一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面

1.本发明属于电磁超材料技术领域，涉及一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面。


背景技术：

2.随着雷达探测技术的迅猛发展，各类反侦测技术的水平也在不断提高，这对于提高设备的生存能力和抗干扰能力非常重要。为了有效控制目标特征信号，降低被侦测、跟踪或打击的概率，各种反侦测手段被广泛研究。
3.雷达散射截面(rcs)是描述目标散射特性的物理量，可以通过加载fss雷达天线罩降低其rcs。然而，传统的反射型fss通常只能反射电磁波到一个特定的方向，不能实现波前控制和多波束漫反射效应，仅可实现单站rcs缩减，对于双站雷达探测失效，存在对频率和入射角度敏感、工作频带较窄等问题。
4.为了解决这些问题，将编码超表面应用于rcs缩减中，其单元可以通过涉及改变表面的相位和振幅来实现目标反射波的干涉和散射控制。例如两种单元的反射相位相差180
°
，而振幅相近，则可以得到0、1两种编码。通过优化编码超表面的编码序列使得电磁波入射至表面时实现波束漫反射效果，任意方向的离散波束值较小，极大改善传统方法无法降低双站rcs的缺陷，提高了隐身性能。
5.编码超表面包括无源和有源两种类型，无源编码超表面不需要外部电源激励，因而功耗很低，但一旦制作完成则无法动态地调节其工作频段；有源编码超表面可以主动控制元件精确调节电磁波，具有更好的灵活性，但外界电磁波和外部电源激励互扰，容易导致性能不稳定，除此之外，有源编码超编码相比无源的工作带宽较小。
6.因此，如何提供一种能够兼容无源和有源的编码超表面，提高超表面的应用灵活性和适用范围，满足不同应用场景的需求是本领域技术人员亟需解决的问题。


技术实现要素：

7.有鉴于此，本发明提出了一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，兼容无源和有源情况，既能够实现较低成本、低能耗的应用，也具有更高的可控性和灵活性，且能在超宽带范围实现rcs缩减，易于加工和共形。
8.为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
9.本发明公开了一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，包括：介质板材、编码单元、金属反射面、变容二极管和矩形微带贴片；
10.所述介质板材的上表面印制有m
×
n个周期性排布的编码单元，m≥3，n≥3，所述介质板材的下表面印制有所述金属反射面，所述金属反射面连接至负电压或接地；
11.所述编码单元包括a
×
a个周期性排布的编码子单元，a≥3；所述编码子单元包括第一编码子单元和第二编码子单元，所述第一编码子单元和第二编码子单元的位置序列排布通过优化算法确定最优的编码序列；
12.所述第一编码子单元包括四个大小相同、镜像对称的直角三角形贴片，所述直角三角形贴片的边缘相互分离，并通过变容二极管将所述直角三角形贴片两两连接，所述变容二极管连接至正电压；
13.第二编码子单元包括四个大小相同、镜像对称的直角三角形贴片，所述直角三角形贴片的边缘相互分离，并通过矩形微带贴片将所述直角三角形贴片两两连接；
14.所述直角三角形贴片为金属贴片。
15.优选的，所述第一编码子单元中的四个所述直角三角形贴片的直角边相对，拼接为矩形或平行四边形；所述变容二极管连接于相邻的所述直角三角形贴片的直角边；
16.所述第二编码子单元中的四个所述直角三角形贴片的直角边相对，拼接为矩形或平行四边形；所述矩形微带贴片连接于相邻的所述直角三角形贴片的直角边。
17.优选的，所述介质板材采用相对介电常数为2.2、损耗角为0.0009、厚度为0.6mm的覆铜板材。
18.优选的，所述直角三角形贴片、矩形微带贴片及金属反射面的材质均为铜。
19.优选的，所述宽带编码超表面的尺寸长度为57.6mm
×
57.6mm。
20.优选的，所述第一编码子单元和第二编码子单元的单元边长尺寸一致，两编码子单元的反射特性幅值在工作频段内大于99.6％，反射相位差为180
°±
25
°
。
21.优选的，所述第一编码子单元中的直角三角形贴片尺寸为：两个直角边a1＝b1＝1.31mm，相邻直角三角形贴片之间的间隔d1＝0.38mm；
22.所述第二编码子单元中的直角三角形贴片尺寸为：两个直角边a2＝b2＝1.19mm，相邻直角三角形贴片之间的间隔，即矩形微带贴片的长度d2＝0.48mm，所述矩形微带贴片的宽度w2＝0.5mm。
23.优选的，所述宽带编码超表面的工作状态包括两种形式，无源工作状态下，无外部电压输入时表现为无源编码超表面，工作频段固定，两编码子单元的反射幅值和相位在较宽频段内满足编码要求；有源工作状态下，通过外部输入电压对二极管的容值进行控制表现为有源编码超表面，通过调节偏置电压的幅值可灵活调节编码子单元的反射相位，工作频段根据需求重构。
