
技术公布日：2023/7/12