24.优选的，第一编码子单元和第二编码子单元分别编码为0和1；0和1的位置序列排布通过优化算法确定最优的编码序列。
25.优选的，所述优化算法采用模拟退火算法sa，适应度函数设定为:
[0026][0027]
其中，θ和两个变量值分别表示入射电磁波的仰角和方位角；通过迭代傅里叶变换法即可得到编码序列下的远场函数值，选取最大的值作为适应度函数值；
[0028]
每次模拟退火算法sa的迭代矩阵产生的最大值中选取一个最小值，若最小值满足所设定的要求则该编码序列对应的rcs值达到最优解。
[0029]
经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明具有以下增益效果:
[0030]
1.本发明中的第一编码子单元和第二编码子单元均为上下左右对称结构，加工方便，易于实现，稳定性高；
[0031]
2.本发明可以通过不同的编码组合实现电磁超表面对电磁波的多种调控功能，包
括实现特定的散射方向图、减小雷达散射截面，以实现毫米波作战系统的隐身功能。
[0032]
3.本发明具有宽带rcs缩减特性。在本发明中使用的编码超表面在宽频带内均能实现设计功能。
[0033]
4.本发明具备可控性能，包括无源和有源两种形式，均可通过外部输入信号对其进行控制。
附图说明
[0034]
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图；
[0035]
图1是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面的整体结构示意图；
[0036]
(a)一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面正视图；
[0037]
(b)一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面侧视图；
[0038]
图2是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面的第一编码子单元结构示意图；
[0039]
图3是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面的第二编码子单元结构示意图；
[0040]
图4是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面的两种编码子单元的反射幅度仿真结果图；
[0041]
图5是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面的两种编码子单元的反射相位仿真结果图；
[0042]
图6是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面在无源工作状态下以45ghz平面波垂直入射，采用不同编码组合的散射图样仿真结果示意图；
[0043]
(a)对应于第一编码组合010101
…
/010101
…
；
[0044]
(b)对应于第二编码组合010101
…
/101010
…
；
[0045]
图7是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面的最优编码序列的优化算法框架图；
[0046]
图8是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面无源工作状态下采用优化后的编码组合在不同频率的散射图样仿真结果示意图；
[0047]
(a)为35ghz下的仿真结果；
[0048]
(b)为40ghz下的仿真结果；
[0049]
(c)为45ghz下的仿真结果；
[0050]
图9是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面在无源工作状态下的rcs缩减结果图；
[0051]
图10是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面在有源工作状态下，变容二极管电容值c不同对第一编码子单元的相位影响曲线；
[0052]
图11是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面有源工作状态下采用优化后的编码组合在27.5ghz的散射图样仿真结果示意图；
[0053]
图12是本发明实施例中一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面在有源工作状态下的rcs缩减结果图。
具体实施方式
[0054]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0055]
在本发明中，分别以直角三角形贴片连接处加载变容二极管和矩形微带贴片的两种单元作为基本的编码单元“0”与“1”，通过设计优化编码组合，若编码超表面介质板材的上层表面位置为z＝0，则上半空间为z≥0的空间。在有源/无源两种工作状态下均能在介质板材表面的上半空间达到波束漫反射效果，构成有源/无源可控且可实现宽带rcs缩减的编码超表面，可实现25ghz～50ghz毫米波范围内大幅度rcs缩减。
[0056]
下面结合附图对本发明作更进一步说明。
[0057]
参照图1，本发明实施例公开了一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，包括介质板材1、编码单元2、金属反射面3、变容二极管4和矩形微带贴片5；
[0058]
介质板材1的上表面印制有m
×
n个周期性排布的1bit编码单元2，m≥3，n≥3，介质板材1的下表面印制有金属反射面3；第一编码单元通过上层馈线连接至正电压，从而给所有变容二极管进行统一馈电；金属反射面通过下层馈线连接至负电压或接地。金属反射面在发明中起的另一个作用是尽量将电磁波全部反射至上半空间，降低透射电磁波的占比。
[0059]
编码单元包括a
×
a个周期性排布的编码子单元，a≥3；编码子单元包括第一编码子单元和第二编码子单元，第一编码子单元和第二编码子单元的位置序列排布通过优化算法确定最优的编码序列；
[0060]
第一编码子单元包括四个大小、镜像对称的直角三角形贴片，直角三角形贴片的边缘相互分离，并通过变容二极管4将直角三角形贴片两两连接；
[0061]
第二编码子单元包括四个大小、镜像对称的直角三角形贴片，直角三角形贴片的边缘相互分离，并通过矩形微带贴片5将直角三角形贴片两两连接；
[0062]
直角三角形贴片为金属贴片，可以采用铜材质贴片。
[0063]
在一个实施例中，宽带编码超表面的尺寸长度为57.6mm
×
57.6mm。
[0064]
在一个实施例中，介质板材1采用方形的边长为57.6mm，厚度为0.6mm的rogersrt 5880覆铜板材料，其相对介电常数为2.2、损耗角正切为0.0009。
[0065]
在一个实施例中，介质板材1的上表面印制有6
×
6个周期性排布的编码单元2；编码单元包括3
×
3个周期性排布的编码子单元。
[0066]
在一个实施例中，第一编码子单元和第二编码子单元的单元边长尺寸一致，两编码子单元的反射特性幅值在工作频段内大于99.6％，反射相位差为180
°±
25
°
。
[0067]
需要说明的是，单元边围合的单元空间内，包括直角三角形贴片、矩形微带贴片5所占用的元器件空间，以及元器件空间外围裸露的介质板材组成的矩形空间。编码子单元
的单元边长d＝3.2mm
[0068]
在一个实施例中，参见图2，第一编码子单元中的四个直角三角形贴片的直角边相对，拼接为矩形或平行四边形；变容二极管4连接于相邻的直角三角形贴片的直角边；
[0069]
参见图3，第二编码子单元中的四个直角三角形贴片的直角边相对，拼接为矩形或平行四边形；矩形微带贴片5连接于相邻的直角三角形贴片的直角边。
[0070]
本实施例中，第一编码子单元中的直角三角形贴片尺寸为：两个直角边a1＝b1＝1.31mm，相邻直角三角形贴片之间的间隔d1＝0.38mm。直角三角形贴片厚度t＝0.018mm，材质为铜。
[0071]
第二编码子单元中的直角三角形贴片尺寸为：两个直角边a2＝b2＝1.19mm，相邻直角三角形贴片之间的间隔，即矩形微带贴片5的长度d2＝0.48mm，矩形微带贴片5的宽度w2＝0.5mm，直角三角形贴片厚度t＝0.018mm。
[0072]
本实施例中，金属反射面的厚度t＝0.018mm。
[0073]
在一个实施例中，宽带编码超表面的工作状态包括两种形式，无源工作状态下，无外部电压输入时表现为无源编码超表面，工作频段固定；有源工作状态下，通过外部输入电压对二极管的容值进行控制表现为有源编码超表面，工作频段根据需求重构。
[0074]
在一个实施例中，第一编码子单元和第二编码子单元分别编码为0和1；0和1的位置序列排布通过优化算法确定最优的编码序列。第一编码子单元和第二编码子单元按照不同的编码序列进行排列，为了避免临近单元的耦合，在本发明实施例中通过采用9个相同编码子单元以3
×
3的方式固定排列构成超级子单元。
[0075]
具体的，包含如下2种超级子单元形式：9个第一编码子单元以3
×
3的方式固定排列；9个第二编码子单元以3
×
3的方式固定排列。编码单元2包括编码超表面上层所有的超级子单元构成的编码阵列。
[0076]
本实施例中，第一编码子单元即“0”编码单元采用四个大小、镜像对称的直角三角形贴片，并通过变容二极管4将直角三角形贴片两两连接；第二编码子单元即“1”编码单元包括四个大小、镜像对称的直角三角形贴片，并通过矩形微带贴片5将直角三角形贴片两两连接。
[0077]
介质基底上层的直角三角形贴片，微带矩形贴片，以及介质基底下层的金属反射面贴片均采用铜材料，通过电路印刷技术实现。
[0078]
下面通过cst工作室进行仿真实验，分别对本发明实施例在无源/有源两种工作状态的技术效果作进一步说明:
[0079]
参照图4，给出本发明实施例中两种编码子单元的反射幅度，从图中可以看到，在无源工作状态下，第一编码子单元和第二编码子单元的反射特性幅值在工作频段内大于99.6％，可以实现对电磁波的全反射特性。
[0080]
参照图5，给出本发明实施例中两种编码子单元的反射相位状态，从图中可以看到，无源工作状态下，两种电磁超材料单元的相位差在33ghz～49ghz频段范围内保持在180
°±
25范围之间，可以认为在较宽频带内两种编码单元的相差接近180
°
。
[0081]
参照图6，给出本发明实施例在无源工作状态下采用不同编码序列在45ghz时的散射图样仿真结果。图6(a)为第一编码组合010101
…
/010101
…
序列的编码超表面，在理论上入射波将在两个对称方向上产生散射波。图6(b)为第二编码组合010101
…
/101010
…
编码
序列，在理论上入射波将在对称方向上产生四个散射波，从图中可以看出，全波仿真与理论计算结果非常吻合。
[0082]
参照图7，给出本发明实施例中确定“0”、“1”单元最优编码序列的优化算法示意图。所采用的算法为模拟退火算法(sa)，为了能够得到最小的散射能量值来实现较低的rcs值，在优化算法中将适应度函数设定为:
[0083][0084]
其中，θ和两个变量值分别表示仰角和方位角，不同角度下的方向图函数值不同。仰角指的是入射电磁波(雷达探测波)的入射角度，方位角也是入射电磁波相对编码超表面的方位角。
[0085]
在空间坐标系中，的取值为0～360
°
，θ的取值为0～90
°
，两变量值步长均取1，对应地有91
×
361个远场值。通过迭代傅里叶变换法即可得到编码序列下的远场函数值，从这些值里面挑一个最大的值作为适应度函数值。每次迭代矩阵产生的最大值中选取一个最小值，若最小值满足所设定的要求则该编码序列对应的rcs值达到最优解。
[0086]
当电磁波照射在本发明实施例时，电磁波在空间的各个方向上都能被尽可能地散射，从而形成更多的波束，根据能量守恒定律，波束更多，则波束在各个方向上的能量更小，从而达到rcs缩减的目的。
[0087]
参照图8，给出本发明实施例在无源工作状态不同频率下的散射图样仿真结果。由图中可以看出，当35ghz、40ghz、45ghz平面波垂直入射时，其在上半空间的波束随机分配到空间中，形成了多个散射波束，说明了本发明实施例具备良好的漫反射特性。
[0088]
参照图9，给出本发明实施例在无源工作状态下与相同尺寸的pec平板的rcs对比曲线图。由图中可以看出，未给变容二极管馈电的无源工作状态下，在30ghz到50ghz频带内实现了宽频rcs缩减，最大缩减量可达26db，说明本发明实施例实现了宽频rcs缩减功能。
[0089]
参照图10，给出有源工作状态下，本发明实施例中第一编码单元在变容二极管容值c不同时的反射相位值。由图中可以看出，随着容值c的增大，反射相位逐渐提前。因而编码超表面在有源工作状态下，可通过调节偏置电压值灵活控制第一编码单元的反射相位值，实现工作频段可重构。
[0090]
参照图11，给出本发明实施例在有源工作状态下的散射图样仿真结果。通过外部偏置电压将变容二极管容值c调整至2pf，当27.5ghz平面波垂直入射时，其在上半空间的波束随机分配到空间中，形成了多个散射波束，说明了本发明实施例在有源工作状态同样具备良好的漫反射特性。
[0091]
参照图12，给出本发明实施例在有源工作状态下与相同尺寸的pec平板的rcs对比曲线图。由图中可以看出，在给变容二极管进行外部偏置电压馈电的有源工作状态下，在25ghz到30ghz频带内实现了rcs缩减，最大缩减量可达10.4db，说明本发明实施例具备电控可重构性能，当无源工作状态切换至有源时，所覆盖工作频段不同。
[0092]
以上仿真结果说明，本发明实施例可通过电控手段方便控制无源、有源两种工作状态。在具有工作频段较宽、性能稳定、运行成本较低的应用需求时采用无源工作状态，当有频段可重构或切换工作频段的应用需求时采用有源工作状态。在两种工作状态下均可实现良好的rcs缩减性能，具有宽阔的应用前景。
[0093]
综上，本发明提供了一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，有源/无源状态可灵活切换使用，两种工作状态下均可在宽频范围实现波束漫反射效果，具备显著的rcs缩减效果，具有易加工、制作成本低、角度稳定性好等优势。
[0094]
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0095]
以上对本发明所提供的基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面进行了详细介绍，本实施例中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
[0096]
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本实施例中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本实施例所示的这些实施例，而是要符合与本实施例所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，包括：介质板材(1)、编码单元(2)、金属反射面(3)、变容二极管(4)和矩形微带贴片(5)；所述介质板材(1)的上表面印制有m
×
n个周期性排布的编码单元(2)，m≥3，n≥3，所述介质板材(1)的下表面印制有所述金属反射面(3)，所述金属反射面(3)连接至负电压或接地；所述编码单元包括a
×
a个周期性排布的编码子单元，a≥3；所述编码子单元包括第一编码子单元和第二编码子单元，所述第一编码子单元和第二编码子单元的位置序列排布通过优化算法确定最优的编码序列；所述第一编码子单元包括四个大小相同、镜像对称的直角三角形贴片，所述直角三角形贴片的边缘相互分离，并通过变容二极管(4)将所述直角三角形贴片两两连接，所述变容二极管(4)连接至正电压；第二编码子单元包括四个大小相同、镜像对称的直角三角形贴片，所述直角三角形贴片的边缘相互分离，并通过矩形微带贴片(5)将所述直角三角形贴片两两连接；所述直角三角形贴片为金属贴片。2.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，所述第一编码子单元中的四个所述直角三角形贴片的直角边相对，拼接为矩形或平行四边形；所述变容二极管(4)连接于相邻的所述直角三角形贴片的直角边；所述第二编码子单元中的四个所述直角三角形贴片的直角边相对，拼接为矩形或平行四边形；所述矩形微带贴片(5)连接于相邻的所述直角三角形贴片的直角边。3.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，所述介质板材(1)采用相对介电常数为2.2、损耗角为0.0009、厚度为0.6mm的覆铜板材。4.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，直角三角形贴片、矩形微带贴片(5)及金属反射面(3)的材质均为铜。5.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，所述宽带编码超表面的尺寸长度为57.6mm
×
57.6mm。6.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，所述第一编码子单元和第二编码子单元的单元边长尺寸一致，两编码子单元的反射特性幅值在工作频段内大于99.6％，反射相位差为180
°±
25
°
。7.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，所述第一编码子单元中的直角三角形贴片尺寸为：两个直角边a1＝b1＝1.31mm，相邻直角三角形贴片之间的间隔d1＝0.38mm；所述第二编码子单元中的直角三角形贴片尺寸为：两个直角边a2＝b2＝1.19mm，相邻直角三角形贴片之间的间隔，即矩形微带贴片(5)的长度d2＝0.48mm，所述矩形微带贴片(5)的宽度w2＝0.5mm。8.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，所述宽带编码超表面的工作状态包括两种形式，无源工作状态下，无外部电压输入时表现为无源编码超表面，工作频段固定；有源工作状态下，通过外部输入电压对二极管的容值进行控制表现为有源编码超表面，工作频段根据需求重构。
9.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，第一编码子单元和第二编码子单元分别编码为0和1；0和1的位置序列排布通过优化算法确定最优的编码序列。10.根据权利要求1所述的一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，其特征在于，所述优化算法采用模拟退火算法sa，适应度函数设定为:其中，θ和两个变量值分别表示入射电磁波的仰角和方位角；通过迭代傅里叶变换法即可得到编码序列下的远场函数值，选取最大的值作为适应度函数值；每次模拟退火算法sa的迭代矩阵产生的最大值中选取一个最小值，若最小值满足所设定的要求则该编码序列对应的rcs值达到最优解。

技术总结
本发明提供了一种基于漫反射效应的有源/无源可控的宽带编码超表面，包括：周期性排布的编码单元被印制在介质基底表面，编码单元包括周期性排布的第一编码子单元和第二编码子单元，第一编码子单元包括直角三角形贴片，并通过变容二极管将直角三角形贴片两两连接；第二编码子单元包括直角三角形贴片，并通过矩形微带贴片将直角三角形贴片两两连接；所设计编码超表面具有两种工作状态，未通电情况下表现为无源编码超表面；通电情况下表现为有源编码超表面。本发明具有超宽带漫反射的特性，可实现25GHz～50GHz毫米波范围内大幅度RCS缩减，同时可方便切换无源/有源两种工作状态，易于加工与共形。加工与共形。加工与共形。


技术研发人员：阳志强 巩蕾 王利国 杨利红 李瑶 王海斌
受保护的技术使用者：西安工业大学
技术研发日：2023.05.08
技术公布日：2023/7/12